CN107543639B - 一种力传感器、感测管芯组装件及制造力传感器的方法 - Google Patents
一种力传感器、感测管芯组装件及制造力传感器的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107543639B CN107543639B CN201710485310.0A CN201710485310A CN107543639B CN 107543639 B CN107543639 B CN 107543639B CN 201710485310 A CN201710485310 A CN 201710485310A CN 107543639 B CN107543639 B CN 107543639B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sense die
- cavity
- cover member
- diaphragm
- top surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims abstract description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 37
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 abstract description 9
- 238000000429 assembly Methods 0.000 abstract description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 47
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000000708 deep reactive-ion etching Methods 0.000 description 6
- 239000002184 metal Chemical class 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Chemical class 0.000 description 5
- 239000011521 glass Chemical class 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Chemical class 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000013500 performance material Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
- G01L9/0055—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements bonded on a diaphragm
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/16—Measuring force or stress, in general using properties of piezoelectric devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0018—Structures acting upon the moving or flexible element for transforming energy into mechanical movement or vice versa, i.e. actuators, sensors, generators
- B81B3/0021—Transducers for transforming electrical into mechanical energy or vice versa
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
- B81C1/00269—Bonding of solid lids or wafers to the substrate
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/18—Measuring force or stress, in general using properties of piezo-resistive materials, i.e. materials of which the ohmic resistance varies according to changes in magnitude or direction of force applied to the material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0292—Sensors not provided for in B81B2201/0207 - B81B2201/0285
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
- B81B2203/0127—Diaphragms, i.e. structures separating two media that can control the passage from one medium to another; Membranes, i.e. diaphragms with filtering function
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/03—Static structures
- B81B2203/0315—Cavities
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
- B81C2201/0128—Processes for removing material
- B81C2201/013—Etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2203/00—Forming microstructural systems
- B81C2203/01—Packaging MEMS
- B81C2203/0109—Bonding an individual cap on the substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
本发明涉及低成本小力传感器。本文中公开的是包括感测管芯组装件的力传感器，以及用于制造所述感测管芯组装件和所述力传感器的方法。所公开的感测管芯组装件、力传感器和方法利用晶片级保持来将致动元件维持在感测管芯的空腔中。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求对由Richard Wade等人于2016年6月24日提交且题为“Low CostSmall Force Sensor（低成本小力传感器）”的美国专利申请序列号15/192,311的优先权，其通过引用结合到本文中，就好像整体地复制一样。
关于联邦赞助的研究与开发的声明
不适用。
缩微胶片附录的引用
不适用。
背景技术
工业和商业应用越来越多地利用传感器来确定力，例如在消费者电子产品领域中。某些应用中的客户需要小的传感器，并且找出可以容易地且成本有效地集成到应用中并且足够小以适合例如消费者电子产品所需规模上的任何占用空间（footprint）的传感器设计一直是个挑战。
发明内容
本文中所公开的是包括感测管芯组装件的低成本小力传感器，以及用于制造所述感测管芯组装件和所述力传感器的技术，以及用于操作所述力传感器的技术。
本公开内容的方面包括一种感测管芯组装件，其可以包括具有顶面和底面的感测管芯，其中所述感测管芯包括通过蚀刻形成于其中的隔膜和空腔，以及位于所述隔膜的底面上的一个或多个感测元件；致动元件，其被安置在所述感测管芯的所述空腔中并与所述隔膜的顶面和所述空腔的壁接触；以及位于所述感测管芯顶面上的盖构件，其中所述盖构件包括位于所述感测管芯的所述空腔之上的开口，其中所述致动元件的一部分延伸穿过所述开口，其中所述盖构件提供所述致动元件在所述空腔中的晶片级保持。
本公开内容的方面还包括一种力传感器，其可以包括衬底；具有顶面和底面的感测管芯，其中所述感测管芯包括形成于其中的空腔和隔膜，以及位于所述隔膜底面上的一个或多个感测元件，其中所述感测管芯的底面被倒装键合（bond）到所述衬底；致动元件，其被安置在所述感测管芯的所述空腔中并与所述隔膜的顶面和所述空腔的壁接触；以及位于所述感测管芯顶面上的盖构件，其中所述盖构件包括位于所述感测管芯的所述空腔之上的开口，其中所述致动元件延伸穿过所述开口，其中所述盖构件将所述致动元件维持（hold）在所述空腔内。
本公开内容的其它方面包括一种用于制造力传感器的方法。该方法可以包括蚀刻键合的硅晶片叠层以形成具有空腔和隔膜的感测管芯；将致动元件安置到所述空腔中，使得所述致动元件接触所述隔膜的顶面；以及在所述感测管芯的顶面上键合或生长盖构件，其中所述盖构件具有所述致动元件延伸穿过的开口，并且其中所述盖构件将所述致动元件维持在所述空腔内。可以将包括所述感测管芯、致动元件以及盖构件的感测管芯组装件倒装键合到衬底，或反之亦然。
本公开内容的其它方面包括一种用于操作力传感器的方法，其包括以下步骤中的一个或多个：将电流施加到一个或多个感测元件；接收针对致动元件的外力，所述致动元件被保持在具有由感测管芯和盖构件提供的晶片级保持的感测管芯组装件中；将所述力从所述致动元件传递到感测管芯的隔膜；响应于所传递的力使所述隔膜偏离；以及从所述一个或多个感测元件输出电信号。
附图说明
详细描述将参考下面简要描述的附图，其中相同的附图标记表示相同的部分。
图1是根据本公开内容的并具有球形致动元件的力传感器的示意性剖视图。
图2是根据本公开内容的并具有圆柱形致动元件的力传感器的示意性剖视图。
具体实施方式
最初应当理解的是，虽然下面例证出一个或多个方面的例证实现方式，但是可以使用任何数量的技术，不管是当前已知的还是尚未存在的，来实现本公开的组装件、***和方法。本公开内容决不应限于下面所例证的例证实现方式、附图和技术，而是可以在所附权利要求的范围及其等同物的全部范围内进行修改。虽然公开了各种元件的尺寸的值，但是附图可能并不是按比例的。
本文中公开的是包括感测管芯组装件的力传感器，以及用于制造所述感测管芯组装件和所述力传感器的方法。所公开的组装件、传感器和方法利用晶片级保持来将致动元件维持在感测管芯的空腔中。因此，该力传感器仅比感测管芯本身略大，并且该力传感器在其中25mm2或更小的占用空间面积可用于力传感器的应用中是有用的。
在图1和图2中示出了力传感器100和200的剖视图。如图1和图2中所示，力传感器100和200可以各自包括衬底110、具有形成于其中的空腔124和连接到衬底110的隔膜122的感测管芯120、安置在感测管芯120的空腔124中的致动元件130或230以及盖构件140。一个或多个感测元件160可以位于感测管芯120的隔膜122的底面127上。
感测管芯120、致动元件130或230以及盖构件140可以统称为力传感器100或200的感测管芯组装件150。
感测管芯120可以具有顶面121和底面123。参考感测管芯120的底面123和顶面121是为了参考附图中的图解的清楚性，并且这既不意图为感测管芯120的顶面121总是面朝上，也不意图为底面123总是面朝下。例如，在感测管芯120的制造期间的一些情况中，可以通过参考顶面121作为感测管芯120的“背面”，并且通过参考底面123作为感测管芯120的“正面”来执行各种蚀刻技术。
感测管芯120可以由键合的硅晶片的叠层形成，其在图1和图2中是键合在一起的两个晶片170和171的叠层。如在图1和图2中可以看出，可以将晶片171叠层在晶片170之上。在感测管芯120中蚀刻（下面更详细地讨论的）空腔124，使得晶片170具有可以充当感测管芯120的隔膜122的部分172。晶片170的可以充当隔膜122的部分172可以处于在隔膜122上安置/形成感测元件160的位置。
晶片170可以具有厚度T1，其小于晶片171的厚度T2。盖构件140同样可以具有厚度T3，其小于晶片171的厚度T2。晶片170的厚度T1可以具有足以使晶片170充当感测管芯120的隔膜122的值（例如，等于或小于1mm、0.9mm、0.8mm、0.7mm、0.6mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm、0.2mm或0.1mm）。晶片171的厚度T2可以具有足以蚀刻可以接收致动元件130或230的空腔124的值（例如，等于或小于5mm、4mm、3mm、2mm、1mm、0.9mm、0.8mm、0.7mm、0.6mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm、0.2mm或0.1mm）。盖构件140的厚度T3可以具有足以提供用于将致动元件130或230保持在空腔124中的刚度的值（例如，等于或小于3mm、2mm、1mm、0.9mm、0.8mm、0.7mm、0.6mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm、0.2mm或0.1mm）。
虽然在图1和图2中将感测管芯120示出为由两个键合的硅晶片170和171的叠层形成，但是可设想到，感测管芯120可以由单个晶片或两个以上的键合晶片形成。空腔124和隔膜122可以经由蚀刻或磨削晶片或晶片的叠层来适当地形成在感测管芯120中，以得到期望的隔膜厚度（例如，约~100微米或更小）。在这样的配置中，空腔124将被形成成使得空腔124具有一定深度并且隔膜122具有如本文中所公开的合适值的厚度。
由于用于（如下面更详细地公开的）致动元件130或230的晶片级保持特征，感测管芯120可以具有在大约2.5mm2（例如，大约1.6mm x 1.6mm）至大约25mm2（例如，大约5mm x5mm）的范围中的占用空间面积（如在箭头A的方向上所观察到的）；替换地，在大约4mm2（大约2mm x 2mm）至大约25mm2（大约5mm x 5mm）的范围中。
感测管芯120可以由任何合适的（一种或多种）材料（例如，硅）制成。
感测管芯120的空腔124通过蚀刻形成，并且通过隔膜122的顶面125、一个或多个壁126（例如，其是执行蚀刻之后的硅晶片171的残余部分）以及盖构件140的限定空腔124的顶壁142的部分141来限定。空腔124可以具有大约0.1mm的宽度。附加地，空腔124可以具有适合于接收致动元件130或230的值的深度T2。空腔124可以是圆柱形形状、长方体形状，或者可以具有适合于接收致动元件130或230的任何其它形状。图1和图2示出空腔124可以具有圆柱形形状。空腔124的直径D1可以足够大以在其中接收致动元件130或230（例如，等于或小于3mm、2mm、1mm、0.9mm、0.8mm、0.7mm、0.6mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm、0.2mm或0.1mm）。此外，图1和图2示出可以通过深反应离子蚀刻（DRIE）形成的空腔124。
感测管芯120的隔膜122具有顶面125和底面127。隔膜122可以通过本领域中已知的和/或本文中公开的蚀刻技术（例如，深反应离子蚀刻）或本领域中已知的和/或本文中公开的磨削技术来形成在感测管芯120中。参考隔膜122的顶面125和底面127是为了参考附图中的图解的清楚性，并且这既不意图为隔膜122的顶面125总是面朝上，也不意图为隔膜122的底面127总是面朝下。然而，参考隔膜122的顶面125和感测管芯120的顶面121意图为在相同的方向上参考顶面125和顶面121的定向，并且同样地，参考隔膜122的底面127和感测管芯120的底面123意图为在相同的方向上参考底面123和底面127的定向。
隔膜122可以具有足以用在力传感器中的厚度T1。附加地或替换地，隔膜122的厚度T1可以具有使得隔膜122可以响应于在箭头A的方向上施加给致动元件130或230的力而偏离的值。如下面更详细地讨论的，可以在隔膜122的底面127上形成/安置（一个或多个）感测元件160。
隔膜122可以用本文中公开的蚀刻技术通过背面蚀刻硅管芯（例如，由单个硅晶片或如本文中所讨论的键合的硅晶片170和171的叠层制成）来制造。例如，隔膜122可以是在感测管芯120中的空腔124的深反应离子蚀刻（DRIE）之后剩余的（一个或多个）硅晶片的部分。
感测管芯120可以具有位于隔膜122的底面127上的一个或多个感测元件160。感测元件160可以是使用合适的制造或印刷技术形成的一个或多个压敏电阻元件或组件和/或其它电路（例如，微调电路、信号调理电路等）。
可以将感测元件160（例如，压敏电阻元件）配置成具有根据在箭头A的方向上施加的机械力（例如，隔膜122的偏离）变化的电阻。在一些情况下，感测元件160可以由硅压敏电阻材料形成。替换地，感测元件160可以是由任何合适的材料（基于硅或不基于硅）形成的任何其它合适的感测元件。形式为压敏电阻元件的感测元件160可以以惠斯通电桥配置（例如，全桥或半桥配置）来连接。
所述一个或多个感测元件160可以响应于在箭头A的方向上施加的力来感测隔膜122的偏离。
盖构件140可以位于感测管芯120的顶面121上。盖构件140可以具有位于感测管芯120的空腔124的至少一部分之上且致动元件130或230延伸穿过的开口146。开口146可以通过盖构件140在空腔124的另一部分之上延伸的部分141来限定。盖构件140的部分141（以及因此的开口146）（如在箭头A的方向上所观察到的）可以具有被配置成将致动元件130或230维持在感测管芯120的空腔124内同时允许致动元件130或230的部分132或232延伸经过盖构件140的顶面143的任何形状。例如，部分141和开口146可以具有圆形形状、矩形形状、正方形形状、椭圆形形状、三角形形状、五角形形状、六角形形状等。开口146的直径D2一般小于空腔124的直径D1。
盖构件140可以将致动元件130或230维持在感测管芯120的空腔124内，并且可以提供致动元件130或230在感测管芯组装件150中的晶片级保持。即，盖构件140的部分141可以限定空腔124的顶壁142来保持致动元件130或230。在一些情况下，开口146可以相对于致动元件130或230的尺寸（例如，图1中的球轴承或图2中的圆柱销的尺寸）来精确地形成，以便维护致动元件130或230与感测隔膜122之间的相对恒定的接触点。
如在图1和图2中所图示的，将盖构件140部署在感测管芯120的顶面121上。盖构件140不直接附连到衬底110。可以将盖构件140以任何方式——例如，通过1）键合或2）晶体生长——安置在感测管芯120上。可以将形式为硅、玻璃、金属、陶瓷或塑料晶片的盖构件140通过键合附连或连接到感测管芯120的顶面121。盖构件140与感测管芯120的键合或连接可以通过使用合适的粘结剂或任何其它合适的键合机制（例如，玻璃熔块、焊料、共熔、熔融键合、阳极键合等）来实现。在一个方面中，盖构件140可以具有与感测管芯120基本上相同的材料；替换地，不同的材料。作为键合晶片的替换，可以由通过标准光刻生长模式生长硅或氧化硅晶体来将盖构件140形成为感测管芯120的顶面121上的硅或氧化硅层。替换地，盖构件140可以由沉积在感测管芯120的顶面121上的B阶段环氧树脂形成。
虽然在图1和图2中将盖构件140的开口146示出为在空腔124之上居中，但是可设想到，开口146可以相对于空腔124偏离中心定位或者在任何位置处，使得开口146的至少一部分促进致动元件130或230穿过其的延伸，以便将力传递到隔膜122使得感测元件160生成电信号。
图1和图2示出力传感器100和200可以包括用于将外力传递到感测管芯120的致动元件130。致动元件130可以被安置在感测管芯120的空腔124中并且与i）隔膜122的顶面125、ii）空腔124的壁126以及iii）由盖构件140的位于空腔124的一部分之上的部分141限定的空腔124的顶壁142接触。
图1中的致动元件130的形式为球轴承。可以通过隔膜122的顶面125和空腔124的壁126来接收致动元件130。致动元件130的直径D5可以略小于空腔124的直径D1（例如，略小于3mm、2mm、1mm、0.9mm、0.8mm、0.7mm、0.6mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm、0.2mm或0.1mm）。例如，致动元件130的直径D5可以是0.1mm。
图2中的致动元件230的形式为具有圆柱形形状的圆柱销。圆柱销可以包括第一部分231和第二部分232。第一部分231具有可以等于或小于3mm、2mm、1mm、0.9mm、0.8mm、0.7mm、0.6mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm、0.2mm或0.1mm的直径D3。直径D3可以大于第二部分232的直径D4。第一部分231的直径D3也可以大于盖构件140中的致动元件230（圆柱销）的第二部分232延伸穿过的开口146。第一部分231的直径D3可以略小于空腔124的直径D1，并且第二部分232的直径D4可以略小于开口146的直径D2。因为第一部分231的直径D3大于第二部分232的直径D4，所以圆柱销具有与（由盖构件140的部分141限定的）空腔124的顶壁142邻接的唇缘233。唇缘233与顶壁142的接触将致动元件230保持在空腔124中。
致动元件130或230一般可以从隔膜122的顶面125延伸到由盖构件140形成的顶壁142。致动元件130或230可以位于（并且空腔124可以被形成在）感测管芯120上的任何位置处。例如，致动元件130或230和空腔124可以相对于感测元件160基本上居中，或者可以相对于感测元件160位于隔膜122上的任何其它位置处。
在制造力传感器100或200时，可以在将盖构件140安置在感测管芯120上之前将致动元件130或230安置在感测管芯120的空腔中。
衬底110可以是可以将感测管芯组装件150安装到其的任何表面。衬底110可以包括陶瓷材料（例如，氧化铝），其可以具有类似的温度膨胀系数。替换地，衬底110可以包括任何其它合适的材料（例如，印刷电路板（PCB））。
可以将感测管芯120的底面123（以及隔膜122的底面127）经由导电键合180倒装安装到衬底110。例如，可以经由将感测管芯120的（即在隔膜122的底面127上的）键合区（未示出）电连接到衬底110上的键合区（未示出）的球凸起键合将感测管芯120电连接到衬底110。
替换地或附加地，可以使用任何合适的连接机制（例如，粘结剂、球栅阵列（BGA）、焊料、引线或其组合）将感测管芯120电连接到衬底110。例如，粘结剂可以用作导电键合180中的一个或多个的材料。可以使用任何合适的导电粘结剂。导电粘结剂的非限制性示例是SDC5000，其可从纽约州沃特福德的Momentive Performance Materials股份有限公司获得。可设想到，可以使用任何其它合适的导电粘结剂。在一些方面中，导电粘结剂可以与不导电粘结剂组合使用。不导电粘结剂的非限制性示例是RTV6424，其可从纽约州沃特福德的Momentive Performance Materials股份有限公司获得。当使用粘结剂时，可以以一模式提供粘结剂以将感测管芯120的（即，在隔膜122的底面127上的）键合区（未示出）电连接到衬底110上的键合区（未示出）。在另一示例中，引线键合可以将衬底110电连接到感测管芯组装件150。一个或多个引线键合可以包括任何导电金属，诸如铜；然而，可以使用任何合适的材料，诸如导电聚合物。
在感测管芯120的底面123（隔膜122的底面127）与衬底110之间可以存在腔室或空间190。腔室或空间190允许隔膜122（例如，响应于由致动元件130或230传递的施加力）在箭头A的方向上偏离，而不接触或触底到衬底110。腔室或空间190也为可以位于感测管芯120的底面123上的感测元件160提供空间。腔室或空间190还可以将感测元件160与力源隔离。
在操作中，当将电流施加到压敏电阻感测元件160（例如，压敏电阻元件的惠斯通电桥配置）时，可以生成电输出信号，其与隔膜122在箭头A的方向上的偏离程度相关，并且因此与在箭头A的方向上施加给致动元件130或230的力相关。可以将致动元件130或230配置成将外力传递到隔膜122，该力于是使隔膜122相应地偏离并改变压敏电阻元件160的电阻。在一些实例中，隔膜122与致动元件130或230之间的接触点可以在一定程度上确定输出的电信号的量，其中不同的接触点对于相同的施加力产生不同的输出信号。
因此，用于操作力传感器100或200的方法可以包括以下步骤中的一个或多个：i）将电流施加到一个或多个感测元件160；ii）接收针对致动元件130或230的外力，所述致动元件130或230被保持在具有由感测管芯120和盖构件140提供的晶片级保持的感测管芯组装件150中；iii）将力从致动元件130或230传递到感测管芯120的隔膜122；iv）响应于所传递的力使隔膜122偏离；以及v）从所述一个或多个感测元件160输出电信号。
在本文中也公开了制造力传感器100或200的方法的实施例。该方法可以包括（例如，经由深反应离子蚀刻）蚀刻键合的硅晶片170和171的叠层以形成具有空腔124和隔膜122的感测管芯120，将致动元件130或230安置到空腔124中使得致动元件130或230接触隔膜122的顶面125；以及在感测管芯120的顶面121上键合或生长盖构件140，其中盖构件140可以具有致动元件130或230的一部分132或232延伸穿过的开口146，并且其中盖构件140可以将致动元件130或230维持在空腔124内。
该方法还可以包括使得包括感测管芯120、致动元件130或230和盖构件140的感测管芯组装件150的底面151球凸起；从键合的硅晶片170和171的叠层中锯削感测管芯组装件150；以及将感测管芯组装件150的底面151倒装键合到衬底110上。
替换地，该方法还可以包括将衬底110倒装键合到（包括感测管芯120、致动元件130或230和盖构件140的）感测管芯组装件150的底面151上；从键合的硅晶片170和171的叠层中锯削感测管芯组装件150；以及将锯削的感测管芯组装件150（其被倒装键合到衬底110）安置在日东胶带上。将感测管芯组装件150安置在日东胶带上允许以晶片的形式将感测管芯组装件150交付给客户。
一旦被组装，致动元件130或230就可以接合到隔膜122并将外力传递给隔膜122，隔膜122进而偏离并致使感测元件160提供随外力的大小而变化的电信号。
本文中公开的替换方法可以包括使用单个硅晶片代替硅晶片170和171的叠层或者使用包括两个以上晶片的硅晶片叠层。
所公开的力传感器100和200、感测管芯组装件150以及相关联的替换配置提供使用由硅或氧化硅形成的盖构件140来提供致动元件130或230在感测管芯120的空腔124中的晶片级保持的感测管芯组装件150来代替由塑料、聚酰胺、陶瓷或金属形成且被直接连接到衬底110的保护盖或壳体。通过限制致动元件130或230在由隔膜122、（一个或多个）壁126和盖构件140形成的空腔124内的移动，可以实现使力传感器100和200以及感测管芯组装件150小型化成具有小于约25mm2（例如，小于约5mm x 5mm）的占用空间。即，通过使用盖构件140来提供致动元件130或230在感测管芯120的空腔124中的晶片级保持来代替保护盖或壳体允许将力传感器100和200小型化成小于约25mm2（例如，小于约5mm x 5mm）的占用空间面积。
对于本文中公开的力传感器100或200以及感测管芯组装件150的应用不应限于特定应用。替代地，所公开的配置可以为要求小于约25mm2（例如，小于约5mm x 5mm）的占用空间面积的应用提供低成本的力传感器解决方案。
附加描述
方面1 一种力传感器包括衬底；具有顶面和底面的感测管芯，其中所述感测管芯包括形成于其中的空腔和隔膜，以及位于所述隔膜底面的一个或多个感测元件，其中所述感测管芯的底面被倒装键合到所述衬底；致动元件，其被安置在所述感测管芯的所述空腔中并与所述隔膜的顶面和所述空腔的壁接触；以及位于所述感测管芯顶面的盖构件，其中所述盖构件包括位于所述感测管芯的所述空腔之上的开口，其中所述致动元件延伸穿过所述开口，其中所述盖构件将所述致动元件维持在所述空腔内。
方面2 根据方面1所述的力传感器，其中所述致动元件是球形的形状。
方面3 根据方面1所述的力传感器，其中所述致动元件是圆柱形的形状并且具有第一部分和第二部分，其中所述第一部分具有大于所述第二部分的直径的直径，其中所述第一部分的直径大于所述致动元件的所述第二部分延伸穿过的所述盖构件中的开口。
方面4 根据方面1至3中的任何所述的力传感器，其中所述盖构件是使用标准光刻生长模式生长在所述感测管芯的顶面上的硅或氧化硅层；替换地，所述盖构件是沉积在所述感测管芯的顶面上的环氧树脂。
方面5 根据方面1至4中的任何所述的力传感器，其中所述盖构件由晶片形成，所述晶片由硅、玻璃、金属、陶瓷或塑料制成。
方面6 根据方面1至5中的任何所述的力传感器，其中所述感测管芯具有在约2.5mm2至约25mm2的范围中的占用空间面积。
方面7 根据方面1至6中的任何所述的力传感器，其中所述空腔具有约0.1mm的宽度。
方面8 根据方面1至7中的任何所述的力传感器，其中所述一个或多个感测元件包括位于所述隔膜的底面上的一个或多个压敏电阻元件。
方面9 根据方面1至8中的任何所述的力传感器，其中在所述隔膜的底面与所述衬底之间存在腔室或空间。
方面10 根据方面1至9中的任何所述的力传感器，其中所述空腔是圆柱形或长方体的形状。
方面11 一种感测管芯组装件包括具有顶面和底面的感测管芯，其中所述感测管芯包括通过蚀刻形成于其中的隔膜和空腔，以及位于所述隔膜的底面上的一个或多个感测元件；致动元件，其被安置在所述感测管芯的所述空腔中并与所述隔膜的顶面和所述空腔的壁接触；以及位于所述感测管芯的顶面上的盖构件，其中所述盖构件包括位于所述感测管芯的所述空腔之上的开口，其中所述致动元件的一部分延伸穿过所述开口，其中所述盖构件提供所述致动元件在所述空腔中的晶片级保持。
方面12 根据方面11所述的感测管芯组装件，其中所述盖构件是使用标准光刻生长模式生长在所述感测管芯的顶面上的硅或氧化硅层；替换地，所述盖构件是沉积在所述感测管芯的顶面上的环氧树脂。
方面13 根据方面11所述的感测管芯组装件，其中所述盖构件由晶片形成，所述晶片由硅、玻璃、金属、陶瓷或塑料制成。
方面14 根据方面11至13中的任何所述的感测管芯组装件，其中所述空腔具有约0.1mm的宽度。
方面15 根据方面11至14中的任何所述的感测管芯组装件，其中所述一个或多个感测元件包括位于所述隔膜的底面上的一个或多个压敏电阻元件。
方面16 根据方面11至15中的任何所述的感测管芯组装件，其中所述空腔是圆柱形或长方体的形状。
方面17 根据方面11至16中的任何所述的感测管芯组装件，其中所述感测管芯的底面被倒装键合到衬底。
方面18 根据方面11至17中的任何所述的感测管芯组装件，其中所述致动元件是球形的形状。
方面19 根据方面11至17中的任何所述的感测管芯组装件，其中所述致动元件是圆柱形的形状并且具有第一部分和第二部分，其中所述第一部分具有大于所述第二部分的直径的直径，其中所述第一部分的直径大于所述致动元件的所述第二部分延伸穿过的所述盖构件中的开口。
方面20 根据方面11至19中的任何所述的感测管芯组装件，其中所述感测管芯具有在约2.5mm2至约25mm2的范围中的占用空间面积。
方面21 根据方面11至20中的任何所述的感测管芯组装件，其中在所述隔膜的底面与所述衬底之间存在腔室或空间。
方面22 一种制造力传感器的方法，包括蚀刻键合的硅晶片的叠层以形成具有空腔和隔膜的感测管芯；将致动元件安置到所述空腔中，使得所述致动元件接触所述隔膜的顶面；以及在所述感测管芯的顶面上键合或生长盖构件，其中所述盖构件具有所述致动元件延伸穿过的开口，并且其中所述盖构件将所述致动元件维持在所述空腔内。
方面23 根据方面22所述的方法，进一步包括使包括所述感测管芯、所述致动元件和所述盖构件的感测管芯组装件的底面球凸起；从所述键合的硅晶片的叠层中锯削所述感测管芯组装件；以及将所述感测管芯组装件的底面倒装键合到衬底上。
方面24 根据方面22所述的方法，进一步包括将衬底倒装键合到包括所述感测管芯、所述致动元件和所述盖构件的感测管芯组装件的底面；从所述键合的硅晶片叠层中锯削所述感测管芯组装件；以及将所述感测管芯组装件安置在日东胶带上。
方面25 根据方面22至24中的任何所述的方法，其中一个或多个压敏电阻元件位于所述隔膜的底面上。
方面26 根据方面22至25中的任何所述的方法，其中所述致动元件是球形的形状。
方面27 根据方面22至25中的任何所述的方法，其中所述致动元件是圆柱形的形状并且具有第一部分和第二部分，其中所述第一部分具有大于所述第二部分的直径的直径，其中所述第一部分的直径大于所述致动元件的所述第二部分延伸穿过的所述盖构件中的开口。
方面28 根据方面22至27中的任何所述的方法，所述盖构件是使用标准光刻生长模式生长在所述感测管芯的顶面上的硅或氧化硅层；替换地，所述盖构件是沉积在所述感测管芯的顶面上的环氧树脂。
方面29 根据方面22至27中的任何所述的方法，其中所述盖构件由晶片形成，所述晶片由硅、玻璃、金属、陶瓷或塑料制成。
方面30 根据方面22至29中的任何所述的方法，其中所述感测管芯具有在约2.5mm2至约25mm2的范围中的占用空间面积。
方面31 根据方面22至30中的任何所述的方法，其中所述空腔具有约0.1mm的宽度。
方面32 根据方面23至31中的任何所述的方法，其中在所述隔膜的底面与所述衬底之间存在腔室或空间。
方面33 根据方面22至32中的任何所述的方法，其中所述空腔是圆柱形或长方体的形状。
虽然在本公开内容中已经提供了几个实施例，但是应当理解的是，可以以许多其它具体的形式来体现所公开的***和方法而不脱离本公开内容的精神或范围。本示例应被视为例证性的而不是限制性的，并且不应将意图限于本文中给出的细节。例如，可以将各种元件或组件组合或集成在另一***中，或者可以省略或不实现某些特征。
此外，在各种实施例中描述和图示为分立或分离的技术、***、子***和方法可以与其它***、模块、技术或方法进行组合或集成而不脱离本公开内容的范围。示出或讨论为直接与彼此耦合或通信的其它项目可以通过某种接口、设备或中间组件间接地耦合或通信，不管是电气地、机械地还是以其它方式。其它的改变、替代和变更示例可由本领域技术人员确定，并且可以被做出而不脱离本文中所公开的精神和范围。
Claims (9)
1.一种力传感器（100或200），包括：
衬底（110）；
具有顶面（121）和底面（123）的感测管芯（120），其中所述感测管芯（120）包括形成于其中具有一个或多个壁（126）的空腔（124）和隔膜（122），以及位于所述隔膜（122）的底面（127）上的一个或多个感测元件（160），其中所述感测管芯（120）由单个晶片形成，并且
致动元件（130或230），其被安置在所述感测管芯（120）的所述空腔（124）中并且与所述隔膜（122）的顶面（125）和所述空腔（124）的壁（126）接触；以及
包括在所述感测管芯（120）的顶面（121）上形成的硅或氧化硅层的盖构件（140），其中所述盖构件（140）包括位于所述感测管芯（120）的所述空腔（124）之上的开口（146），其中所述致动元件（130或230）的部分（132或232）延伸穿过所述开口（146），
其中所述盖构件（140）具有限定开口（146）的部分（141），并且所述空腔（124）由所述隔膜（122）的顶面（125）、所述一个或多个壁（126）和所述盖构件（140）的限定所述空腔（124）的顶壁（142）的部分来限定，并且
其中所述盖构件（140）提供所述致动元件（130或230）在所述空腔（124）中的晶片级保持。
2.根据权利要求1所述的力传感器，其中所述感测管芯（120）具有在2.5mm2至25mm2的范围中的占用空间面积。
3.根据权利要求1所述的力传感器，其中在所述隔膜（122）的底面（127）与所述衬底（110）之间存在腔室或空间（190）。
4.一种感测管芯组装件（150），包括：
具有顶面（121）和底面（123）的感测管芯（120），其中所述感测管芯（120）包括通过蚀刻形成于其中的隔膜（122）和具有一个或多个壁（126）的空腔（124），以及位于所述隔膜（122）的底面（127）上的一个或多个感测元件（160）其中所述感测管芯（120）由单个晶片形成；
致动元件（130或230），其被安置在所述感测管芯（120）的所述空腔（124）中并且与所述隔膜（122）的顶面（125）和所述空腔（124）的壁（126）接触；以及
包括在所述感测管芯（120）的顶面（121）上形成的硅或氧化硅层的盖构件（140），其中所述盖构件（140）包括位于所述感测管芯（120）的所述空腔（124）之上的开口（146），其中所述致动元件（130或230）的部分（132或232）延伸穿过所述开口（146），
其中所述盖构件（140）提供所述致动元件（130或230）在所述空腔（124）中的晶片级保持，
其中所述盖构件（140）是生长在所述感测管芯（120）的顶面（121）上的硅或氧化硅层，并且
其中所述盖构件（140）具有限定开口（146）的部分（141），并且所述空腔（124）由所述隔膜（122）的顶面（125）、所述一个或多个壁（126）和所述盖构件（140）的限定所述空腔（124）的顶壁（142）的部分来限定。
5.根据权利要求4所述的感测管芯组装件，其中所述感测管芯（120）具有在2.5mm2至25mm2的范围中的占用空间面积。
6.根据权利要求4所述的感测管芯组装件，其中所述空腔（124）具有0.1mm的宽度。
7.一种制造力传感器（100或200）的方法，包括：
蚀刻硅晶片（171）以形成具有空腔（124）和隔膜（122）的感测管芯（120），所述空腔（124）具有一个或多个壁（126）；
将致动元件（130或230）安置到所述空腔（124）中，使得所述致动元件（130或230）接触所述隔膜（122）的顶面（125）和所述空腔（124）的壁（126）；以及
在所述感测管芯（120）的顶面（121）上生长硅或氧化硅盖构件（140），其中所述盖构件（140）具有限定开口（146）的部分（141），所述致动元件（130或230）的部分（132或232）延伸穿过所述开口（146），所述空腔（124）由所述隔膜（122）的顶面（125）、所述一个或多个壁（126）和所述盖构件（140）的限定所述空腔（124）的顶壁（142）的部分来限定，并且其中所述盖构件（140）提供所述致动元件（130或230）在所述空腔（124）中的晶片级保持。
8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：
使包括所述感测管芯（120）、所述致动元件（130或230）和所述盖构件（140）的感测管芯组装件（150）的底面（151）球凸起；
从所述硅晶片（171）中锯削所述感测管芯组装件（150）；以及
将所述感测管芯组装件（150）的底面（151）倒装键合到衬底（110）上。
9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：
将衬底（110）倒装键合到包括所述感测管芯（120）、所述致动元件（130或230）和所述盖构件（140）的感测管芯组装件（150）的底面（151）；
从所述硅晶片（171）中锯削所述感测管芯组装件（150）；以及
将所述感测管芯组装件（150）安置到胶带上。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US15/192,311 US9869598B1 (en) | 2016-06-24 | 2016-06-24 | Low cost small force sensor |
| US15/192311 | 2016-06-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107543639A CN107543639A (zh) | 2018-01-05 |
| CN107543639B true CN107543639B (zh) | 2021-03-12 |
Family
ID=59070579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710485310.0A Active CN107543639B (zh) | 2016-06-24 | 2017-06-23 | 一种力传感器、感测管芯组装件及制造力传感器的方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9869598B1 (zh) |
| EP (1) | EP3260831B1 (zh) |
| CN (1) | CN107543639B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10330540B2 (en) * | 2017-08-22 | 2019-06-25 | Honeywell International Inc. | Force sensor |
| US11156511B2 (en) | 2019-04-09 | 2021-10-26 | Honeywell International Inc. | Load cell |
| US11162850B2 (en) * | 2019-04-25 | 2021-11-02 | Measurement Specialties, Inc. | Sensor assemblies with integrated electrical connections and diaphragm overload protection |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1519173A1 (en) * | 2002-04-12 | 2005-03-30 | Hokuriku Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor force sensor |
| CN101788350A (zh) * | 2008-12-19 | 2010-07-28 | 霍尼韦尔国际公司 | 使用单个感测管芯和多个信号通道的多范围压力传感器设备和方法 |
| CN101943617A (zh) * | 2009-07-02 | 2011-01-12 | 霍尼韦尔国际公司 | 力传感器设备 |
| CN102156012A (zh) * | 2011-03-15 | 2011-08-17 | 迈尔森电子（天津）有限公司 | Mems压力传感器及其制作方法 |
| CN102589791A (zh) * | 2011-01-07 | 2012-07-18 | 霍尼韦尔国际公司 | 具有低成本封装的压力传感器 |
| WO2015065639A1 (en) * | 2013-10-30 | 2015-05-07 | Honeywell International Inc. | Force sensor with gap-controlled over-force protection |
| CN104764558A (zh) * | 2014-01-07 | 2015-07-08 | 霍尼韦尔国际公司 | 具有具凸起的膜片的压力传感器 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5291788A (en) * | 1991-09-24 | 1994-03-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor pressure sensor |
| DE4137624A1 (de) | 1991-11-15 | 1993-05-19 | Bosch Gmbh Robert | Silizium-chip zur verwendung in einem kraftsensor |
| US7216547B1 (en) * | 2006-01-06 | 2007-05-15 | Honeywell International Inc. | Pressure sensor with silicon frit bonded cap |
| US7726197B2 (en) * | 2006-04-26 | 2010-06-01 | Honeywell International Inc. | Force sensor package and method of forming same |
| JP2009033698A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-02-12 | Panasonic Corp | ダイアフラム構造及び音響センサ |
| DE102008037572A1 (de) | 2008-01-29 | 2009-08-06 | Werner Turck Gmbh & Co. Kg | Kraftsensor |
| CN101369568B (zh) | 2008-09-12 | 2010-08-11 | 晶方半导体科技（苏州）有限公司 | 封装结构、封装方法及感光装置 |
| EP2414800A1 (en) | 2009-03-31 | 2012-02-08 | FemtoTools GmbH | Micro force sensor package for sub-millinewton electromechanical measurements |
| WO2011114628A1 (ja) * | 2010-03-18 | 2011-09-22 | パナソニック株式会社 | Ｍｅｍｓ素子、およびｍｅｍｓ素子の製造方法 |
| US9003899B2 (en) * | 2012-03-23 | 2015-04-14 | Honeywell International Inc. | Force sensor |
| US8806964B2 (en) * | 2012-03-23 | 2014-08-19 | Honeywell International Inc. | Force sensor |
-
2016
- 2016-06-24 US US15/192,311 patent/US9869598B1/en active Active
-
2017
- 2017-06-16 EP EP17176511.8A patent/EP3260831B1/en active Active
- 2017-06-23 CN CN201710485310.0A patent/CN107543639B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1519173A1 (en) * | 2002-04-12 | 2005-03-30 | Hokuriku Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor force sensor |
| CN101788350A (zh) * | 2008-12-19 | 2010-07-28 | 霍尼韦尔国际公司 | 使用单个感测管芯和多个信号通道的多范围压力传感器设备和方法 |
| CN101943617A (zh) * | 2009-07-02 | 2011-01-12 | 霍尼韦尔国际公司 | 力传感器设备 |
| CN102589791A (zh) * | 2011-01-07 | 2012-07-18 | 霍尼韦尔国际公司 | 具有低成本封装的压力传感器 |
| CN102156012A (zh) * | 2011-03-15 | 2011-08-17 | 迈尔森电子（天津）有限公司 | Mems压力传感器及其制作方法 |
| WO2015065639A1 (en) * | 2013-10-30 | 2015-05-07 | Honeywell International Inc. | Force sensor with gap-controlled over-force protection |
| CN104764558A (zh) * | 2014-01-07 | 2015-07-08 | 霍尼韦尔国际公司 | 具有具凸起的膜片的压力传感器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20170370793A1 (en) | 2017-12-28 |
| US9869598B1 (en) | 2018-01-16 |
| EP3260831A1 (en) | 2017-12-27 |
| EP3260831B1 (en) | 2020-09-02 |
| CN107543639A (zh) | 2018-01-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8316725B2 (en) | Force sensor | |
| US7726197B2 (en) | Force sensor package and method of forming same | |
| US7080560B2 (en) | Semiconductor pressure sensor | |
| US8806964B2 (en) | Force sensor | |
| CN107543639B (zh) | 一种力传感器、感测管芯组装件及制造力传感器的方法 | |
| US9446944B2 (en) | Sensor apparatus and method for producing a sensor apparatus | |
| KR101296031B1 (ko) | 압력 센서 및 그 제작 방법 | |
| US6987312B2 (en) | Semiconductor device with sensor and/or actuator surface and method for producing it | |
| US20050194685A1 (en) | Method for mounting semiconductor chips and corresponding semiconductor chip system | |
| KR101953454B1 (ko) | 압력 센서 칩 | |
| US20080308886A1 (en) | Semiconductor Sensor | |
| US5646072A (en) | Electronic sensor assembly having metal interconnections isolated from adverse media | |
| EP3580541B1 (en) | Micrometer mechanical force interface | |
| US8866241B2 (en) | Pressure sensing device having contacts opposite a membrane | |
| US20070228499A1 (en) | MEMS device package with thermally compliant insert | |
| US20150369684A1 (en) | Pressure Sensors Having Low Cost, Small, Universal Packaging | |
| US10732057B2 (en) | Low cost overmolded leadframe force sensor with multiple mounting positions | |
| WO2013006167A1 (en) | Sensor die | |
| JP4304482B2 (ja) | 圧力センサ | |
| CN110734035A (zh) | 具有多种耦合技术的微型尺寸力传感器 | |
| WO2021028172A1 (en) | Sensor arrangement and method for fabricating a sensor arrangement | |
| EP2950070B1 (en) | Strain gauge pressure sensor | |
| KR20110059028A (ko) | 반도체 스트레인게이지형 압력센서모듈과 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |