CN107610813A - 一种双面导电膜及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种双面导电膜及其制备方法，该双面导电膜包括基膜，基膜的两面分别设置有抗紫外胶层以及在抗紫外胶层远离基膜的一面设置有纳米银线层。本发明的双面导电膜由于在基膜的两面设置了抗紫外胶层，在对纳米银线层进行双面激光蚀刻时，激光不会穿透蚀刻背面的纳米银线层，解决了双面激光蚀刻到背面的问题；同时使用纳米银线层代替氧化铟等稀有金属，简化了导电膜的制备方法，具有工艺简单、速度快、成本低、耗能低、无污染的优点。

Description

一种双面导电膜及其制备方法

技术领域

本发明属于触摸屏技术领域，具体涉及一种双面导电膜及其制备方法。

背景技术

作为阻抗膜式触摸面板或静电容量式触摸面板的电极基板，通常是通过在高分子膜基材上溅射铟锡氧化物(ITO)等金属氧化物得到。基于此种方法的成膜需要高温条件，使得缺乏耐热性的树脂基膜的使用受到很大限制。而且，成膜需要高真空气氛，因此，随着基膜的变大，需要巨大的成膜装置，导致成膜成本增加。并且，由于铟(In)等是稀少的元素，因而难以获得，也使得成本较高。

市场上目前电容式触摸屏的构造主要是在玻璃屏幕上镀一层透明的薄膜导体层ITO，再在导体层外加上一块非常薄的坚硬的保护玻璃(一块四层复合玻璃屏)，这层玻璃显然是不导电的，通过使用高频交流信号，靠人的手指头(隔着薄玻璃)与工作面形成的耦合电容来吸走一个交流电流，电容式触控屏可以简单地看成是由四层复合屏构成的屏体：最外层是玻璃保护层，接着是导电层，第三层是不导电的玻璃屏，最内的第四层也是导电层。根据市场需求，未来电容式触摸屏趋于薄型化柔软化。

现有技术中，投射电容式触摸屏是在两层ITO导电玻璃涂层上蚀刻出不同的ITO导电线路模块。两个模块上蚀刻的图形相互垂直，可以把它们看作是X和Y方向连续变化的滑条。由于X、Y架构在不同表面，其相交处形成一电容节点。一个滑条可以当成驱动线，另外一个滑条当成是侦测线。当电流经过驱动线中的一条导线时，如果外界有电容变化的信号，那么就会引起另一层导线上电容节点的变化。侦测电容值的变化可以通过与之相连的电子回路测量得到，再经由A/D控制器转为数字讯号让计算机做运算处理取得(X,Y)轴位置，进而达到定位的目地。

目前技术要求将两层导电层涂布在一张膜上，体现薄与柔软的性能。然而将两层导电层涂布在一张膜上会出现一个问题，在进行双面激光蚀刻过程中激光会穿透膜到另一面将另一面导电层击伤，破坏背面导电层结构。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种双面导电膜，以解决现有技术中触摸屏用双面导电膜在双面激光蚀刻过程中会穿透膜的另一面将另一面导电层击伤的问题。

为了实现上述目的，本发明提供了一种双面导电膜，包括基膜，基膜的两面分别设置有抗紫外胶层以及在抗紫外胶层远离基膜的一面设置有纳米银线层。

进一步地，基膜为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、聚碳酸酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、环烯烃聚合物、三醋酸纤维素中的一种。

进一步地，抗紫外胶层中含有紫外阻隔剂，紫外阻隔剂的重量含量为7-8％。

进一步地，紫外阻隔剂为EVERSORB51、EVERSORB109、EVERSORB477、ZnO、TiO₂、BaSO₄、Fe₂O₃、Al₂O₃中的任意一种或多种。

此外，为实现上述目的，本发明提供了一种双面导电膜的制备方法，包括如下步骤：

1)在基膜两面分别涂布抗紫外胶水，烘干固化形成抗紫外胶层，

2)在抗紫外胶层远离基膜的表面涂布纳米银线涂布液，烘干固化形成纳米银线层，

3)对双面导电膜的纳米银线层进行激光蚀刻形成导电线路。

进一步地，抗紫外胶水中含有紫外阻隔剂，紫外阻隔剂的重量含量为7-8％。

进一步地，紫外阻隔剂为EVERSORB51、EVERSORB109、EVERSORB477、ZnO、TiO₂、BaSO₄、Fe₂O₃、Al₂O₃中的任意一种或多种。

进一步地，涂布抗紫外胶水的方式为凹版涂布、辊涂、旋涂、丝网印刷涂布、刮刀涂布或气刀涂布。

进一步地，烘干分为四个阶段，第一阶段的烘干温度低于第二阶段的烘干温度，第二阶段的烘干温度低于第三阶段的烘干温度，第四阶段的烘干温度低于第二阶段的烘干温度。

进一步地，第一阶段的烘干温度为75-85℃，第二阶段的烘干温度为86-95℃，第三阶段的烘干温度为100-110℃，第四阶段的烘干温度为75-85℃。

与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：

本发明的双面导电膜结构，由于在基膜的两面设置了抗紫外胶层，在对纳米银线层进行双面激光蚀刻时，激光不会穿透蚀刻背面的纳米银线层，解决了双面激光蚀刻到背面的问题；同时使用纳米银线层代替氧化铟等稀有金属，简化了导电膜的制备方法，具有工艺简单、速度快、成本低、耗能低、无污染的优点。

附图说明

构成本发明的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1示出了本发明双面导电膜的结构示意图；

其中，1为基膜，2为抗紫外胶层，3为纳米银线层。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。

需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“上”、“下”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、***、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

由背景技术可知，现有的触摸屏用双面导电膜存在双面激光蚀刻时激光会穿透膜的另一面将另一面导电层击伤的问题。本发明的发明人针对上述问题进行研究，提出了一种双面导电膜，包括基膜，基膜的两面分别设置有抗紫外胶层以及在抗紫外胶层远离基膜的一面设置有纳米银线层。通过在基膜双面设置抗紫外胶层，可以防止激光穿透基膜影响到背面的纳米银线层。

上述的基膜可以为本领域内常见的塑料薄膜，例如：聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯、聚碳酸酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、环烯烃聚合物(COP)或三醋酸纤维素(TAC)。

本发明的抗紫外胶层中含有紫外阻隔剂，能够阻隔波段为300～400nm的紫外光，从而避免双面导电膜激光蚀刻时，激光穿透基膜破坏另一面的纳米银线层。上述的抗紫外胶层中紫外阻隔剂的重量含量为7-8％，采用上述含量的紫外阻隔剂能够较好的阻隔激光。

在本发明的一种优选实施方式中，上述紫外阻隔剂为EVERSORB51、EVERSORB109、EVERSORB477、ZnO、TiO₂、BaSO₄、Fe₂O₃、Al₂O₃中的任意一种或多种。

本发明的抗紫外胶层还包括树脂，可以采用本领域内常见的热固化树脂或光固化树脂，主要起成膜作用，固化形成抗紫外胶层。

此外，本发明还提供了一种双面导电膜的制备方法，包括如下步骤：

1)采用涂布方式，在基膜两面分别涂布抗紫外胶水，烘干固化形成抗紫外胶层，

2)在抗紫外胶层远离基膜的表面涂布纳米银线涂布液，烘干固化形成纳米银线层，

3)对双面导电膜的纳米银线层进行激光蚀刻形成导电线路，一面蚀刻完后再进行第二面蚀刻。

上述的抗紫外胶水中含有紫外阻隔剂，能够阻隔波段为300～400nm的紫外光，从而避免双面导电膜激光蚀刻时，激光穿透基膜破坏另一面的纳米银线层。上述的抗紫外胶水中紫外阻隔剂的重量含量7-8％，采用上述含量的紫外阻隔剂能够较好的阻隔激光。

本发明中，可以采用凹版涂布、辊涂、旋涂、丝网印刷涂布、刮刀涂布或气刀涂布等方式在基膜上涂布抗紫外胶水，以及涂布纳米银线层。烘干过程分为四个阶段，第一阶段的烘干温度低于第二阶段的烘干温度，第二阶段的烘干温度低于第三阶段的烘干温度，第四阶段的烘干温度低于第二阶段的烘干温度。第一阶段的烘干温度为75-85℃，第二阶段的烘干温度为86-95℃，第三阶段的烘干温度为100-110℃，第四阶段的烘干温度为75-85℃。采用上述梯度变化的烘干温度，能够提高烘干效率。

以下将结合实施例和对比例，进一步说明本发明的有益效果。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1

如图1所示的双面导电膜：基膜为PET，采用刮刀涂布方式，在PET的两面分别涂布抗紫外胶水，烘干固化形成抗紫外胶层，其中，抗紫外胶层中含有重量含量为3％的紫外阻隔剂EVERSORB51(台湾永光化学制造)；然后，在抗紫外胶层远离PET的表面涂布纳米银线涂布液，烘干固化形成纳米银线层，其中四个阶段的烘干温度分别为75℃、86℃、100℃、75℃。对上述制备的双面导电膜纳米银线层进行激光蚀刻形成导电线路，一面蚀刻完后再进行第二面蚀刻。

实施例2

采用凹版涂布方式在基膜COP的两面分别涂布抗紫外胶水，烘干固化形成抗紫外胶层，其中，抗紫外胶层中含有重量含量为7％的紫外阻隔剂EVERSORB109(台湾永光化学制造)；然后，在抗紫外胶层远离COP的表面涂布纳米银线涂布液，烘干固化形成纳米银线层，其中四个阶段的烘干温度分别为85℃、95℃、110℃、85℃。对上述制备的双面导电膜纳米银线层进行激光蚀刻形成导电线路，一面蚀刻完后再进行第二面蚀刻。

实施例3

采用凹版涂布方式在基膜PET的两面分别涂布抗紫外胶水，烘干固化形成抗紫外胶层，其中，抗紫外胶层中含有重量含量为8％的紫外阻隔剂EVERSORB477(台湾永光化学制造)；然后，在抗紫外胶层远离PET的表面涂布纳米银线涂布液，烘干固化形成纳米银线层，其中四个阶段的烘干温度分别为80℃、90℃、105℃、80℃。对上述制备的双面导电膜纳米银线层进行激光蚀刻形成导电线路，一面蚀刻完后再进行第二面蚀刻。

对比例1

与实施例1区别在于：在基膜的两面分别涂布纳米银线层，未涂布抗紫外胶层。

对比例2：

与实施例1区别在于：在基膜的两面分别溅射ITO导电层，未涂布抗紫外胶层。

利用透射雾影仪(NDH2000，日本电色)来测量双面导电膜的透过率(T)和雾度(H)。采用分光光度计(岛津)U-3100仪器来测定双面导电膜的激光穿透率。目视观察双面导电膜激光蚀刻时背面是否受损。

测试结果如下表所示：

	实施例1	实施例2	实施例3	对比例1	对比例2
						T/％	91.1	91.1	91.1	91.5	91.6
H/％	0.3	0.3	0.3	0.2	0.2
						激光透过率(300～400nm)/％	8	5	3	93	90
双面蚀刻受损状况	未受损	未受损	未受损	受损严重	受损严重

由以上实施例和对比例可知，本发明的双面导电膜，由于在基膜的两面设置了抗紫外胶层，在对纳米银线层进行双面激光蚀刻时，激光不会穿透蚀刻背面的纳米银线层，解决了双面激光蚀刻到背面的问题；同时使用纳米银线层代替氧化铟等稀有金属，简化了导电膜的制备方法，具有工艺简单、速度快、成本低、耗能低、无污染的优点。

需要注意的是，具体实施方式仅仅是对本发明技术方案的解释说明，不应将其理解为对本发明技术方案的限定，任何采用本发明实质发明内容而仅作局部改变的，仍应落入本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种双面导电膜，包括基膜(1)，其特征在于：所述基膜(1)的两面分别设置有抗紫外胶层(2)以及在所述抗紫外胶层(2)远离基膜的一面设置有纳米银线层(3)。

2.根据权利要求1所述的双面导电膜，其特征在于：所述基膜(1)为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、聚碳酸酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、环烯烃聚合物、三醋酸纤维素中的一种。

3.根据权利要求1所述的双面导电膜，其特征在于：所述抗紫外胶层(2)中含有紫外阻隔剂，所述抗紫外胶层中所述紫外阻隔剂的重量含量为7-8％。

4.根据权利要求3所述的双面导电膜，其特征在于：所述紫外阻隔剂为EVERSORB51、EVERSORB109、EVERSORB477、ZnO、TiO₂、BaSO₄、Fe₂O₃、Al₂O₃中的任意一种或多种。

5.一种双面导电膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)在基膜的两面分别涂布抗紫外胶水，烘干固化形成抗紫外胶层，

2)在抗紫外胶层远离基膜的表面涂布纳米银线涂布液，烘干固化形成纳米银线层，

3)对双面导电膜的纳米银线层进行激光蚀刻形成导电线路。

6.根据权利要求5所述的双面导电膜的制备方法，其特征在于：所述抗紫外胶水中含有紫外阻隔剂，所述抗紫外胶水中所述紫外阻隔剂的重量含量为7-8％。

7.根据权利要求6所述的双面导电膜的制备方法，其特征在于：所述紫外阻隔剂为EVERSORB51、EVERSORB109、EVERSORB477、ZnO、TiO₂、BaSO₄、Fe₂O₃、Al₂O₃中的任意一种或多种。

8.根据权利要求5所述的双面导电膜的制备方法，其特征在于：所述涂布抗紫外胶水的方式为凹版涂布、辊涂、旋涂、丝网印刷涂布、刮刀涂布或气刀涂布。

9.根据权利要求5所述的双面导电膜的制备方法，其特征在于：所述烘干分为四个阶段，第一阶段的烘干温度低于第二阶段的烘干温度，第二阶段的烘干温度低于第三阶段的烘干温度，第四阶段的烘干温度低于第二阶段的烘干温度。

10.根据权利要求9所述的双面导电膜的制备方法，其特征在于：所述第一阶段的烘干温度为75-85℃，所述第二阶段的烘干温度为86-95℃，所述第三阶段的烘干温度为100-110℃，所述第四阶段的烘干温度为75-85℃。