CN107604192A - 一种氮化铝/铝复合材料的制备方法 - Google Patents
一种氮化铝/铝复合材料的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107604192A CN107604192A CN201710741697.1A CN201710741697A CN107604192A CN 107604192 A CN107604192 A CN 107604192A CN 201710741697 A CN201710741697 A CN 201710741697A CN 107604192 A CN107604192 A CN 107604192A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- powder
- aln
- preparation
- aluminium
- stir
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 75
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 72
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 25
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 title claims abstract description 25
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 24
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims abstract description 19
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 12
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000007873 sieving Methods 0.000 claims abstract description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000005269 aluminizing Methods 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000009768 microwave sintering Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- HPNSNYBUADCFDR-UHFFFAOYSA-N chromafenozide Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C(=O)N(NC(=O)C=2C(=C3CCCOC3=CC=2)C)C(C)(C)C)=C1 HPNSNYBUADCFDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004100 electronic packaging Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
本发明属于电子封装材料的制备领域，具体公开一种氮化铝/铝复合材料的制备方法。将酚醛树脂粉溶解于无水乙醇中；将AlN粉加入所得溶液中，40~60℃搅拌均匀；将SiO2气凝胶粉和Al粉依次加入所得溶液中，50~70℃继续搅拌，直至浆料粘稠不能搅拌为止；将浆料烘干，造粒过筛，再将所得颗粒粉压制成型，得到坯体；将一定质量的Al2O3板块置于坯体上，在真空900~1000℃下反应烧结1~2 h，获得AlN坯体；将AlN坯体在真空900~1100℃下气态渗铝0.5~1 h，随后自然降温冷却，即得氮化铝/铝复合材料。本发明具有工艺简单、操作方便生产成本低，产品性能良好等优点，AlN/Al复合材料拥有良好的机械强度、导热性能和低的热膨胀系数，在电子封装材料方向将具有较大的应用前景。
Description
技术领域
本发明属于电子封装材料的制备领域，具体涉及一种氮化铝/铝复合材料的制备方法。
背景技术
氮化铝属于共价键组合的化合物，是一种综合性能优良的新型无机非金属材料。氮化铝具有良好的导热性能，优异的电绝缘性能，较低的介电常数和介电损耗，无毒性，与硅具有良好的热膨胀系数匹配等一系列优良特性。氮化铝被公认为是新一代高集成、超大功率半导体基片和电子元器件封装的理想材料，受到了国内外研究者的青睐。氮化铝的导热性能是氧化铝的8~10倍，在电子工业中的应用潜力非常巨大。此外，氮化铝还可以作为高级耐火材料、坩埚材料、防腐蚀涂层、研磨材料和耐磨损零件等。
氮化铝属于共价化合物，熔点高，原子自扩散系数小，纯的氮化铝粉在普通的烧结温度下很难烧结致密化，而且，较低的致密度使氮化铝陶瓷很难具有较高的热导性能，因此严重地限制了其在电子封装材料等方面的应用。为了解决这些问题，如何提高氮化铝陶瓷的致密度已经成为当前的研究热点。目前提高氮化铝陶瓷的致密度的方法有：热压烧结、SPS烧结、微波烧结和熔渗金属法等。采用热压烧结时，可以获得高致密度的氮化铝陶瓷，但是需要昂贵的烧结设备，不能批量化生产，且生产成本较高。虽然SPS烧结、微波烧结可以快速地制备较高致密度的氮化铝陶瓷，但是，其缺点和热压烧结的一样，都不符合工业化生产的实际需求。目前，熔渗金属法制备高致密度的氮化铝陶瓷是最有潜力成为工业化生产的最佳选择。熔渗金属法是将熔融或气态的金属渗入到氮化铝预制体中，从而制备氮化铝基复合陶瓷，熔渗金属一般为Al。但是，熔融或气态的Al与氮化铝较低的润湿性，难以制备致密度较高的氮化铝-铝陶瓷基复合材料，因此限制了其在电子封装领域的应用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种氮化铝/铝复合材料的制备方法，该方法通过改善Al与AlN的润湿性，从而获得高致密度氮化铝/铝复合材料，具有工艺简单、操作方便、生产成本低、产品性能良好等优点，使AlN/Al复合材料拥有良好的机械强度和导热性能，又克服了纯AlN难以烧结致密化的缺陷。
为实现上述目的，本发明采取的技术方案如下：
一种氮化铝/铝复合材料的制备方法，步骤如下：
（1）、将酚醛树脂粉（用作胶黏剂）溶解于无水乙醇中，保证溶液中酚醛树脂粉的含量为3~5 wt%；
（2）、按AlN粉与无水乙醇的质量比为（1~1.2）∶1计，将AlN粉加入步骤（1）所得溶液中，40~60 ℃搅拌均匀；
（3）、将SiO2气凝胶粉和Al粉依次加入步骤（2）所得溶液中，50~70 ℃继续搅拌，直至浆料粘稠不能搅拌为止；其中，SiO2气凝胶粉和Al粉的总量与AlN粉的质量比为（0.04~0.08）∶1，Al粉与SiO2气凝胶粉的质量比为（0.6~0.9）∶1；
（4）、将浆料烘干，造粒过筛，再将所得颗粒粉压制成型，得到坯体；
（5）、将一定质量的Al2O3板块置于坯体上，在真空900~1000 ℃下反应烧结1~2 h，获得AlN坯体；其中，Al2O3板块的质量以能够防止坯体在反应烧结过程中产生翘曲为准；
（6）、将AlN坯体在真空900~1100 ℃下气态渗铝0.5~1 h，随后自然降温冷却，即得氮化铝/铝复合材料。
较好地，所述AlN粉的平均粒径为5~10 μm。
较好地，所述SiO2气凝胶粉的平均粒径为10~30 nm。
较好地，所述Al粉的平均粒径为20~30 μm。
较好地，所述烘干的温度为70~80 ℃。
较好地，过60~100目筛。
较好地，压制成型的压力控制在100~200 MPa。
本发明提供一种氮化铝/铝复合材料的制备方法，通过改善Al与AlN润湿性，从而获得高致密度的氮化铝/铝复合材料，其原理是：在AlN颗粒表面吸附一层SiO2气凝胶粉，真空900~1000 ℃状态下，Al粉与SiO2粉反应，在AlN颗粒表面生成一层Al2O3膜，Al2O3与Al具有良好的润湿性，从而在气态渗铝的过程中，改善Al与AlN润湿性。此方法具有工艺简单、操作方便、生产成本低、产品性能良好等优点，制备的AlN/Al复合材料拥有良好的机械强度和导热性能，又克服了纯AlN难以烧结致密化的缺陷，在电子封装材料领域具有非常大的实用前景。
具体实施方式
以下结合具体实施例，对本发明做进一步说明。应理解，以下实施例仅用于说明本发明而非用于限制本发明的范围。
实施例1
一种氮化铝/铝复合材料的制备方法，步骤如下：
（1）、将酚醛树脂粉溶解于无水乙醇中，保证溶液中酚醛树脂粉的含量为3 wt%；
（2）、按AlN粉(平均粒径为5 μm)与无水乙醇的质量比为1.2∶1计，将AlN粉加入步骤（1）所得溶液中，40 ℃搅拌均匀；
（3）、将SiO2气凝胶粉(平均粒径为10 nm)和Al粉(平均粒径为20 μm)依次加入步骤（2）所得溶液中，50 ℃继续搅拌，直至浆料粘稠不能搅拌为止；其中，SiO2气凝胶粉和Al粉的总量与AlN粉的质量比为0.08∶1，Al粉与SiO2气凝胶粉的质量比为0.6∶1；
（4）、将浆料70 ℃烘干，造粒过100目筛，再将所得颗粒粉置于模具中，200MPa压制成型，得到坯体；
（5）、将一定质量的Al2O3板块置于坯体上，在真空950 ℃下反应烧结2 h，获得AlN坯体；其中，Al2O3板块的质量以能够防止坯体在反应烧结过程中产生翘曲为准；
（6）、将AlN坯体放入渗铝炉中，在真空1000 ℃下气态渗铝0.5 h，随后自然降温冷却，即得氮化铝/铝复合材料。
本实施例制得的氮化铝/铝复合材料的密度为3.12 g/cm3，热导率为286 W/m·K，在50~400℃下测得热膨胀系数12.0×10-6 m/m·K，抗弯强度为230 MPa，断裂韧性为2.8MPa·m1/2。
实施例2
一种氮化铝/铝复合材料的制备方法，步骤如下：
（1）、将酚醛树脂粉溶解于无水乙醇中，保证溶液中酚醛树脂粉的含量为5 wt%；
（2）、按AlN粉(平均粒径为10 μm)与无水乙醇的质量比为1∶1计，将AlN粉加入步骤（1）所得溶液中，60 ℃搅拌均匀；
（3）、将SiO2气凝胶粉(平均粒径为30 nm)和Al粉(平均粒径为30 μm)依次加入步骤（2）所得溶液中，60 ℃继续搅拌，直至浆料粘稠不能搅拌为止；其中，SiO2气凝胶粉和Al粉的总量与AlN粉的质量比为0.06∶1，Al粉与SiO2气凝胶粉的质量比为0.9∶1；
（4）、将浆料75 ℃烘干，造粒过60目筛，再将所得颗粒粉置于模具中，150MPa压制成型，得到坯体；
（5）、将一定质量的Al2O3板块置于坯体上，在真空900 ℃下反应烧结1 h，获得AlN坯体；其中，Al2O3板块的质量以能够防止坯体在反应烧结过程中产生翘曲为准；
（6）、将AlN坯体放入渗铝炉中，在真空1100 ℃下气态渗铝0.75 h，随后自然降温冷却，即得氮化铝/铝复合材料。
本实施例制得的氮化铝/铝复合材料的密度为3.09 g/cm3，热导率为265 W/m·K，在50~400℃下测得热膨胀系数13.8×10-6 m/m·K，抗弯强度为205 MPa，断裂韧性为3.4MPa·m1/2。
实施例3
一种氮化铝/铝复合材料的制备方法，步骤如下：
（1）、将酚醛树脂粉溶解于无水乙醇中，保证溶液中酚醛树脂粉的含量为4 wt%；
（2）、按AlN粉(平均粒径为7.5 μm)与无水乙醇的质量比为1.1∶1计，将AlN粉加入步骤（1）所得溶液中，50 ℃搅拌均匀；
（3）、将SiO2气凝胶粉(平均粒径为20 nm)和Al粉(平均粒径为25 μm)依次加入步骤（2）所得溶液中，60 ℃继续搅拌，直至浆料粘稠不能搅拌为止；其中，SiO2气凝胶粉和Al粉的总量与AlN粉的质量比为0.04∶1，Al粉与SiO2气凝胶粉的质量比为0.75∶1；
（4）、将浆料80 ℃烘干，造粒过80目筛，再将所得颗粒粉置于模具中，100MPa压制成型，得到坯体；
（5）、将一定质量的Al2O3板块置于坯体上，在真空1000 ℃下反应烧结1.5 h，获得AlN坯体；其中，Al2O3板块的质量以能够防止坯体在反应烧结过程中产生翘曲为准；
（6）、将AlN坯体放入渗铝炉中，在真空950 ℃下气态渗铝1 h，随后自然降温冷却，即得氮化铝/铝复合材料。
本实施例制得的氮化铝/铝复合材料的密度为3.06 g/cm3，热导率为165 W/m·K，在50~400℃下测得热膨胀系数9.4×10-6 m/m·K，抗弯强度为173 MPa，断裂韧性为2.1MPa·m1/2。
Claims (7)
1.一种氮化铝/铝复合材料的制备方法，其特征在于：步骤如下：
（1）、将酚醛树脂粉溶解于无水乙醇中，保证溶液中酚醛树脂粉的含量为3~5 wt%；
（2）、按AlN粉与无水乙醇的质量比为（1~1.2）∶1计，将AlN粉加入步骤（1）所得溶液中，40~60 ℃搅拌均匀；
（3）、将SiO2气凝胶粉和Al粉依次加入步骤（2）所得溶液中，50~70 ℃继续搅拌，直至浆料粘稠不能搅拌为止；其中，SiO2气凝胶粉和Al粉的总量与AlN粉的质量比为（0.04~0.08）∶1，Al粉与SiO2气凝胶粉的质量比为（0.6~0.9）∶1；
（4）、将浆料烘干，造粒过筛，再将所得颗粒粉压制成型，得到坯体；
（5）、将一定质量的Al2O3板块置于坯体上，在真空900~1000 ℃下反应烧结1~2 h，获得AlN坯体；其中，Al2O3板块的质量以能够防止坯体在反应烧结过程中产生翘曲为准；
（6）、将AlN坯体在真空900~1100 ℃下气态渗铝0.5~1 h，随后自然降温冷却，即得氮化铝/铝复合材料。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述AlN粉的平均粒径为5~10 μm。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述SiO2气凝胶粉的平均粒径为10~30nm。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述Al粉的平均粒径为20~30 μm。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述烘干的温度为70~80 ℃。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：过60~100目筛。
7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：压制成型的压力控制在100~200 MPa。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710741697.1A CN107604192B (zh) | 2017-08-25 | 2017-08-25 | 一种氮化铝/铝复合材料的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710741697.1A CN107604192B (zh) | 2017-08-25 | 2017-08-25 | 一种氮化铝/铝复合材料的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107604192A true CN107604192A (zh) | 2018-01-19 |
| CN107604192B CN107604192B (zh) | 2019-07-16 |
Family
ID=61055620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710741697.1A Active CN107604192B (zh) | 2017-08-25 | 2017-08-25 | 一种氮化铝/铝复合材料的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107604192B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109518032A (zh) * | 2019-01-15 | 2019-03-26 | 中南大学 | 一种碳颗粒增强金属基复合材料的制备方法 |
| CN110964967A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-04-07 | 有研亿金新材料有限公司 | 一种具有低热膨胀系数的背板及其制造方法 |
| CN113150750A (zh) * | 2020-03-20 | 2021-07-23 | 姜文辉 | 一种用于井下工具的可溶解组件、井下工具及油井钻探、开采及生产*** |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53130714A (en) * | 1977-04-20 | 1978-11-15 | Kogyo Gijutsuin | Method of bonding nitride base ceramics and silver |
| JPH10182236A (ja) * | 1996-12-24 | 1998-07-07 | Honda Motor Co Ltd | 窒化アルミニウム基複合材料の製造方法 |
| CN102452844A (zh) * | 2010-10-30 | 2012-05-16 | 比亚迪股份有限公司 | 一种氮化铝覆铝基板及其制备方法 |
| CN102584245A (zh) * | 2012-02-21 | 2012-07-18 | 东北大学 | 一种氮化铝与二硼化钛复合陶瓷的制备方法 |
| CN105254306A (zh) * | 2015-09-30 | 2016-01-20 | 西北工业大学 | 一种高导热氮化硅陶瓷的制备方法 |
| CN106554212A (zh) * | 2015-09-30 | 2017-04-05 | 比亚迪股份有限公司 | 多孔碳化硅预制体和Al-SiC复合材料及它们的制备方法 |
-
2017
- 2017-08-25 CN CN201710741697.1A patent/CN107604192B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53130714A (en) * | 1977-04-20 | 1978-11-15 | Kogyo Gijutsuin | Method of bonding nitride base ceramics and silver |
| JPH10182236A (ja) * | 1996-12-24 | 1998-07-07 | Honda Motor Co Ltd | 窒化アルミニウム基複合材料の製造方法 |
| CN102452844A (zh) * | 2010-10-30 | 2012-05-16 | 比亚迪股份有限公司 | 一种氮化铝覆铝基板及其制备方法 |
| CN102584245A (zh) * | 2012-02-21 | 2012-07-18 | 东北大学 | 一种氮化铝与二硼化钛复合陶瓷的制备方法 |
| CN105254306A (zh) * | 2015-09-30 | 2016-01-20 | 西北工业大学 | 一种高导热氮化硅陶瓷的制备方法 |
| CN106554212A (zh) * | 2015-09-30 | 2017-04-05 | 比亚迪股份有限公司 | 多孔碳化硅预制体和Al-SiC复合材料及它们的制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 程晓敏等: "SiO2与液态Al反应生成Al2O3/Al复合材料的研究", 《特种铸造及有色合金》 * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109518032A (zh) * | 2019-01-15 | 2019-03-26 | 中南大学 | 一种碳颗粒增强金属基复合材料的制备方法 |
| CN110964967A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-04-07 | 有研亿金新材料有限公司 | 一种具有低热膨胀系数的背板及其制造方法 |
| CN110964967B (zh) * | 2019-12-23 | 2021-07-23 | 有研亿金新材料有限公司 | 一种具有低热膨胀系数的背板及其制造方法 |
| CN113150750A (zh) * | 2020-03-20 | 2021-07-23 | 姜文辉 | 一种用于井下工具的可溶解组件、井下工具及油井钻探、开采及生产*** |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107604192B (zh) | 2019-07-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Wu et al. | Low thermal expansion coefficient and high thermal conductivity epoxy/Al2O3/T-ZnOw composites with dual-scale interpenetrating network structure | |
| CN107604192B (zh) | 一种氮化铝/铝复合材料的制备方法 | |
| CN104674208B (zh) | 对金刚石表面镀Mo及金刚石/Cu复合材料的制备方法 | |
| CN105789145B (zh) | 一种新型电子封装复合材料及其制备方法 | |
| CN1654427A (zh) | 以氮化硅镁为烧结助剂的高热导氮化硅陶瓷的制备方法 | |
| CN101734923A (zh) | 一种氮化铝多孔陶瓷及其制备方法 | |
| CN105272176A (zh) | 一种大功率led散热用陶瓷基板 | |
| CN110079708A (zh) | 一种纳米石墨片/Al合金基复合材料的粉末冶金制备方法 | |
| CN103060596A (zh) | 一种SiC增强Al基复合材料的制备方法 | |
| CN108257880A (zh) | 一种真空熔渗法制备金刚石/Si（Al）复合材料的工艺方法 | |
| Zhang et al. | Influence of silicon carbide nanowires on the properties of Bi–B–Si–Zn–Al glass based low temperature co-fired ceramics | |
| CN111636006B (zh) | 一种铝硅合金石墨复合导热材料及其制备与应用 | |
| CN107540378B (zh) | 一种碳化硅/铝复合材料的制备方法 | |
| CN102709258A (zh) | 一种金刚石-硅复合材料 | |
| CN106220176A (zh) | 一种金刚石/陶瓷复合基板材料及其制备方法 | |
| CN102674840B (zh) | 一种金刚石-硅材料的快速烧结制备方法 | |
| CN105254285A (zh) | 一种大功率led散热用陶瓷基板的制备工艺 | |
| CN111704465A (zh) | 原位生成氮化铝-碳化硅固溶体复相陶瓷及其制备方法 | |
| CN113582732A (zh) | 一种提高金属化与陶瓷结合力的膏剂配方 | |
| CN106633662A (zh) | 一种led用金刚石粉‑铜粉高导热型复合材料及其制备方法 | |
| CN107641730B (zh) | 一种电子封装用金属基复合材料及其制备方法和应用 | |
| CN101210292A (zh) | 一种含β-锂霞石的铜基复合材料的制备方法 | |
| JPH02192467A (ja) | 窒化アルミニウム―六方晶窒化ほう素系焼結体の製造方法 | |
| CN105603262A (zh) | 一种电子封装材料的制备方法 | |
| CN108754207A (zh) | 一种碳化硅/Cu复合材料的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240407 Address after: 601, No. 18 Yihai Jiayuan, Jimei District, Xiamen City, Fujian Province, 361021 Patentee after: Shen Xiaofei Country or region after: China Address before: 451261 HUPO village, Zhan Jie Town, Gongyi City, Zhengzhou, Henan Patentee before: GONGYI VAN-RESEARCH YIHUI COMPOSITE MATERIAL Co.,Ltd. Country or region before: China |
|
| TR01 | Transfer of patent right |