CN107709605B - 真空电弧成膜装置及成膜方法 - Google Patents

真空电弧成膜装置及成膜方法 Download PDF

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Abstract

利用电弧放电在基板上形成ta‑C膜的真空电弧成膜装置包括：保持靶部的保持单元；阳极部，从所述靶部放电的电子流入所述阳极部；以及电源，所述电源在所述靶部与所述阳极部之间供应通过电弧放电使等离子体产生的电流；其中，在所述电弧放电时所述电源供应的电流是通过在直流电流上叠加脉冲频率不高于140Hz的脉冲电流的电流。

Description

真空电弧成膜装置及成膜方法
技术领域
本发明是有关真空电弧成膜装置及保护层的成膜方法，尤其有关适于磁记录介质的表面保护层的形成的真空电弧成膜装置及表面保护层的成膜方法。
背景技术
DLC(类金刚石碳)适于表面保护层，并且以溅射法、化学气相沉积法(CVD法)等而形成的保护层被应用。磁记录层与磁头之间的磁隙的窄小化可增加记录密度，因此需要表面保护层的薄膜化。为此，要求即使为极薄膜仍可满足耐久性的保护膜，在表面保护层方面，正研究采用在耐久性及耐蚀性方面比历来优异的ta-C(四面体非晶碳)膜。
利用真空电弧成膜装置而形成ta-C膜的情况下，已知在阴极靶方面采用碳。在电弧放电时，从形成于阴极靶表面的电弧点(阴极点)除了碳离子(阴极材料的离子)以外还会发射颗粒(阴极材料微粒子)。此颗粒附着于基板表面时薄膜的均匀性会降低。在防止颗粒附着于基板的方法方面，在例如专利文献1中，已揭露在弯曲的传输用磁性过滤器的内壁部分具备用于除去颗粒的档板。
引用列表
专利文献
专利文献1：WO96/26531
发明内容
发明所欲解决的问题
流入传输用磁性过滤器内的颗粒之中，未被档板除去的颗粒会发射至基板处理室内，从而附着被处理基板。
本发明的目的在于，提供可降低往采用真空电弧成膜装置的基板的颗粒附着的成膜方法、及真空电弧成膜装置。本发明的其他目的在于，提供可形成在耐蚀性方面优异的致密的膜的膜成膜方法、及真空电弧成膜装置。
问题的技术方案
根据本发明的第一方面，提供了一种用于使用电弧放电在基板上形成ta-C膜的真空电弧成膜装置，所述装置包括：靶部，靶被布置在所述靶部上；阳极部，从所述靶部发射的电子流入所述阳极部；以及电源，所述电源在所述靶部与所述阳极部之间供应用于通过电弧放电产生等离子体的电流，其中，在电弧放电时所述电源供应的电流是通过在直流电流上叠加脉冲频率不高于140Hz的脉冲电流而产生的。
根据本发明的第二方面，提供了一种使用电弧放电在基板上形成ta-C膜的成膜方法，所述电弧放电是通过在靶部和阳极部之间供应电流引起的，其中在电弧放电时的电流是通过在直流电流上叠加脉冲频率不高于140Hz的脉冲电流而产生的。
根据本发明的第三方面，提供了一种用于使用电弧放电在基板上形成膜的真空电弧成膜装置，所述装置包括：保持部，所述保持部保持靶部；阳极部，从所述靶部发射的电子流入所述阳极部；以及电源，所述电源在所述靶部与所述阳极部之间供应用于通过电弧放电产生等离子体的电流，其中，在开始电弧放电时，所述电源在所述靶部与所述阳极部之间供应通过在直流电流上叠加脉冲电流而产生的直流脉冲电流，然后在所述靶部与所述阳极部之间供应最大值比所述直流脉冲电流的最大值小的电流。
根据本发明的第四方面，提供了一种使用电弧放电在基板上形成膜的成膜方法，所述电弧放电是通过在靶部和阳极部之间供应电流引起的，所述方法包括：在开始电弧放电时，在所述靶部与所述阳极部之间供应通过在直流电流上叠加脉冲电流而产生的直流脉冲电流，然后在所述靶部与所述阳极部之间供应最大值比所述直流脉冲电流的最大值小的电流。
发明的有益效果
根据本发明的成膜方法可抑制电弧放电时的颗粒产生，可降低往基板的颗粒附着。此外，由于成膜速度不降低，故生产率不会降低。由于本发明的成膜方法可降低往基板的颗粒附着，故可形成致密且在耐蚀性方面优异的膜。
附图说明
图1是本发明的实施例相关的真空处理装置的平面图。
图2是在图1的真空处理装置中使用的传送载体的示意图。
图3是本发明的实施例相关的真空电弧成膜装置的示意图。
图4是示出图3的真空电弧成膜装置的电弧电流的供应方法的配线图。
图5是示出从图4的电弧电源所输出的电流波形的示例的定时图。
图6是示出电弧电流的脉冲频率与附着于被处理基板的颗粒数的关系的图。
图7是示出电弧电流的脉冲频率与被处理基板的ta-C膜的成膜速度的关系的图。
具体实施方式
以下，参照附图，详细说明本发明的合适的实施例。其中，记载于此实施例的构成要件仅为例示。本发明的技术范围由权利要求的范围而定，并非受以下的个别的实施例而限定。以下，说明有关将本发明的成膜装置应用于用于利用真空电弧成膜法(Vacuum ArcDeposition)在作为被处理物的基板上形成ta-C膜的成膜装置的实施例。
首先，利用图1至5说明有关本发明的实施例的真空处理装置。图1是示出本实施例相关的真空处理装置的平面图。本实施例的真空处理装置是串接式的成膜装置。本实施例的真空处理装置包括多个腔室111～131，多个腔室111～131经由闸阀而彼此连接成环状矩形。各腔室111～131是通过专用或兼用的排气***而排气的真空容器。各腔室，在载体10搭载了基板1的状态下，一体构成可在相邻腔室间进行传送的传送装置。
传送装置，具有将载体10以垂直姿势进行传送的传送路径。基板1，可搭载于载体10而沿着未图示的传送路径被传送。腔室111是进行往载体10的基板1的搭载的载锁(loadlock)室。腔室116是进行从载体10的基板1的回收的卸锁(unload lock)室。基板1适于作为磁记录介质的使用，例如是在中心部分具有开口(内周孔部分)的金属制或玻璃制的圆板状构件。
说明有关在成膜装置内的基板的处理过程。首先，在载锁室111内搭载未处理的基板1于第一个载体10。此载体10移动至粘性层形成室117，而于基板1上形成粘性层。在第一个载体10被布置于粘性层形成室117时，往下个载体10进行未处理的基板1的搭载动作。之后，下个载体10移动至粘性层形成室117，以于基板1上形成粘性层，在载锁室111内进一步进行往下个载体10的基板1的搭载动作。每次经过1节拍时间，各载体10移动1个腔室117～131，并依序进行预定的处理。
腔室117～131是进行各种处理的处理室。处理室的具体示例包括在基板1上形成粘性层的粘性层形成室117、于形成了粘性层的基板1上形成软磁性层的软磁性层形成室118、119、120、在形成了软磁性层的基板1上形成种晶层的种晶层形成室121、于形成了种晶层的基板1上形成中间层的中间层形成室123、124、在形成了中间层的基板1上形成磁性膜的磁性膜形成室125、126、127、128、在磁性膜上形成由ta-C膜构成的表面保护层的ta-C膜形成室129、及将ta-C膜的表面进行处理的表面处理室130。此外，位于真空处理装置的4个角部分的腔室112、113、114、115是具备了将基板1的传送方向进行90度转换的方向转换装置的方向转换室。腔室131是将附着于载体的堆积物除去的灰化处理室。以上未述的其他处理室，可构成用于冷却基板1的基板冷却室、用于更换基板1的基板更换室等。另外，不对ta-C膜的表面进行处理的情况下，不具备表面处理室130。
图2示出载体10的概略。载体10可同时搭载2个基板1。载体10具有2个保持基板1的金属制的保持器201、及在支撑保持器201的同时移动于传送路径上的滑件202。由于能以设于保持器201的多个弹性构件(片弹簧)203支撑基板1的外周部分的数处，故能在不遮住基板1的上和下成膜面的情况下以对向于靶的姿势保持基板1。
传送装置，具备沿着传送路径而排列的许多从动辊、及通过磁耦合方式将动力导入真空侧的磁性螺钉303(参照图3)。载体10的滑件202设有永久磁铁204。在将由旋转的磁性螺钉303产生的螺旋状的磁场与滑件202的永久磁铁204磁耦合的状态下，通过使磁性螺钉旋转可使滑件202(载体10)沿着从动辊而移动。另外，在载体10及传送装置的构成方面，可采用揭露于日本专利特开平8-274142号公报的构成。当然，亦可采用使用了线性马达、齿条与小齿轮等的传送装置。
ta-C膜形成室129，具备变更基板1的电位的电压施加部。保持于载体10的保持器的基板1，经由导电性的弹性构件(片弹簧)203而与保持器201电气连接。可通过变更弹性构件203的电位而变更基板1的电位。电压施加部是使与基板电压施加电源302(参照图3)相连的或接地的电极接触于保持器201的装置。保持器201亦可被设置为接地电位。此外，对于保持器201，可利用从直流电源、脉冲电源或高频电源等中选择的电源而施加各种电力。
图3是真空电弧成膜装置的示意图。利用图3说明有关本实施例的真空电弧成膜装置。真空电弧成膜装置，具有ta-C膜形成室129、以内部相对于ta-C膜形成室129连通的方式而连接的过滤器部310、及以内部相对于过滤器部310连通的方式而连接的来源部320。在ta-C膜形成室129内，设有可将搭载了基板1的载体10移动至预定位置的传送装置(例如磁性螺钉303)。排气***301是可将ta-C膜形成室129抽真空的诸如涡轮分子泵的真空泵。
过滤器部310是将电子及碳离子朝向基板1传输的通路，以包围过滤器部310的方式设有滤波线圈312、永久磁铁等的磁场形成部。此外，在过滤器部310的内部(真空侧)设有挡板(未图示)。磁场形成部形成用于传输电子及离子的磁场。本实施例的磁场形成部，虽设于过滤器部310的外侧(大气侧)，亦可布置于过滤器部310的内部(真空侧)。
过滤器部310的形状不特别限定，只要设置有传输电子及碳离子的磁场形成部。虽然二维地弯曲的单弯型过滤器部用作本实施例的过滤器部310，但是本发明也可应用于直线型过滤器部、双弯型过滤器部、或三维地弯曲的过滤器部。射束扫描用磁场线圈360是布置于滤波线圈312的外侧且对电子及碳离子进行偏向扫描的磁场形成部。执行此偏向扫描动作以用碳离子均匀照射基板1。来源部320是碳离子产生部，包括用于生成电子及碳离子的阴极靶部340、具备阳极电极的阳极部330、可动阳极电极331、及稳定化线圈350。
阴极靶部340用作阴极和靶。阴极靶部340由保持部HU保持。阴极靶部340用作碳离子供应源。阴极靶部340例如可为石墨靶。此外，阴极靶部340，可为了防止电弧放电时的加热而进行水冷。阳极部330与阴极靶部340绝缘。阳极部330的形状不特别限定，只要阳极部330不阻挡往过滤器部310的电子及碳离子的传输。在本实施例，采用筒状的阳极。此外，阳极部330的构成材料不特别限定，只要材料是导电的，并且不会由于因电弧放电而产生的等离子体而熔化。阳极部330例如能以石墨材料构成。
可动阳极电极331是用于在阴极靶部340与阳极部330之间诱发电弧放电的电极。电弧放电，能依以下的顺序而予以产生。将退避在阳极部330的外侧的可动阳极电极331朝向阴极靶部340驱动以与它机械地接触。之后，在使电弧电流流入的状态下分离它们。藉此，可使电弧放电产生。并且，通过维持在阳极部330与阴极靶部340之间的电子电流或离子电流，使得可维持电弧放电。
稳定化线圈350是布置于阴极靶部340的放电面侧(过滤器部310侧)的相反侧并且使电弧放电稳定的磁场形成部。向稳定化线圈350供应电流，使得通过稳定化线圈350产生的磁场与通过滤波线圈312产生的磁场具有相反的方向。通过逆向的磁场，控制电弧点的举动，同时在阴极靶部340与阳极330之间确保低负荷的电流路径，由此使电弧放电稳定化。在本实施例，虽然在磁场形成部方面采用磁性线圈，但是可将稳定化线圈350通过永久磁铁形成。此外，在本实施例，虽然磁场形成部设于来源部320的外侧(大气侧)，但是它也可布置于来源部320的内部(真空侧)。
图4是用于说明电弧电流的供应方法的示意配线图。阴极靶部340，连接于供应电弧放电时的电弧电流的电弧电源410(恒定电流控制电源)的负端子。阳极部330及可动阳极电极331连接于电弧电源410的正端子以具有相同的电位。该正端子成为接地电位。在电弧电源410与阴极靶部340之间，连接着测量电压及电流的测量器420。电弧电源410供应直流电流及直流脉冲电流。电弧电流是在阴极靶部340与阳极部330之间进行电弧放电时从电弧电源410供应的电流。直流脉冲电流是叠加了脉冲电流的直流电流。
图5是示出从电弧电源410所输出并供应至阴极靶部340的电弧电流的波形的示例的定时图。在阴极靶部340供应直流脉冲电流作为电弧电流。在此电流波形中，电流值低的基极电流值是Ib，叠加于基极电流值Ib的脉冲电流值是Ip-Ib，脉冲电流的周期是T，脉宽是T1，脉冲频率是f(＝1/T)，占空比是D＝T1/T。直流脉冲电流值是脉冲电流值Ip-Ib叠加于基极电流值Ib的电流值，故为Ip。
直流脉冲电流值Ip是在使电弧放电发生后可维持放电的电流值，基极电流值Ib是比直流脉冲电流Ip低的电流值，由此产生不使已经发生的电弧放电消失的小的电流值。这是因为，电弧放电一旦发生，电弧点就会存在一定时间，故该期间即使降低电弧电流值，电弧放电仍不易消失。电弧放电期间的电弧电压值恒定，此电压值比在使电弧放电发生时从电弧电源410所供应的电压值低。电弧电压值是依电极材料而决定的值。
例示性针对使用了本实施例的真空电弧成膜装置的ta-C膜的成膜方法进行说明。在使电弧放电发生时，使退避在阳极部330的外侧的可动阳极电极331朝向阴极靶部340驱动而接触于阴极靶部340。向滤波线圈312及稳定化线圈350供应直流电流使得在来源部320内形成彼此逆向的磁场。从电弧电源410向阴极靶部340供应直流脉冲电流与预定的电压，使可动阳极电极331从阴极靶部340分离而使电弧放电发生。发生电弧放电时，因为阴极靶部340由碳材料制成，所以通过电弧放电生成包含碳离子的等离子体，与此同时产生颗粒。在示例中，在使可动阳极电极331接触于阴极靶部340的状态下(使电弧发生时)，在可动阳极电极331与阴极靶部340之间施加65V的电压，在将可动阳极电极331从阴极靶部340分离后(电弧放电发生后)，在可动阳极电极331与阴极靶部340之间，施加在20-40V的范围内所选择的电压。
在来源部320内形成有磁场，故通过电弧放电生成的电子及碳离子流入过滤器部310，沿着通过滤波线圈312形成的磁场而传输至布置有基板1的ta-C膜形成室129。并且，用通过射束扫描用磁场线圈360扫描的碳离子均匀照射传送至ta-C膜形成室129的预定位置的基板1，从而形成ta-C膜。形成ta-C膜的基板，从ta-C膜形成室129排出。在本实施例，在电弧放电发生时未导入处理气体。但是，亦可导入Ar等的惰性气体作为处理气体。
作为在电弧放电发生时产生的一种颗粒，已知从电弧点飞散的微粒子(阴极材料的微粒子)。微粒子包括中性微粒子与带电的微粒子。这些粒子是在电弧放电发生时从电弧点发射但未达到蒸发的物质。中性微粒子是电荷中性的微粒子，带电的微粒子是具有负或正的电荷的微粒子。为了降低颗粒的发生，减少此微粒子的产生量是重要的。可通过从电弧电源410供应至阴极靶部340的直流脉冲电流Ip的频率f、占空比D、基极电流值Ib、脉冲电流值Ip-Ib等，控制形成于阴极靶部340的电弧点的加热状态。仅供应不叠加脉冲电流的直流电流的情况下，比起供应叠加了脉冲电流的电流的情况，形成于阴极靶部340的电弧点的加热范围变大。
另一方面，供应直流脉冲电流的情况下，瞬间加热电弧点，故可减小形成于阴极靶部340的电弧点的加热范围，由此降低微粒子的发生。例如，脉冲频率f在从10Hz至140Hz的范围内，占空比D在从20％至80％的范围内，基极电流值Ib在从15A至130A的范围内，直流脉冲电流值Ip在从20A至150A的范围内为优选。
在上述的示例中，在电弧放电的发生后，持续在阴极靶部340与阳极部330(可动阳极电极331)之间供应直流脉冲电流。然而，这仅为示例，亦可在中途变更电流。例如，可在电弧放电发生时供应直流脉冲电流，在电弧放电稳定后供应直流电流。在电弧放电的稳定后所供应的直流电流，是难以产生电弧的电流值的电弧电流(低电弧电流)。因为低电弧电流导致放电，所以可期待获得使微粒子的产生量减少且减少附着于基板表面的颗粒数的效果。此外，可在成膜最终级，导入氮气等的反应性气体而在顶部表面形成薄的氮化层。低电弧电流，指无法使电弧放电发生但可维持放电的直流电流。
此外，在上述的示例中，虽然形成ta-C膜，但是可代替ta-C膜而形成其他膜。此外，脉冲波的频率优选地是140Hz以下的频率，但是可使用其他频率。电弧电源410可被配置为在使电弧放电开始时，在阴极靶部340与阳极部330之间供应通过将脉冲电流叠加于直流电流而生成的直流脉冲电流，之后在阴极靶部340与阳极部330之间供应具有比该直流脉冲电流的最大值小的最大值的电流。
在以下说明使用了上述的真空处理装置的ta-C膜的成膜方法的实施例。在以下的实施例，通过使用上述的实施例的装置，在基板上依序堆叠粘性层、下部软磁性层、种晶层、中间层、及磁记录层。接着在形成有磁记录层的基板上形成ta-C膜作为表面保护层。
将退避至阳极部330的外侧的可动阳极电极331朝向阴极靶部340驱动，从而机械地接触于阴极靶部340。并且，从电弧电源410向阴极靶部340供应矩形波直流脉冲电流。同时，向滤波线圈312及稳定化线圈350供应直流电流，由此在来源部320形成磁场。进一步，向射束扫描用磁场线圈360供应交流电流。然后，使可动阳极电极331从阴极靶部340分离以使电弧放电发生，通过以滤波线圈312形成的磁场传输电子及碳离子，并通过以射束扫描用磁场线圈360形成的偏向用磁场对射束进行扫描，由此在布置于ta-C膜形成室129中的基板1均匀地形成ta-C膜。
此处布置于ta-C膜形成室129中的基板1的电位相对于接地电位被设置为浮动电位。脉冲电流值Ip-Ib被设置为50A，基极电弧电流值Ib被设置为20A，直流脉冲电流值Ip被设置为70A，占空比D被设置为50％，脉冲频率f被设置在20Hz至500Hz的范围内。每单位时间通过直流脉冲电流供应的平均电弧电流值是45A。电弧电压值是30V。对于所制作的磁记录介质，评价了每单位膜厚的颗粒数及成膜速度。附着于磁记录介质表面的每单位膜厚的颗粒数通过使用光学表面检查装置(Optical Surface Analyzer)进行了评价。膜厚通过使用X射线反射率测定装置(XRR)进行定量。
作为比较例，从电弧电源410向阴极靶部340供应不叠加脉冲电流的直流电流而使电弧放电发生，由此在布置于ta-C膜形成室129中的基板1上形成ta-C膜。此时，电弧电流值被设置为45A，以供应与实施例中每单位时间的平均电弧电流相同的电流。电弧电压被设置为30V。对于所制作的磁记录介质，评价了每单位膜厚的颗粒数及成膜速度。关于每单位膜厚的颗粒数，通过使用光学表面检查装置(Optical Surface Analyzer)对附着于磁记录介质表面的颗粒数进行了评价。膜厚通过使用X射线反射率测定装置(XRR)进行定量。
图6是示出在应用了实施例及比较例的成膜方法的情况下的电弧电流的脉冲频率与附着于基板的每单位膜厚的颗粒数之间的关系的图。如图6所示，附着于基板的颗粒数在脉冲频率为140Hz以下时减少，在60Hz成为最小值。此外，脉冲频率在100Hz以下时，附着于基板的颗粒数是比较例的约50％，在60Hz的脉冲频率，附着于基板的颗粒数可降低至比较例的约25％。
使直流脉冲电流的脉冲频率为140Hz以下从而进一步降低颗粒的情况下，可通过将脉冲频率设置在20Hz至100Hz的范围内，更优选50Hz至70Hz的范围内，来降低附着于基板的颗粒。在本实施例的ta-C膜形成方法中，从电弧电源410向阴极靶部340供应直流脉冲电流而使电弧放电发生。可缩小形成于阴极靶部340的电弧点的加热范围，故可降低从电弧点飞散的不会达到蒸发的阴极材料微粒子的产生，由此可降低附着于基板的颗粒数。
图7是示出在应用了实施例及比较例的成膜方法的情况下的电弧电流的脉冲频率与基板上的ta-C膜的成膜速度之间的关系的图。如图7所示，被处理基板上的成膜速度可维持与比较例同等的成膜速度，并且在脉冲频率20Hz至500Hz的范围内是均匀的。
本申请要求于2015年6月24日提交的日本专利申请No.2015-126100的权益，其全部内容通过引用合并于此。
符号说明
1：基板
10：载体
129：ta-C膜形成室
340：阴极靶部
330：阳极部
331：可动阳极电极
312：滤波线圈
350：稳定化线圈
360：射束扫描用磁场线圈
410：电弧电源

Claims (8)

1.一种用于使用电弧放电在基板上形成膜的真空电弧成膜装置，所述装置包括：
膜形成室，在所述膜形成室中在所述基板上形成ta-C膜；
来源部，所述来源部被配置为产生碳离子；
弯曲型过滤器部，所述来源部产生的碳离子通过所述弯曲型过滤器部被输送到所述膜形成室中；以及
磁场形成部，所述磁场形成部被布置为包围所述过滤器部，并且被配置为产生将所述来源部产生的碳离子输送到所述膜形成室中的磁场，
其中，所述来源部包括：
保持部，所述保持部保持靶部；
阳极部，从所述靶部发射的电子流入所述阳极部；以及
电源，所述电源在所述靶部与所述阳极部之间供应用于通过电弧放电产生等离子体的电流，
其中，所述电源在所述靶部与所述阳极部之间供应通过在直流电流上叠加脉冲频率落在50Hz至70Hz的范围内的脉冲电流而产生的直流脉冲电流以开始电弧放电，在电弧放电稳定之后，持续在所述靶部与所述阳极部之间供应最大值比所述直流脉冲电流的最大值小的电流。
2.一种使用电弧放电在真空处理装置中在基板上形成ta-C膜的成膜方法，
所述真空处理装置包括：膜形成室，在所述膜形成室中在所述基板上形成所述ta-C膜；来源部，所述来源部包括阳极部和用于保持靶部的保持部，并且被配置为产生碳离子；弯曲型过滤器部，所述来源部产生的碳离子通过所述弯曲型过滤器部被输送到所述膜形成室中；以及磁场形成部，所述磁场形成部被布置为包围所述过滤器部，并且被配置为产生将所述来源部产生的碳离子输送到所述膜形成室中的磁场，
其中，所述方法包括：
在所述靶部与所述阳极部之间供应通过在直流电流上叠加脉冲频率落在50Hz至70Hz的范围内的脉冲电流而产生的直流脉冲电流以开始电弧放电，以及
在电弧放电稳定之后，持续在所述靶部与所述阳极部之间供应最大值比所述直流脉冲电流的最大值小的电流。
3.一种用于使用电弧放电在基板上形成ta-C膜的真空电弧成膜装置，所述装置包括：
膜形成室，在所述膜形成室中在所述基板上形成所述ta-C膜；
来源部，所述来源部被配置为产生碳离子；
弯曲型过滤器部，所述来源部产生的碳离子通过所述弯曲型过滤器部被输送到所述膜形成室中；以及
磁场形成部，所述磁场形成部被布置为包围所述过滤器部，并且被配置为产生将所述来源部产生的碳离子输送到所述膜形成室中的磁场，
其中，所述来源部包括：
保持部，所述保持部保持靶部；
阳极部，从所述靶部发射的电子流入所述阳极部；以及
电源，所述电源在所述靶部与所述阳极部之间供应用于通过电弧放电产生等离子体的电流，
其中，在电弧放电时所述电源供应的电流是通过在直流电流上叠加脉冲频率落在50Hz至70Hz的范围内的脉冲电流而产生的。
4.如权利要求3所述的真空电弧成膜装置，其中，所述来源部进一步包括被配置为使电弧放电稳定的稳定化线圈，所述稳定化线圈被布置在所述靶部的放电面侧的相反侧。
5.如权利要求4所述的真空电弧成膜装置，其中，所述稳定化线圈产生的磁场和所述磁场形成部产生的磁场具有相反的方向。
6.一种真空处理装置，包括如权利要求3-5中任一项所述的真空电弧成膜装置。
7.一种使用电弧放电在真空处理装置中在基板上形成ta-C膜的成膜方法，
所述真空处理装置包括：膜形成室，在所述膜形成室中在所述基板上形成所述ta-C膜；来源部，所述来源部包括阳极部和用于保持靶部的保持部，并且被配置为产生碳离子；弯曲型过滤器部，所述来源部产生的碳离子通过所述弯曲型过滤器部被输送到所述膜形成室中；以及磁场形成部，所述磁场形成部被布置为包围所述过滤器部，并且被配置为产生将所述来源部产生的碳离子输送到所述膜形成室中的磁场，
其中，所述方法包括：
在所述靶部和所述阳极部之间供应电流以引起电弧放电从而在所述基板上形成所述ta-C膜，其中，在电弧放电时的电流是通过在直流电流上叠加脉冲频率落在50Hz至70Hz的范围内的脉冲电流而产生的。
8.如权利要求7所述的成膜方法，其中，所述来源部进一步包括被配置为使电弧放电稳定的稳定化线圈，所述稳定化线圈被布置在所述靶部的放电面侧的相反侧，以及
其中，所述方法进一步包括：向所述稳定化线圈供应电流，使得所述稳定化线圈产生的磁场和所述磁场形成部产生的磁场具有相反的方向。
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