CN107658362B - 基于黑磷的p-n光电检测器 - Google Patents
基于黑磷的p-n光电检测器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107658362B CN107658362B CN201710675630.2A CN201710675630A CN107658362B CN 107658362 B CN107658362 B CN 107658362B CN 201710675630 A CN201710675630 A CN 201710675630A CN 107658362 B CN107658362 B CN 107658362B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- black phosphorus
- oxide layer
- photoelectric detector
- layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 82
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 10
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims abstract 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 14
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 1
- 150000004702 methyl esters Chemical class 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 2
- -1 substrate Chemical compound 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005898 GeSn Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/103—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/15—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. multiple quantum wells, superlattices
- H01L29/151—Compositional structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于黑磷的p‑n光电检测器，包括衬底，位于衬底上的掩埋氧化物层及位于掩埋氧化物层上的有源区结构，有源区结构包括：源极、漏极以及黑磷(BP)和聚二甲基硅氧烷(PDMS)组成的栅极。衬底是P型衬底，掩模氧化物层所用材料是SiO2材料，厚度为50nm。应用拉伸或压缩聚二甲基硅氧烷(PDMS)，分别沿着锯齿形和扶手椅方向向黑磷(BP)引入不同的应变，放置在掩模氧化物层的顶部。黑磷(BP)层是五层的。源极和漏极接触，利用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)来进行电子束光刻定义。电极材料所选为Ti和Au。可给衬底施加电压调节器件。本发明设计并模拟了基于BP的p‑n光电检测器，对不同应变方向的黑磷和能量结构进行分析，考虑了暗电流效应，***的优化了吸收系数和响应度，响应度高达66.29A/W。
Description
技术领域
本发明涉及一种光电子器件技术领域，特别是基于黑磷(BP)所制备的光电探测器器件。
背景技术
这些年来，与光电子技术相关的光电探测器发展很快，越来越多的材料被应用到探测器的研究中。众所周知，近红外光谱中常用的光电探测材料主要是具有较高吸收系数的Ge。然而，Ge不能覆盖整个L波段(1565-1625nm)，甚至引入面内拉伸应变。GeSn合金作为另一组替代物，通过调整Sn的含量或引入应变来调节带隙，可以将光通信波段扩展到U波段(1625-1675nm)，甚至在2000nm处也有好的响应度。然而，它们只能应用在近红外范围，都不能在整个中红外(MIR)范围内进一步延长截止波长。
近年来，包括石墨烯，过渡金属，二硫化物和黑磷(BP)在内的二维材料已被视为未来新型电子和光电器件的材料。这些材料作为二维材料，可以在中红外波段发挥出作用。对于BP，它拥有直接的带隙，有助于在超宽带频谱上实现光检测。所以在实际的实验过程中，为了进一步将带隙定制到更小的值，就需要应用到应变工程。对于BP而言，由于其超柔软性能使杨氏模量小一个数量级，因此理论上可以承受高达30％的拉伸应变，这比其他二维材料更大。通过应用水平或垂直应变，可以连续调节带隙，这将伴随着半导体-金属转变(SMT)和有效质量的相当大的变化，使得黑磷备受关注。因此，在中红外波段探测器的研究中，二维材料特别是黑磷将是研究的热点。
发明内容
现在的研究还没有给出将光学吸收边缘扩展到MIR范围的专门研究，所以，本发明的目的是提供一种基于黑磷(BP)的p-n光电检测器，通过引入应变，可连续调节带隙，提高了中红外光波段的吸收系数，提高了中红外探测器的检测性能，使得光电检测器的光谱窗可以扩展到MIR范围。
本发明的技术方案是这样实现的：一种基于黑磷(BP)的p-n光电检测器，包括硅衬底(1)，位于硅衬底(1)上的掩埋氧化物层(2)及位于掩埋氧化物层(2)上的有源区结构，有源区结构包括：源极(3)、漏极(4)以及黑磷(BP)层和聚二甲基硅氧烷(PDMS)层组成的层叠结构栅极(5)，其特征在于，硅衬底(1)是P型掺杂，栅极(5)中黑磷(BP)的层数为五层，分别沿着锯齿形和扶手椅方向放置在掩埋氧化物层(2)的上面，掩模氧化物层所用材料是SiO2材料，源极(3)和漏极(4)接触，利用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)来进行电子束光刻定义，电极材料所选为Ti和Au，给衬底施加电压，可以控制检测器内部电流，红外光的吸收可显著提高10％，响应度高达66.29A/W。
根据结构的特性表明，黑磷是二维材料，且本发明中所用到黑磷的层数为五层，其柔软性特别良好，可以承受30％的拉伸应变，可以对其进行不同方向的应变的引入，来观察带隙调节的效果。与单层BP层相比，五层黑磷光电探测器红外光的吸收可显着提高10％。同时，可以有效调制通道电导，实现低关断状态的可行性。所以，五层是相对合适的厚度，极大地提高了光学吸收。
制作上述本发明器件的方法，包括如下步骤：
1、利用离子注入工艺，对衬底进行P型重掺杂，然后利用热氧化工艺，在P型衬底上氧化生长一层SiO2氧化物层，作为氧化物层。
2、采用物理气相淀积的方法淀积黑磷，黑磷(BP)是五层结构，分别沿着锯齿形和扶手椅方向淀积在掩埋氧化物层的上面。聚二甲基硅氧烷(PDMS)做在黑磷的上面。
3、使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)用电子束光刻定义源极和漏极接触，并且在100℃下使用电子束蒸发沉积5nm Ti/50nm Au。
4、将电压(Vg)施加到p+掺杂的硅作为背栅，其可以通过控制电压调制器件。
本发明具有如下优点：
本发明中基于黑磷(BP)的光电探测器中的黑磷是五层结构，这种结构被验证为可通过应用水平或垂直应变，可以连续调节带隙。与单层BP层相比，五层红外光的吸收可显着提高10％。同时，可以有效调制通道电导，实现低关断状态的可行性。因此，在这种设计中，五层是相对合适的厚度，极大地提高了光学吸收。并且分别验证了从扶手椅和锯齿形方向引入应变最后的光吸收。
附图说明
图1是本发明基于黑磷(BP)光电检测器的结构示意图。
图2是本发明基于黑磷(BP)光电检测器中黑磷(BP)的五层晶体结构。
具体实施方式
为了使本发明的目的及优点更加清楚明白，以下结合附图和实施例对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
参照图1，本发明中基于黑磷(BP)光电检测器包括：硅衬底1，氧化物掩膜层2，源极3，漏极4以及黑磷(BP)和聚二甲基硅氧烷(PDMS)组成的栅极5。其中，硅衬底1是P型掺杂，氧化物掩膜层是SiO2，厚度为50nm。源极3和漏极4使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)用电子束光刻定义。并且将电压(Vg)施加到p+掺杂的硅作为背栅，可以通过控制电压调制器件。
参照图2，本发明中基于黑磷(BP)光电检测器中的黑磷(BP)的五层结构，以及将黑磷淀积在氧化物掩膜层上的两种不同方向，分别为扶手椅方向和锯齿形方向。两种方向分别验证器件的性能。
参照图1和图2，本发明制作基于黑磷(BP)光电检测器的方法，给出如下实施例。
实施例：制作基于黑磷(BP)光电检测器以及分析。
参照图1，本实例的实现步骤如下：
步骤1：衬底掺杂，做掩埋层。
首先利用离子注入工艺对衬底进行掺杂。硅衬底1温度控制在室温，避免高温扩散引起的热缺陷，进行硼掺杂，得到P型硅衬底1。然后利用热氧化工艺，干湿氧结合的方法，在温度为900度的条件下生长SiO2氧化物掩膜层2，厚度控制在50nm。
步骤2：淀积黑磷
利用物理气相淀积中的磁控溅射的方法在氧化物掩膜层上淀积一层黑磷，气压为两个毫托，淀积温度为110度，时长80分钟。值得注意的是黑磷的结构是五层的。聚二甲基硅氧烷(PDMS)做在黑磷的上面。
步骤3：光刻源漏，做电极
使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)用电子束光刻定义源极3和漏极4接触，并且在100℃下使用电子束蒸发沉积5nm Ti和50nm Au。
参照图2，本实例的分析步骤如下：
本发明中基于黑磷(BP)光电检测器中的黑磷(BP)的五层结构，以及将黑磷淀积在氧化物掩膜层上的两种不同方向，分别是扶手椅方向和锯齿形方向。为方便起见，我们将扶手椅方向定义为x方向，将锯齿形方向定义为y方向。在x或y方向施加高达20％的拉伸或压缩应变，以探索整个结构中的变形过程。对于扶手椅方向，原子距离和磷原子之间的带角缩短为εx＝-20％，反之亦然。对于锯齿形方向，磷原子之间的距离是具有相同不变的定律的。
本发明研究了五层黑磷光电探测器的应变效应，模拟了不同应变下五层BP沿不同方向的带结构。基于黑磷晶体管的高灵敏度MIR光电探测器已经证明了此光电探测器结构在中红外波段具有良好的响应。
以上所述仅是本发明的几个优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (5)
1.基于黑磷的p-n光电检测器，包括硅衬底(1)，位于硅衬底(1)上的掩埋氧化物层(2)及位于掩埋氧化物层(2)上的有源区结构，有源区结构包括：源极(3)、漏极(4)以及黑磷(BP)层和聚二甲基硅氧烷(PDMS)层组成的层叠结构栅极(5)，其特征在于，硅衬底(1)是P型掺杂，栅极(5)中黑磷(BP)的层数为五层，分别沿着锯齿形和扶手椅方向放置在掩埋氧化物层(2)的上面，掩模氧化物层所用材料是SiO2材料，源极(3)和漏极(4)接触，利用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)来进行电子束光刻定义，电极材料所选为Ti和Au，给衬底施加电压，可以控制检测器内部电流，红外光的吸收可显著提高10％，响应度高达66.29A/W。
2.根据权利要求1所述的基于黑磷的p-n光电检测器，其特征在于，所述光电检测器的制造方法，包括以下步骤：
第一步，在硅衬底(1)上热氧化生长一层SiO2掩模氧化物层(2)；
第二步，应用拉伸或压缩聚二甲基硅氧烷(PDMS)，向黑磷(BP)引入不同的应变，将其放置在SiO2掩模氧化物层的顶部；
第三步，使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)用电子束光刻定义源极和漏极接触，并且使用物理气相淀积法来沉积Ti和Au；
第四步，将电压施加到p+掺杂的硅作为背栅，其可以电调制器件。
3.根据权利要求2所述的基于黑磷的p-n光电检测器，其特征在于，所述第一步中的SiO2掩模氧化物层(2)的厚度是50nm。
4.根据权利要求2所述的基于黑磷的p-n光电检测器，其特征在于，所述第二步中的向黑磷引入不同的应变是有两个方向的，分别为锯齿形方向和扶手椅方向。
5.根据权利要求2所述的基于黑磷的p-n光电检测器，其特征在于，所述第三步中的使用物理气相淀积法来沉积Ti和Au，是在100℃条件下使用电子束蒸发沉积5nm Ti和50nmAu。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710675630.2A CN107658362B (zh) | 2017-08-09 | 2017-08-09 | 基于黑磷的p-n光电检测器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710675630.2A CN107658362B (zh) | 2017-08-09 | 2017-08-09 | 基于黑磷的p-n光电检测器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107658362A CN107658362A (zh) | 2018-02-02 |
| CN107658362B true CN107658362B (zh) | 2019-05-10 |
Family
ID=61127793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710675630.2A Active CN107658362B (zh) | 2017-08-09 | 2017-08-09 | 基于黑磷的p-n光电检测器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107658362B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109786483A (zh) * | 2018-12-18 | 2019-05-21 | 西安电子科技大学 | 基于bp材料的光电探测器及其制备方法 |
| CN109786439B (zh) * | 2018-12-18 | 2021-01-05 | 西安电子科技大学 | 基于bp材料的微盘谐振器及其制作方法以及在光电晶体管上的应用 |
| CN111142174B (zh) * | 2019-12-25 | 2021-01-12 | 南开大学 | 一种基于二维黑磷材料的太赫兹调控结构及方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105679876A (zh) * | 2016-03-18 | 2016-06-15 | 电子科技大学 | 基于黑磷/二硫化钼异质结的光探测器 |
| CN105702775A (zh) * | 2016-03-18 | 2016-06-22 | 电子科技大学 | 一种基于黑磷/二硫化钼异质结能量带隙可调的光探测器 |
| CN106328720A (zh) * | 2016-09-07 | 2017-01-11 | 鲍小志 | 一种石墨烯‑黑磷异质结光电探测器及制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2749694T3 (es) * | 2014-07-15 | 2020-03-23 | Fundacio Inst De Ciencies Fotòniques | Aparato optoelectrónico y método de fabricación del mismo |
-
2017
- 2017-08-09 CN CN201710675630.2A patent/CN107658362B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105679876A (zh) * | 2016-03-18 | 2016-06-15 | 电子科技大学 | 基于黑磷/二硫化钼异质结的光探测器 |
| CN105702775A (zh) * | 2016-03-18 | 2016-06-22 | 电子科技大学 | 一种基于黑磷/二硫化钼异质结能量带隙可调的光探测器 |
| CN106328720A (zh) * | 2016-09-07 | 2017-01-11 | 鲍小志 | 一种石墨烯‑黑磷异质结光电探测器及制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107658362A (zh) | 2018-02-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107658362B (zh) | 基于黑磷的p-n光电检测器 | |
| CN101714591B (zh) | 一种硅光电二极管的制作方法 | |
| US5075237A (en) | Process of making a high photosensitive depletion-gate thin film transistor | |
| US11996492B2 (en) | Nanophotonic hot-electron devices for infrared light detection | |
| US20100288352A1 (en) | Integrated solar cell nanoarray layers and light concentrating device | |
| KR102283831B1 (ko) | 3차원 구조의 광검출 소자 및 그의 제조 방법 | |
| CN106449854B (zh) | 全耗尽铁电侧栅单根纳米线近红外光电探测器及制备方法 | |
| CN105702776B (zh) | 一种自驱动光探测器及其制作方法 | |
| Sharma et al. | Ultraviolet radiation detection by barium titanate thin films grown by sol–gel hydrothermal method | |
| Makeswaran et al. | Size-and phase-controlled nanometer-thick β-Ga2O3 films with green photoluminescence for optoelectronic applications | |
| CN107068784A (zh) | 一种横向结构锗/硅异质结雪崩光电探测器及其制备方法 | |
| Xu et al. | Surface engineering in SnO2/Si for high-performance broadband photodetectors | |
| CN109920863A (zh) | 窄禁带半导体薄膜、光敏二极管及制备方法 | |
| Abo Ghazala et al. | Fabrication of nanocrystalline silicon thin films utilized for optoelectronic devices prepared by thermal vacuum evaporation | |
| CN111883607A (zh) | 一种基于石墨烯/锗复合薄膜的高灵敏度位置探测器的构筑方法 | |
| Kim et al. | Triple-junction InGaP/GaAs/Ge solar cells integrated with polymethyl methacrylate subwavelength structure | |
| Stavarache et al. | Photo-sensitive Ge nanocrystal based films controlled by substrate deposition temperature | |
| Kale et al. | Silicon quantum dot solar cell using top-down approach | |
| JPS61278171A (ja) | 薄膜光電変換素子 | |
| US6177673B1 (en) | Optically black surface for producing the same | |
| US11101394B2 (en) | Method of transferring tin sulfide film and photoelectric device using the method | |
| CN115332375B (zh) | 一种基于二维材料异质结的微型红外光谱仪芯片及方法 | |
| US6689633B1 (en) | Optical detector with a filter layer made of porous silicon and method for the production thereof | |
| CN111509073B (zh) | 一种柔性光电探测器件的制备方法及柔性光电探测器件 | |
| Xiao et al. | Enhancing light harvesting of organic solar cells by using hybrid microlenses |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |