CN107591315A - 用于处理基板的装置和方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种用液体处理基板的方法。在用于处理基板的方法中，可以通过使用第一喷嘴和第二喷嘴将处理液供应到旋转的基板上来处理基板，第一喷嘴将处理液供应到基板上包括中心区域的区域，并且第二喷嘴将处理液供应到基板的周边区域。

Description

用于处理基板的装置和方法
技术领域
本发明构思涉及用于处理基板的装置和方法。
背景技术
基板表面上的污染物，诸如颗粒、有机污染物和金属污染物，极大地影响了半导体器件的特性和产率。因此，除去附着于基板表面的各种污染物的清洁过程是非常重要的，并且在制造半导体的单元工艺之前和之后执行清洁基板的过程。通常，清洁基板的过程包括通过使用处理液(诸如化学品)除去驻留在基板上的金属物质、有机物质和颗粒的化学处理过程，通过使用纯水除去驻留在基板上的化学品的漂洗过程，以及通过使用有机溶剂、超临界流体或氮气来干燥基板的干燥过程。
图1是示出支撑基板的支撑单元和供应一般基板处理装置的液体的液体供应单元的视图。图2是示出从顶部观看时图1的向其供应液体的基板的视图。参见图1和图2，通常，当将有机溶剂32供应到基板31上以干燥基板时，在基板31旋转(rotate，转动)的同时液体供应单元33将有机溶剂32排放到由基板支撑单元34支撑的基板31。在这种情况下，在将有机溶剂32施加到整个基板31的过程中，由基板31的离心力导致指状物(fingerings)。随着直到施加有机溶剂32的时间段变长，指状物35之间的区域被干燥，使得基板31的表面露出。此外，当在供应有机溶剂32之前通过使用纯水36执行漂洗过程时，通过有机溶剂32和基板31之间的湿比热以及纯水36和有机溶剂32的表面张力之间的差异，在基板31上扩散的有机溶剂32和预先供应的纯水36之间产生纯水36干燥的区域37。当基板31的表面由于干燥现象而露出时，基板31的表面可能被颗粒污染，或者可能在基板31的图案中发生倾斜现象。
发明内容
本发明构思提供了用于当供应液体时使基板的干燥区域产生时间最小化的装置和方法。
本发明构思还提供了用于防止由于颗粒造成基板的污染的装置和方法。
本发明构思还提供了用于防止基板的倾斜现象的装置和方法。
本发明构思要解决的问题不限于上述问题，并且是本发明构思所属技术领域的技术人员将从说明书和随附附图清楚地理解未提及的问题。
本发明构思提供了一种用于处理基板的方法。在一种用于处理基板的方法中，可以使用第一喷嘴和第二喷嘴将处理液供应到旋转的基板上来处理基板，第一喷嘴可以将处理液供应到基板上包括中心区域的区域，并且第二喷嘴可以将处理液供应到基板的周边区域。
该方法包括使用第一喷嘴将处理液供应到基板上并且同时使用第二喷嘴将处理液供应到周边区域的第一供应操作；以及其后使用第一喷嘴供应处理液并且停止使用第二喷嘴供应处理液的第二供应操作。
在第一供应操作中，第一喷嘴可以供应处理液，同时移动第一供应点，第一供应点是从第一喷嘴供应的处理液在基板上的供应点。
在第一供应操作中，第二喷嘴可以供应处理液，使得第二供应点固定至周边区域的第一位置，第二供应点是从第二喷嘴供应的处理液在基板上的供应点。
在第一供应操作中，第一喷嘴可以供应处理液，第一供应点在基板的中心区域和周边区域之间移动。
可以在供应处理液同时第一供应点从基板的中心移动到第一位置一次的期间执行第一供应操作。
在紧接在执行第一供应操作之后的第二供应操作中，第一喷嘴可以供应处理液，同时第一供应点从第一位置移动到基板的边缘。
可以在第一供应点从中心区域移动到周边区域一次的期间执行第一供应操作。
可以在第一供应点在中心区域和周边区域之间往复运动一次的期间执行第一供应操作。
与此不同，在第一供应操作中，第二喷嘴可以供应处理液，同时第二供应点在周边区域的第二位置和第三位置之间移动，第二供应点是从第二喷嘴供应的处理液在基板上的供应点，以及第二位置可以是比第三位置更靠近基板的中心区域的位置。
在第一供应操作中，第一喷嘴可以供应处理液，同时第一供应点在基板的中心区域和周边区域之间移动。
可以在第一供应点从中心区域移动到周边区域一次的期间执行第一供应操作。
可以在第一供应点在中心区域和周边区域之间往复运动一次的期间执行第一供应操作。
在第二供应操作中，在移动第一供应点同时供应处理液之后，第一供应点被固定至中心区域同时第一喷嘴可以排放处理液。
该方法还可以包括，在第一供应操作之前，将预湿液体供应到基板上的预湿操作。
预湿液体可以是纯水(DIW)。
在第一供应操作和第二供应操作中，基板可以以200至800转/分钟(rpm)旋转。
在第一供应操作和第二供应操作中，第一供应点从中心区域移动到周边区域一次的时间段和第一供应点从周边区域移动到中心区域一次的时间段可以为1.0至1.2秒。
处理液可以是有机溶剂，包括异丙醇(IPA)。
基板可以是直径为300mm的晶圆，并且第一位置可以是与晶圆的中心间隔140mm的位置。
本发明构思提供了一种用于处理基板的装置。用于处理基板的装置包括：壳体，所述壳体提供用于在其中执行基板处理工艺的空间；支撑单元，所述支撑单元在壳体内支撑基板并使基板旋转；第一喷嘴，所述第一喷嘴将处理液供应到位于支撑单元上的基板上的包括中心区域的区域；第二喷嘴，所述第二喷嘴将处理液供应到位于支撑单元上的基板上的周边区域；以及控制器，所述控制器控制第一喷嘴和第二喷嘴。
控制器可以控制第一喷嘴和第二喷嘴，使得使用第一喷嘴将处理液供应到基板上并且同时使用第二喷嘴将处理液供应到周边区域的第一供应操作，以及其后的使用第一喷嘴供应处理液并且停止使用第二喷嘴供应处理液的第二供应操作按顺序执行。
在第一供应操作中，控制器可以控制第一喷嘴，使得在第一供应点移动的同时供应处理液，第一供应点是从第一喷嘴供应的处理液在基板上的供应点。
在第一供应操作中，控制器可以控制第二喷嘴，使得第二供应点固定到周边区域的第一位置，第二供应点是从第二喷嘴供应的处理液在基板上的供应点。
可以在供应处理液同时第一供应点从基板的中心移动到第一位置一次的期间执行第一供应操作。
控制器可以控制第一喷嘴，使得在紧接在执行第一供应操作之后的第二供应操作中，在第一供应点从第一位置移动到基板的边缘的同时供应处理液。
可以在第一供应点从中心区域移动到周边区域一次的期间执行第一供应操作。
在第一供应操作中，控制器可以控制第二喷嘴，使得第二供应点在周边区域的第二位置和第三位置之间移动，第二供应点是从第二喷嘴供应的处理液在基板上的供应点，并且第二位置可以是比第三位置更靠近基板的中心区域的位置。
处理液可以是有机溶剂。
附图说明
上述和其他目的和特征将从以下参考以下附图的描述中变得明了，其中，除非另有说明，贯穿各个附图相同的参考标号指代相同的部件，并且在附图中：
图1是示出支撑基板的支撑单元和供应一般基板处理装置的液体的液体供应单元的视图；
图2是示出当从顶部观看时图1的向其供应液体的基板的视图；
图3是示意性地示出根据本发明构思的基板处理***1的平面图；
图4是示出基板处理装置300的示例的剖视图；
图5是示出根据本发明构思的一种实施方式的用于处理基板的方法的流程图；
图6至图10是顺序地示出根据一种实施方式的用于处理基板的方法的视图；
图11是示出根据另一实施方式的第一供应操作的视图；以及
图12和图13分别是示出根据其他实施方式的第一供应操作的视图。
具体实施方式
在下文中，将参照随附附图更详细地描述本发明构思的示例性实施方式。本发明构思的实施方式可以以各种形式被修改，并且本发明构思的范围不应被解释为限于以下实施方式。提供本发明构思的实施方式以更完整地向本领域技术人员描述本发明构思。因此，附图的部件的形状被放大以强调部件的更清楚的描述。
在一种本发明构思的一种实施方式中，将描述一种用于执行清洁基板的工艺的基板处理装置。然而，本发明构思不限于此，而是可以应用于将液体施加到基板上的各种类型的装置。
在下文中，将参考随附附图详细地描述本发明构思的装置和方法的示例。
图3是示意性地示出根据本发明构思的一种基板处理***1的平面图。参考图3，基板处理***1具有索引(index)模块10和工艺处理模块20，并且索引模块10具有多个负载端口120和供给框架140。负载端口120、供给框架140以及工艺处理模块20可以按顺序布置成一行。在下文中，负载端口120、供给框架140以及工艺处理模块20的方向将被称为第一方向12。从顶部观看时垂直于第一方向12的方向将被称为第二方向14，以及与包括第一方向12和第二方向14的平面正交的方向将被称为第三方向16。
在其中接收基板W的承载件18位于负载端口120上。设置多个负载端口120，并且多个负载端口沿第二方向14被布置成一行。图1示出了设置四个负载端口120。负载端口120的数量可以根据工艺处理模块20的工艺效率、占用空间(footprint)情况等而增加或减少。在承载件18中形成多个槽(未示出)，其被设置为支撑基板W的周边。多个槽沿第三方向16设置，并且基板W位于承载件130中，使得基板W被堆叠以沿第三方向16彼此间隔开。可以使用前开式统一传送盒(FOUP)作为承载件18。
工艺处理模块20包括缓冲单元220、供给室240以及多个工艺室260。供给室240被布置成使得其长度方向平行于第一方向12。工艺室260沿第二方向14布置在供给室240的相对侧上。位于供给室240的一侧上的工艺室260和位于供给室240的相对侧上的工艺室260相对于供给室240彼此对称。一些工艺室260沿供给室240的长度方向布置。此外，一些工艺室260被布置为彼此堆叠。也就是说，具有A*B(A和B都是自然数)的阵列的工艺室260可以布置在供给室240的一侧上。这里，A是沿第一方向12设置成行的工艺室260的数量，并且B是沿第三方向16设置成行的工艺室260的数量。当在供给室240的一侧上设置四个或六个工艺室260时，工艺室260可以被布置成2*2或3*2的阵列。工艺室260的数量可以增加或减少。与上述描述不同，工艺室260可以仅设置在供给室240的一侧上。此外，与上述描述不同，工艺室260可以设置在供给室240的一侧或相对侧上以形成单层。
缓冲单元220布置在供给框架140和供给室240之间。缓冲单元220在供给室240和供给框架140之间提供基板W在被传送之前停留的空间。在缓冲单元220中设置基板W定位在其中的槽(未示出)，并且多个槽(未示出)设置成沿第三方向16彼此间隔开。缓冲单元220的面向供给框架140的面以及面向供给室240的面是敞开的。
供给框架140在位于负载端口120上的承载件18和缓冲单元220之间传送基板W。在供给框架140中设置索引轨道142和索引自动操作装置(robot，机械手)144。索引轨道142被布置成使得其长度方向平行于第二方向14。索引自动操作装置144安装在索引轨道142上，并且沿索引轨道142在第二方向14上线性移动。索引自动操作装置144具有基座144a、本体144b和多个索引臂144c。基座144a被安装成沿索引轨道142移动。本体144b联接到基座144a。本体144b被设置成在基座144a上沿第三方向16移动。本体144b被设置成在基座144a上旋转。索引臂144c联接到本体144b，并且被设置成相对于本体144b向前和向后移动。多个索引臂144c被设置成单独地驱动。索引臂144c被布置成堆叠的以便沿第三方向16彼此间隔开。当将基板W从工艺处理模块20传送到承载件18时，使用一些索引臂144c，并且当将基板W从承载件18传送到工艺处理模块20时，可以使用一些索引臂144c。该结构可以在由索引自动操作装置144将基板W移入和移出的过程中，防止在工艺处理之前从基板W产生的颗粒在工艺处理之后附着到基板W上。
供给室240在缓冲单元220和工艺室260之间以及在工艺室260之间传送基板W。在供给室240中设置导轨242和主自动操作装置244。导轨242被布置成使得其长度方向平行于第一方向12。主自动操作装置244安装在导轨242上，并且在索引轨道242上沿第一方向12线性移动。主自动操作装置244具有基座244a、本体244b以及多个主臂244c。基座244a被安装成沿导轨242移动。本体244b联接到基座244a。本体244b被设置成在基座244a上沿第三方向16移动。本体244b被设置成在基座244a上旋转。主臂244c联接到本体244b，并且被设置成相对于本体244b向前和向后移动。多个主臂244c被设置成单独地驱动。主臂244c被布置成是堆叠的以便沿第三方向16彼此间隔开。当将基板W从缓冲单元220传送到工艺室260时所用的主臂244c和当将基板W从工艺室260传送到缓冲单元220时所用的主臂244c可以不同。
在工艺室260中设置对基板W执行清洁工艺的基板处理装置300。设置在各工艺室260中的基板处理装置300可以根据所执行的清洁工艺的种类而具有不同的结构。选择性地，各工艺室260中的基板处理装置300可以具有相同的结构。选择性地，工艺室260可以被分为多个组，使得设置在属于相同组的工艺室260中的基板处理装置300具有相同的结构，并且设置在属于不同组的工艺室260中的基板处理装置300彼此具有不同的结构。例如，当工艺室260被分成两组时，第一组工艺室260可以设置在供给室240的一侧上，并且第二组工艺室260可以设置在供给室240的相对侧上。选择性地，第一组工艺室260可以设置在供给室240的下侧上，并且第二组工艺室260可以设置在供给室240的上侧上，在供给室240的相对侧上。第一组工艺室260和第二组工艺室260可以根据所使用的化学品的种类或清洁方法的类型进行分类。
在下文中，将对使用处理液清洁基板W的基板处理装置300的示例进行描述。图4是示出基板处理装置300的示例的剖视图。参考图4，基板处理装置300包括壳体320、支撑单元340、升降单元360、第一供应单元380、第二供应单元390和控制器400。
壳体320具有用于在其内部执行基板处理工艺的空间，并且壳体320的上侧是敞开的。壳体320具有内部回收容器322、中间回收容器324以及外部回收容器326。各回收容器322、324和326回收在工艺中使用的不同处理液。内部回收容器322具有围绕支撑单元340的环形环形状，中间回收容器324具有围绕内部回收容器322的环形环形状，并且外部回收容器具有围绕中间回收容器324的环形环形状。内部回收容器322的内部空间322a、内部回收容器322和中间回收容器324之间的空间324a、以及中间回收容器324和外部回收容器326之间的空间326a作为入口，处理液通过这些入口分别被引入内部回收容器322、中间回收容器324和外部回收容器326。从回收容器322、324和326在它们的底表面的向下方向上垂直延伸的回收管线322b、324b和326b分别连接到回收容器322、324和326。回收管线322b、324b和326b分别排放通过回收容器322、324、326引入的处理液。排放的处理液可以通过外部处理液循环***(未示出)再次使用。
支撑单元340布置在壳体320中。支撑单元340支撑基板W。支撑单元340可以被设置为使支撑基板W旋转的旋转头(spin head)340。根据一种实施方式，旋转头340设置在壳体320内。旋转头340在工艺期间支撑基板W并使基板旋转。旋转头340具有本体342、多个支撑销334、多个卡盘销346以及支撑轴348。本体342具有从顶部观看时具有基本上圆形形状的上表面。可以通过马达349旋转的支撑轴348固定地联接到本体342的底部。设置多个支撑销334。支撑销334可以被布置成在本体342的上表面的周边处彼此间隔开并且从本体342向上突出。支撑销334被布置成通过这些支撑销的组合具有大致环形环形状。支撑销334支撑基板W的后表面的周边，使得基板W与本体342的上表面间隔预定距离。设置多个卡盘销346。卡盘销346被布置成比支撑销334更远离本体342的中心。卡盘销346被设置成从本体342向上突出。卡盘销346支撑基板W的一侧，使得当旋转头340旋转时，基板W不从适当的位置横向分离。卡盘销346被设置成沿本体342的径向方向在待命位置和支撑位置之间线性移动。待命位置是比支撑位置更远离本体342的中心的位置。当基板W被装载到旋转头340上或从旋转头卸载时，卡盘销346位于待命位置，并且当在基板W上执行处理时，卡盘销346位于支撑位置。卡盘销346在支撑位置处与基板W的一侧接触。
升降单元360使壳体320向上和向下线性移动。当壳体320向上和向下移动时，壳体320相对于旋转头340的相对高度被改变。升降单元360具有支架362、可移动轴364和驱动器366。支架362固定地安装在壳体320的外壁上，并且通过驱动器366向上和向下移动的可移动轴364固定地联接到支架362。壳体320被降低，使得当基板W定位在旋转头340上或者从旋转头340提升时，壳体320被降低，使得旋转头340突出到壳体320的上侧。当执行处理时，调节壳体320的高度，使得处理液根据供应到基板W的处理液的种类而被引入到预设的回收容器360中。例如，在基板W被第一处理流体处理时，基板W位于与内部回收容器322的内部空间322a相对应的高度。此外，当分别通过第二处理液和第三处理液处理基板W时，基板W可以位于与内部回收容器322和中间回收容器324之间的空间324a以及与中间回收容器324和外部回收容器326之间的空间326a相对应的高度。与上述不同，升降单元360可以使旋转头340而不是壳体320向上和向下移动。
第一供应单元380具有第一喷嘴384，该第一喷嘴将处理液供应到位于旋转头340上的基板W上。例如，第一供应单元380具有喷嘴支撑件382、第一喷嘴384、支撑轴386和驱动器388。
沿第三方向16设置支撑轴386的长度方向，并且驱动器388联接到支撑轴386的下端。驱动器388旋转并升高支撑轴386。喷嘴支撑件382垂直于支撑轴386联接到支撑轴386的一端部，该端部与支撑轴386的联接到驱动器388的一端部相对。第一喷嘴384安装在喷嘴支撑件382的端部的底表面上。第一喷嘴384通过驱动器388移动到工艺位置和待命位置。工艺位置是第一喷嘴384布置在壳体320的竖直上部的位置，而待命位置是偏离壳体320的竖直上部的位置。
第一喷嘴384将处理液供应到位于旋转头340上的基板W上包括中心区域的区域。存储处理液的存储容器371通过供应管线连接到第一喷嘴384。阀372安装在供应管线中。
第二供应单元390具有第二喷嘴394，该第二喷嘴将处理液供应到位于旋转头340上的基板W上。第二喷嘴394将处理液供应到位于旋转头340上的基板W的周边区域。存储处理液的存储容器371通过供应管线连接到第二喷嘴394。阀373安装在供应管线中。第二供应单元390具有驱动器398以改变第二喷嘴394的处理液供应点。第二供应单元390的其他构造和结构类似于第一供应单元380的构造和结构。通过第一喷嘴384和第二喷嘴394供应的处理液可以相同。处理液可以是有机溶剂，诸如异丙醇(IPA)。
控制器400控制分别连接到第一喷嘴384和第二喷嘴394的阀372和373、以及驱动器388和398，以确定液体是否通过第一喷嘴384和第二喷嘴394排放并调节基板W上第一喷嘴384和第二喷嘴394的供应点。下文中，将详细描述一种通过控制器400控制第一喷嘴384和第二喷嘴394以向由旋转头340支撑的基板W供应处理液的处理基板W的方法。
在下文中，为了便于描述，将描述根据本发明构思的实施方式的通过使用上述基板处理装置来处理基板的方法。
图5是示出根据本发明构思的一种实施方式的处理基板的方法的流程图。参考图4和图5，通过使用第一喷嘴384和第二喷嘴394将处理液供应到旋转的基板上来处理基板。基板处理方法包括：预湿操作S110、第一供应操作S120以及第二供应操作S130。根据一种实施方式，控制器400控制阀372和373以及驱动器388和398以按顺序执行第一供应操作S120和第二供应操作S130。
如果需要，在第一供应操作S120之前选择性地执行预湿操作S110。在预湿操作S110中，将预湿液体供应到位于旋转头340上的基板W上。根据一种实施方式，预湿液体可以是纯水(DIW)。可选地，可以不执行预湿操作S110。
图6至图10是按顺序示出根据一种实施方式的用于处理基板的方法的视图。
图6是示出第一喷嘴384和第二喷嘴394移动以执行第一供应操作S120的视图。参考图6，在准备操作中，控制器400控制驱动器388和398，使得第一喷嘴384和第二喷嘴394位于可以将处理液供应到基板上的初始位置。例如，控制器400控制驱动器388和398，使得第一喷嘴384位于处理液可以排放到基板W的中心区域的位置处，并且第二喷嘴394位于处理液可以排放到基板W的周边区域的位置处。
图7是示出第一供应操作S120的视图。参考图7，在第一供应操作S120中，通过使用第一喷嘴384将处理液供应到位于旋转头340上的基板W，并且同时通过使用第二喷嘴394将处理液供应到位于旋转头340上的基板W。根据一种实施方式，控制器400控制阀372和驱动器388，使得第一供应点(即基板上从第一喷嘴384供应的处理液的供应点)在第一供应操作S120期间在待被供应处理液的基板W的中心区域和周边区域之间移动。例如，如图7中所示，当由控制器400控制的第一喷嘴384移动时，在供应处理液的同时第一供应点从基板W的中心移动到第一位置41一次的期间执行第一供应操作S120。同时，控制器400控制驱动器398，使得第二供应点(即从第二喷嘴394供应的处理液的供应点)在第一供应操作S120期间被固定到基板W的周边区域的第一位置41。基板W可以是半径为300mm的晶圆，并且第一位置41可以是与晶圆的中心间隔140mm的位置。
图8至图10是按顺序示出第二供应操作S130的视图。
在第二供应操作S130中，第一喷嘴384供应处理液，而第二喷嘴394停止供应处理液。参考图8，控制器400控制阀372和驱动器388，使得第一喷嘴384提供处理液，同时移动第一供应点。例如，控制器400控制阀372和驱动器388，使得在当第一供应点从第一位置41(即第一供应操作S120中的最终位置)移动到基板W的边缘的同时供应处理液之后，在第一供应点向基板W的中心移动的同时供应处理液。
参考图9，此后，控制器400控制阀372和驱动器388，使得第一供应点在基板W的周边区域和基板W的中心区域之间移动若干次。例如，控制器400控制阀372和驱动器388，使得第一供应点在基板W的边缘和基板W的中心之间移动若干次。
参考图10，此后，控制器400控制阀372和驱动器388，使得可以在第一供应点固定到基板W的中心区域的同时供应处理液。例如，在这种情况下，第一供应点可以是基板W的中心。
尽管图8至图10示出了在第二喷嘴394不排放处理液的第二供应操作S130期间第二喷嘴394的第二供应点固定到第一位置的状态，可选地，在第二供应操作S130期间从顶部观看时，第二喷嘴394可以定位成偏离面向由旋转头340支撑的基板W的位置。
在第一供应操作S120和第二供应操作S130期间，由旋转头340支撑的基板W可以以100至800转/分钟旋转。在这种情况下，第一供应点和第二供应点从基板W的中心区域向基板W的周边区域移动一次的时间段以及第一供应点和第二供应点从基板W的周边区域向基板W的中心区域移动一次的时间段可以为1.0至1.2秒。基板W的旋转速度和第一供应点的移动速度可以被设置为与上述不同。当基板W的旋转速度小于100转/分钟时，基板W的移动时间可以被设定为小于1.0秒。此外，当基板W的旋转速度超过800转/分钟时，基板W的移动时间可以被设定为大于1.2秒。
图11是示出根据另一实施方式的第一供应操作S120的视图。参考图11，与图7不同，在第一供应操作S120期间，可选地，控制器400控制阀373和驱动器398，使得可以在第二供应点在基板W的周边区域的第二位置42和第三位置43之间移动的同时供应处理液。第二位置42是比第三位置43更靠近基板W的中心区域的位置。例如，第二位置42是比第一位置41更靠近基板W的中心区域的位置，而第三位置43是比第一位置41更靠近基板W的边缘的位置。
图12和图13是分别示出根据其他实施方式的第一供应操作S120的视图。
参考图12，与图7不同，在第一供应点从基板W的中心区域移动到基板W的周边区域一次的同时执行第一供应操作S120。例如，控制器400控制阀372和驱动器388，使得可以在第一供应操作S120期间在第一供应点在基板W的中心与基板W的边缘之间移动一次的期间供应处理液。此后，如图9和图10中那样执行第二供应操作S130。
参考图13，与图7和图12不同，在第一供应点在基板W的中心区域与基板W的周边区域之间往复运动一次的期间执行第一供应操作。例如，控制器400控制阀372和驱动器388，使得可以在第一供应操作S120期间在第一供应点在基板W的中心与基板W的边缘之间往复运动一次的期间供应处理液。此后，如图9和图10中那样执行第二供应操作S130。
与图7、图12和图13不同，在第一供应点在各个位置之间移动和/或移动多次的同时，第一供应操作S120中的第一供应点的移动允许供应处理液。
如上所述，本发明构思可以通过除了第一喷嘴384之外，提供第二喷嘴394防止由于颗粒引起的基板的污染和由于基板干燥现象引起的倾斜现象，该第二喷嘴将处理液排放到基板的周边区域，以便在供应液体时缩短将处理液施加到整个基板W的时间段，并且使产生基板的干燥区域的时间最小化。
根据本发明构思的实施方式，当供应液体时，可以使用于产生基板的干燥区域的时间最小化。
此外，根据本发明构思的实施方式，可以防止由于颗粒引起的基板的污染。
此外，根据本发明构思的实施方式，可以防止由于颗粒引起的基板的倾斜。

Claims (30)

1.一种用于处理基板的方法，其中，通过使用第一喷嘴和第二喷嘴将处理液供应到旋转的基板上来处理所述基板，
其中，所述第一喷嘴将所述处理液供应到所述基板上包括中心区域的区域，以及
其中，所述第二喷嘴将所述处理液供应到所述基板的周边区域。
2.根据权利要求1所述的方法，包括：
使用所述第一喷嘴将所述处理液供应到所述基板上并且同时使用所述第二喷嘴将所述处理液供应到所述周边区域的第一供应操作；以及
其后，使用所述第一喷嘴供应所述处理液并且停止使用所述第二喷嘴供应所述处理液的第二供应操作。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述第一供应操作中，所述第一喷嘴供应所述处理液，同时移动第一供应点，所述第一供应点是从所述第一喷嘴供应的所述处理液在所述基板上的供应点。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述第一供应操作中，所述第二喷嘴供应所述处理液，使得第二供应点固定至所述周边区域的第一位置，所述第二供应点是从所述第二喷嘴供应的所述处理液在所述基板上的供应点。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述第一供应操作中，所述第一喷嘴供应所述处理液，同时所述第一供应点在所述基板的所述中心区域和所述周边区域之间移动。
6.根据权利要求4所述的方法，其中，在供应所述处理液同时所述第一供应点从所述基板的中心移动到所述第一位置一次的期间执行所述第一供应操作。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，在紧接在执行所述第一供应操作之后的所述第二供应操作中，所述第一喷嘴供应所述处理液，同时所述第一供应点从所述第一位置移动到所述基板的边缘。
8.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述第一供应点从所述中心区域移动到所述周边区域一次的期间执行所述第一供应操作。
9.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述第一供应点在所述中心区域和所述周边区域之间往复运动一次的期间执行所述第一供应操作。
10.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述第一供应操作中，所述第二喷嘴供应所述处理液，同时第二供应点在所述周边区域的第二位置和第三位置之间移动，所述第二供应点是从所述第二喷嘴供应的所述处理液在所述基板上的供应点，以及
其中，所述第二位置是比所述第三位置更靠近所述基板的所述中心区域的位置。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述第一供应操作中，所述第一喷嘴供应所述处理液，同时所述第一供应点在所述基板的所述中心区域和所述周边区域之间移动。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，在所述第一供应点从所述中心区域移动到所述周边区域一次的期间执行所述第一供应操作。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，在所述第一供应点在所述中心区域和所述周边区域之间往复运动一次的期间执行所述第一供应操作。
14.根据权利要求4至13中任一项所述的方法，其中，在所述第二供应操作中，在移动所述第一供应点同时供应所述处理液之后，固定所述第一供应点至所述中心区域的同时所述第一喷嘴排放所述处理液。
15.根据权利要求14所述的方法，还包括：
在所述第一供应操作之前，将预湿液体供应到所述基板上的预湿操作。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述预湿液体是纯水(DIW)。
17.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其中，在所述第一供应操作和所述第二供应操作中，所述基板以200至800转/分钟旋转。
18.根据权利要求5至9以及11至13中任一项所述的方法，其中，在所述第一供应操作和所述第二供应操作中，所述第一供应点从所述中心区域移动到所述周边区域一次的时间段和所述第一供应点从所述周边区域移动到所述中心区域一次的时间段为1.0至1.2秒。
19.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其中，所述处理液是有机溶剂。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述有机溶剂包括异丙醇(IPA)。
21.根据权利要求4至9中任一项所述的方法，其中，所述基板是直径为300mm的晶圆，以及
其中，所述第一位置是与所述晶圆的中心间隔140mm的位置。
22.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
壳体，所述壳体提供用于在其中执行基板处理工艺的空间；
支撑单元，所述支撑单元在所述壳体内支撑所述基板并使所述基板旋转；
第一喷嘴，所述第一喷嘴将处理液供应到位于所述支撑单元上的所述基板上的包括中心区域的区域；
第二喷嘴，所述第二喷嘴将处理液供应到位于所述支撑单元上的所述基板上的周边区域；以及
控制器，所述控制器控制所述第一喷嘴和所述第二喷嘴。
23.根据权利要求22所述的装置，其中，所述控制器控制所述第一喷嘴和所述第二喷嘴，使得使用所述第一喷嘴将所述处理液供应到所述基板上并且同时使用所述第二喷嘴将所述处理液供应到所述周边区域的第一供应操作，以及其后使用所述第一喷嘴供应所述处理液并且停止使用所述第二喷嘴供应所述处理液的第二供应操作按顺序执行。
24.根据权利要求23所述的装置，其中，在所述第一供应操作中，所述控制器控制所述第一喷嘴，使得在第一供应点移动的同时供应所述处理液，所述第一供应点是从所述第一喷嘴供应的所述处理液在所述基板上的供应点。
25.根据权利要求24所述的装置，其中，在所述第一供应操作中，所述控制器控制所述第二喷嘴，使得第二供应点被固定到所述周边区域的第一位置，所述第二供应点是从所述第二喷嘴供应的所述处理液在所述基板上的供应点。
26.根据权利要求25所述的装置，其中，在供应所述处理液同时所述第一供应点从所述基板的中心移动到所述第一位置一次的期间执行所述第一供应操作。
27.根据权利要求26所述的装置，其中，所述控制器控制所述第一喷嘴，使得在紧接在执行所述第一供应操作之后的所述第二供应操作中，在所述第一供应点从所述第一位置移动到所述基板的边缘的同时供应所述处理液。
28.根据权利要求25所述的装置，其中，在所述第一供应点从所述中心区域移动到所述周边区域一次的期间执行所述第一供应操作。
29.根据权利要求24所述的装置，其中，在所述第一供应操作中，所述控制器控制所述第二喷嘴，使得第二供应点在所述周边区域的第二位置和第三位置之间移动，所述第二供应点是从所述第二喷嘴供应的处理液在所述基板上的供应点，以及
其中，所述第二位置是比所述第三位置更靠近所述基板的所述中心区域的位置。
30.根据权利要求22至29中任一项所述的装置，其中，所述处理液是有机溶剂。
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