CN107706311A - 一种oled器件制作方法及相应的oled器件 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种OLED器件制作方法，包括步骤：在玻璃基板之上涂布聚酰亚胺材料形成衬底基板，所述衬底基板包含有吸水氧性能的材料；在所述衬底基板上面制备TFT层；在所述TFT层上制作OLED器件层；在所述OLED器件层上制备薄膜封装层，使所述薄膜封装层完全覆盖所述OLED器件层；将所述玻璃基板从所述衬底基板上剥离，并在所述衬底基板远离TFT层的一侧贴覆保护层。本发明还公开了相应的OLED器件。实施本发明实施例，可以提高OLED器件中PI层的阻水氧性能，提高OLED器件寿命。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域，特别涉及一种OLED器件制作方法及相应的OLED器件。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器是一种极具发展前景的平板显示技术，它具有自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性。目前OLED显示器得到了各大显示器厂家的青睐，并成为继CRT（Cathode Ray Tube）显示器与液晶显示器（Liquid Crystal Display，LCD)之后的第三代显示器。
但是，OLED对水氧极为敏感，目前常用的OLED常采用顶发光，因此对其表面的TFE阻水氧要求极高，目前也有很多专利提出如何完善上层TFE的阻水氧性能。但是对于OLED而言，水氧不仅会从顶部入侵，也会通过下层基板入侵进入OLED期间内部，因此，如何避免水氧从OLED基板底部入侵也是尤为重要的事。
柔性OLED对基板性能要求较高，为了满足后期工艺制备及产品性能需求，OLED基板往往要求具有柔性，耐饶曲，耐高温等性能，目前OLED行业中，因为聚酰亚胺(Polyimide，PI) 薄膜自身耐高温（可高达400℃），热膨胀系数小（< 10）等优点，常常被选定为柔性OLED的基板衬底，但PI基板阻水氧性能较差，因此外界水汽容易透过PI基板进入OLED器件内部，从而缩短OLED的使用寿命。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种OLED器件制作方法及相应的OLED器件，可以提高OLED器件中衬底基板的阻水氧性能。
为了解决上述技术问题，本发明的实施例的一方面提供一种OLED器件制作方法，包括如下步骤：
在玻璃基板上涂布聚酰亚胺材料形成衬底基板，所述衬底基板包含有吸水氧性能的材料；
在所述衬底基板上制备TFT层；
在TFT层上制作OLED器件层；
在所述OLED器件层上制备薄膜封装层，使所述薄膜封装层完全覆盖所述OLED器件层；
将所述玻璃基板从所述衬底基板上剥离，并在所述衬底基板远离TFT层的一侧贴覆保护层。
其中，在所述衬底基板上制备 TFT层的步骤进一步包括：
在所述衬底基板上制作无机阻挡层；
在所述无机阻挡层上制作TFT层。
其中，在所述衬底基板上面制备 TFT层的步骤进一步包括：
在所述衬底基板上制作无机阻挡层；
在所述无机阻挡层上涂布聚酰亚胺材料形成第二衬底基板层，所述第二衬底基板层包含有吸水氧性能的材料；
在所述第二衬底基板层上制作TFT层。
其中，在玻璃基板之上涂布聚酰亚胺材料形成衬底基板步骤具体为：
向用于制作所述衬底基板的聚酰亚胺液中掺杂具有吸水氧性能的材料，所述吸水氧性能的材料占所述聚酰亚胺液的重量比不高于5%;
通过涂布机将所述掺杂有吸水氧性能的材料的聚酰亚胺液涂布至所述玻璃基板上，然后进行高温烘焙，以及紫外线固化，获得所述衬底基板。
其中，所述吸水氧性能的材料包括CaO、BaO、NaOH、CaCl2、MgCl2中至少一个。
相应地，本发明的另一方面，还提供一种OLED器件，包括：
衬底基板，所述衬底基板包含有吸水氧性能的材料；
设置于所述衬底基板上侧的TFT层；
设置于所述TFT层上的OLED器件层；
设置于所述OLED器件层上的薄膜封装层，所述薄膜封装层完全覆盖所述OLED器件层。
其中，在所述衬底基板远离TFT层的一侧贴覆有保护层。
其中，在所述衬底基板与所述TFT层之间，进一步设置有无机阻挡层。
其中，所述衬底基板与所述TFT层之间进一步设置有：
设置于所述衬底基板上的无机阻挡层；
设置于所述无机阻挡层的第二衬底基板层，所述衬底基板包含有吸水氧性能的材料；
其中，所述TFT层设置于所述第二衬底基板层上。
其中，所述吸水氧性能的材料包括CaO、BaO、NaOH、CaCl2、MgCl2中至少一种。
实施本发明实施例，具有如下有益效果：
本发明实施例中，利用吸水氧性能的材料（如金属氧化物CaO，BaO等）往往具有较好的水氧吸收性能，在聚酰亚胺液中掺杂适量的金属氧化物，通过聚酰亚胺液涂布技术，制备出含吸水性能极强的金属氧化物的衬底基板层，从而提升衬底基板层的阻水氧性能；
在本发明中，通过选择调整掺杂到聚酰亚胺液中的阻水氧性能材料种类和掺杂比例，可使传统的衬底基板的阻水氧性能得到极大提升，且不会改变衬底基板的其他性能，也不会影响后段基于衬底基板的其他的工艺制程条件，故通过该方法制备衬底基板简单可行，不会增加额外工艺制程，可行性极高。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是本发明提供的一种OLED器件制作方法的一个实施例的主流程示意图；
图2是图1中涉及的制作过程中的一种OLED器件的结构示意图；
图3是本发明提供的一种OLED器件结构的一个实施例的结构示意图；
图4是本发明提供的一种OLED器件结构的另一个实施例的结构示意图；
图5是本发明提供的一种OLED器件结构的再一个实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本发明，在附图中仅仅示出了与根据本发明的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了与本发明关系不大的其他细节。
如图1所示，是本发明提供的一种OLED器件制作方法的一个实施例的主流程示意图；在该实施例中，该方法包括如下步骤：
步骤S10，在玻璃基板之上涂布聚酰亚胺材料（PI液）形成衬底基板（PI层），所述PI层包含有吸水氧性能的材料，其中，所述吸水氧性能的材料可以为金属氧化物（如CaO或BaO），也可以为NaOH、CaCl2、MgCl2等；在一些实施例中，所述吸水氧性能的材料占PI液的重量比不高于5%，这样不会影响到PI液的工艺。
步骤S11，在PI层上面制备TFT层，在上面形成阵列排布的TFT器件；
步骤S12，在TFT层上制作OLED器件层，例如在一个实施例中，可以通过真空蒸镀的方式制作OLED器件层；
步骤S13，在所述OLED器件层上制备薄膜封装层，使所述薄膜封装层完全覆盖所述OLED器件层；经过该步骤所获得的OLED器件结构如图2所示，其中，在一些实施例中，可以通过CVD（化学气相淀积）/ALD（原子层淀积）/IJP（喷墨打印）等方式来制备薄膜封装层；
步骤S14，将最所述玻璃基板从PI层上剥离，并在PI层远离TFT层的一侧贴覆保护层，从而可以获得柔性OLED器件（可参见图3所示）。
可以理解的是，在本发明的另一个实施例中，所述步骤S11具体包括：
在PI层制作一层无机阻挡层，所述无机阻挡层可以采用是SiN、SiO2、SiON等无机膜层，进一步提高阻水氧性能；
在所述无机阻挡层上制作所述TFT层。
可以理解的是，在本发明的再一个实施例中，可以出现两层或两层以上PI层。具体地，在一个例子中，所述步骤S11具体包括：
在所述衬底基板上制作无机阻挡层；
在所述无机阻挡层上涂布聚酰亚胺材料形成第二衬底基板层（PI层），所述第二衬底基板层包含有吸水氧性能的材料；
在所述第二衬底基板层上制作所述TFT层。
可以理解的是，在本发明的实施例中步骤S10中在玻璃基板之上涂布聚酰亚胺材料形成衬底基板步骤具体为：
向用于制作PI层的PI液中掺杂适量具有吸水氧性能的材料，所述吸水氧性能的材料包括CaO、BaO、NaOH、CaCl2、MgCl2中至少一种；具体的掺杂比例可以根据需要确定，在一些实施例中，所述吸水氧性能的材料占PI液总体重量的5%以内;
通过涂布机将所述掺杂有吸水氧性能的材料的PI液涂布在玻璃基板之上，然后进行高温烘焙，以及紫外线固化，获得阻水氧性能优异的PI层。
可以理解的是，在所述无机阻挡层上涂布聚酰亚胺材料形成第二衬底基板层的步骤与上述步骤相同。
相应地，本发明的另一方面还提供了一种OLED器件，其可以通过前述介绍的一种OLED器件制作方法获得。
如图3所示，示出了本发明提供的一种OLED器件一个实施例的结构示意图，在该实施例中，该OLED器件包括：
阻挡层101；
衬底基板200（PI层），所述衬底基板200包含有吸水氧性能的材料，所述吸水氧性能的材料可以为金属氧化物（如CaO或BaO），也可以为NaOH、CaCl2、MgCl2等；在一些实施例中，所述吸水氧性能的材料占PI层的重量比不高于5%；
设置于衬底基板200上面的TFT层300；
设置于TFT层300上的OLED器件层400；
设置于所述OLED器件层400上的薄膜封装层500，所述薄膜封装层500完全覆盖所述OLED器件层400。
如图4所示，示出了本发明提供的一种OLED器件的另一个实施例的结构示意图，在该实施例中，其与图3示出的实施例的不同之处在于，在最上层PI层200与所述TFT层300之间，进一步设有一层无机阻挡层201，所述无机阻挡层201可以采用是SiN、SiO2、SiON等无机膜层，进一步提高阻水氧性能。可以理解的是，在一些实施例中，所述阻挡层101和无机阻挡层201可以采用相同的材料。
如图5所示，示出了本发明提供的一种OLED器件的再一个实施例的结构示意图，在该实施例中，其与图3示出的实施例的不同之处在于，在所述衬底基板200与所述TFT层300之间进一步设置有：
设置于所述衬底基板200上的无机阻挡层201；
设置于所述无机阻挡层201的第二衬底基板层210，所述第二衬底基板层210包含有吸水氧性能的材料；
其中，所述TFT层300设置于所述第二衬底基板层210上。
其中，第二衬底基板层210可以采用与衬底基板200相同的工艺获得，其材料组份以及性能可以完全相同。
实施本发明实施例，具有如下有益效果：
本发明实施例中，利用吸水氧性能的材料（如金属氧化物CaO，BaO等）往往具有较好的水氧吸收性能，在聚酰亚胺液中掺杂适量的金属氧化物，通过聚酰亚胺液涂布技术，制备出含吸水性能极强的金属氧化物的衬底基板层，从而提升衬底基板层的阻水氧性能；
在本发明中，通过选择调整掺杂到聚酰亚胺液中的阻水氧性能材料种类和掺杂比例，可使传统的衬底基板的阻水氧性能得到极大提升，且不会改变衬底基板的其他性能，也不会影响后段基于衬底基板的其他的工艺制程条件，故通过该方法制备衬底基板简单可行，不会增加额外工艺制程，可行性极高。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅是本申请的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
Claims (10)
1.一种OLED器件制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
在玻璃基板上涂布聚酰亚胺材料形成衬底基板，所述衬底基板包含有吸水氧性能的材料；
在所述衬底基板上制备TFT层；
在所述TFT层上制作OLED器件层；
在所述OLED器件层上制备薄膜封装层，使所述薄膜封装层完全覆盖所述OLED器件层；
将所述玻璃基板从所述衬底基板上剥离，并在所述衬底基板远离TFT层的一侧贴覆保护层。
2.如权利要求1所述的一种OLED器件制作方法，其特征在于，在所述衬底基板上制备TFT层的步骤进一步包括：
在所述衬底基板上制作无机阻挡层；
在所述无机阻挡层上制作TFT层。
3.如权利要求1所述的一种OLED器件制作方法，其特征在于，在所述衬底基板上面制备TFT层的步骤进一步包括：
在所述衬底基板上制作无机阻挡层；
在所述无机阻挡层上涂布聚酰亚胺材料形成第二衬底基板层，所述第二衬底基板层包含有吸水氧性能的材料；
在所述第二衬底基板层上制作TFT层。
4.如权利要求1至3任一项所述的一种OLED器件制作方法，其特征在于，在玻璃基板上涂布聚酰亚胺材料形成衬底基板步骤具体为：
向用于制作所述衬底基板的聚酰亚胺液中掺杂具有吸水氧性能的材料，所述吸水氧性能的材料占所述聚酰亚胺液的重量比不高于5%;
通过涂布机将所述掺杂有吸水氧性能的材料的聚酰亚胺液涂布至所述玻璃基板上，然后进行高温烘焙，以及紫外线固化，获得所述衬底基板。
5.如权利要求4所述的一种OLED器件制作方法，其特征在于，所述吸水氧性能的材料包括CaO、BaO、NaOH、CaCl2、MgCl2中至少一个。
6.一种OLED器件，其特征在于，包括：
衬底基板，所述衬底基板包含有吸水氧性能的材料；
设置于所述衬底基板上侧的TFT层；
设置于所述TFT层上的OLED器件层；
设置于所述OLED器件层上的薄膜封装层，所述薄膜封装层完全覆盖所述OLED器件层。
7.如权利要求6所述的一种OLED器件，其特征在于，在所述衬底基板远离TFT层的一侧贴覆有保护层。
8.如权利要求7所述的一种OLED器件，其特征在于，在所述衬底基板与所述TFT层之间，进一步设置有无机阻挡层。
9.如权利要求7所述的一种OLED器件，其特征在于，在所述衬底基板与所述TFT层之间进一步设置有：
设置于所述衬底基板上的无机阻挡层；
设置于所述无机阻挡层的第二衬底基板层，所述衬底基板包含有吸水氧性能的材料；
其中，所述TFT层设置于所述第二衬底基板层上。
10.如权利要求6至9任一项所述的一种OLED器件，其特征在于，所述吸水氧性能的材料包括CaO、BaO、NaOH、CaCl2、MgCl2中至少一种。
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