CN107707218A - 基于低通滤波网络的开关内嵌式五位数控衰减器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了基于低通滤波网络的开关内嵌式五位数控衰减器，所述衰减器包括五位衰减电路模块：0.5dB衰减电路模块、1dB衰减电路模块、2dB衰减电路模块、4dB衰减电路模块、8dB衰减电路模块；五位衰减电路模块采用预设顺序进行级联，2dB衰减电路模块、4dB衰减电路模块、8dB衰减电路模块均采用基于低通滤波网络的开关内嵌式结构，解决了现有衰减器在保持高衰减精度的同时难以保持较低的寄生调相和***损耗的问题，以及尺寸较大和成本较高的问题。

Description

基于低通滤波网络的开关内嵌式五位数控衰减器

技术领域

本发明涉及电子通信领域中的衰减器，具体地，涉及基于低通滤波网络的开关内嵌式五位数控衰减器。

背景技术

伴随着现代无线通信技术的发展，人们对电子设备的低功耗和小型化要求越来越高，而集成电路作为一种微型电子器件具有多种特点，如其体积小、质量轻、功能齐全、可靠性高、安装方便、频率特性好、专用性强以及元器件的性能参数比较一致，对称性好。因此集成电路在各个领域都得到了越来越广泛的应用。

作为一种信号增益控制电路，数控衰减器被广泛应用于相控阵芯片***中。相控阵芯片***中的衰减器一般需要满足以下基本要求：第一，需要较高的衰减精度和较大的衰减动态范围来实现信号幅度控制；第二，需要稳定的相位变化以实现目标的准确追踪；第三，需要较低的损耗以减小信号通道增益的压力；第四，需要低功耗设计以满足庞大数量T/R组件的应用。然而由于设计规则的限定，衰减器的各项指标之间往往存在着相互制约的关系，因此，研究设计一种高衰减精度，低寄生调相以及低成本的衰减器电路是必要的。

在结构方面，传统的衰减器实现方式有：开关路径式以及分布式。开关路径衰减结构在实现大衰减模块时具有优势，但由于其多个开关损耗的积累作用，使得总体衰减器的***损耗过大，而且由于开关的面积较大，不利于实现较小的芯片面积。分布式衰减器具有较低的***损耗和较宽的频带特性。但是在衰减平坦度和寄生调相上性能较差，另外由于四分之一波长传输线尺寸较大，占用的芯片面积也会较大。在成本方面，目前成熟的数控衰减器多采用GaAs工艺来实现，虽有较好的性能，但是其芯片成品率低，加工价格昂贵，所以采用GaAs工艺设计的数控衰减器的成本较高。

综上所述，本申请发明人在实现本申请发明技术方案的过程中，发现目前数控衰减器至少存在如下问题：数控衰减器的各个指标由于存在相互制约关系，难以在保持高衰减精度的同时保持较低的寄生调相以及***损耗，另外目前数控衰减器中存在的尺寸较大，成本较高的问题。

发明内容

本发明提供了基于低通滤波网络的开关内嵌式五位数控衰减器，解决了现有衰减器在保持高衰减精度的同时难以保持较低的寄生调相以及***损耗的问题，以及尺寸较大和成本较高的问题。

为解决上述技术问题，本申请提供了基于低通滤波网络的开关内嵌式五位数控衰减器，所述衰减器包括五位衰减电路模块：0.5dB衰减电路模块、1dB衰减电路模块、2dB衰减电路模块、4dB衰减电路模块、8dB衰减电路模块；五位衰减电路模块采用预设顺序进行级联，2dB衰减电路模块、4dB衰减电路模块、8dB衰减电路模块均采用基于低通滤波网络的开关内嵌式结构。衰减范围为0-15.5dB，衰减步进为0.5dB，衰减状态为32位。

其中，级联顺序是按照每位衰减器的回波损耗以及衰减量的大小进行级联，另外由于本发明所述的各个衰减模块电路可以通过调节各个元器件的参数值从而达到较好的输入输出回波损耗，所以不需要做相应的匹配电路设计，每位衰减电路模块直接进行连接。

本发明的主要特点是2dB、4dB、8dB衰减电路的基于低通滤波网络的开关内嵌式结构。低通滤波网络的作用是为了保持在较高衰减精度的同时保持较低的寄生调相，开关内嵌式结构的作用是为了降低电路的***损耗和芯片面积。然而由于0.5dB和1dB衰减电路实现的衰减量较小，所以采用传统的T型衰减网络来更好地降低***损耗和芯片面积。

进一步的，0.5dB衰减电路模块采用开关内嵌式T型衰减网络结构，1dB衰减电路模块采用开关内嵌式T型衰减网络结构。

进一步的，五位衰减电路模块采用4dB衰减电路模块、2dB衰减电路模块、0.5dB衰减电路模块、1dB衰减电路模块、8dB衰减电路模块顺序依次级联。本发明所述的五位数控衰减器需要将各个衰减电路模块依次级联起来，来达到衰减器所需要的整体性能效果。而各个衰减电路模块级联的原则是按照每位衰减电路的回波损耗高低和衰减量大小的进行综合考虑后，排序级联。本发明中五位数控衰减器的级联顺序依次为：4dB-2dB-0.5dB-1dB-8dB。(此处的级联顺序仅供参考，具体根据设计者设计的每位衰减电路模块的回波损耗性能而定)。

进一步的，2dB衰减电路模块采用基于RC低通滤波网络的开关内嵌式Pi型衰减网络结构。

进一步的，4dB衰减电路模块采用基于RLC低通滤波网络的开关内嵌式Pi型衰减网络结构，8dB衰减电路模块采用基于RLC低通滤波网络的开关内嵌式Pi型衰减网络结构。

进一步的，0.5dB衰减电路模块包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、场效应管M1、场效应管M2；其中，电阻R1、R2、R3、R4构成T型衰减网络；电阻R1一端与0.5dB衰减电路模块的输入端连接，电阻R1与电阻R2串联后与0.5dB衰减电路模块的输出端连接，场效应管M1的漏极与0.5dB衰减电路模块的输入端连接，场效应管M1的源极与0.5dB衰减电路模块的输出端连接，电阻R3一端与电阻R1另一端连接，电阻R3另一端与场效应管M2的漏极连接，场效应管M2的源极与电阻R4的一端连接，电阻R4的另一端接地。当控制电压作用于场效应管M1，反相控制电压作用于场效应管M2时，M1管导通，M2管关断，此时信号不流经T型衰减网络，直接从输入端流至输出端，衰减电路模块处于参考状态，当控制电压作用于场效应管M2，反相控制电压作用于场效应管M1时，M2管导通，M1管关断，此时信号流经T型衰减网络，衰减电路模块处于衰减状态。

进一步的，1dB衰减电路模块包括：电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、场效应管M3、场效应管M4；其中，电阻R5、R6、R7、R8构成T型衰减网络；电阻R5一端与1dB衰减电路模块的输入端连接，电阻R5与电阻R6串联后与1dB衰减电路模块的输出端连接，场效应管M3的漏极与1dB衰减电路模块的输入端连接，场效应管M3的源极与1dB衰减电路模块的输出端连接，电阻R7一端与电阻R5另一端连接，电阻R7另一端与场效应管M4的漏极连接，场效应管M4的源极与电阻R8的一端连接，电阻R8的另一端接地。当控制电压作用于场效应管M3，反相控制电压作用于场效应管M4时，M3管导通，M4管关断，此时信号不流经T型衰减网络，直接从输入端流至输出端，衰减电路模块处于参考状态，当控制电压作用于场效应管M4，反相控制电压作用于场效应管M3时，M4管导通，M3管关断，此时信号流经T型衰减网络，衰减电路模块处于衰减状态。

进一步的，2dB衰减电路模块包括：电阻R9、电阻R10、电阻R11；电容C1、电容C2、场效应管M5、场效应管M6，场效应管M7；其中，电阻R9、R1、R11构成Pi型衰减网络；电容C1，C2与电阻R9构成RC低通滤波网络来降低寄生调相；电阻R9的一端、电容C1的正极、场效应管M5的漏极均与2dB衰减电路模块的输入端连接；场效应管M5的源极、电阻R9的另一端、电容C2的正极均与2dB衰减电路模块的输出端连接；电容C1的负极与场效应管M6的漏极连接，场效应管M6的源极与电阻R10的一端连接，电阻R10的另一端接地；电容C2的负极与场效应管M7的漏极连接，场效应管M7的源极与电阻R11的一端连接，电阻R11的另一端接地。当控制电压作用于场效应管M5，反相控制电压作用于场效应管M6和M7时，M5管导通，M6，M7管关断，此时信号不流经衰减网络，直接从输入端流至输出端，衰减电路模块处于参考状态，当控制电压作用于场效应管M6、M7，反相控制电压作用于场效应管M5时，M6、M7管导通，M5管关断，此时信号流经衰减网络，衰减电路模块处于衰减状态。

进一步的，4dB衰减电路模块包括：电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电容C3、电容C4、电感L1、场效应管M8、场效应管M9，场效应管M10；其中，电阻R1、R13、R14、R15构成Pi型衰减网络；电阻R12、R13与电感L1及电容C3、C4构成RLC低通滤波网络来保证在大衰减量时即有较高的衰减精度又可以有效地降低寄生调相；电阻R12的一端、电容C3的正极、场效应管M8的漏极均与4dB衰减电路模块的输入端连接；场效应管M8的源极、电阻R13的一端、电容C4的正极均与4dB衰减电路模块的输出端连接；电阻R12的另一端与电感L1的一端连接，电感L1的另一端与电阻R13的另一端连接；电容C3的负极与场效应管M9的漏极连接，场效应管M9的源极与电阻R14的一端连接，电阻R14的另一端接地；电容C4的负极与场效应管M10的漏极连接，场效应管M10的源极与电阻R15的一端连接，电阻R15的另一端接地。当控制电压作用于场效应管M8，反相控制电压作用于场效应管M9和M10时，M8管导通，M9、M10管关断，此时信号不流经衰减网络，直接从输入端流至输出端，衰减电路模块处于参考状态，当控制电压作用于场效应管M9、M10，反相控制电压作用于场效应管M8时，M9、M10管导通，M8管关断，此时信号流经衰减网络，衰减电路模块处于衰减状态。

进一步的，8dB衰减电路模块包括：电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电容C5、电容C6、电感L2、场效应管M11、场效应管M12、场效应管M13；其中，电阻R16、R17与电感L2及电容C5、C6构成RLC低通滤波网络来保证在大衰减量时即有较高的衰减精度又可以有效地降低寄生调相；电阻R16的一端、场效应管M11的漏极、场效应管M12的漏极均与8dB衰减电路模块的输入端连接；场效应管M11的源极、电阻R17的一端、场效应管M13的漏极与8dB衰减电路模块的输出端连接；电阻R16的另一端与电感L2的一端连接，电感L2的另一端与电阻R17的另一端连接；电阻R18的一端、电容C5的正极均与场效应管M12的源极连接，电阻R18的另一端、电容C5的负极均接地；电阻R19的一端、电容C6的正极均与场效应管M13的源极连接，电阻R19的另一端、电容C6的负极均接地。当控制电压作用于场效应管M11，反相控制电压作用于场效应管M12和M13时，M11管导通，M12、M13管关断，此时信号不流经衰减网络，直接从输入端流至输出端，衰减电路模块处于参考状态，当控制电压作用于场效应管M12、M13，反相控制电压作用于场效应管M11时，M12、M13管导通，M11管关断，此时信号流经衰减网络，衰减电路模块处于衰减状态。

由于本发明所述的各个衰减模块电路可以通过调节各个元器件的参数值从而达到较好的输入输出回波损耗，所以不需要做相应的匹配电路设计。

本发明所述的一种基于低通滤波网络的开关内嵌式五位数控衰减器，与现有技术相比，具有如下技术效果：

1、通过采用开关内嵌式结构有效地降低了衰减器的***损耗和芯片面积；

2、通过将RC低通滤波器，RLC低通滤波器与Pi型衰减网络结合，使得衰减器在保持高衰减精度的同时保持较低的寄生调相；

3、本发明所述的五位数控衰减器的各个衰减电路模块有着良好的输入输出回波损耗，省去的匹配电路的设计，从而有效地减小了芯片面积；

4、使用SiGe BiCMOS工艺有效地降低了衰减器芯片量产时的成本。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明实施例的限定；

图1为本发明提供的0.5dB型衰减电路模块的结构示意图；

图2为本发明提供的1dB型衰减电路模块的结构示意图；

图3为本发明提供的2dB型衰减电路模块的结构示意图；

图4为本发明提供的4dB型衰减电路模块的结构示意图；

图5为本发明提供的8dB型衰减电路模块的结构示意图；

图6为本发明提供的衰减器整体级联后的结构示意图。

具体实施方式

本发明提供了基于低通滤波网络的开关内嵌式五位数控衰减器，解决了现有衰减器在保持高衰减精度的同时难以保持较低的寄生调相以及***损耗的问题，以及尺寸较大和成本较高的问题。

为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在相互不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述范围内的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。

请参考图1-图6，本申请提供了基于低通滤波网络的开关内嵌式五位数控衰减器，包括0.5dB衰减电路模块，1dB衰减电路模块，2dB衰减电路模块，4dB衰减电路模块，8dB衰减电路模块。

作为一种可实施方式，如图1所示，0.5dB衰减电路模块采用开关内嵌式T型衰减网络，其具体电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4，场效应管M1、场效应管M2。其中0.5dB衰减电路模块的输入端与电阻R1的一端以及场效应管M1的漏极相连接；电阻R1的另一端与电阻R2的一端相连接；0.5dB衰减电路模块的输出端与电阻R2的另一端以及场效应管M1的源极相连接；电阻R3的一端与电阻R1，R2的连接处相连接；电阻R3的另一端与场效应管M2的漏极相连接；场效应管M2的源极与电阻R4的一端相连接，电阻R4的另一端接地。电阻R1、R2、R3、R4构成T型衰减网络；当控制电压作用于场效应管M1，反相控制电压作用于场效应管M2时，M1管导通，M2管关断，由于M1管的导通电阻很小，相当于导线，所以此时信号不流经T型衰减网络，直接从输入端流至输出端，衰减电路模块处于参考状态，信号基本上不衰减；当控制电压作用于场效应管M2，反相控制电压作用于场效应管M1时，M2管导通，M1管关断，M2管相当于导线，此时信号流经T型衰减网络，衰减电路模块处于衰减状态。

进一步地，作为一种可实施方式，如图2所示，1dB衰减电路模块同0.5dB衰减电路模块类似，也采用开关内嵌式T型衰减网络。其具体电路包括电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8，场效应管M3、场效应管M4。其中1dB衰减电路模块的输入端与电阻R5的一端以及场效应管M3的漏极相连接；电阻R5的另一端与电阻R6的一端相连接；1dB衰减电路模块的输出端与电阻R6的另一端以及场效应管M3的源极相连接；电阻R7的一端与电阻R5，R6的连接处相连接；电阻R7的另一端与场效应管M4的漏极相连接；场效应管M4的源极与电阻R8的一端相连接，电阻R8的另一端接地。电阻R5、R6、R7、R8构成T型衰减网络；当控制电压作用于场效应管M3，反相控制电压作用于场效应管M4时，M3管导通，M4管关断，由于M3管的导通电阻很小，相当于导线，所以此时信号不流经T型衰减网络，直接从输入端流至输出端，衰减电路模块处于参考状态，信号基本上不衰减；当控制电压作用于场效应管M4，反相控制电压作用于场效应管M3时，M4管导通，M3管关断，M4管相当于导线，此时信号流经T型衰减网络，衰减电路模块处于衰减状态。

进一步地，作为一种可实施方式，如图3所示，2dB衰减电路模块采用基于RC低通滤波网络的开关内嵌式Pi型衰减网络，其具体电路包括电阻R9、电阻R10、电阻R11；电容C1、电容C2；场效应管M5、场效应管M6，场效应管M7。其中2dB衰减电路模块的输入端与电阻R9一端，电容C1的正极以及场效应管M5的漏极相连接；2dB衰减电路模块的输出端与电阻R9的另一端，电容C2的正极以及场效应管M5的源极相连接；电容C1的负极与场效应管M6的漏极连接；电容C2的负极与场效应管M7的漏极连接；场效应管M6的源极与电阻R10的一端相连接，电阻R10的另一端接地；场效应管M7的源极与电阻R11的一端相连接，电阻R11的另一端接地。电阻R9、R10、R11构成Pi型衰减网络；电容C1，C2与电阻R9构成RC低通滤波网络来降低寄生调相；当控制电压作用于场效应管M5，反相控制电压作用于场效应管M6和M7时，M5管导通，M6，M7管关断，由于M5管的导通电阻很小，相当于导线，所以此时信号不流经衰减网络，直接从输入端流至输出端，衰减电路模块处于参考状态，信号基本上不衰减；当控制电压作用于场效应管M6、M7，反相控制电压作用于场效应管M5时，M6、M7管导通，M5管关断，M6、M7管相当于导线，此时信号流经衰减网络，衰减电路模块处于衰减状态。

进一步地，作为一种可实施方式，如图4所示，4dB衰减电路模块采用基于RLC低通滤波网络的开关内嵌式Pi型衰减网络，其具体电路包括电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15；电容C3、电容C4；电感L1；场效应管M8、场效应管M9、场效应管M10。其中4dB衰减电路模块的输入端与电阻R12一端，电容C2的正极以及场效应管M8的漏极相连接；电阻R12的另一端和电感L1的一端相连接；电感L1的另一端与电阻R13的一端连接；4dB衰减电路模块的输出端与电阻R13的另一端，电容C4的正极以及场效应管M8的源极相连接；电容C3的负极与场效应管M9的漏极连接；电容C4的负极与场效应管M10的漏极连接；场效应管M9的源极与电阻R14的一端相连接，电阻R14的另一端接地；场效应管M10的源极与电阻R15的一端相连接，电阻R15的另一端接地。其中电阻R12、R13、R14、R15构成Pi型衰减网络；电阻R12、R13与电感L1及电容C3、C4构成RLC低通滤波网络来保证在大衰减量时即有较高的衰减精度又可以有效地降低寄生调相；当控制电压作用于场效应管M8，反相控制电压作用于场效应管M9和M10时，M8管导通，M9、M10管关断，由于M8管的导通电阻很小，相当于导线，所以此时信号不流经衰减网络，直接从输入端流至输出端，衰减电路模块处于参考状态，当控制电压作用于场效应管M9、M10，反相控制电压作用于场效应管M8时，M9、M10管导通，M8管关断，M9、M10管相当于导线，此时信号流经衰减网络，衰减电路模块处于衰减状态。

进一步地，作为一种可实施方式，如图5所示，8dB衰减电路模块采用基于RLC低通滤波网络的开关内嵌式Pi型衰减网络，其具体电路包括电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19；电容C5、电容C6；电感L2；场效应管M11、场效应管M12、场效应管M13。其中8dB衰减电路模块的输入端与电阻R16一端，场效应管M12的漏极以及场效应管M11的漏极相连接；电阻R16的另一端和电感L2的一端相连接；电感L2的另一端与电阻R17一端连接；8dB衰减电路模块的输出端与电阻R17的另一端，场效应管M13的漏极以及场效应管M11的源极相连接；场效应管M12的源极与电阻R18的一端相连接，电阻R18的另一端接地；电容C5与电阻R18并联；场效应管M13的源极与电阻R19的一端相连接，电阻R19的另一端接地，电容C6与电阻R19并联。其中电阻R16、R17、R18、R19构成Pi型衰减网络；电阻R16、R17与电感L2及电容C5，C6构成RLC低通滤波网络来保证在大衰减量时即有较高的衰减精度又可以有效地降低寄生调相；当控制电压作用于场效应管M11，反相控制电压作用于场效应管M12和M13时，M11管导通，M12、M13管关断，由于M11管的导通电阻很小，相当于导线，所以此时信号不流经衰减网络，直接从输入端流至输出端，衰减电路模块处于参考状态，当控制电压作用于场效应管M12、M13，反相控制电压作用于场效应管M11时，M12、M13管导通，M11管关断，M12、M13管相当于导线，此时信号流经衰减网络，衰减电路模块处于衰减状态。

进一步的，作为一种可实施方式，如图6所示，本发明所述的五位数控衰减器需要将各个衰减电路模块依次级联起来，来达到衰减器所需要的整体性能效果。而各个衰减电路模块级联的原则是按照每位衰减电路的回波损耗高低和衰减量大小的进行综合考虑后，排序级联。本发明中五位数控衰减器的级联顺序依次为：4dB-2dB-0.5dB-1dB-8dB。(此处的级联顺序仅供参考，具体根据设计者设计的每位衰减电路模块的回波损耗性能而定)。另外由于本发明所述的各个衰减模块电路可以通过调节各个元器件的参数值从而达到较好的输入输出回波损耗，所以不需要做相应的匹配电路设计。

通过调节控制电压与反相控制电压来控制衰减电路模块的开和关，从而使五位数控衰减器可以达到2⁵个衰减状态。

本发明所述的一种基于低通滤波网络的开关内嵌式五位数控衰减器，与现有技术相比，具有如下技术效果：

1.通过采用开关内嵌式结构有效地降低了衰减器的***损耗和芯片面积；

2.通过将RC低通滤波器，RLC低通滤波器与Pi型衰减网络结合，使得衰减器在保持高衰减精度的同时保持较低的寄生调相；

3.本发明所述的五位数控衰减器的各个衰减电路模块有着良好的输入输出回波损耗，省去的匹配电路的设计，从而有效地减小了芯片面积；

4.使用SiGe BiCMOS工艺有效地降低了衰减器芯片量产时的成本。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.基于低通滤波网络的开关内嵌式五位数控衰减器，其特征在于，所述衰减器包括五位衰减电路模块：0.5dB衰减电路模块、1dB衰减电路模块、2dB衰减电路模块、4dB衰减电路模块、8dB衰减电路模块；五位衰减电路模块采用预设顺序进行级联，其中2dB衰减电路模块、4dB衰减电路模块、8dB衰减电路模块均采用基于低通滤波网络的开关内嵌式结构。

2.根据权利要求1所述的基于低通滤波网络的开关内嵌式五位数控衰减器，其特征在于，0.5dB衰减电路模块采用开关内嵌式T型衰减网络结构，1dB衰减电路模块采用开关内嵌式T型衰减网络结构。

3.根据权利要求1所述的基于低通滤波网络的开关内嵌式五位数控衰减器，其特征在于，2dB衰减电路模块采用基于RC低通滤波网络的开关内嵌式Pi型衰减网络结构。

4.根据权利要求1所述的基于低通滤波网络的开关内嵌式五位数控衰减器，其特征在于，4dB衰减电路模块采用基于RLC低通滤波网络的开关内嵌式Pi型衰减网络结构，8dB衰减电路模块采用基于RLC低通滤波网络的开关内嵌式Pi型衰减网络结构。

5.根据权利要求1所述的基于低通滤波网络的开关内嵌式五位数控衰减器，其特征在于，五位衰减电路模块采用4dB衰减电路模块、2dB衰减电路模块、0.5dB衰减电路模块、1dB衰减电路模块、8dB衰减电路模块顺序依次级联。

6.根据权利要求1所述的基于低通滤波网络的开关内嵌式五位数控衰减器，其特征在于，0.5dB衰减电路模块包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、场效应管M1、场效应管M2；其中，电阻R1一端与0.5dB衰减电路模块的输入端连接，电阻R1与电阻R2串联后与0.5dB衰减电路模块的输出端连接，场效应管M1的漏极与0.5dB衰减电路模块的输入端连接，场效应管M1的源极与0.5dB衰减电路模块的输出端连接，电阻R3一端与电阻R1的另一端连接，电阻R3的另一端与场效应管M2的漏极连接，场效应管M2的源极与电阻R4的一端连接，电阻R4的另一端接地。

7.根据权利要求1所述的基于低通滤波网络的开关内嵌式五位数控衰减器，其特征在于，1dB衰减电路模块包括：电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、场效应管M3、场效应管M4；其中，电阻R5一端与1dB衰减电路模块的输入端连接，电阻R5与电阻R6串联后与1dB衰减电路模块的输出端连接，场效应管M3的漏极与1衰减电路模块的输入端连接，场效应管M3的源极与1衰减电路模块的输出端连接，电阻R7一端与电阻R5的另一端连接，电阻R7的另一端与场效应管M4的漏极连接，场效应管M4的源极与电阻R8的一端连接，电阻R8的另一端接地。

8.根据权利要求1所述的基于低通滤波网络的开关内嵌式五位数控衰减器，其特征在于，2dB衰减电路模块包括：电阻R9、电阻R10、电阻R11；电容C1、电容C2、场效应管M5、场效应管M6，场效应管M7；其中，电阻R9的一端、电容C1的正极、场效应管M5的漏极均与2dB衰减电路模块的输入端连接；场效应管M5的源极、电阻R9的另一端、电容C2的正极均与2dB衰减电路模块的输出端连接；电容C1的负极与场效应管M6的漏极连接，场效应管M6的源极与电阻R10的一端连接，电阻R10的另一端接地；电容C2的负极与场效应管M7的漏极连接，场效应管M7的源极与电阻R11的一端连接，电阻R11的另一端接地。

9.根据权利要求1所述的基于低通滤波网络的开关内嵌式五位数控衰减器，其特征在于，4dB衰减电路模块包括：电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电容C3、电容C4、电感L1、场效应管M8、场效应管M9，场效应管M10；其中，电阻R12的一端、电容C3的正极、场效应管M8的漏极均与4dB衰减电路模块的输入端连接；场效应管M8的源极、电阻R13的一端、电容C4的正极均与4dB衰减电路模块的输出端连接；电阻R12的另一端与电感L1的一端连接，电感L1的另一端与电阻R13的另一端连接；电容C3的负极与场效应管M9的漏极连接，场效应管M9的源极与电阻R14的一端连接，电阻R14的另一端接地；电容C4的负极与场效应管M10的漏极连接，场效应管M10的源极与电阻R15的一端连接，电阻R15的另一端接地。

10.根据权利要求1所述的基于低通滤波网络的开关内嵌式五位数控衰减器，其特征在于，8dB衰减电路模块包括：电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电容C5、电容C6、电感L2、场效应管M1、场效应管M12、场效应管M13；其中，电阻R16的一端、场效应管M11的漏极、场效应管M12的漏极均与8dB衰减电路模块的输入端连接；场效应管M11的源极、电阻R17的一端、场效应管M13的漏极与8dB衰减电路模块的输出端连接；电阻R16的另一端与电感L2的一端连接，电感L2的另一端与电阻R17的另一端连接；电阻R18的一端、电容C5的正极均与场效应管M12的源极连接，电阻R18的另一端、电容C5的负极均接地；电阻R19的一端、电容C6的正极均与场效应管M13的源极连接，电阻R19的另一端、电容C6的负极均接地。