CN107778294B - 有机分子，特别应用于有机光电装置中 - Google Patents

有机分子，特别应用于有机光电装置中 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种有机分子，特别应用于有机光电装置中。根据本发明的该有机分子包含：‑具有或由根据式I的结构构成的第一化学单元，
Figure DDA0001394946770000011
和‑在每次出现时分别相同或不同地具有或由根据式II的结构构成的两个第二化学单元D，
Figure DDA0001394946770000012
在此，第一化学单元分别经由单键与两个第二化学单元D结合；其中T、V互相独立地是根据式I的化学单元和化学单元D之间单键的结合点，或者是H；W、X、Y互相独立地是根据式I的化学单元和化学单元D之间单键的结合点，或者选自H、CN和CF3；在此恰好一个选自W、X和Y的基团等于CN或CF3，且恰好两个选自T、V、W、X和Y的基团等于根据式I的化学单元和化学单元D之间单键的结合点。

Description

有机分子，特别应用于有机光电装置中
技术领域
本发明涉及纯的有机分子及其在有机发光二极管(OLED)和在其他有机光电装置中的用途。
发明内容
发明要解决的问题
本发明的目的在于，提供用于光电装置中的分子。
用于解决问题的方案
所述目的通过本发明提供的新型有机分子来实现。
根据本发明的有机分子是纯的有机分子，它不具有金属离子并且因此与有机光电装置中使用的公知的金属配合化合物区分开来。
根据本发明的分子通过在蓝色、天蓝色或绿色光谱范围内的发射来表征。根据本发明的有机分子的光致发光量子产率特别是20％和更高。根据本发明的分子尤其显示出热活化延迟荧光(TADF)。根据本发明的分子在光电装置例如有机发光二极管(OLED)中的使用，使得装置具有更高的效率。对应的OLED具有相对于公知发射材料和可比颜色的OLED来说具有更高的稳定性。
蓝色光谱范围在此应理解为小于470nm，特别是420nm至470nm的可见光范围。天蓝色光谱范围在此应理解为470nm至499nm的范围。绿色光谱范围在此应理解为500nm至599nm的范围。发射最大值位于各个区域内。
所述有机分子包含第一化学单元，它具有或由根据式I的结构构成：
Figure BDA0001394946750000021
和
两个第二化学单元D，它们在出现时分别是相同或不同的，具有或由根据式II的结构构成，
Figure BDA0001394946750000022
所述第一化学单元在此分别经由单键与所述两个第二化学单元D结合。
T是第一化学单元和一个第二化学单元D之间单键的结合点，或者是H。
V是第一化学单元和一个第二化学单元D之间单键的结合点，或者是H。
W是第一化学单元和一个第二化学单元D之间单键的结合点，或者选自H、CN和CF3。
X是第一化学单元和一个第二化学单元D之间单键的结合点，或者选自H、CN和CF3。
Y是第一化学单元和一个第二化学单元D之间单键的结合点，或者选自H、CN和CF3。
#是各个第二化学单元D和第一化学单元之间单键的结合点。
Z在每次出现时相同或不同地是直接键，或者选自CR3R4、C＝CR3R4、C＝O、C＝NR3、NR3、O、SiR3R4、S、S(O)和S(O)2。
R1和R2在每次出现时相同或不同地是H，氘；具有1至5个C原子的线型烷基基团，具有2至8个C原子的线型烯基-或炔基基团，具有3至10个C原子的支化或环状烷基-、烯基-或炔基基团，在此一个或更多个H原子可以被氘代替；或者是具有5至15个芳香族环原子的芳香族或杂芳族环***，它们可以分别通过一个或更多个基团R6来取代。
Ra、R3和R4在每次出现时相同或不同地是H、氘、N(R5)2、OH、Si(R5)3、B(OR5)2、OSO2R5、CF3、CN、F、Br、I；具有1至40个C原子的线型烷基-、烷氧基-或硫代烷氧基基团，或具有2至40个C原子的线型烯基-或炔基基团，或具有3至40个C原子的支化或环状的烷基-、烯基-、炔基-、烷氧基-或硫代烷氧基基团，它们可以分别被一个或更多个基团R5取代，在此一个或更多个不相邻的CH2-基团可以通过R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5来代替，并且其中一个或更多个H原子可以通过氘、CN、CF3或NO2来代替；或者是具有5至60个芳香族环原子的芳香族或杂芳族环***，它们可以分别被一个或更多个基团R5取代；或具有5至60个芳香族环原子的芳氧基-或杂芳氧基基团，它们可以被一个或更多个基团R5取代；或具有10至40个芳香族环原子的二芳基氨基基团、二杂芳基氨基基团或芳基杂芳基氨基基团，它们可以被一个或更多个基团R5取代。
R5在每次出现时相同或不同地是H、氘、N(R6)2、OH、Si(R6)3、B(OR6)2、OSO2R6、CF3、CN、F、Br、I；具有1至40个C原子的线型烷基-、烷氧基-或硫代烷氧基基团，或具有2至40个C原子的线型烯基-或炔基基团，或具有3至40个C原子的支化或环状的烷基-、烯基-、炔基-、烷氧基-或硫代烷氧基基团，它们可以分别被一个或更多个基团R6取代，在此一个或更多个不相邻的CH2-基团可以通过R6C＝CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6 )2、Sn(R6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6来代替，并且其中一个或更多个H原子可以通过氘、CN、CF3或NO2来代替；或者是具有5至60个芳香族环原子的芳香族或杂芳族环***，它们可以分别被一个或更多个基团R6取代；或具有5至60个芳香族环原子的芳氧基-或杂芳氧基基团，它们可以被一个或更多个基团R6取代；或具有10至40个芳香族环原子的二芳基氨基基团、二杂芳基氨基基团或芳基杂芳基氨基基团，它们可以被一个或更多个基团R6取代。
R6在每次出现时相同或不同地是H、氘、OH、CF3、CN、F；具有1至5个C原子的线型烷基-、烷氧基-或硫代烷氧基基团，或具有2至5个C原子的线型烯基-或炔基基团，或具有3至5个C原子的支化或环状的烷基-、烯基-、炔基-、烷氧基-或硫代烷氧基基团，在此一个或更多个H原子可以被氘、CN、CF3或NO2代替；或者是具有5至60个芳香族环原子的芳香族或杂芳族环***；或具有5至60个芳香族环原子的芳氧基-或杂芳氧基基团；或具有10至40个芳香族环原子的二芳基氨基基团、二杂芳基氨基基团或芳基杂芳基氨基基团。
根据本发明，基团Ra、R3、R4或R5中的每个基团还可以与一个或更多个其他基团Ra、R3、R4或R5构成单环或多环、脂肪族、芳香族和/或苯并稠合的环***。
根据本发明，恰好一个选自W、X和Y的基团等于CN或CF3，并且恰好两个选自T、V、W、X和Y的基团等于第一化学单元和一个第二化学单元D之间单键的结合点。
在该有机分子的一种实施形式中，R1和R2在每次出现时相同或不同地是H、甲基或苯基。
在该有机分子的一种实施形式中，W是CN。
在该有机分子的其他实施形式中，化学单元D在每次出现时相同或不同地具有式IIa的结构，或者由式IIa的结构构成：
Figure BDA0001394946750000051
其中#和Ra在此适用在式I和II中所述的定义。
在该有机分子的其他实施形式中，第二化学单元D彼此独立地具有选自式IIb、式IIb-2、式IIb-3或式IIb-4的结构，或者由它们构成：
Figure BDA0001394946750000052
其中
Rb在每次出现时相同或不同地是N(R5)2、OH、Si(R5)3、B(OR5)2、OSO2R5、CF3、CN、F、Br、I；具有1至40个C原子的线型烷基-、烷氧基-或硫代烷氧基基团，或具有2至40个C原子的线型烯基-或炔基基团，或具有3至40个C原子的支化或环状的烷基-、烯基-、炔基-、烷氧基-或硫代烷氧基基团，它们可以分别被一个或更多个基团R5取代，在此一个或更多个不相邻的CH2-基团可以通过R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5来代替，并且其中一个或更多个H原子可以通过氘、CN、CF3或NO2来代替；或者是具有5至60个芳香族环原子的芳香族或杂芳族环***，它们可以分别被一个或更多个基团R5取代；或具有5至60个芳香族环原子的芳氧基-或杂芳氧基基团，它们可以被一个或更多个基团R5取代；或具有10至40个芳香族环原子的二芳基氨基基团、二杂芳基氨基基团或芳基杂芳基氨基基团，它们可以被一个或更多个基团R5取代。此外,在其他方面与上文定义相同。
在该有机分子的其他实施形式中，第二化学单元D彼此独立地具有选自式IIc、式IIc-2、式IIc-3或式IIc-4的结构，或者由它们构成：
Figure BDA0001394946750000061
前面所述定义在此适用。
在根据本发明的有机分子的其他实施形式中，Rb在每次出现时彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3、Ph，它们可以分别被一个或更多个选自Me、iPr、tBu、CN、CF3或Ph的基团取代；吡啶基，可以分别被一个或更多个选自Me、iPr、tBu、CN、CF3或Ph的基团取代；嘧啶基，可以分别被一个或更多个选自Me、iPr、tBu、CN、CF3或Ph的基团取代；咔唑基，可以分别被一个或更多个选自Me、iPr、tBu、CN、CF3或Ph的基团取代；三嗪基，可以分别被一个或更多个选自Me、iPr、tBu、CN、CF3或Ph的基团取代；或者是N(Ph)2。
以下示出所述第二化学基团D的示例性实施形式：
Figure BDA0001394946750000071
Figure BDA0001394946750000081
Figure BDA0001394946750000091
其中对于#、Z、Ra、R3、R4和R5在此适用前面所述的定义。在根据本发明的有机分子的一种实施形式中，基团R5在每次出现时相同或不同地选自H、甲基、乙基、苯基和三甲基苯基。在一种实施形式中，Ra在每次出现时相同或不同地选自H、甲基(Me)、异丙基(CH(CH3)2或iPr)、叔丁基(tBu)、苯基(Ph)、CN、CF3和二苯胺基(NPh2)。
在一种实施形式中，根据本发明的有机分子具有式III的结构：
Figure BDA0001394946750000092
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式IIIa的结构：
Figure BDA0001394946750000093
其中
Rc在每次出现时彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3、Ph，它们可以分别被一个或更多个选自Me、iPr、tBu、CN、CF3或Ph的基团取代；吡啶基，可以分别被一个或更多个选自Me、iPr、tBu、CN、CF3或Ph的基团取代；嘧啶基，可以分别被一个或更多个选自Me、iPr、tBu、CN、CF3或Ph的基团取代；咔唑基，可以分别被一个或更多个选自Me、iPr、tBu、CN、CF3或Ph的基团取代；三嗪基，可以分别被一个或更多个选自Me、iPr、tBu、CN、CF3或Ph的基团取代；或者是N(Ph)2。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式IIIb的结构：
Figure BDA0001394946750000101
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式IIIc的结构：
Figure BDA0001394946750000102
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式IIId的结构：
Figure BDA0001394946750000111
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式IIIe的结构：
Figure BDA0001394946750000112
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式IIIf的结构：
Figure BDA0001394946750000113
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式IIIg的结构：
Figure BDA0001394946750000121
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式IIIh的结构：
Figure BDA0001394946750000122
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式IV的结构：
Figure BDA0001394946750000123
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式IVa的结构：
Figure BDA0001394946750000131
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式IVb的结构：
Figure BDA0001394946750000132
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式IVc的结构：
Figure BDA0001394946750000133
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式IVd的结构：
Figure BDA0001394946750000141
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式IVe的结构：
Figure BDA0001394946750000142
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式IVf的结构：
Figure BDA0001394946750000143
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式IVg的结构：
Figure BDA0001394946750000151
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式IVh的结构：
Figure BDA0001394946750000152
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式V的结构：
Figure BDA0001394946750000153
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式Va的结构：
Figure BDA0001394946750000161
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式Vb的结构：
Figure BDA0001394946750000162
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式Vc的结构：
Figure BDA0001394946750000163
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式Vd的结构：
Figure BDA0001394946750000171
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式Ve的结构：
Figure BDA0001394946750000172
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式Vf的结构：
Figure BDA0001394946750000173
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式Vg的结构：
Figure BDA0001394946750000181
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式Vh的结构：
Figure BDA0001394946750000182
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式VI的结构：
Figure BDA0001394946750000183
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式VIa的结构：
Figure BDA0001394946750000191
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式VIb的结构：
Figure BDA0001394946750000192
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式VIc的结构：
Figure BDA0001394946750000193
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式VId的结构：
Figure BDA0001394946750000201
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式VIe的结构：
Figure BDA0001394946750000202
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式VIf的结构：
Figure BDA0001394946750000203
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式VIg的结构：
Figure BDA0001394946750000211
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式VIh的结构：
Figure BDA0001394946750000212
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式VII的结构：
Figure BDA0001394946750000221
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式VIIa的结构：
Figure BDA0001394946750000222
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式VIIb的结构：
Figure BDA0001394946750000231
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式VIIc的结构：
Figure BDA0001394946750000232
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式VIId的结构：
Figure BDA0001394946750000233
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式VIIe的结构：
Figure BDA0001394946750000241
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式VIIf的结构：
Figure BDA0001394946750000242
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式VIIg的结构：
Figure BDA0001394946750000243
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式VIIh的结构：
Figure BDA0001394946750000251
前面所述定义在此适用。
在其他实施形式中，根据本发明的有机分子具有式VIII的结构：
Figure BDA0001394946750000252
前面所述定义在此适用。
在该有机分子的一种实施形式中，Rc在每次出现时彼此独立地选自：CN、CF3、Me、iPr、tBu、Ph，它可以分别通过一个或更多个选自CN、CF3、Me、iPr、tBu、CN、CF3或Ph的基团来取代；和咔唑基，它可以分别通过一个或更多个选自CN、CF3、Me、iPr、tBu或Ph的基团来取代。
在本发明意义上，芳基基团包含6至60个芳香族环原子；杂芳基基团包含5至60个芳香族环原子，其中至少一个是杂原子。该杂原子特别是N、O和/或S。如果在本说明书的本发明特定实施形式中给出不同于所述定义中的定义，例如芳香族环原子或所包含的杂原子的数目，则适用另外给出的定义。
芳基基团或杂芳基基团可以理解为芳香族单环，如苯；或者杂芳族单环，例如吡啶、嘧啶或噻吩；或杂芳族多环，例如菲、喹啉或咔唑。缩合的(稠合的)芳香族或杂芳族多环在本发明意义上由两个或更多个互相缩合的芳香族单环或杂芳族单环构成。
可以分别被上述基团取代并且可以在任意位置结合在芳香族原子或杂芳族原子上的芳基基团或杂芳基基团，特别应理解为由以下基团衍生的芳基基团或杂芳基基团：苯、萘、蒽、菲、芘、二氢芘、
Figure BDA0001394946750000261
苝、荧蒽、苯并蒽、苯并菲、并四苯、并五苯、苯并芘、呋喃、苯并呋喃、异苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、异苯并噻吩、二苯并噻吩；吡咯、吲哚、异吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6喹啉、异喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩噁嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑(Naphthimidazol)、菲并咪唑(Phenanthrimidazol)、吡啶并咪唑(Pyridimidazol)、吡嗪并咪唑(Pyrazinimidazol)、喹喔啉并咪唑(Chinoxalinimidazol)、噁唑、苯并噁唑、萘并噁唑(Napthoxazol)、蒽并噁唑(Anthroxazol)、菲并噁唑(Phenanthroxazol)、异噁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、哒嗪、苯并哒嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹喔啉、吡嗪、吩嗪、萘啶、氮杂咔唑、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-***、1,2,4-***、苯并***、1,2,3-噁二唑、1,2,4-噁二唑、1,2,5-噁二唑、1,2,3,4-四嗪、嘌呤、蝶啶、吲嗪和苯并噻二唑，或者所述基团的组合。
环状烷基-、烷氧基-或硫代烷氧基基团在此应理解为单环的、双环的或多环的基团。
在本发明范围内，其中单个H原子或CH2-基团可以通过上述基团取代的C1-至C40-烷基基团应理解为例如基团：甲基、乙基、正丙基、异丙基、环丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、环丁基，2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、叔戊基、2-戊基、新戊基、环戊基、正己基、仲己基、叔己基、2-己基、3-己基、新己基、环己基、1-甲基环戊基、2-甲基戊基、正庚基、2-庚基、3-庚基、4-庚基、环庚基、1-甲基环己基、正辛基、2-乙基己基、环辛基、1-双环[2,2,2]辛基、2-双环[2.2.2]辛基、2-(2,6-二甲基)辛基、3-(3,7-二甲基)辛基、金刚烷基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、1,1-二甲基-正己-1-基-、1,1-二甲基-正庚-1-基-、1,1-二甲基-正辛-1-基-、1,1-二甲基-正癸-1-基-、1,1-二甲基-正十二烷-1-基-、1,1-二甲基-正十四烷-1-基-、1,1-二甲基-正十六烷-1-基-、1,1-二甲基-正十八烷-1-基-、1,1-二乙基-正己-1-基-、1,1-二乙基-正庚-1-基-、1,1-二乙基-正辛-1-基-、1,1-二乙基-正癸-1-基-、1,1-二乙基-正十二烷-1-基-、1,1-二乙基-正十四烷-1-基-、1,1-二乙基-正十六烷-1-基-、1,1-二乙基-正十八烷-1-基-、1-(正丙基)环己-1-基-、1-(正丁基)环己-1-基-、1-(正己基)-环己-1-基-、1-(正辛基)-环己基-1-基-和1-(正癸基)环己-1-基-。烯基基团应理解为例如乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、环戊烯基、己烯基、环己烯基、庚烯基、环庚烯基、辛烯基、环辛烯基或环辛二烯基。炔基基团应理解为例如乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基。C1-至C40-烷氧基基团应理解为例如甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基或2-甲基丁氧基。
本发明的实施形式涉及有机分子，该有机分子的最低激发单重态(S1)和位于其下的三重态(T1)之间的ΔE(S1-T1)值不高于5000cm-1，特别是不高于3000cm-1，或者不高于1500cm-1或1000cm-1；和/或该有机分子的发射持续时间最高为150μs，特别是最高为100μs，最高为50μs或最高为10μs；和/或该有机分子的主发射带具有半值宽度小于0.55eV，特别是小于0.50eV，小于0.48eV或小于0.45eV。
根据本发明的有机分子特别展示出的发射最大值出现在420nm和500nm之间，在430nm和480nm之间或者在450nm和470nm之间。
在一种实施形式中，该分子的“蓝色材料指数(BMI)”，即根据本发明的分子发射的光的PLQY(％计)和CIEy-颜色坐标的商，大于150，特别是大于200，大于250或大于300。
本发明在其他方面涉及用于制备根据本发明的在此描述类型(任选地具有后续转化)的有机分子的方法，其中使用在3,5-位置R1-取代的和在2,6-位置R2-取代的4-吡啶硼酸，或相应地在3,5-位置R1-取代的和在2,6-位置R2-取代的4-吡啶硼酸酯作为反应物。
Figure BDA0001394946750000281
在上述方案中，在一种实施形式中化学基团CN通过CF3来代替。
在一种实施形式中，在3,5-位置R1-取代的和在2,6-位置R2-取代的4-吡啶硼酸或相应地在3,5-位置R1-取代的和在2,6-位置R2-取代的4-吡啶硼酸酯作为反应物，与溴-二氟苄腈在钯催化存在下进行交叉偶联反应。根据本发明，在此示例性地使用4-溴-2,6-二氟苄腈、4-溴-2,5-二氟苄腈、4-溴-3,5-二氟苄腈、3-溴-2,6-二氟苄腈、3-溴-5,6-二氟苄腈和2-溴-4,5-二氟苄腈。通过对应的胺的去质子化和随后两个氟基团的亲核取代来获得产物。在此过程中，两个氮杂环以亲核芳香族取代的方式与反应物E1进行反应。典型的条件包括，在例如在二甲基亚砜(DMSO)或N,N-二甲基甲酰胺(DMF)的非质子极性溶剂中使用碱例如三价的磷酸钾或氢化钠。
本发明在其他方面涉及有机分子作为有机光电装置中的发光发射体或主体材料的用途，特别是所述有机光电装置选自：
●有机发光二极管(OLED)，
●发光电化学电池，
●OLED-传感器，特别是非密闭地向外屏蔽的气体传感器和蒸气传感器，
●有机二极管，
●有机太阳能电池，
●有机晶体管，
●有机场效晶体管，
●有机激光器和
●降频转换元件。
本方面在其他方面涉及具有或由下列物质构成的组合物：
(a)至少一种根据本发明的有机分子，特别是作为发射体和/或主体，和
(b)至少一种，也就是说一种或更多种(例如2、3、4、……)发射体材料和/或主体材料，它们不同于根据本发明的有机分子，和
(c)任选地一种或更多种颜料和/或一种或更多种溶剂。
在一种实施形式中，根据本发明的组合物由根据本发明的有机分子和一种或更多种主体材料构成。一种或更多种主体材料特别是具有三重态(T1)-和单重态(S1)-能级，在能量上高于根据本发明的有机分子的三重态(T1)-和单重态(S1)-能级。在一种实施形式中，除了根据本发明的有机分子之外，该组合物还具有电子主导的和空穴主导的主体材料。空穴主导的主体材料的最高已占轨道(HOMO)和最低空轨道(LUMO)，在能量上尤其高于电子主导的主体材料的最高已占轨道(HOMO)和最低空轨道(LUMO)。空穴主导的主体材料的HOMO在能量上低于根据本发明的有机分子的HOMO，而电子主导的主体材料的LUMO在能量上高于根据本发明的有机分子的LUMO。为了避免在发射体和一种或更多种主体材料之间形成激发复合体，应选择材料使得各个轨道之间的能量间隔较低。电子主导的主体材料的LUMO和根据本发明的有机分子的LUMO之间的间隔特别应小于0.5eV，优选小于0.3eV，更优选小于0.2eV。空穴主导的主体材料的HOMO和根据本发明的有机分子的HOMO之间的间隔特别应小于0.5eV，优选小于0.3eV，更优选小于0.2eV。
本发明在其他方面涉及有机光电装置，它具有根据本发明的有机分子或根据本发明的组合物。该有机光电装置被成型为选自以下的装置：有机发光二极管(OLED)、发光电化学电池、OLED传感器，特别是非密闭地向外屏蔽的气体传感器和蒸气传感器、有机二极管、有机太阳能电池、有机晶体管、有机场效晶体管、有机激光器和降频转换元件。
有机光电装置在一种实施形式中具有：
-衬底，
-阳极，和
-阴极，阳极或阴极在此施加在衬底上，且
-至少一个发光层，它布置在阳极和阴极之间并且具有根据本发明的有机分子，代表本发明的其他实施形式。
在一种实施形式中，光电装置是有机发光二极管(OLED)。典型的OLED具有例如如下层构造：
1.衬底(载体材料)
2.阳极
3.空穴注入层(HIL)
4.空穴传输层(HTL)
5.电子阻挡层(EBL)
6.发射层(EML)
7.空穴阻挡层(HBL)
8.电子传输层(ETL)
9.电子注入层(EIL)
10.阴极
单个层在此仅以任选的方式存在。另外可以多个层重叠。并且器件中可以存在多个单个层。
根据一种实施形式，有机组建的至少一个电极被构造成半透明的。“半透明的”在此表示，该层可以透过可见光。半透明的层在此可以是清楚透光的，即透明的，或者至少部分地吸收光和/或部分地散射光的，由此该半透明的层可以是弥散性的或者是乳白色透光的。在此指出的半透明尤其是构造成尽可能透明的，使得特别是光的吸收尽可能的低。
根据其他实施形式，特别是OLED的有机部件具有倒置的结构。倒置的结构的特征在于，阴极位于衬底之上，其他层相应地倒置地施加：
1.衬底(载体材料)
2.阴极
3.电子注入层(EIL)
4.电子传输层(ETL)
5.空穴阻挡层(HBL)
6.发射层或发射体层(EML)
7.电子阻挡层(EBL)
8.空穴传输层(HTL)
9.空穴注入层(HIL)
10.阳极。
单个层在此仅以任选地方式存在。另外可以多个层重叠。并且器件中可以存在多个单个层。
在一种实施形式中，倒置的OLED的典型结构是将典型的阳极层例如ITO层(氧化铟锡)作为阴极连接。
根据其他实施形式，特别是OLED的有机部件具有堆叠的结构。单个OLED在此互相叠加，而不是通常地并排布置。通过堆叠结构可以实现混合光的生成。这种结构例如可以用在白光的生成中，其生成中整个可见光光谱典型地通过蓝色、绿色和红色发射体所发射的光构成。另外，在实际上相同效率和同样亮度下，可以实现比常见的OLED更长的使用寿命。对于堆叠的结构，在两个OLED之间任选地使用所谓的电荷发生层(CGL)。它由n-掺杂和p-掺杂的层构成，在此n-掺杂的层通常施加在阳极附近。
在一种所谓的串联OLED的实施形式中，在阳极和阴极之间出现两个或更多个发射层。在一种实施形式中，三个发射层重叠地布置，其中一个发射层发射红光，一个发射层发射绿光和一个发射层发射蓝光，并且任选地在单个发射层之间施加电荷发生层、阻挡层或传输层。在其他实施形式中，各个发射层直接相邻地施加。在其他实施形式中，发射层之间分别存在电荷发生层。另外，在OLED中直接相邻的和通过电荷发生层分隔的发射层可以组合。
在电极和有机层之上还可以另外布置封装。封装可以例如以玻璃盖形式的或薄层封装形式来实施。
作为光电装置的载体材料可以例如使用玻璃、石英、人造材料、金属、硅晶片，或者任何其他适当的刚性货柔性，任选透光的材料。该载体材料可以具有例如一种或更多种层形式、薄膜形式、片形式或层合物形式的材料。
作为光电装置的阳极可以例如使用透明的导电金属氧化物，如ITO(氧化铟锡)、氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或氧化锌铝(AZO)、Zn2SnO4、CdSnO3、ZnSnO3、MgIn2O4、GaInO3、Zn2In2O5或In4Sn3O12，或者不同透明导电氧化物的混合物。
作为HIL的材料可以例如使用PEDOT：PSS(聚-3,4-乙烯二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸)、PEDOT(聚-3,4-乙烯二氧噻吩)、m-MTDATA(4,4′,4″-三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯胺)、螺-TAD(2,2′,7,7′-四(N,N-二苯胺)-9,9-螺二芴)、DNTPD(4,4'-双[N-[4-{N,N-双(3-甲基-苯基)氨基}苯基]-N-苯基氨基]联苯基)、NPB(N,N'-双-(1-萘基)-N,N'-双-苯基-(1,1'-联苯基)-4,4'-二胺)、NPNPB(N,N'-联苯基-N,N'-二-[4-(N,N-联苯基-氨基)苯基]苯)、MeO-TPD(N,N,N′,N′-四(4-甲氧基苯基)苯)、HAT-CN(1,4,5,8,9,11-六氮杂苯并菲-六腈)或螺-NPD(N,N′-联苯基-N,N′-双-(1-萘基)-9,9′-螺二芴-2,7-二胺)。层厚度例如是10nm至80nm。另外，可以使用小分子(例如铜-酞菁(CuPc，例如10nm厚))或金属氧化物例如MoO3、V2O5。
作为HTL的材料可以使用叔胺、咔唑衍生物、掺杂有聚苯乙烯磺酸的聚乙烯二氧噻吩、掺杂有樟脑磺酸的聚苯胺聚-TPD(聚(4-丁基苯基-联苯基-胺))、[α]-NPD(聚(4-丁基苯基-联苯基-胺))、TAPC(4,4'-环亚己基-双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺])、TCTA(三(4-咔唑-9-基-苯基)胺)、2-TNATA(4,4'4”-三[2-萘基(苯基)氨基]三苯基胺)、螺-TAD、DNTPD、NPB、NPNPB、MeO-TPD、HAT-CN或三PCz(9,9'-联苯基-6-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-,9'H-3,3'-咔唑)。层厚度例如是10nm至100nm。
HTL可以具有p-掺杂的层，它在有机空穴导电基质中具有无机或有机的掺杂物。作为无机掺杂物可以使用例如过渡金属氧化物如氧化钒、钼或钨。作为有机掺杂物可以使用例如四氟四氰二甲基对苯醌(F4-TCNQ)、五氟苯甲酸铜(Cu(I)pFBz)或过渡金属络合物。层厚度例如是10nm至100nm。
作为电子阻挡层的材料可以使用例如mCP(1,3-(咔唑-9-基)苯)、TCTA、2-TNATA、mCBP(3,3-二(9H-咔唑-9-基)联苯)、三-Pcz(9,9'-联苯基-6-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-,9'H-3,3'-二咔唑)、CzSi(9-(4-叔丁基苯基)-3,6-双(三苯基甲硅烷基)-9H-咔唑)或DCB(N,N'-二咔唑基-1,4-二甲基苯)。层厚度例如是10nm至50nm。
发射体层EML或发射层包含或者由发射体材料或具有至少两种发射体材料和任选一种或更多种主体材料的混合物构成。适当的主体材料例如是mCP、TCTA、2-TNATA、mCBP、CBP(4,4'-双(N-咔唑基)联苯)、Sif87(二苯并[b,d]噻吩-2-基三苯基硅烷)、Sif88(二苯并[b,d]噻吩-2-基)联苯基硅烷)、9-[3-(二苯并呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯并噻吩-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3,5-双(2-二苯并呋喃基)苯基]-9H-咔唑、9-[3,5-双(2-二苯并噻吩)苯基]-9H-咔唑、T2T(2,4,6-三(联苯-3-基)-1,3,5-三嗪)、T3T(2,4,6-三(三苯基-3-基)-1,3,5-三嗪)、TST(2,4,6-三(9,9'-螺二芴-2-基)-1,3,5-三嗪)和/或DPEPO(双[2-((氧代)联苯基膦基)苯基]醚)。在一种实施形式中，EML包含50重量％至80重量％，优选60重量％至75重量％的主体材料，它选自：CBP、mCP、mCBP、9-[3-(二苯并呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯并呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯并噻吩-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3,5-双(2-二苯并呋喃基)苯基]-9H-咔唑和9-[3,5-双(2-二苯并噻吩基)苯基]-9H-咔唑；10重量％至45重量％，优选15重量％至30重量％的T2T和5重量％至40重量％，优选10重量％至30重量％的根据本发明的有机分子作为发射体。对于发射绿色或红色的发射体材料或者具有至少两种发射体材料的混合物来说，常见的基质材料如CBP是适用的。对于发射蓝色的发射体材料或者具有至少两种发射体材料的混合物来说，可以使用UHG-基质材料(超高能隙材料)(例如参见M.E.Thompson et al.,Chem.Mater.2004,16,4743)，或者使用其他所谓的宽带隙基质材料。层厚度例如是10nm至250nm。
空穴阻挡层HBL可以具有例如BCP(2,9-二甲基-4,7-联苯基-1,10-菲咯啉＝深亚铜试剂)、双-(2-甲基-8-羟基喹啉)-(4-苯基苯酚)-铝(III)(BAlq)、NBphen(2,9-双(萘-2-基)-4,7-联苯基-1,10-菲咯啉)、Alq3(铝-三(8-羟基喹啉))、T2T、TSPO1(联苯基-4-三苯基甲硅烷基苯基-膦氧化物)或TCB/TCP(1,3,5-三(N-咔唑基)苯/1,3,5-三(咔唑)-9-基)苯)。层厚度例如是10nm至50nm。
电子传输层ETL可以具有例如基于AlQ3、TSPO1、NBphen、BPyTP2(2,7-二(2,2′-二吡啶-5-基)三苯基)、Sif87、Sif88、BmPyPhB(1,3-双[3,5-二(吡啶-3-基)苯基]苯)或BTB(4,4′-双-[2-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪基)]-1,1′-联苯基)的材料。层厚度例如是10nm至200nm。
作为薄的电子注入层EIL的材料可以使用例如CsF、LiF、8-羟基喹啉锂(Liq)、Li2O、BaF2、MgO或NaF。
作为阴极层的材料可以使用金属或合金，例如Al、Al>AlF、Ag、Pt、Au、Mg、Ag:Mg。典型的层厚度为100nm至200nm。特别是使用一种或更多种对空气稳定的材料和/或自钝化，例如通过形成薄的保护氧化层自钝化的材料。
适用于封装的材料是例如氧化铝、氧化钒、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化镧、氧化钽。
在根据本发明的有机光电装置的一种实施形式中，根据本发明的有机分子被用作发光层EML中的发射材料，在此它自己形成该层或者与一种或更多种宿体材料组合使用。
本发明的一种实施形式涉及有机光电装置，它在1000cd/m2时的外部量子效率(EQE)大于5％，尤其大于8％，尤其大于10％，或大于13％，或大于16％且尤其大于20％；和/或它的发射最大值在波长420nm和500nm之间，尤其在430nm和490nm之间，或在440nm和480nm之间且尤其在450nm和470nm之间；和/或它在500cd/m2时的LT80值大于30h，尤其大于70h，或大于100h，或大于150h且尤其大于200h。
根据本发明的有机分子在发射体层EML的质量比例在一些其他实施形式中，在特别是OLED的光学发光装置的发光层中，在1％和80％之间。在根据本发明的有机光电装置的一种实施形式中，将发光层施加在衬底上，在此优选将阳极和阴极施加在衬底上，并且将发光层施加在阳极和阴极之间。
在一种实施形式中，发光层可以唯独具有100％浓度的根据本发明的有机分子，在此将阳极和阴极施加在衬底上，且发光层施加在阳极和阴极之间。
在根据本发明的有机光电装置的一种实施形式中，空穴注入层和电子注入层施加在阳极和阴极之间，空穴传输层和电子传输层施加在空穴注入层和电子注入层之间，发光层施加在空穴传输层和电子传输层之间。
有机光电装置在本发明的其他实施形式中具有：衬底、阳极、阴极、至少分别一个空穴注入层和电子注入层、至少分别一个空穴传输层和电子传输层、至少一个发光层其具有根据本发明的有机分子和一种或更多种主体材料，该主体材料的三重态(T1)-和单重态(S1)-能级在能量上高于有机分子的三重态(T1)-和单重态(S1)-能级，在此阳极和阴极施加在衬底上，空穴注入层和电子注入层施加在阳极和阴极之间，空穴传输层和电子传输层施加在空穴注入层和电子注入层之间，发光层施加在空穴传输层和电子传输层之间。
在其他方面，本发明涉及用于制造光电部件的方法。其中使用根据本发明的有机分子。
在一种实施形式中，该制造方法包括借助真空蒸发方法或由溶液对根据本发明的有机分子进行处理。
根据本发明，用于制造根据本发明的光电装置的方法，其中该光电装置的至少一个层：
-利用升华方法涂覆，
-利用OVPD(有机气相沉积)方法涂覆，
-利用载体气体升华涂覆，和/或
-由溶液或者利用压印方法制造。
在根据本发明的光电装置的制造过程中使用公知的方法。通常将层单独地施加在连续的沉积方法步骤中施加在适当的衬底上。气相沉积过程中，利用常用方法例如热蒸发、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)。对于有源矩阵OLED(AMOLED)显示器，在作为衬底的AMOLED背板上完成沉积。
作为选择，可以由溶液或分散体在适当的溶剂中进行施加。示例性的适当涂覆方法是旋涂(旋涂)、浸涂法(浸渍涂布)和喷墨印刷方法。单个层可以根据本发明经由相同涂覆方法来制造，或者经由各自不同的涂覆方法来制造。
具体实施方式
实施例
通用合成方案I
Figure BDA0001394946750000371
通用合成步骤AAV1:
Figure BDA0001394946750000372
将4-吡啶硼酸(1.80当量)、4-溴-2,6-二氟苄腈(1.00当量)、Pd2(dba)3(0.02当量)、2-二环己基膦基-2′,6′-二甲氧基联苯基(SPhos)(0.08当量)和三元碱磷酸三钾(3.00当量)在氮气下在甲苯/水混合物(比例为6:1)中100℃下搅拌16小时。随后将反应混合物加入600mL的饱和氯化钠溶液中并用乙酸乙酯(2x300mL)提取。用饱和氯化钠溶液洗涤经纯化的有机相，在MgSO4上干燥并除去溶剂。所获得的粗产物通过快速色谱纯化并得到固体产物。
根据本发明，还可以使用对应的硼酸酯来代替硼酸。
通用合成步骤AAV2:
Figure BDA0001394946750000381
Z2的合成类似AAV1来完成，在此4-吡啶硼酸与3-溴-2,6-二氟苄腈反应。
通用合成步骤AAV3:
Figure BDA0001394946750000382
Z3的合成类似AAV1来完成，在此4-吡啶硼酸与4-溴-3,5-二氟苄腈反应。
通用合成步骤AAV4:
Figure BDA0001394946750000383
Z4的合成类似AAV1来完成，在此4-吡啶硼酸与4-溴-2,5-二氟苄腈反应。
通用合成步骤AAV5:
Figure BDA0001394946750000391
Z5的合成类似AAV1来完成，在此4-吡啶硼酸与2-溴-4,5-二氟苄腈反应。
通用合成步骤AAV6:
Figure BDA0001394946750000392
Z6的合成类似AAV1来完成，在此4-吡啶硼酸与3-溴-5,6-二氟苄腈反应。
通用合成步骤AAV7:
Figure BDA0001394946750000401
Figure BDA0001394946750000411
Z1、Z2、Z3、Z4、Z5或Z6(分别是1.00当量)，对应的供体分子D-H(2.00当量)和磷酸三钾(4.00当量)在氮气下悬浮在DMSO中并在120℃下搅拌16小时。随后将反应混合物加入饱和氯化钠溶液中并用二氯甲烷提取三次。用饱和氯化钠溶液洗涤经纯化的有机相两次，在硫酸镁上干燥并最后除去溶剂。粗产物最终通过由甲苯重结晶或通过快速色谱纯化以得到固体产物。
为了得到对应的R1-和/或R2-取代的产物，使用对应的经取代的4-吡啶硼酸代替4-吡啶硼酸。
具体而言，D-H对应3,6-取代的咔唑(例如3,6-二甲基咔唑、3,6-二苯基咔唑、3,6-二-叔丁基咔唑)，2,7-取代的咔唑(例如2,7-二甲基咔唑、2,7-二苯基咔唑、2,7-二-叔丁基咔唑)，1,8-取代的咔唑(例如1,8-二甲基咔唑、1,8-二苯基咔唑、1,8-二叔丁基咔唑)，1-取代的咔唑(例如1-甲基咔唑、1-苯基咔唑、1-叔丁基咔唑)，2-取代的咔唑(例如2-甲基咔唑、2-苯基咔唑、2-叔丁基咔唑)或3-取代的咔唑(例如3-甲基咔唑、3-苯基咔唑、3-叔丁基咔唑)。尤其是可以使用卤代咔唑，特别是3-溴咔唑或3,6-二溴咔唑作为D-H，他们在接下来的反应中在对应的硼酸，例如(咔唑-3-基)硼酸中，或者在对应的硼酸酯，例如(咔唑-3-基)硼酸酯中，示例性地通过与双(频哪醇)硼酸酯(CAS编号：73183-34-3)的反应转换。在接下来的反应中，一个或更多个基团Ra经由耦合反应引入到硼酸基团或硼酸酯基团的位置上，基团Ra作为卤代的反应物Ra-卤素来使用，优选Ra-Cl和Ra-Br。作为选择，一个或更多个基团Ra可以通过之前引入的卤代咔唑与基团Ra(Ra-B(OH)2)的硼酸或对应的硼酸酯的反应来引入。
光学物理测量
光学玻璃的预处理
在每次使用过后清洗所有玻璃器皿(由石英玻璃制成的比色皿和衬底，直径：1cm)：用二氯甲烷、丙酮、乙醇、去离子水冲洗三次，在5％的Hellmanex-溶液中浸渍24小时，用去离子水彻底漂洗。用氮气吹来干燥光学玻璃。
样品准备，膜：旋涂
设备：Spin150，SPS euro。
样品浓度对应10mg/ml，在甲苯或氯苯中。
程序：1)400U/min下3秒；2)1000Upm/s条件下在1000U/min下20秒；3)1000Upm/s条件下在4000U/min下10秒。膜在涂覆之后，在70℃空气中在LHG的精密加热板上干燥1分钟。
光致发光光谱和TCSPC
利用Horiba Scientific公司的FluoroMax-4型号荧光光谱仪执行稳态发射光谱，该荧光光谱仪配备有150W氙弧灯，激发单色器和发射单色器以及Hamamatsu R928光电倍增管和”时间相关单光子计数器”(TCSPC)-选项。发射光谱和激发光谱通过标准修正曲线来校正。
同样上述***中测量发射衰减时间，使用具有FM-2013附件和Horiba Yvon Jobin的TCSPC-中心枢纽的TCSPC-方法。激发源：
NanoLED 370(波长：371nm，脉冲持续时间1.1ns)
NanoLED 290(波长：294nm，脉冲持续时间<1ns)
SpectraLED 310(波长：314nm)
SpectraLED 355(波长：355nm)。
评估(指数拟合)利用软件包数据站(Softwarepaket DataStation)和DAS6评估软件来完成。配合(Fit)经由“Chi-Quadrat”方法给出：
Figure BDA0001394946750000431
其中ei：通过拟合预测的大小和oi：测定的大小。
量子效率测定
光致发光量子产率(PLQY)的测量借助Hamamatsu Photonics公司的绝对PL量子产率测量C9920-03G-***来完成。该***由150W的氙弧灯、可自动调节的Czerny-Turner单色器(250-950nm)和具有高反射性的Spektralon涂层(Teflon-衍生物)的Ulbricht-球构成，Ulbricht-球经由玻璃纤维电缆与具有1024x122像素的BT-(薄型背照式-)CCD-芯片(尺寸为24x 24μm)的PMA-12多通道检测器链接。量子效率和CIE-坐标的评价借助软件U6039-05版本3.6.0来完成。
发射最大值以nm给出，量子产率以Φ的％给出和CIE-颜色坐标作为x,y-值给出。
根据以下方案来测定光致发光量子产率：
1)执行质量保证：使用已知浓度的乙醇中的蒽作为参照材料。
2)确定激发波长：首先测定有机分子的吸收最大值并以此进行激发。
3)样品测量的执行：
在氮气气氛下测定脱气的溶液和膜的绝对量子产率。
根据下面的方程式在***内部完成计算：
Figure BDA0001394946750000441
其中光子数为n光子和强度为Int.。
来自气相的有机电致发光装置的制造和表征
利用根据本发明的有机分子可以借助真空-升华技术制成OLED器件。
这种尚未优化的OLED可以根据标准方法来表征；由此，电致发光光谱，外部量子效率(以％测量)是取决于光电二极管检测的光的亮度、电致发光光谱和电流。
HPLC-MS:
利用连接了MS检测器(Thermo LTQ XL)的Agilent公司的HPLC仪器(1100系列)测量HPLC-MS光谱。对于HPLC，使用颗粒尺寸为3.5μm，长度为150mm和内部直径为4.6mm的来自Agilent公司的Eclipse Plus C18柱。没有前置柱并且在室温下可以在下浓度的溶剂乙腈、水和四氢呋喃进行工作：
溶剂A： H<sub>2</sub>O(90％) MeCN(10％)
溶剂B： H<sub>2</sub>O(10％) MeCN(90％)
溶剂C： THF(100％)
使用15μL的注射体积和10μg/mL的浓度，在以下梯度进行工作：
流[ml/min] 时间[min] A[％] B[％] C[％] 压力[bar]
0.3 0 80 20 - 115
0.3 5 80 20 - 115
0.3 14 0 90 10 65
0.3 25 0 90 10 65
0.3 26 80 20 - 115
0.3 33 80 20 - 115
样品的电离是通过APCI(大气压化学电离源)来实现。
实施例
实施例1
Figure BDA0001394946750000451
实施例1根据AAV1(产率62％)和AAV7来制备(产率91％)。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：510，(6.18分钟)
图1示出实施例1(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于460nm。
光致发光量子产率(PLQY)为74％，且半值宽度为0.43eV。
实施例2
Figure BDA0001394946750000461
实施例2根据AAV1(产率62％)和AAV7(产率90％)来制备。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：566，(13.78分钟)
图2示出实施例2(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于485nm。
光致发光量子产率(PLQY)为75％，且半值宽度为0.43eV。发射衰减时间为8μs。
实施例3
Figure BDA0001394946750000462
实施例3根据AAV1(产率62％)和AAV7(产率25％)来制备。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：734，(21.78分钟)
Rf＝0.17(环己烷/乙酸乙烯酯5:1)。
图3示出实施例3(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于478nm。
光致发光量子产率(PLQY)为72％，且半值宽度为0.44eV。发射衰减时间为12μs。
实施例4
Figure BDA0001394946750000471
实施例4根据AAV1(产率62％)和AAV7(产率74％)来制备。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：814，(18.61分钟)
Rf＝0.1(环己烷/乙酸乙烯酯5:1)。
图4示出实施例4(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于489nm。
光致发光量子产率(PLQY)为73％，且半值宽度为0.44eV。发射衰减时间为5μs。
实施例5
Figure BDA0001394946750000472
实施例5根据AAV1(产率62％)和AAV7(产率66％)来制备。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：662，(15.12分钟)
Rf＝0.07(环己烷/乙酸乙烯酯5:1)。
图5示出实施例5(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于483nm。
光致发光量子产率(PLQY)为69％，且半值宽度为0.46eV。发射衰减时间为13μs。
实施例6
Figure BDA0001394946750000481
实施例6根据AAV1(产率62％)和AAV7(产率81％)来制备。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：840，(8.23分钟)
Rf＝0.24(环己烷/乙酸乙烯酯5:1)。
图6示出实施例6(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于497nm。
光致发光量子产率(PLQY)为52％，且半值宽度为0.50eV。发射衰减时间为9μs。
实施例7
Figure BDA0001394946750000482
实施例7根据AAV4(产率40％)和AAV7(产率73％)来制备。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：566，(15.39分钟)
Rf＝0.27(环己烷/乙酸乙烯酯5:1)。
图7示出实施例7(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于472nm。
光致发光量子产率(PLQY)为84％，且半值宽度为0.42eV。
实施例8
Figure BDA0001394946750000491
实施例8根据AAV4(产率40％)和AAV7(产率57％)来制备。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：814，(19.46分钟)
Rf＝0.26(环己烷/乙酸乙烯酯5:1)。
图8示出实施例8(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于475nm。
光致发光量子产率(PLQY)为84％，且半值宽度为0.43eV。
实施例9
Figure BDA0001394946750000492
实施例9根据AAV4(产率40％)和AAV7(产率74％)来制备。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：630，(4.93分钟)
Rf＝0.05(环己烷/乙酸乙烯酯5:1)。
图9示出实施例9(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于511nm。
光致发光量子产率(PLQY)为41％，且半值宽度为0.46eV。
实施例10
Figure BDA0001394946750000501
实施例10根据AAV5(产率41％)和AAV7(产率32％)来制备。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：630，(4.29分钟)
图10示出实施例10(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于501nm。
光致发光量子产率(PLQY)为59％，且半值宽度为0.49eV。
实施例11
Figure BDA0001394946750000502
实施例10根据AAV1(产率62％)和AAV7(产率78％)来制备。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：662，(14.14分钟)
图11示出实施例11(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于462nm。
光致发光量子产率(PLQY)为55％，且半值宽度为0.45eV。
实施例12
Figure BDA0001394946750000511
实施例12根据AAV4(产率40％)和AAV7(产率38％)来制备。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：841，(20.13分钟)
图12示出实施例12(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于482nm。
光致发光量子产率(PLQY)为61％，且半值宽度为0.51eV。
实施例13
Figure BDA0001394946750000512
实施例13根据AAV4(产率40％)和AAV7(产率52％)来制备。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：735，(23.35分钟)
图13示出实施例13(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于471nm。
光致发光量子产率(PLQY)为81％，且半值宽度为0.42eV。
实施例14
Figure BDA0001394946750000521
实施例14根据AAV4(产率40％)和AAV7(产率66％)来制备。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：623，(6.65分钟)
图14示出实施例14(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于474nm。
光致发光量子产率(PLQY)为75％，且半值宽度为0.44eV。发射衰减时间为38μs。
实施例15
Figure BDA0001394946750000522
实施例15根据AAV1(产率62％)和AAV7(产率72％)来制备。
图15示出实施例15(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于475nm。
光致发光量子产率(PLQY)为68％，且半值宽度为0.44eV。发射衰减时间为24μs。
实施例16
Figure BDA0001394946750000531
实施例16根据AAV1(产率62％)和AAV7(产率29％)来制备。
图16示出实施例16(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于470nm。
光致发光量子产率(PLQY)为65％，且半值宽度为0.45eV。发射衰减时间为56μs。
实施例17
Figure BDA0001394946750000532
实施例17根据AAV1(产率62％)和AAV7(产率51％)来制备。
图17示出实施例17(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于476nm。
光致发光量子产率(PLQY)为66％，且半值宽度为0.43eV。发射衰减时间为23μs。
实施例18
Figure BDA0001394946750000541
实施例18利用2-甲基-4-吡啶硼酸代替4-吡啶硼酸，根据AAV1(产率36％)和AAV7(产率90％)来制备。
图18示出实施例18(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于483nm。
光致发光量子产率(PLQY)为71％，且半值宽度为0.44eV。发射衰减时间为5μs。
实施例19
Figure BDA0001394946750000542
实施例19根据AAV1(产率62％)和AAV7(产率88％)来制备。
图19示出实施例19(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于510nm。
光致发光量子产率(PLQY)为38％，且半值宽度为0.50eV。发射衰减时间为3μs。
实施例20
Figure BDA0001394946750000551
实施例20根据AAV1(产率62％)和AAV7(产率9％)来制备。
图20示出实施例20(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于498nm。
光致发光量子产率(PLQY)为40％，且半值宽度为0.46eV。发射衰减时间为4μs。
实施例21
Figure BDA0001394946750000552
实施例21利用2-甲基-4-吡啶硼酸代替4-吡啶硼酸，根据AAV1(产率36％)和AAV7(产率71％)来制备。
图21示出实施例21(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于477nm。
光致发光量子产率(PLQY)为74％，且半值宽度为0.43eV。发射衰减时间为14μs。
实施例22
Figure BDA0001394946750000561
实施例22根据AAV1(产率62％)和AAV7(产率73％)来制备。
图22示出实施例22(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于493nm。
光致发光量子产率(PLQY)为63％，且半值宽度为0.46eV。发射衰减时间为5μs。
实施例23
Figure BDA0001394946750000562
实施例23利用2-甲基-4-吡啶硼酸代替4-吡啶硼酸，根据AAV1(产率36％)和AAV7(产率86％)来制备。
图23示出实施例23(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于472nm。
光致发光量子产率(PLQY)为76％，且半值宽度为0.43eV。发射衰减时间为35μs。
实施例24
Figure BDA0001394946750000571
实施例24利用2-甲基-4-吡啶硼酸代替4-吡啶硼酸，根据AAV1(产率36％)和AAV7(产率99％)来制备。
图24示出实施例24(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于477nm。
光致发光量子产率(PLQY)为65％，且半值宽度为0.44eV。发射衰减时间为12μs。
实施例25
Figure BDA0001394946750000572
实施例25利用2-甲基-4-吡啶硼酸代替4-吡啶硼酸，根据AAV1(产率36％)和AAV7(产率42％)来制备。
图25示出实施例25(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于466nm。
光致发光量子产率(PLQY)为76％，且半值宽度为0.45eV。发射衰减时间为73μs。
实施例26
Figure BDA0001394946750000581
实施例26利用2-甲基-4-吡啶硼酸代替4-吡啶硼酸，根据AAV1(产率36％)和AAV7(产率78％)来制备。
图26示出实施例26(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于473nm。
光致发光量子产率(PLQY)为71％，且半值宽度为0.46eV。发射衰减时间为65μs。
实施例27
Figure BDA0001394946750000582
实施例27根据AAV3(产率10％)和AAV7(产率2％)来制备。
图27示出实施例27(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于467nm。
光致发光量子产率(PLQY)为68％，且半值宽度为0.45eV。
实施例28
Figure BDA0001394946750000591
实施例28根据AAV1(产率62％)和AAV7(产率23％)来制备。
图28示出实施例28(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于465nm。
光致发光量子产率(PLQY)为33％，且半值宽度为0.52eV。
实施例29
Figure BDA0001394946750000592
实施例29通过如下方式制备：2,6-二氯-4-碘吡啶(1.0当量)与4-氰-3,5-二氟苯-硼酸酯(1.1当量)在与AAV1类似的反应条件下反应(产率80％)，随后与苯基硼酸(2.5当量)在1,4-二噁烷/水混合物(比例10:1)中在100℃下进行24小时的反应(产率38％)，随后根据AAV7进行反应(产率71％)。
图29示出实施例29(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于492nm。
光致发光量子产率(PLQY)为76％，且半值宽度为0.43eV。发射衰减时间为6μs。
实施例30
Figure BDA0001394946750000601
实施例30通过如下方式制备：2,6-二氯-4-碘吡啶(1.0当量)与4-氰-3,5-二氟苯-硼酸酯(1.1当量)在与AAV1类似的反应条件下反应(产率80％)，随后与苯基硼酸(2.5当量)在1,4-二噁烷/水混合物(比例10:1)中在100℃下进行24小时的反应(产率38％)，随后根据AAV7进行反应(产率25％)。
图30示出实施例30(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于474nm。
光致发光量子产率(PLQY)为81％，且半值宽度为0.42eV。发射衰减时间为27μs。
实施例31
Figure BDA0001394946750000602
实施例31通过4-溴-2,6-二甲基吡啶(1.0当量)与4-氰-3,5-二氟苯-硼酸酯(1.3当量)在与AAV1类似的反应条件下反应(产率45％)并随后根据AAV7进行反应(产率15％)来制备。
图31示出实施例31(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于479nm。
光致发光量子产率(PLQY)为72％，且半值宽度为0.44eV。发射衰减时间为18μs。
实施例32
Figure BDA0001394946750000611
实施例32根据AAV1(产率62％)和AAV7(产率41％)来制备。
图32示出实施例32(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于491nm。
光致发光量子产率(PLQY)为52％，且半值宽度为0.48eV。发射衰减时间为12μs。
实施例33
Figure BDA0001394946750000612
实施例33通过如下方式制备：2,6-二氯-4-碘吡啶(1.0当量)与4-氰-3,5-二氟苯-硼酸酯(1.1当量)在与AAV1类似的反应条件下反应(产率65％)，随后与苯基硼酸(2.5当量)在1,4-二噁烷/水混合物(比例10:1)中在100℃下进行24小时的反应(产率96％)，随后根据AAV7进行反应(产率57％)。
图33示出实施例33(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于476nm。
光致发光量子产率(PLQY)为71％，且半值宽度为0.45eV。发射衰减时间为186μs。
实施例34
Figure BDA0001394946750000621
实施例34通过4-溴-2,6-二甲基吡啶(1.0当量)与4-氰-3,5-二氟苯-硼酸酯(1.3当量)在与AAV1类似的反应条件下反应(产率45％)并随后根据AAV7进行反应(产率50％)来制备。
图34示出实施例34(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于471nm。
光致发光量子产率(PLQY)为72％，且半值宽度为0.42eV。发射衰减时间为22μs。
实施例35
Figure BDA0001394946750000622
实施例35通过4-溴-2,6-二甲基吡啶(1.0当量)与4-氰-3,5-二氟苯-硼酸酯(1.3当量)在与AAV1类似的反应条件下反应(产率45％)并随后根据AAV7进行反应(产率43％)来制备。
图35示出实施例35(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于450nm。
光致发光量子产率(PLQY)为62％，且半值宽度为0.44eV。
实施例36
Figure BDA0001394946750000631
实施例36通过4-氯-3-苯基吡啶(1.0当量)与4-氰-3,5-二氟苯-硼酸酯(1.1当量)在与AAV1类似的反应条件下反应(产率77％)并随后根据AAV7进行反应(产率37％)来制备。
图36示出实施例36(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于468nm。
光致发光量子产率(PLQY)为55％，且半值宽度为0.47eV。发射衰减时间为272μs。
实施例37
Figure BDA0001394946750000632
实施例37通过如下方式制备：2,6-二氯-4-碘吡啶(1.0当量)与4-氰-3,5-二氟苯-硼酸酯(1.1当量)在与AAV1类似的反应条件下反应(产率65％)，随后与苯基硼酸(2.5当量)在1,4-二噁烷/水混合物(比例10:1)中在100℃下进行24小时的反应(产率96％)，随后根据AAV7进行反应(产率17％)。
图37示出实施例37(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于457nm。
光致发光量子产率(PLQY)为62％，且半值宽度为0.43eV。
实施例38
Figure BDA0001394946750000641
实施例38通过如下方式制备：2,6-二氯-4-碘吡啶(1.0当量)与4-氰-3,5-二氟苯-硼酸酯(1.1当量)在与AAV1类似的反应条件下反应(产率65％)，随后与苯基硼酸(2.5当量)在1,4-二噁烷/水混合物(比例10:1)中在100℃下进行24小时的反应(产率96％)，随后根据AAV7反应(产率45％)。
图38示出实施例38(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于496nm。
光致发光量子产率(PLQY)为61％，且半值宽度为0.46eV。发射衰减时间为6μs。
实施例39
Figure BDA0001394946750000642
实施例39通过4-溴-2,6-二甲基吡啶(1.0当量)与4-氰-3,5-二氟苯-硼酸酯(1.3当量)在与AAV1类似的反应条件下反应(产率45％)并随后根据AAV7进行反应(产率14％)来制备。
图39示出实施例39(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于475nm。
光致发光量子产率(PLQY)为60％，且半值宽度为0.46eV。发射衰减时间为34μs。
实施例40
Figure BDA0001394946750000651
实施例40通过如下方式制备：2,6-二氯-4-碘吡啶(1.0当量)与4-氰-3,5-二氟苯-硼酸酯(1.1当量)在与AAV1类似的反应条件下反应(产率65％)，随后与苯基硼酸(2.5当量)在1,4-二噁烷/水混合物(比例10:1)中在100℃下进行24小时的反应(产率96％)，随后根据AAV7进行反应(产率20％)。
图40示出实施例40(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于460nm。
光致发光量子产率(PLQY)为58％，且半值宽度为0.43eV。
实施例41
Figure BDA0001394946750000652
实施例41根据AAV1(产率62％)和AAV7(产率35％)来制备。
图41示出实施例41(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于465nm。
光致发光量子产率(PLQY)为69％，且半值宽度为0.44eV。
实施例42
Figure BDA0001394946750000661
实施例42根据AAV1(产率62％)和AAV7(产率87％)来制备。
图42示出实施例42(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于501nm。
光致发光量子产率(PLQY)为47％，且半值宽度为0.48eV。发射衰减时间为4μs。
实施例43
Figure BDA0001394946750000662
实施例43通过4-氯-3-苯基吡啶(1.0当量)与4-氰-3,5-二氟苯-硼酸酯(1.1当量)在与AAV1类似的反应条件下反应(产率77％)并随后根据AAV7进行反应(产率43％)来制备。
图43示出实施例43(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于475nm。
光致发光量子产率(PLQY)为63％，且半值宽度为0.45eV。发射衰减时间为24μs。
实施例44
Figure BDA0001394946750000671
实施例44根据AAV1(产率62％)和AAV7(产率42％)来制备。
图44示出实施例44(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于466nm。
光致发光量子产率(PLQY)为51％，且半值宽度为0.44eV。
实施例45
Figure BDA0001394946750000672
实施例45根据AAV4(产率40％)和AAV7(产率74％)来制备。
图45示出实施例45(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于474nm。
光致发光量子产率(PLQY)为53％，且半值宽度为0.46eV。发射衰减时间为189μs。
比较例1
Figure BDA0001394946750000681
制备比较例1并测量比较例1(10％，基于PMMA)的发射光谱。发射最大值位于387nm。光致发光量子产率(PLQY)为11％，且发射衰减时间为6ns。低PLQY和短的发射衰减时间表明，比较例1不是TADF发射体。
实施例D1
在具有以下构造的OLED器件(器件D1)中测试分子2(根据本发明的分子在发射层中的比例以质量百分比给出)：
层 厚度 D1
7 100nm Al
6 2nm Liq
5 40nm NBPhen
4 20nm 2(10％):mCBP
3 10nm TCTA
2 80nm NPB
1 130nm ITO
衬底 玻璃
最大值 1000cd/m<sup>2</sup>时
电源效率： 40.9±0.4lm/W 22.4±0.1lm/W
电流效率: 40.3±0.4cd/A 27.7±0.1cd/A
外部量子产率(EQE)： 19.2±0.2％ 13.2±0.1％
发射最大值位于480nm，CIEx：0.19和CIEy：0.33在6V时测定。
实施例D2
在具有以下构造的OLED器件D2中测试分子3(根据本发明的分子和两种主体材料在发射层中的比例分别以质量百分比给出)：
Figure BDA0001394946750000691
发射最大值位于475nm，CIEx：0.18和CIEy：0.34在6V时测定。EQE在1000cd/m2时为19.4±0.3％且LT80在500cd/m2时为79小时。
实施例D3
在具有以下构造的OLED器件D3中测试分子3(根据本发明的分子和主体材料在发射层中的比例分别以质量百分比给出)：
Figure BDA0001394946750000701
发射最大值位于475nm，CIEx：0.19和CIEy：0.35在6V时测定。EQE在1000cd/m2时为15.1±0.1％且LT80在500cd/m2时为187小时。
其他OLED器件包含以下结构：
层 厚度 材料
9 100nm Al
8 2nm Liq
7 30nm NBPhen
6 10nm T2T
5 20nm 实施例3(20％):mCBP(60％):T2T(20％)
4 10nm mCBP
3 10nm TCTA
2 80nm NPB
1 130nm ITO
衬底 玻璃
其他OLED器件包含以下结构：
层 厚度 材料
9 100nm Al
8 2nm Liq
7 30nm NBPhen
6 10nm T2T
5 20nm 实施例5(20％):mCBP(60％):T2T(20％)
4 10nm mCBP
3 10nm TCTA
2 80nm NPB
1 130nm ITO
衬底 玻璃
实施例D4
在具有以下构造的OLED器件D4中测试分子26(根据本发明的分子和两种主体材料在发射层中的比例分别以质量百分比给出)：
层 厚度 材料
8 100nm Al
7 2nm Liq
6 40nm NBPhen
5 20nm 26(10％):mCBP(75％):T2T(15％)
4 5nm mCBP
3 10nm TCTA
2 75nm NPB
1 130nm ITO
衬底 玻璃
发射最大值位于472nm，CIEx：0.18和CIEy：0.27在6V时测定。EQE在1000cd/m2时为10.6±0.2％且LT80在500cd/m2时为37小时。
实施例D5
在具有以下构造的OLED器件D5中测试分子5(根据本发明的分子和主体材料在发射层中的比例分别以质量百分比给出)：
层 厚度 材料
7 100nm Al
6 2nm Liq
5 40nm NBPhen
4 20nm 5(20％):9-[3-(二苯并噻吩-2-基)苯基]-9H-咔唑(80％)
3 10nm TCTA
2 140nm NPB
1 130nm ITO
衬底 玻璃
发射最大值位于480nm，CIEx：0.21和CIEy：0.39在6V时测定。EQE在1000cd/m2时为13.3±0.2％且LT80在500cd/m2时为233小时。
实施例D6
在具有以下构造的OLED器件D6中测试分子3(根据本发明的分子和两种主体材料在发射层中的比例分别以质量百分比给出)：
Figure BDA0001394946750000731
发射最大值位于480nm，CIEx：0.16和CIEy：0.34在6V时测定。EQE在1000cd/m2时为22.3±0.2％且LT80在500cd/m2时为580小时。
实施例D7
在具有以下构造的OLED器件D7中测试分子22(根据本发明的分子和主体材料在发射层中的比例分别以质量百分比给出)：
Figure BDA0001394946750000741
发射最大值位于486nm，CIEx：0.22和CIEy：0.41在6V时测定。EQE在1000cd/m2时为11.0±0.3％且LT80在500cd/m2时为152小时。
实施例D8
在具有以下构造的OLED器件D7中测试分子43(根据本发明的分子和主体材料在发射层中的比例分别以质量百分比给出)：
层 厚度 材料
10 100nm Al
9 2nm Liq
8 40nm NBPhen
7 30nm 43(10％):mCBP(70％):T2T(20％)
6 10nm mCBP
5 10nm TCTA
4 100nm NPB
3 5nm HAT-CN
2 50nm PEDOT:PSS
1 130nm ITO
衬底 玻璃
发射最大值位于477nm，CIEx：0.16和CIEy：0.28在6V时测定。EQE在1000cd/m2时为11.1±0.4％且LT80在500cd/m2时为37小时。
根据本发明的分子的其他实施例：
Figure BDA0001394946750000761
Figure BDA0001394946750000771
Figure BDA0001394946750000781
Figure BDA0001394946750000791
Figure BDA0001394946750000801
Figure BDA0001394946750000811
Figure BDA0001394946750000821
Figure BDA0001394946750000831
Figure BDA0001394946750000841
Figure BDA0001394946750000851
Figure BDA0001394946750000861
Figure BDA0001394946750000871
Figure BDA0001394946750000881
Figure BDA0001394946750000891
Figure BDA0001394946750000901
Figure BDA0001394946750000911
Figure BDA0001394946750000921
Figure BDA0001394946750000931
Figure BDA0001394946750000941
Figure BDA0001394946750000951
Figure BDA0001394946750000961
Figure BDA0001394946750000971
Figure BDA0001394946750000981
Figure BDA0001394946750000991
Figure BDA0001394946750001001
Figure BDA0001394946750001011
Figure BDA0001394946750001021
Figure BDA0001394946750001031
Figure BDA0001394946750001041
Figure BDA0001394946750001051
Figure BDA0001394946750001061
Figure BDA0001394946750001071
Figure BDA0001394946750001081
Figure BDA0001394946750001091
Figure BDA0001394946750001101
Figure BDA0001394946750001111
Figure BDA0001394946750001121
Figure BDA0001394946750001131
Figure BDA0001394946750001141
Figure BDA0001394946750001151
Figure BDA0001394946750001161
Figure BDA0001394946750001171
Figure BDA0001394946750001181
Figure BDA0001394946750001191
Figure BDA0001394946750001201
Figure BDA0001394946750001211
Figure BDA0001394946750001221
Figure BDA0001394946750001231
Figure BDA0001394946750001241
Figure BDA0001394946750001251
Figure BDA0001394946750001261
Figure BDA0001394946750001271
Figure BDA0001394946750001281
Figure BDA0001394946750001291
Figure BDA0001394946750001301
Figure BDA0001394946750001311
Figure BDA0001394946750001321
Figure BDA0001394946750001331
Figure BDA0001394946750001341
Figure BDA0001394946750001351
Figure BDA0001394946750001361
Figure BDA0001394946750001371
Figure BDA0001394946750001381
Figure BDA0001394946750001391
Figure BDA0001394946750001401
Figure BDA0001394946750001411
Figure BDA0001394946750001421
Figure BDA0001394946750001431
Figure BDA0001394946750001441
附图说明
附图中：
图1示出实施例1(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图2示出实施例2(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图3示出实施例3(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图4示出实施例4(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图5示出实施例5(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图6示出实施例6(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图7示出实施例7(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图8示出实施例8(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图9示出实施例9(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图10示出实施例10(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图11示出实施例11(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图12示出实施例12(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图13示出实施例13(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图14示出实施例14(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图15示出实施例15(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图16示出实施例16(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图17示出实施例17(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图18示出实施例18(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图19示出实施例19(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图20示出实施例20(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图21示出实施例21(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图22示出实施例22(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图23示出实施例23(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图24示出实施例24(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图25示出实施例25(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图26示出实施例26(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图27示出实施例27(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图28示出实施例28(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图29示出实施例29(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图30示出实施例30(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图31示出实施例31(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图32示出实施例32(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图33示出实施例33(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图34示出实施例34(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图35示出实施例35(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图36示出实施例36(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图37示出实施例37(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图38示出实施例38(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图39示出实施例39(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图40示出实施例40(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图41示出实施例41(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图42示出实施例42(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图43示出实施例43(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图44示出实施例44(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱
图45示出实施例45(10％，基于聚甲基丙烯酸甲酯)的发射光谱。

Claims (14)

1.一种有机分子，它包含：
-具有根据式I结构的或由根据式I的结构构成的第一化学单元，
Figure FDA0002945375310000011
和
两个第二化学单元D，
所述第二化学单元D在每次出现时相同或不同地具有式IIa的结构，或者由式IIa的结构构成：
Figure FDA0002945375310000012
所述第一化学单元在此分别经由单键与所述两个第二化学单元D结合；其中：
T是所述第一化学单元和化学单元D之间单键的结合点，或者是H；
V是所述第一化学单元和化学单元D之间单键的结合点，或者是H；
W是所述第一化学单元和化学单元D之间单键的结合点，或者选自H和CN；
X是所述第一化学单元和化学单元D之间单键的结合点，或者选自H和CN；
Y是所述第一化学单元和化学单元D之间单键的结合点，或者选自H和CN；
#代表所述化学单元D和所述第一化学单元之间单键的结合点；
R1和R2在每次出现时相同或不同地选自：
-H、氘；
-具有1至5个C原子的线型烷基基团，具有3至10个C原子的支化或环状的烷基基团；和
-具有5至15个芳香族环原子的芳香族或杂芳族环***，它们可以分别被一个或更多个基团R6取代；
Ra在每次出现时相同或不同地选自：
-H、氘、N(R5)2、OH、Si(R5)3、B(OR5)2、OSO2R5、CF3、CN、F、Br、I；
-具有1至40个C原子的线型烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，它们可以分别被一个或更多个基团R5取代，在此一个或更多个不相邻的CH2基团可以通过R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5来代替，并且其中一个或更多个H原子可以通过氘、CN、CF3或NO2来代替；
-具有2至40个C原子的线型烯基或炔基基团，它们可以分别被一个或更多个基团R5取代，在此一个或更多个不相邻的CH2基团可以通过R5C＝CR5、C≡C,Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5来代替，并且其中一个或更多个H原子可以通过氘、CN、CF3或NO2来代替；
-具有3至40个C原子的支化或环状的烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基基团，它们可以分别被一个或更多个基团R5取代，在此一个或更多个不相邻的CH2基团可以通过R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5来代替，并且其中一个或更多个H原子可以通过氘、CN、CF3或NO2来代替；
-具有5至60个芳香族环原子的芳香族或杂芳族环***，它们可以分别被一个或更多个基团R5取代；
-具有5至60个芳香族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，它们可以分别被一个或更多个基团R5取代；和
-具有10至40个芳香族环原子的二芳基氨基基团、二杂芳基氨基基团或芳基杂芳基氨基基团，它们可以分别被一个或更多个基团R5取代；
R5在每次出现时相同或不同地选自：
-H、氘、N(R6)2、OH、Si(R6)3、B(OR6)2、OSO2R6、CF3、CN、F、Br、I；
-具有1至40个C原子的线型烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，它们可以分别被一个或更多个基团R6取代，在此一个或更多个不相邻的CH2基团可以通过R6C＝CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6来代替，并且其中一个或更多个H原子可以通过氘、CN、CF3或NO2来代替；
-具有2至40个C原子的线型烯基或炔基基团，它们可以分别被一个或更多个基团R6取代，在此一个或更多个不相邻的CH2基团可以通过R6C＝CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6) 2、Sn(R6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6来代替，并且其中一个或更多个H原子可以通过氘、CN、CF3或NO2来代替；
-具有3至40个C原子的支化或环状的烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基基团，它们可以分别被一个或更多个基团R6取代，在此一个或更多个不相邻的CH2基团可以通过R6C＝CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6来代替，并且其中一个或更多个H原子可以通过氘、CN、CF3或NO2来代替；
-具有5至60个芳香族环原子的芳香族或杂芳族环***，它们可以分别被一个或更多个基团R6取代；
-具有5至60个芳香族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，它们可以分别被一个或更多个基团R6取代；和
-具有10至40个芳香族环原子的二芳基氨基基团、二杂芳基氨基基团或芳基杂芳基氨基基团，它们可以分别被一个或更多个基团R6取代；
R6在每次出现时相同或不同地选自：
-H、氘、OH、CF3、CN、F；
-具有1至5个C原子的线型烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，在此一个或更多个H原子可以被氘、CN、CF3或NO2代替；
-具有2至5个C原子的线型烯基或炔基基团，在此一个或更多个H原子可以被氘、CN、CF3或NO2代替；
-具有3至5个C原子的支化或环状的烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基基团，在此一个或更多个H原子可以被氘、CN、CF3或NO2代替；
-具有5至60个芳香族环原子的芳香族或杂芳族环***；
-具有5至60个芳香族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团；和
-具有10至40个芳香族环原子的二芳基氨基基团、二杂芳基氨基基团或芳基杂芳基氨基基团；
在此，基团Ra或R5中的每个基团还可以与一个或更多个其他基团Ra或R5构成单环或多环、脂肪族、芳香族和/或苯并稠合的环***；
其中
恰好一个选自W、X和Y的基团等于CN，并且恰好两个选自T、V、W、X和Y的基团等于第一化学单元和一个化学单元D之间单键的结合点。
2.根据权利要求1的有机分子，在此R1和R2在每次出现时相同或不同地是H、甲基或苯基。
3.根据权利要求1或2的有机分子，其中，W是CN。
4.根据权利要求1或2的有机分子，其中，所述第二化学单元D分别具有式IIb的结构，或者由式IIb的结构构成：
Figure FDA0002945375310000051
其中：
Rb在每次出现时相同或不同地选自：
-N(R5)2、OH、Si(R5)3、B(OR5)2、OSO2R5、CF3、CN、F、Br、I；
-具有1至40个C原子的线型烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，它们可以分别被一个或更多个基团R5取代，在此一个或更多个不相邻的CH2-基团可以通过R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5来代替，并且其中一个或更多个H原子可以通过氘、CN、CF3或NO2来代替；
-具有2至40个C原子的线型烯基-或炔基基团，所述C原子可以分别被一个或更多个基团R5取代，在此一个或更多个不相邻的CH2基团可以通过R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5来代替，并且其中一个或更多个H原子可以通过氘、CN、CF3或NO2来代替；
-具有3至40个C原子的支化或环状的烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基基团，它们可以被一个或更多个基团R5取代，在此一个或更多个不相邻的CH2基团可以通过R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5来代替，并且其中一个或更多个H原子可以通过氘、CN、CF3或NO2来代替；
-具有5至60个芳香族环原子的芳香族或杂芳族环***，它们可以分别被一个或更多个基团R5取代；
-具有5至60个芳香族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，它们可以分别被一个或更多个基团R5取代；和
-具有10至40个芳香族环原子的二芳基氨基基团、二杂芳基氨基基团或芳基杂芳基氨基基团，它们可以分别被一个或更多个基团R5取代；
其中，#和R5适用权利要求1中所述的定义。
5.根据权利要求1或2的有机分子，其中所述第二化学单元D分别具有式IIc的结构，或者由式IIc的结构构成：
Figure FDA0002945375310000061
其中
Rb在每次出现时相同或不同地选自：
-N(R5)2、OH、Si(R5)3、B(OR5)2、OSO2R5、CF3、CN、F、Br、I；
-具有1至40个C原子的线型烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，它们可以分别被一个或更多个基团R5取代，在此一个或更多个不相邻的CH2基团可以通过R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5来代替，并且其中一个或更多个H原子可以通过氘、CN、CF3或NO2来代替；
-具有2至40个C原子的线型烯基、或炔基基团，它们可以分别被一个或更多个基团R5取代，在此一个或更多个不相邻的CH2基团可以通过R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5来代替，并且其中一个或更多个H原子可以通过氘、CN、CF3或NO2来代替；
-具有3至40个C原子的支化或环状的烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基基团，他们可以分别被一个或更多个基团R5取代，在此一个或更多个不相邻的CH2基团可以通过R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5来代替，并且其中一个或更多个H原子可以通过氘、CN、CF3或NO2来代替；
-具有5至60个芳香族环原子的芳香族或杂芳族环***，他们可以分别被一个或更多个基团R5取代；
-具有5至60个芳香族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，它们可以分别被一个或更多个基团R5取代；和
-具有10至40个芳香族环原子的二芳基氨基基团、二杂芳基氨基基团或芳基杂芳基氨基基团，它们可以分别被一个或更多个基团R5取代；且其他的定义适用权利要求1中所述的定义。
6.根据权利要求4的有机分子，其中，Rb在每次出现时相同或不同地是Me、iPr、tBu、CN、CF3或Ph，它们可以分别被一个或更多个选自Me、iPr、tBu、CN、CF3或Ph的基团取代；吡啶基，它可以分别被一个或更多个选自Me、iPr、tBu、CN、CF3或Ph的基团取代；嘧啶基，它可以分别被一个或更多个选自Me、iPr、tBu、CN、CF3或Ph的基团取代；三嗪基，它可以分别被一个或更多个选自Me、iPr、tBu、CN、CF3或Ph的基团取代；咔唑基，它可以分别被一个或更多个选自Me、iPr、tBu、CN、CF3或Ph的基团取代；或者是N(Ph)2。
7.用于制备根据权利要求1至6任一项的有机分子的方法，其中，在3,5-位置上R1-取代的和在2,6-位置上R2-取代的4-吡啶硼酸，或者在3,5-位置上R1-取代的和在2,6-位置上R2-取代的4-吡啶硼酸酯被用作反应物。
8.根据权利要求1至6任一项的有机分子的用途，其可用于作为有机光电装置中的荧光发射体和/或主体材料和/或电子传输材料和/或空穴注入材料和/或空穴阻挡材料。
9.根据权利要求8的用途，其中所述有机光电装置选自：
发光电化学电池，
OLED-传感器，
有机二极管，
有机太阳能电池，
有机晶体管，
有机激光器，和
降频转换元件。
10.一种组合物，它具有或由下列材料构成：
(a)至少一种根据权利要求1至6中任一项的有机分子，和
(b)一种或更多种不同于根据权利要求1至6的分子的发射体材料和/或主体材料，和
(c)任选地一种或更多种颜料和/或一种或更多种溶剂。
11.一种有机光电装置，它具有根据权利要求1至6任一项的有机分子或根据权利要求10的组合物。
12.根据权利要求11所述的有机光电装置，其是成型为选自发光电化学电池、OLED传感器，有机二极管、有机太阳能电池、有机晶体管、有机激光器和降频转换元件的装置组成的组。
13.根据权利要求11或12的有机光电装置，它具有：
-衬底，
-阳极，和
-阴极，其中所述阳极或阴极施加在衬底上，和
-至少一个发光层，它布置在阳极和阴极之间并且具有根据权利要求1至6任一项的有机分子或者具有根据权利要求10的组合物。
14.用于制造有机器件的方法，其中使用根据权利要求1至6任一项的有机分子。
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