CN107574477A - 一种大尺寸GaN衬底的制备方法 - Google Patents
一种大尺寸GaN衬底的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107574477A CN107574477A CN201710692091.3A CN201710692091A CN107574477A CN 107574477 A CN107574477 A CN 107574477A CN 201710692091 A CN201710692091 A CN 201710692091A CN 107574477 A CN107574477 A CN 107574477A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gan
- substrate
- film
- gallium oxide
- large scale
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 28
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 50
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 44
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000012010 growth Effects 0.000 claims abstract description 20
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 12
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 82
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 9
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 claims description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 5
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- CHPZKNULDCNCBW-UHFFFAOYSA-N gallium nitrate Inorganic materials [Ga+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O CHPZKNULDCNCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 abstract description 9
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 53
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 3
- 241001062009 Indigofera Species 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- XKMRRTOUMJRJIA-UHFFFAOYSA-N ammonia nh3 Chemical compound N.N XKMRRTOUMJRJIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004904 UV filter Substances 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- -1 gallium series compound Chemical class 0.000 description 1
- 239000010437 gem Substances 0.000 description 1
- 229910001751 gemstone Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010299 hexamethylene tetramine Nutrition 0.000 description 1
- VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N hexamethylenetetramine Chemical compound C1N(C2)CN3CN1CN2C3 VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229960004011 methenamine Drugs 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000011896 sensitive detection Methods 0.000 description 1
- 238000009416 shuttering Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
一种大尺寸GaN衬底材料的制备方法,在蓝宝石或硅片衬底上利用溶胶‑凝胶法制备大尺寸、厚度均匀的氧化镓薄膜,并在氨气气氛中对氧化镓进行部分或全部氮化形成GaN/Ga2O3或者GaN薄膜作为缓冲层;在上述含有GaN薄膜缓冲层的衬底上进行GaN的氢化物气相外延(HVPE)同质厚膜生长,获得厚度均匀分布的大尺寸GaN厚膜材料;利用化学腐蚀去掉界面层氧化镓即获得自支撑GaN衬底材料;或使用传统的激光剥离等方法去除异质衬底获得GaN自支撑衬底材料。
Description
技术领域
本发明涉及一种利用溶胶-凝胶法制备直径4英寸及以上且厚度均匀的氧化镓薄膜,并氮化形成氮化镓薄膜作为缓冲层或者籽晶层,利用氢化物气相外延(HVPE)在其上外延生长GaN厚膜并制备衬底材料的方法以及工艺。
背景技术
以GaN及InGaN、AlGaN合金材料为主的III-V族氮化物材料(又称GaN基材料)是近几年来国际上倍受重视的新型半导体材料。GaN基材料是直接带隙宽禁带半导体材料,具有1.9—6.2eV之间连续可变的直接带隙,优异的物理、化学稳定性,高饱和电子漂移速度,高击穿场强和高热导率等优越性能,在短波长半导体光电子器件和高频、高压、高温微电子器件制备等方面具有重要的应用,用于制造比如蓝、紫、紫外波段发光器件、探测器件,高温、高频、高场大功率器件,场发射器件,抗辐射器件,压电器件等。
GaN材料的生长有很多种方法,如金属有机物气相外延(MOCVD)、高温高压合成体GaN单晶、分子束外延(MBE)、升华法以及氢化物气相外延(HVPE)等。由于GaN基材料本身物理性质的限制,GaN体单晶的生长具有很大的困难,尚未实用化。氢化物气相外延由于具有高的生长率和横向-纵向外延比,可用于同质外延生长自支撑GaN衬底,引起广泛地重视和研究。此法的突出优点是GaN生长速率很高,一般可达几十到上千微米/小时。而外延层中位错密度与其他方法相比低1-2个数量级,直接HVPE外延GaN层的位错密度低达108cm-2左右。进一步辅以其他外延技术可以更好的降低外延层中的位错密度。
尽管HVPE方法具有高速率等优点,但是HVPE方法在异质衬底上生长GaN具有自主成核困难、生长窗口窄、重复性差等缺点。目前用HVPE方法外延GaN,大都是在MOCVD生长的GaN/蓝宝石模板上进行HVPE厚膜生长,然后去除异质衬底得到自支撑GaN衬底。随着衬底尺寸的增大,大尺寸(4-6英寸)MOCVD-GaN籽晶层的价格更加昂贵,需要研究更简单、成本更低的方法获得大尺寸籽晶层用于HVPE外延生长大尺寸GaN衬底。另外,异质衬底上外延GaN厚膜的成功剥离,需要厚度和应力分布均匀的GaN籽晶层。
氧化镓(Ga2O3)也是一种宽禁带半导体,Eg=4.9eV,其导电性能和发光特性长期以来一直引起人们的注意。Ga2O3是一种透明的氧化物半导体材料,在光电子器件方面有广阔的应用前景,被用作于Ga基半导体材料的绝缘层,以及紫外线滤光片。由于氧化镓单晶有透过蓝光和紫外光的性质,氧化镓单晶可用作GaN的衬底材料。光波公司和早稻田大学在2005年合作开发了导电性氧化镓单晶,其电阻率为0.02Q·cm。在氧化镓衬底上用MOCVD法生长多层氮化镓系列化合物,就可得到垂直发光的蓝光发光二极管。
本发明给出了利用溶胶-凝胶法制备直径4英寸及以上且厚度均匀的氧化镓薄膜,并氮化形成GaN复合模板作为缓冲层或籽晶层,再在其上HVPE外延GaN薄膜从而制备衬底材料的方法以及工艺。
发明内容
本发明目的是:现有的HVPE方法生长GaN薄膜,一般是先用MOCVD等方法生长GaN模板作为籽晶层,在其上HVPE快速生长GaN厚膜。MOCVD方法生长的GaN模板价格高昂,随着对衬底尺寸要求越来越大,用MOCVD-GaN模板作为籽晶层成本越来越高,导致后续的HVPE生长GaN衬底成本越来越高。本发明提出了利用低成本溶胶-凝胶方法制备的氧化镓薄膜氮化作为缓冲层或籽晶层、再进行HVPE厚膜外延,实现直径4英寸及以上大尺寸氮化镓厚膜材料的方法。
本发明技术方案是:一种大尺寸GaN衬底材料的制备方法,在蓝宝石或硅片衬底上利用溶胶-凝胶法制备大尺寸、厚度均匀的氧化镓薄膜,并在氨气气氛中对氧化镓进行部分或全部氮化形成GaN/Ga2O3或者GaN薄膜作为缓冲层;在上述含有GaN薄膜缓冲层的衬底上进行GaN的氢化物气相外延(HVPE)同质厚膜生长,获得厚度均匀分布的大尺寸GaN厚膜材料;利用化学腐蚀去掉界面层氧化镓即可获得自支撑GaN衬底材料;或使用传统的激光剥离等方法去除异质衬底获得GaN自支撑衬底材料;用溶胶-凝胶法制备氧化镓水合物凝胶,在蓝宝石等异质衬底上用旋涂凝胶的方法制备氧化镓薄膜,并在氨气气氛中对氧化镓进行部分或全部氮化形成两种结构的GaN薄膜复合衬底。旋涂法制备得到的氧化镓薄膜具有制备简单、成本低廉、大尺寸和厚度均匀等优点。在上述得到的GaN薄膜作为缓冲层或籽晶层的衬底上进行GaN厚膜HVPE生长,获得大尺寸GaN厚膜材料。氧化镓薄膜部分氮化或全部氮化形成氮化镓是为了后续HVPE外延时作为缓冲层或籽晶层,也可以防止氧扩散至GaN厚膜中降低材料质量。利用化学腐蚀去掉界面层氧化镓(针对GaN/Ga2O3复合衬底结构)即可获得自支撑GaN衬底材料;或者利用传统的激光剥离方法,实现GaN厚膜与异质衬底之间的分离,得到GaN自支撑衬底材料。
溶胶-凝胶法制备氧化镓薄膜的方法,Ga(NO3)3·nH2O溶解于去离子水中得到一定Ga3+浓度的溶液;添加碱性物质(如氨水等)等并均匀搅拌制备氧化镓水合物凝胶,调节PH值在6.5-9之间。将清洗后的衬底放置于旋转涂胶平台上,在衬底旋转过程中,滴加一定量的凝胶到衬底上,控制旋转平台转速,使得凝胶均匀涂敷于衬底表面。将衬底置于高温管式炉中在空气或氧气气氛下退火一定时间(0.5-5h),温度范围800-1000℃。多次重复上述旋涂-退火过程,直到氧化镓薄膜达到所需要的厚度。
Ga(NO3)3·nH2O溶解于去离子水中使得Ga3+浓度为0.01mol/L,不断加入氨水或六亚甲基四胺粉末将溶液pH调至6.7,得到无色透明的凝胶。凝胶均匀涂敷于衬底表面。将衬底置于高温管式炉中在空气或氧气气氛下退火一定时间(0.5-5h)。旋转转速范围:100-1000转/分钟。氧化镓薄膜厚度一般在0.05-1微米。
所述特定气氛、特定温度下进行退火,氧化镓氮化形成GaN薄膜;氧化镓薄膜厚度在0.05-1微米。
所述的氧化镓在氨气气氛下退火氮化形成氮化镓的方法,可以部分或者全部氮化,在特定气氛、特定温度和特定时间下退火,全部氮化形成GaN薄膜作为缓冲层;或者部分氮化,形成GaN/Ga2O3复合结构的薄膜作为缓冲层。氮化氧化镓薄膜形成氮化镓薄膜的方法,将上述氧化镓薄膜衬底置于高温管式炉中,在氨气气氛、特定温度下退火一定时间,可以得到部分或全部氮化的氮化镓薄膜。部分氮化还是全部氮化与氨气流量、时间等参数有关。部分氮化时形成GaN/Ga2O3复合薄膜;全部氮化时形成GaN薄膜。氨气流量:100-5000sccm,温度:800-1100℃,退火时间:0.5-5h。
在此复合衬底上进行GaN的氢化物气相外延(HVPE)生长得到GaN厚膜材料。将所述的GaN/异质衬底或GaN/Ga2O3/异质衬底的复合结构复合衬底放在HVPE生长***中进行外延厚膜生长,得到GaN厚膜材料。
利用化学腐蚀去掉界面层氧化镓薄膜即可获得自支撑GaN衬底材料;或者利用传统的激光剥离方法,实现GaN厚膜与异质衬底之间的分离,得到GaN自支撑衬底材料。
本发明有益效果:给出了一种简单、低成本地获得大尺寸氮化镓衬底材料的工艺和技术。
附图说明
图1为本发明技术实施路线示意图。
图2为本发明实施例示意图,溶胶-凝胶法制备的氧化镓薄膜表面形貌SEM图(a)和AFM图(b)。
图3为本发明实施例示意图,氧化镓薄膜部分氮化后的表面形貌SEM图。
图4为本发明实施例示意图,在氮化后的衬底上HVPE外延生长的GaN表面形貌。
具体实施方式
本发明方法和工艺包括几个部分:利用溶胶-凝胶法制备氧化镓水合物凝胶,并旋涂制备氧化镓薄膜;氧化镓薄膜氮化形成氮化镓薄膜;GaN厚膜的HVPE生长。具体技术路线示意图见图1。
本发明技术实施方式之一,氮化镓厚膜材料的制备,包括下面几步:
1、衬底(蓝宝石或硅片)的清洗和处理。
2、配置一定浓度和PH值的Ga3+溶液。如:本实施例中,将Ga(NO3)3·nH2O溶解于去离子水中使得Ga3+浓度为0.01mol/L,不断加入氨水或六亚甲基四胺粉末将溶液pH调至6.7,得到无色透明的凝胶。
3、将衬底至于旋转涂胶台上,在旋转过程中滴加一定量凝胶到衬底上,控制旋转平台转速,使得凝胶均匀涂敷于衬底表面。将衬底置于高温管式炉中在空气或氧气气氛下退火一定时间(0.5-5h),温度范围800-1000℃。多次重复上述旋涂-退火过程,直到氧化镓薄膜达到所需要的厚度。旋转转速范围:100-1000转/分钟。氧化镓薄膜厚度一般在0.05-1微米。氧化镓薄膜表面形貌如图2所示。
4、将步骤3中的样品放入高温管式炉中进行高温退火处理。参数:温度800-1100℃,时间1-10小时;气氛为氨气或者氨气氮气混合气体,流量500-5000sccm。退火完成后迅速通入氮气以排空氨气,待降温到室温后取出样品后进行步骤6。某种工艺参数下氮化后的GaN形貌如图3所示,白色亮的六角形为GaN。
5、将步骤3中的样品放入HVPE设备反应室中进行高温退火处理。参数:温度800-1100℃,时间0.5-5小时;气氛为氨气或者氨气氮气混合气体,流量100-5000sccm。退火完成后即可进行步骤6。
6、在氢化物气相外延设备中,进行HVPE外延生长GaN厚膜。实施例样品表面形貌见图4。
7、将步骤6中的样品降温取出,置于酸或碱溶液中,腐蚀掉界面层氧化物也可以得到自支撑GaN衬底材料。酸可以使用50%的HF水溶液。
8、将步骤6中的样品降温取出,利用传统的激光剥离的方法,实现GaN厚膜与异质衬底之间的分离,得到GaN自支撑衬底材料。
所属领域的普通技术人员应当理解:以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种大尺寸GaN衬底材料的制备方法,其特征是在蓝宝石或硅片衬底上利用溶胶-凝胶法制备大尺寸、厚度均匀的氧化镓薄膜,并在氨气气氛中对氧化镓进行部分或全部氮化形成GaN/Ga2O3或者GaN薄膜作为缓冲层;在上述含有GaN薄膜缓冲层的衬底上进行GaN的氢化物气相外延(HVPE)同质厚膜生长,获得厚度均匀分布的大尺寸GaN厚膜材料;利用化学腐蚀去掉界面层氧化镓即可获得自支撑GaN衬底材料;或使用传统的激光剥离等方法去除异质衬底获得GaN自支撑衬底材料。
2.根据权利要求1所述的大尺寸GaN衬底材料的制备方法,其特征是在衬底上用旋涂溶胶-凝胶法的方法制备氧化镓薄膜,并在氨气气氛中对氧化镓进行部分或全部氮化形成两种结构的GaN薄膜复合衬底;溶胶-凝胶法制备氧化镓薄膜的具体方法:Ga(NO3)3·nH2O溶解于去离子水中得到一定Ga3+浓度的溶液;添加碱性物质并均匀搅拌制备氧化镓水合物凝胶,调节PH值在6.5-9之间;将清洗后的衬底放置于旋转涂胶平台上,在衬底旋转过程中,滴加一定量的凝胶到衬底上,控制旋转平台转速,使得凝胶均匀涂敷于衬底表面;将衬底置于高温管式炉中在空气或氧气气氛下退火一定时间0.5-5h,温度范围800-1000℃。多次重复上述旋涂-退火过程,直到氧化镓薄膜达到所需要的厚度;旋转转速范围:100-1000转/分钟。
3.根据权利要求2所述的大尺寸GaN衬底材料的制备方法,其特征是Ga(NO3)3·nH2O溶解于去离子水中使得Ga3+浓度为0.01mol/L,不断加入氨水或六亚甲基四胺粉末将溶液pH调至6.7,得到无色透明的凝胶;凝胶均匀涂敷于衬底表面,将衬底置于高温管式炉中在空气或氧气气氛下退火一定时间(0.5-5h);氧化镓薄膜厚度0.05-1微米。
4.根据权利要求3所述的大尺寸GaN衬底材料的制备方法,其特征是氧化镓置于高温管式炉,在氨气气氛下退火氮化形成氮化镓的方法,在特定气氛、特定温度下进行退火,氧化镓氮化形成GaN薄膜;部分氮化时形成GaN/Ga2O3复合薄膜;全部氮化时形成GaN薄膜;氨气流量:100-5000sccm,温度:800-1100℃,退火时间:0.5-5h。
5.根据权利要求1所述的大尺寸GaN衬底材料的制备方法,其特征是部分氮化时形成GaN/Ga2O3复合结构的薄膜作为缓冲层。
6.根据权利要求1-5之一所述的大尺寸GaN衬底材料的制备方法,其特征是所述的氢化物气相外延生长的工艺是,将所述的GaN/异质衬底或GaN/Ga2O3/异质衬底的复合结构复合衬底放在HVPE生长***中进行外延厚膜生长,得到GaN厚膜材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710692091.3A CN107574477A (zh) | 2017-08-14 | 2017-08-14 | 一种大尺寸GaN衬底的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710692091.3A CN107574477A (zh) | 2017-08-14 | 2017-08-14 | 一种大尺寸GaN衬底的制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107574477A true CN107574477A (zh) | 2018-01-12 |
Family
ID=61034676
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710692091.3A Pending CN107574477A (zh) | 2017-08-14 | 2017-08-14 | 一种大尺寸GaN衬底的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107574477A (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109023515A (zh) * | 2018-09-03 | 2018-12-18 | 南京大学 | 制备GaN衬底的自分离方法 |
CN109023516A (zh) * | 2018-09-03 | 2018-12-18 | 南京大学 | 制备自支撑GaN衬底的自分离方法 |
CN109616542A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-04-12 | 深圳清华大学研究院 | 氮化镓纳米线感光单元、制作方法、紫外线探测器 |
CN111354628A (zh) * | 2020-03-20 | 2020-06-30 | 山东科恒晶体材料科技有限公司 | 一种氮化镓生长衬底的制作方法 |
CN111415857A (zh) * | 2020-02-28 | 2020-07-14 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种氧化镓材料的氮化方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1694225A (zh) * | 2005-05-13 | 2005-11-09 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | GaN/β-Ga2O3复合衬底的材料及其制备方法 |
CN1758456A (zh) * | 2005-10-18 | 2006-04-12 | 南京大学 | 在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱L ED器件结构的方法 |
CN101993110A (zh) * | 2010-11-14 | 2011-03-30 | 青岛理工大学 | 一种微波水热法制备β-氧化镓的方法 |
-
2017
- 2017-08-14 CN CN201710692091.3A patent/CN107574477A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1694225A (zh) * | 2005-05-13 | 2005-11-09 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | GaN/β-Ga2O3复合衬底的材料及其制备方法 |
CN1758456A (zh) * | 2005-10-18 | 2006-04-12 | 南京大学 | 在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱L ED器件结构的方法 |
CN101993110A (zh) * | 2010-11-14 | 2011-03-30 | 青岛理工大学 | 一种微波水热法制备β-氧化镓的方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
候峰等: "Ga2O3薄膜材料氧敏性能的研究", 《稀有金属材料与工程》 * |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109023515A (zh) * | 2018-09-03 | 2018-12-18 | 南京大学 | 制备GaN衬底的自分离方法 |
CN109023516A (zh) * | 2018-09-03 | 2018-12-18 | 南京大学 | 制备自支撑GaN衬底的自分离方法 |
CN109616542A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-04-12 | 深圳清华大学研究院 | 氮化镓纳米线感光单元、制作方法、紫外线探测器 |
CN111415857A (zh) * | 2020-02-28 | 2020-07-14 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种氧化镓材料的氮化方法 |
CN111354628A (zh) * | 2020-03-20 | 2020-06-30 | 山东科恒晶体材料科技有限公司 | 一种氮化镓生长衬底的制作方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107574477A (zh) | 一种大尺寸GaN衬底的制备方法 | |
CN107587190A (zh) | 一种制备GaN衬底材料的方法 | |
CN107611004A (zh) | 一种制备自支撑GaN衬底材料的方法 | |
CN101467231B (zh) | 在外延横向过度生长氮化镓模板上生长氧化锌膜的方法 | |
CN105655238B (zh) | 基于石墨烯与磁控溅射氮化铝的硅基氮化镓生长方法 | |
CN105386124B (zh) | 石墨烯单晶及其快速生长方法 | |
KR101040852B1 (ko) | GaN계 질화물 반도체 자립 기판의 제작방법 | |
JPH04297023A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法 | |
CN101410950A (zh) | 使用纳米结构柔性层和hvpe制造高质量化合物半导体材料的生长方法 | |
CN102754188B (zh) | 用于制造氮化镓晶片的方法 | |
CN107574479A (zh) | 一种多功能氢化物气相外延生长***及应用 | |
CN111663181B (zh) | 一种氧化镓膜的制备方法及其应用 | |
JPS6329928A (ja) | シリコン上にガリウムヒ素をエピタキシヤル成長せしめる方法 | |
CN109023516A (zh) | 制备自支撑GaN衬底的自分离方法 | |
CN109097834A (zh) | 多孔网状结构GaN单晶薄膜、其制备方法及应用 | |
CN102286777B (zh) | 氢化物气相外延生长GaN单晶用的H3PO4腐蚀籽晶及其制备方法 | |
CN103498193A (zh) | 一种提高材料晶体质量的外延生长方法 | |
CN109023515A (zh) | 制备GaN衬底的自分离方法 | |
CN103367571B (zh) | 氮化镓基板及外延晶片 | |
JP2011216549A (ja) | GaN系半導体エピタキシャル基板の製造方法 | |
KR20090053827A (ko) | GaN 박막 템플레이트 기판의 제조 방법, GaN 박막 템플레이트 기판, 및 GaN 후막 단결정 | |
CN103757693B (zh) | 一种GaN纳米线的生长方法 | |
CN111517364A (zh) | 稳定硅包覆的纯相CsPb2Br5无机纳米晶的制备方法 | |
CN107628637A (zh) | 一种制备iii族氧化物及氮化物纳米柱的方法 | |
CN106784228B (zh) | 基于r面SiC图形衬底的非极性a面AlN薄膜及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20180112 |