CN107742970A - 一种Si‑APD偏压电路 - Google Patents

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张鑫
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Abstract

本发明公开了一种Si‑APD偏压电路，包括比较器A1、比较器A2、开关管Q1、电感L1、电容C1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、倍压整流电路；所述的比较器A1、比较器A2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1组成矩形波发生器；所述的比较器A2的正向输入端电平VCTL确定矩形波的脉冲宽度；所述的输出偏压VAPD由倍压整流电路输出；所述的输出偏压VAPD幅度可以由VCTL控制。本发明采用比较器A1组成矩形波发生器，由比较器A2的正向输入端电平VCTL控制矩形波的脉冲宽度，从而控制输出偏压VAPD的幅度，实现了0～600V电压输出，具有噪声低、调节范围大、尺寸小、成本低等特点，可用于Si‑APD、光电倍增管、高压偏置等。

Description

一种Si-APD偏压电路
技术领域
本发明属于高压电源领域，特别涉及一种Si-APD偏压电路。
背景技术
Si-APD，又名硅雪崩光电二极管，是一种p-n结型的光检测二极管，利用载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。
Si-APD工作时需要施加一个反向偏压，使其达到雪崩倍增状态。
Si-APD主要应用于激光测距、激光雷达等，特别是用于小型手持式激光测距仪时，对Si-APD偏压电路的噪声、尺寸和成本都提出了很高的要求，且在环境温度变化时，Si-APD的偏压要随温度大范围变化。
发明内容
本发明的目的在于提供一种Si-APD偏压电路，实现了0～600V电压输出，具有噪声低、调节范围大、尺寸小、成本低等特点，可用于Si-APD、光电倍增管、高压偏置等。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种Si-APD偏压电路，包括由比较器A1和电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1组成的锯齿波发生电路，产生锯齿波输入至比较器A2的反向输入端，比较器A2的正向输入端电平VCTL确定矩形波的脉冲宽度，所述比较器A1的正向输入端分别连接电阻R1和电阻R3，比较器A1的负向输入端分别连接电容C1和比较器A2的负向输入端，比较器A1的输出端连接电阻R2，所述比较器A2的输出端连接开关管Q1，所述的开关管Q1上分别连接有电感L1和倍压整流电路，所述的倍压整流电路输出偏压VAPD。
所述的一种Si-APD偏压电路，其锯齿波发生电路还包括电阻R5、电阻R6、电阻R7，所述电阻R1、电阻R2的另一端分别连接电源VCC，电阻R3的另一端连接比较器A1的输出端，比较器A1的负向输入端和输出端还并联有电阻R6，比较器A1的正向输入端连接电阻R5，电阻R5和电容C1的另一端同时接地，比较器A2的正向输入端连接电阻R7，电阻R7的另一端接地，比较器A2的输出端连接电阻R4，电阻R4的另一端连接电源VCC，所述的倍压整流电路为电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4组成的二倍压整流电路。
进一步，所述的电容C5一端与电源VCC和电感L1连接，电容C5另一端同时连接电容C2、二极管D1负极和二极管D2正极，电容C2的另一端同时连接二极管D3负极和二极管D4正极，二极管D1正极连接电容C3，电容C3的另一端同时连接电容C4、二极管D2负极和二极管D3正极，电容C4的另一端连接二极管D4负极。
所述的一种Si-APD偏压电路，其锯齿波发生电路还包括电阻R5、电阻R6、电阻R7，所述电阻R1、电阻R2的另一端分别连接电源VCC，电阻R3的另一端连接比较器A1的输出端，比较器A1的负向输入端和输出端还并联有电阻R6，比较器A1的正向输入端连接电阻R5，电阻R5和电容C1的另一端同时接地，比较器A2的正向输入端连接电阻R7，电阻R7的另一端接地，比较器A2的输出端连接电阻R4，电阻R4的另一端连接电源VCC，所述的倍压整流电路为电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C12、电容C13、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D9、二极管D10组成的三倍压整流电路。
进一步，所述的电容C5一端与电源VCC和电感L1连接，电容C5另一端同时连接电容C2、二极管D1负极和二极管D2正极，电容C2的另一端同时连接电容C12、二极管D3负极和二极管D4正极，二极管D1正极连接电容C3，电容C3的另一端同时连接电容C4、二极管D2负极和二极管D3正极，电容C4的另一端同时连接电容C13、二极管D4负极和二极管D9正极，电容C12的另一端同时连接二极管D9负极和二极管D10正极，电容C13的另一端连接二极管D10负极。
所述的一种Si-APD偏压电路，其锯齿波发生电路还包括电阻R5、电阻R6、电阻R7，所述的电感L1由变压器T构成，所述电阻R1、电阻R2的另一端分别连接电源VCC，电阻R3的另一端连接比较器A1的输出端，比较器A1的负向输入端和输出端还并联有电阻R6，比较器A1的正向输入端连接电阻R5，电阻R5和电容C1的另一端同时接地，比较器A2的正向输入端连接电阻R7，电阻R7的另一端接地，比较器A2的输出端连接电阻R4，电阻R4的另一端连接电源VCC，所述的倍压整流电路为电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4组成的二倍压整流电路。
进一步，所述的变压器T输入侧分别连接电源VCC和开关管Q1，输出侧一端连接电容C5，一端接地，电容C5另一端同时连接电容C2、二极管D2负极和二极管D1正极，电容C2的另一端同时连接二极管D3负极和二极管D4正极，二极管D2正极连接电容C3，电容C3的另一端同时连接电容C4、二极管D1负极和二极管D3正极，电容C4的另一端连接二极管D4负极。
更进一步，所述的倍压整流电路可以是***倍压电路、信克尔倍压电路或CW倍压电路等。
再进一步，所述的比较器A2的正向输入端电平VCTL可以是外部电平控制，也可以通过分压电阻或电位器调节。
本发明采用比较器A1组成矩形波发生器，由比较器A2的正向输入端电平VCTL控制矩形波的脉冲宽度，从而控制输出偏压VAPD的幅度，实现了0～600V电压输出，具有噪声低、调节范围大、尺寸小、成本低等特点，可用于Si-APD、光电倍增管、高压偏置等。
本发明的有益效果是：1、本发明实现的Si-APD偏压电路具有超低噪声；2、本发明实现的Si-APD偏压电路器件少、尺寸小、成本低；3、本发明实现的Si-APD偏压电路通过控制VCTL电平来控制偏压VAPD大小，调节范围大。
附图说明
图1为本发明Si-APD偏压电路的原理框图；
图2为本发明Si-APD偏压电路的仿真示意图；
图3为本发明Si-APD偏压电路实施例1的原理框图；
图4为本发明Si-APD偏压电路实施例2的原理框图；
图5为本发明Si-APD偏压电路实施例3的原理框图。
各附图标记为：1—静触头支座，2—静触头，21—静触头接触面，3—动触头，31—动触头接触面，4—触头弹簧， 5—动触头支架，6—连接件，7—连接杆，8—推杆，9—固定支座，10—第三转轴，11—第一转轴，12—第二转轴，13—止位，14—第一接触点，15—第二接触点。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细说明。
本发明Si-APD偏压电路原理框图如图1所示，电路仿真波形示意图如图2所示。包括由比较器A1和电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1组成的锯齿波发生电路，产生锯齿波输入至比较器A2的反向输入端，比较器A2的正向输入端电平VCTL确定矩形波的脉冲宽度，比较器A2的反向输入端波形如图2中曲线2所示，比较器A2的正向输入端电平VCTL如图2中曲线1所示，比较器A2的输出端波形如图2中曲线3所示。
其中，所述比较器A1的正向输入端分别连接电阻R1和电阻R3，比较器A1的负向输入端分别连接电容C1和比较器A2的负向输入端，比较器A1的输出端连接电阻R2，电阻R1、电阻R2的另一端连接比较器A2的负向输入端，电阻R3和电容C1的另一端同时接地，所述比较器A2的输出端连接开关管Q1，所述的开关管Q1上分别连接有电感L1和倍压整流电路，所述的倍压整流电路输出偏压VAPD。
比较器A2的输出端高电平时，开关管Q1导通，流过电感L1的电流增大，电感储存能量；比较器A2的输出端低电平时，开关管Q1关闭，电感L1中储存的能量通过倍压整流电路将电源电压转换为APD所需要的偏压。
VCTL电平越高，比较器A2的输出端高电平脉冲宽度越宽，电感L1的电流越大，电感储存能量越多，输出偏压VAPD越高。因此，可以通过控制VCTL电平来控制偏压VAPD大小。
实施例1
一种Si-APD偏压电路，如图3所示，它包括比较器A1、比较器A2、场效应管Q1、电感L1、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4；所述的比较器A1、比较器A2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电容C1组成矩形波发生器；所述的比较器A2的正向输入端电平VCTL确定矩形波的脉冲宽度。
其中，所述比较器A1的正向输入端分别连接电阻R1和电阻R3，比较器A1的负向输入端分别连接电容C1和比较器A2的负向输入端，比较器A1的输出端连接电阻R2，电阻R1、电阻R2的另一端分别连接电源VCC，电阻R3的另一端连接比较器A1的输出端，比较器A1的负向输入端和输出端还并联有电阻R6，比较器A1的正向输入端连接电阻R5，电阻R5和电容C1的另一端同时接地，比较器A2的正向输入端连接电阻R7，电阻R7的另一端接地，比较器A2的输出端同时连接电阻R4和开关管Q1，所述的开关管Q1上依次连接电感L1和倍压整流电路，电阻R4的另一端连接电源VCC，比较器A2的正向输入端电平VCTL确定矩形波的脉冲宽度，所述的倍压整流电路输出偏压VAPD。
所述的倍压整流电路为电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4组成的二倍压整流电路。其中所述的电容C5一端与电源VCC和电感L1连接，电容C5另一端同时连接电容C2、二极管D1负极和二极管D2正极，电容C2的另一端同时连接二极管D3负极和二极管D4正极，二极管D1正极连接电容C3，电容C3的另一端同时连接电容C4、二极管D2负极和二极管D3正极，电容C4的另一端连接二极管D4负极并输出偏压VAPD。
实施例2：与实施例1的不同之处在于，采用三倍压电路来获得更高的偏压输出，如图4所示，它包括比较器A1、比较器A2、场效应管Q1、电感L1、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C12、电容C13、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D9、二极管D10。
其中，所述比较器A1的正向输入端分别连接电阻R1和电阻R3，比较器A1的负向输入端分别连接电容C1和比较器A2的负向输入端，比较器A1的输出端连接电阻R2，电阻R1、电阻R2的另一端分别连接电源VCC，电阻R3的另一端连接比较器A1的输出端，比较器A1的负向输入端和输出端还并联有电阻R6，比较器A1的正向输入端连接电阻R5，电阻R5和电容C1的另一端同时接地，比较器A2的正向输入端连接电阻R7，电阻R7的另一端接地，比较器A2的输出端同时连接电阻R4和开关管Q1，所述的开关管Q1上依次连接电感L1和倍压整流电路，电阻R4的另一端连接电源VCC，比较器A2的正向输入端电平VCTL确定矩形波的脉冲宽度，所述的倍压整流电路输出偏压VAPD。
所述的倍压整流电路为电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C12、电容C13、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D9、二极管D10组成的三倍压整流电路。其中所述的电容C5一端与电源VCC和电感L1连接，电容C5另一端同时连接电容C2、二极管D1负极和二极管D2正极，电容C2的另一端同时连接电容C12、二极管D3负极和二极管D4正极，二极管D1正极连接电容C3，电容C3的另一端同时连接电容C4、二极管D2负极和二极管D3正极，电容C4的另一端同时连接电容C13、二极管D4负极和二极管D9正极，电容C12的另一端同时连接二极管D9负极和二极管D10正极，电容C13的另一端连接二极管D10负极。
实施例3：与实施例1的不同之处在于，采用变压器T1来获得隔离偏压输出，如图5所示，它包括比较器A1、比较器A2、场效应管Q1、变压器T1、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4；所述的比较器A2的正向输入端电平VCTL确定矩形波的脉冲宽度。
其中，所述比较器A1的正向输入端分别连接电阻R1和电阻R3，比较器A1的负向输入端分别连接电容C1和比较器A2的负向输入端，比较器A1的输出端连接电阻R2，电阻R1、电阻R2的另一端分别连接电源VCC，电阻R3的另一端连接比较器A1的输出端，比较器A1的负向输入端和输出端还并联有电阻R6，比较器A1的正向输入端连接电阻R5，电阻R5和电容C1的另一端同时接地，比较器A2的正向输入端连接电阻R7，电阻R7的另一端接地，比较器A2的输出端同时连接电阻R4和开关管Q1，所述的开关管Q1上依次连接电感L1和倍压整流电路，电阻R4的另一端连接电源VCC，比较器A2的正向输入端电平VCTL确定矩形波的脉冲宽度，所述的倍压整流电路输出偏压VAPD。
所述的倍压整流电路为电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4组成的二倍压整流电路。其中变压器T输入侧分别连接电源VCC和开关管Q1，输出侧一端连接电容C5，一端接地，电容C5另一端同时连接电容C2、二极管D2负极和二极管D1正极，电容C2的另一端同时连接二极管D3负极和二极管D4正极，二极管D2正极连接电容C3，电容C3的另一端同时连接电容C4、二极管D1负极和二极管D3正极，电容C4的另一端连接二极管D4负极。
发明权利要求保护范围不限于上述实施例。

Claims (10)

1.一种Si-APD偏压电路，其特征在于：包括由比较器A1和电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1组成的锯齿波发生电路，产生锯齿波输入至比较器A2的反向输入端，比较器A2的正向输入端电平VCTL确定矩形波的脉冲宽度，所述比较器A1的正向输入端分别连接电阻R1和电阻R3，比较器A1的负向输入端分别连接电容C1和比较器A2的负向输入端，比较器A1的输出端连接电阻R2，所述比较器A2的输出端连接开关管Q1，所述的开关管Q1上分别连接有电感L1和倍压整流电路，所述的倍压整流电路输出偏压VAPD。
2.根据权利要求1所述的一种Si-APD偏压电路，其特征在于，所述的锯齿波发生电路还包括电阻R5、电阻R6、电阻R7，所述电阻R1、电阻R2的另一端分别连接电源VCC，电阻R3的另一端连接比较器A1的输出端，比较器A1的负向输入端和输出端还连接有电阻R6，比较器A1的正向输入端连接电阻R5，电阻R5和电容C1的另一端同时接地，比较器A2的正向输入端连接电阻R7，电阻R7的另一端接地，比较器A2的输出端连接电阻R4，电阻R4的另一端连接电源VCC，所述的倍压整流电路为电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4组成的二倍压整流电路。
3.根据权利要求2所述的一种Si-APD偏压电路，其特征在于，所述的电容C5一端与电源VCC和电感L1连接，电容C5另一端同时连接电容C2、二极管D1负极和二极管D2正极，电容C2的另一端同时连接二极管D3负极和二极管D4正极，二极管D1正极连接电容C3，电容C3的另一端同时连接电容C4、二极管D2负极和二极管D3正极，电容C4的另一端连接二极管D4负极。
4.根据权利要求1所述的一种Si-APD偏压电路，其特征在于，所述的锯齿波发生电路还包括电阻R5、电阻R6、电阻R7，所述电阻R1、电阻R2的另一端分别连接电源VCC，电阻R3的另一端连接比较器A1的输出端，比较器A1的负向输入端和输出端还连接有电阻R6，比较器A1的正向输入端连接电阻R5，电阻R5和电容C1的另一端同时接地，比较器A2的正向输入端连接电阻R7，电阻R7的另一端接地，比较器A2的输出端连接电阻R4，电阻R4的另一端连接电源VCC，所述的倍压整流电路为电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C12、电容C13、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D9、二极管D10组成的三倍压整流电路。
5.根据权利要求4所述的一种Si-APD偏压电路，其特征在于，所述的电容C5一端与电源VCC和电感L1连接，电容C5另一端同时连接电容C2、二极管D1负极和二极管D2正极，电容C2的另一端同时连接电容C12、二极管D3负极和二极管D4正极，二极管D1正极连接电容C3，电容C3的另一端同时连接电容C4、二极管D2负极和二极管D3正极，电容C4的另一端同时连接电容C13、二极管D4负极和二极管D9正极，电容C12的另一端同时连接二极管D9负极和二极管D10正极，电容C13的另一端连接二极管D10负极。
6.根据权利要求1所述的一种Si-APD偏压电路，其特征在于，所述的锯齿波发生电路还包括电阻R5、电阻R6、电阻R7，所述的电感L1由变压器T构成，所述电阻R1、电阻R2的另一端分别连接电源VCC，电阻R3的另一端连接比较器A1的输出端，比较器A1的负向输入端和输出端还连接有电阻R6，比较器A1的正向输入端连接电阻R5，电阻R5和电容C1的另一端同时接地，比较器A2的正向输入端连接电阻R7，电阻R7的另一端接地，比较器A2的输出端连接电阻R4，电阻R4的另一端连接电源VCC，所述的倍压整流电路为电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4组成的二倍压整流电路。
7.根据权利要求6所述的一种Si-APD偏压电路，其特征在于，所述的变压器T输入侧分别连接电源VCC和开关管Q1，输出侧一端连接电容C5，一端接地，电容C5另一端同时连接电容C2、二极管D2负极和二极管D1正极，电容C2的另一端同时连接二极管D3负极和二极管D4正极，二极管D2正极连接电容C3，电容C3的另一端同时连接电容C4、二极管D1负极和二极管D3正极，电容C4的另一端连接二极管D4负极。
8.根据权利要求1至7任意项所述的一种Si-APD偏压电路，其特征在于，所述的开关管Q1为场效应管或三极管。
9.根据权利要求1至7任意项所述的一种Si-APD偏压电路，其特征在于，所述的倍压整流电路为***倍压电路、信克尔倍压电路或CW倍压电路。
10.根据权利要求1至7任意项所述的一种Si-APD偏压电路，其特征在于，所述的比较器A2的正向输入端电平VCTL通过分压电阻或电位器调节，或外部电平控制。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111872546A (zh) * 2020-07-27 2020-11-03 深圳市睿达科技有限公司 一种用于膜切的激光加工控制方法
CN113489295A (zh) * 2021-06-17 2021-10-08 北醒（北京）光子科技有限公司 一种apd保护方法及电路

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1013197A (ja) * 1996-06-18 1998-01-16 Mitsubishi Electric Corp のこぎり波発生回路
US6307359B1 (en) * 1999-07-14 2001-10-23 Nec Corporation DC-DC converter powered by doubled output voltage
EP1199788A1 (en) * 2000-10-17 2002-04-24 STMicroelectronics S.r.l. Inductive DC-to-DC switching converter
CN1495991A (zh) * 2002-08-29 2004-05-12 三星电子株式会社 高压供电设备
JP2005070595A (ja) * 2003-08-27 2005-03-17 Noritake Itron Corp 蛍光表示装置の電源回路
CN101075787A (zh) * 2007-06-28 2007-11-21 北京新雷能有限责任公司 倍压整流电路
JP2010045943A (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 Rohm Co Ltd 昇圧回路及びこれを用いた電源装置
CN201596834U (zh) * 2009-12-03 2010-10-06 深圳市瑞凌实业股份有限公司 交流tig弧焊设备自适应清理宽度调节电路
CN202183732U (zh) * 2011-07-29 2012-04-04 王金凤 一种辐射仪器高压电源
CN104300944A (zh) * 2014-10-31 2015-01-21 成都市幻多奇软件有限公司 一种新型锯齿波脉宽调制器
CN204376739U (zh) * 2014-12-04 2015-06-03 安徽工程大学 一种基于pwm的微型高压电源
CN105871199A (zh) * 2009-12-26 2016-08-17 佳能株式会社 高压电源
CN207265860U (zh) * 2017-10-11 2018-04-20 湖北久之洋红外***股份有限公司 一种Si‑APD偏压电路

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1013197A (ja) * 1996-06-18 1998-01-16 Mitsubishi Electric Corp のこぎり波発生回路
US6307359B1 (en) * 1999-07-14 2001-10-23 Nec Corporation DC-DC converter powered by doubled output voltage
EP1199788A1 (en) * 2000-10-17 2002-04-24 STMicroelectronics S.r.l. Inductive DC-to-DC switching converter
CN1495991A (zh) * 2002-08-29 2004-05-12 三星电子株式会社 高压供电设备
JP2005070595A (ja) * 2003-08-27 2005-03-17 Noritake Itron Corp 蛍光表示装置の電源回路
CN101075787A (zh) * 2007-06-28 2007-11-21 北京新雷能有限责任公司 倍压整流电路
JP2010045943A (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 Rohm Co Ltd 昇圧回路及びこれを用いた電源装置
CN201596834U (zh) * 2009-12-03 2010-10-06 深圳市瑞凌实业股份有限公司 交流tig弧焊设备自适应清理宽度调节电路
CN105871199A (zh) * 2009-12-26 2016-08-17 佳能株式会社 高压电源
CN202183732U (zh) * 2011-07-29 2012-04-04 王金凤 一种辐射仪器高压电源
CN104300944A (zh) * 2014-10-31 2015-01-21 成都市幻多奇软件有限公司 一种新型锯齿波脉宽调制器
CN204376739U (zh) * 2014-12-04 2015-06-03 安徽工程大学 一种基于pwm的微型高压电源
CN207265860U (zh) * 2017-10-11 2018-04-20 湖北久之洋红外***股份有限公司 一种Si‑APD偏压电路

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111872546A (zh) * 2020-07-27 2020-11-03 深圳市睿达科技有限公司 一种用于膜切的激光加工控制方法
CN111872546B (zh) * 2020-07-27 2021-11-09 深圳市睿达科技有限公司 一种用于膜切的激光加工控制方法
CN113489295A (zh) * 2021-06-17 2021-10-08 北醒（北京）光子科技有限公司 一种apd保护方法及电路
CN113489295B (zh) * 2021-06-17 2022-06-03 北醒（北京）光子科技有限公司 一种apd保护方法及电路

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