CN107527967A - 一种具有抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池及其制造方法 - Google Patents

一种具有抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107527967A
CN107527967A CN201710725701.5A CN201710725701A CN107527967A CN 107527967 A CN107527967 A CN 107527967A CN 201710725701 A CN201710725701 A CN 201710725701A CN 107527967 A CN107527967 A CN 107527967A
Authority
CN
China
Prior art keywords
battery
alinp
thickness
ingaas
gaas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710725701.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107527967B (zh
Inventor
张银桥
潘彬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nanchang Kaixun Photoelectric Co Ltd
Original Assignee
Nanchang Kaixun Photoelectric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nanchang Kaixun Photoelectric Co Ltd filed Critical Nanchang Kaixun Photoelectric Co Ltd
Priority to CN201710725701.5A priority Critical patent/CN107527967B/zh
Publication of CN107527967A publication Critical patent/CN107527967A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107527967B publication Critical patent/CN107527967B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0725—Multiple junction or tandem solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0735—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising only AIIIBV compound semiconductors, e.g. GaAs/AlGaAs or InP/GaInAs solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种具有抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池，包括P型接触层、底电池、第一隧穿结、DBR1、中电池、第二隧穿结、DBR2、顶电池和N型接触层。本发明还公开了上述抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池的制作方法。本发明中电池采用InxGa1‑xAs材料，禁带宽度1.1～1.4eV，顶电池采用GayIn1‑yP材料，禁带宽度为1.6～1.9eV，采用DBR1和DBR2的形式释放应力和过滤位错，有效解决外延片的翘曲状况和改善外延生长的厚度及掺杂的均匀性，提高太阳电池的成品率及性能；另一方面，由于采用DBR1和DBR2的过渡形式，可以提高电池对太阳光的吸收，提高抗辐照性能。

Description

一种具有抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池及其制 造方法
技术领域
本发明属于高效太阳能电池技术领域，具体涉及一种具有抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池，本发明还涉及该太阳电池的制造方法。
背景技术
随着航天科技的不断进步，航天器的功能越来越复杂，对电源负载功率的要求也越来越高，势必对太阳电池的性能，尤其是光电转换效率提出了更高的要求。而砷化镓(GaAs)三结太阳电池以其较高的转换效率、长寿命和优良的可靠性等优势已经在太空领域得到广泛应用，成为空间飞行器的主电源。目前应用的Ge衬底生长的GaAs三结太阳电池结构为GaInP/GaAs/Ge，为晶格匹配的电池结构，其最高效率已接近30％(AM0)，由于受到带隙不匹配的限制，转换效率很难进一步提高。相比之下，带隙匹配的GaAs三结太阳电池可以有效降低由于带隙不匹配带来的太阳光能浪费问题，在进一步提高三结太阳电池转换效率方面具有明显优势，该结构采用的是与衬底不匹配的中顶电池，为获得晶体质量高的中顶电池，常规做法是采用各种各样的缓冲层，释放掉因晶格失配带来的应力与位错，该类做法虽然可以获得太阳电池可用的晶体材料，但是仍然存在着较大的应力，对芯片的制作以及后续的安装都带来极大的不便，同时降低产品的成品率,增加产品成本。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种结构合理、工艺简单，性能可靠，生产成本低的一种抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池。
本发明的技术方案如下：
一种具有抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池，其特征在于，包括P 型接触层、底电池、第一隧穿结、具有应变结构的DBR1(第一组分布式布拉格反射器)、中电池、第二隧穿结、具有应变结构的DBR2(第二组分布式布拉格反射器)、顶电池和N型接触层；
所述底电池、中电池和顶电池为三结子电池，由下至上依次排列；
所述底电池与中电池之间通过第一隧穿结连接；
所述第一隧穿结与所述中电池之间还设有DBR1；
所述中电池与所述顶电池之间通过第二隧穿结连接；
所述第二隧穿结与所述顶电池之间还设有DBR2；
所述底电池下层还设有P型接触层，所述P型接触层为P型Ge衬底；
所述顶电池的上层还设有N型接触层，所述N型接触层为GaAs材料的GaAs 窗口层。
作为优化，所述底电池由下至上依次包括P-Ge基区、N-Ge发射区和GaInP 成核层；在所述P型接触层表面通过PH3扩散形成N-Ge发射区和GaInP成核层，所述P-Ge基区为P型接触层和N-Ge发射区的过渡区，P-Ge基区作为底电池的基区；所述N-Ge发射区厚度0.1～0.3μm，所述GaInP成核层厚度0.03～0.10 μm；所述底电池禁带宽度为0.67eV；
作为优化，所述第一隧穿结为N++GaAs/P++GaAs，其中，N++GaAs层和P++GaAs 层厚度均在0.01～0.04μm，N++GaAs的掺杂剂为Te、Se、Si其中的一种或者多种组合，掺杂浓度3×1018～1×1019/cm3；P++GaAs的掺杂剂为Mg、Zn、C其中的一种或者多种组合，掺杂浓度要求2×1019～5×1019/cm3；
作为优化，在所述第一隧穿结与底电池间设有InGaAs缓冲层，所述InGaAs 缓冲层厚度为0.5～1.5μm；
作为优化，所述DBR1(第一分布式布拉格反射器)由10～30对InAlAs/InGaAs 结构组成，其中，相邻的每对InAlAs/InGaAs结构中，InGaAs中In摩尔组分阶梯式增加，梯度为1％～3％，初始In摩尔组分为1％，InAlAs中In摩尔组分阶梯式增加，梯度为1％～3％，初始In摩尔组分为0.5％；每对InAlAs/InGaAs结构中，InAlAs结构、InGaAs结构的厚度根据λ/4n计算，其中 850nm≤λ≤1200nm，n为对应AlGaAs或者InGaAs材料的折射率；
作为优化，所述中电池由下至上依次包括InAlAs背电场、InxGa1-xAs基区、 InxGa1- xAs发射区、AlInP或GaInP窗口层组成，其中InxGa1-xAs基区和InxGa1-xAs 发射区中In的组分x的范围是0.01≤x≤0.22；所述中电池禁带宽度为1.1～ 1.4eV，利于中电池吸收更多的太阳光，提高中电池的电流密度；InxGa1-xAs基区的厚度为1.5～2.5μm，InxGa1-xAs发射区的厚度为0.1～0.2μm，AlInP或 GaInP窗口层厚度为0.05～0.15μm；AlInP或GaInP窗口层为AlInP窗口层或 GaInP窗口层；
作为优化，所述的第二隧穿结为N++GaInP/P++AlGaAs，其中，N++GaInP层与 P++AlGaAs层的厚度均为0.01～0.04μm，N++GaInP的掺杂剂为Te、Se、Si其中的一种或者多种组合，掺杂浓度3×1018～1×1019/cm3；P++AlGaAs的掺杂剂为Mg、 Zn、C其中的一种或者多种组合，掺杂浓度要求2×1019～5×1019/cm3；
作为优化，所述DBR2(第二分布式布拉格反射器)由10～30对 AlInP/AlGaInP结构组成，其中，其中，第一对AlInP/AlGaInP结构与中电池晶格晶格常数匹配一致，之后相邻的每对AlInP/AlGaInP结构结构的In摩尔组分按照阶梯式减少，AlInP中In摩尔组分梯度为1％～3％，AlGaInP中In摩尔组分梯度为1％～3％；每对AlInP/AlGaInP结构中，AlInP结构、AlGaInP结构的厚度根据λ/4n计算，其中650nm≤λ≤800nm，n为对应AlInP或者AlGaInP材料的折射率；
作为优化，所述顶电池由下至上依次包括AlGaInP背电场、GayIn1-yP基区、 GayIn1- yP发射区及AlInP窗口层，其中GayIn1-yP基区和GayIn1-yP发射区中Ga 的组分y的范围是0.30≤y≤0.50，所述顶电池禁带宽度为1.6～1.9eV，AlGaInP 背电场厚度为0.02～0.15μm，GayIn1-yP基区和GayIn1-yP发射区的总厚度为0.5～ 1μm，AlInP窗口层厚度0.03～0.05μm，有利于顶电池吸收更多的太阳光，提高顶电池的电流密度；
作为优化，所述P型接触层为P型Ge的衬底，掺杂剂为Ga，掺杂浓度在 1×1018～10×1018/cm3；
作为优化，所述N型接触层为GaAs材料的GaAs窗口层，生长厚度为0.3～0.6 μm,掺杂剂为Te，Se，Si其中的一种或者多种组合，掺杂浓度在3×1018～9× 1018/cm3。
本发明还包括上述抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池的制作方法，其步骤为，
(1)制备底电池：底电池由下至上依次包括P-Ge基区、N-Ge发射区和GaInP 成核层；在P型接触层表面通过PH3扩散形成N-Ge发射区和GaInP成核层，所述P-Ge基区为P型接触层和N-Ge发射区的过渡区，P-Ge基区作为底电池的基区；所述N-Ge发射区厚度0.1～0.3μm，所述GaInP成核层厚度0.03～0.10μ m；所述底电池禁带宽度为0.67eV；所述P型接触层为P型Ge的衬底，掺杂剂为Ga，掺杂浓度在1×1018～10×1018/cm3；
(2)制备第一隧穿结：在所述InGaAs缓冲层的表面生长第一隧穿结，所述第一隧穿结为N++GaAs/P++GaAs，其中，N++GaAs层和P++GaAs层厚度均在0.01～ 0.04μm，N++GaAs的掺杂剂为Te、Se、Si其中的一种或者多种组合，掺杂浓度3×1018～1×1019/cm3；P++GaAs的掺杂剂为Mg、Zn、C其中的一种或者多种组合，掺杂浓度要求2×1019～5×1019/cm3；
(3)制备DBR1：在所述第一隧穿结的表面生长DBR1，所述DBR1(具有应变结构的第一分布式布拉格反射器)由10～30对InAlAs/InGaAs结构组成，其中，相邻的每对InAlAs/InGaAs结构中，InGaAs中In摩尔组分阶梯式增加，梯度为1％～3％，初始In摩尔组分为1％，InAlAs中In摩尔组分阶梯式增加，梯度为1％～3％，初始In摩尔组分为0.5％；每对InAlAs/InGaAs结构中，InAlAs 结构、InGaAs结构的厚度根据λ/4n计算，其中850nm≤λ≤1200nm，n为对应 AlGaAs或者InGaAs材料的折射率；
(4)制备中电池：在所述DBR1的表面生长中电池，所述中电池由下至上依次包括InAlAs背电场、InxGa1-xAs基区、InxGa1-xAs发射区、AlInP或GaInP 窗口层组成，其中InxGa1- xAs基区和InxGa1-xAs发射区中In的组分x的范围是 0.01≤x≤0.22；所述中电池禁带宽度为1.1～1.4eV，利于中电池吸收更多的太阳光，提高中电池的电流密度；InxGa1-xAs基区的厚度为1.5～2.5μm，InxGa1-xAs 发射区的厚度为0.1～0.2μm，AlInP或GaInP窗口层厚度为0.05～0.15μm； AlInP或GaInP窗口层为AlInP窗口层或GaInP窗口层；
(5)制备第二隧穿结：在所述中电池的表面生长第二隧穿结，所述第二隧穿结为N++GaInP/P++AlGaAs，其中，N++GaInP层与P++AlGaAs层的厚度均为0.01～ 0.04μm，N++GaInP的掺杂剂为Te、Se、Si其中的一种或者多种组合，掺杂浓度 3×1018～1×1019/cm3；P++AlGaAs的掺杂剂为Mg、Zn、C其中的一种或者多种组合，掺杂浓度要求2×1019～5×1019/cm3；
(6)制备DBR2：在所述第二隧穿结的表面生长DBR2，所述DBR2(具有应变结构的第二分布式布拉格反射器)由10～30对AlInP/AlGaInP结构组成，其中，第一对AlInP/AlGaInP结构与中电池晶格晶格常数匹配一致，之后相邻的每对AlInP/AlGaInP结构结构的In摩尔组分按照阶梯式减少，AlInP中In摩尔组分梯度为1％～3％，AlGaInP中In摩尔组分梯度为1％～3％；每对 AlInP/AlGaInP结构中，AlInP结构、AlGaInP结构的厚度根据λ/4n计算，其中 650nm≤λ≤800nm，n为对应AlInP或者AlGaInP材料的折射率；
(7)制备顶电池：在所述DBR2的表面生长顶电池，所述顶电池由下至上依次包括AlGaInP背电场、GayIn1-yP基区、GayIn1-yP发射区及AlInP窗口层，其中GayIn1-yP基区和GayIn1-yP发射区中Ga的组分y的范围是0.30≤y≤0.50，所述顶电池禁带宽度为1.6～1.9eV，AlGaInP背电场厚度为0.02～0.15μm，GayIn1-yP 基区和GayIn1-yP发射区的总厚度为0.5～1μm，AlInP窗口层厚度0.03～0.05μm，有利于顶电池吸收更多的太阳光，提高顶电池的电流密度；
(8)制备N型接触层：在所述顶电池的表面生长N型接触层，所述N型接触层为GaAs材料的GaAs窗口层，生长厚度为0.3～0.6μm,掺杂剂为Te，Se， Si其中的一种或者多种组合，掺杂浓度在3×1018～9×1018/cm3。
作为优化，步骤(1)后制备InGaAs缓冲层：在所述底电池的表面生长InGaAs 缓冲层，所述InGaAs缓冲层厚度为0.5～1.5μm。
本发明电池包括P型接触层及通过PH3扩散形成的底电池，第一隧穿结， DBR1(具有应变结构的第一组布拉格反射器)，中电池，第二隧穿结，DBR2(具有应变结构的第二组布拉格反射器)，顶电池以及N型接触层。本发明中，中电池采用InxGa1-xAs材料，禁带宽度1.1～1.4eV，顶电池采用GayIn1-yP材料，禁带宽度为1.6～1.9eV，采用DBR1和DBR2的形式释放应力和过滤位错，可以极大改善传统的直接生长缓冲层带来的应力释放不完全的问题，有效解决外延片的翘曲状况，同时改善外延生长的厚度及掺杂的均匀性，提高太阳电池的成品率及性能。另一方面，由于采用DBR1和DBR2的过渡形式，可以提高电池对太阳光的吸收，提高抗辐照性能。
附图说明
图1本发明砷化镓太阳电池的结构示意图
具体实施方式
下面为实施例，旨在对本发明做进一步说明，本发明可以具有多种不同的形式，该实施例仅是说明性的，不应将其解释为限于本文所陈述的实施例。
实施例1
一种具有抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池，包括P型接触层、底电池、第一隧穿结、具有应变结构的DBR1(第一组分布式布拉格反射器)、中电池、第二隧穿结、具有应变结构的DBR2(第二组分布式布拉格反射器)、顶电池和N型接触层；
所述底电池、中电池和顶电池为三结子电池，由下至上依次排列；
所述底电池由下至上依次包括P-Ge基区、N-Ge发射区和GaInP成核层；在所述P型接触层表面通过PH3扩散形成N-Ge发射区和GaInP成核层，所述P-Ge 基区为P型接触层和N-Ge发射区的过渡区，P-Ge基区作为底电池的基区；所述N-Ge发射区厚度0.1～0.3μm，所述GaInP成核层厚度0.03～0.10μm；所述底电池禁带宽度为0.67eV；
所述底电池与中电池之间通过第一隧穿结连接；
在所述第一隧穿结与底电池间设有InGaAs缓冲层，所述InGaAs缓冲层厚度为0.5～1.5μm；
所述第一隧穿结为N++GaAs/P++GaAs，其中，N++GaAs层和P++GaAs层厚度均在 0.01～0.04μm，N++GaAs的掺杂剂为Te、Se、Si其中的一种或者多种组合，掺杂浓度3×1018～1×1019/cm3；P++GaAs的掺杂剂为Mg、Zn、C其中的一种或者多种组合，掺杂浓度要求2×1019～5×1019/cm3；
所述第一隧穿结与所述中电池之间还设有DBR1；
所述DBR1(第一分布式布拉格反射器)由10～30对InAlAs/InGaAs结构组成，其中，相邻的每对InAlAs/InGaAs结构中，InGaAs中In摩尔组分阶梯式增加，梯度为1％～3％，初始In摩尔组分为1％，InAlAs中In摩尔组分阶梯式增加，梯度为1％～3％，初始In摩尔组分为0.5％；每对InAlAs/InGaAs结构中， InAlAs结构、InGaAs结构的厚度根据λ/4n计算，其中850nm≤λ≤1200nm，n 为对应AlGaAs或者InGaAs材料的折射率；
所述中电池由下至上依次包括InAlAs背电场、InxGa1-xAs基区、InxGa1-xAs 发射区、AlInP或GaInP窗口层组成，其中InxGa1-xAs基区和InxGa1-xAs发射区中In的组分x的范围是0.01≤x≤0.22；所述中电池禁带宽度为1.1～1.4eV，利于中电池吸收更多的太阳光，提高中电池的电流密度；InxGa1-xAs基区的厚度为1.5～2.5μm，InxGa1-xAs发射区的厚度为0.1～0.2μm，AlInP或GaInP窗口层厚度为0.05～0.15μm；AlInP或GaInP窗口层为AlInP窗口层或GaInP窗口层；
所述中电池与所述顶电池之间通过第二隧穿结连接；
所述的第二隧穿结为N++GaInP/P++AlGaAs，其中，N++GaInP层与P++AlGaAs 层的厚度均为0.01～0.04μm，N++GaInP的掺杂剂为Te、Se、Si其中的一种或者多种组合，掺杂浓度3×1018～1×1019/cm3；P++AlGaAs的掺杂剂为Mg、Zn、C 其中的一种或者多种组合，掺杂浓度要求2×1019～5×1019/cm3；
所述第二隧穿结与所述顶电池之间还设有DBR2；
所述DBR2(第二分布式布拉格反射器)由10～30对AlInP/AlGaInP结构组成，其中，其中，第一对AlInP/AlGaInP结构与中电池晶格晶格常数匹配一致，之后相邻的每对AlInP/AlGaInP结构结构的In摩尔组分按照阶梯式减少，AlInP 中In摩尔组分梯度为1％～3％，AlGaInP中In摩尔组分梯度为1％～3％；每对 AlInP/AlGaInP结构中，AlInP结构、AlGaInP结构的厚度根据λ/4n计算，其中 650nm≤λ≤800nm，n为对应AlInP或者AlGaInP材料的折射率；
所述顶电池由下至上依次包括AlGaInP背电场、GayIn1-yP基区、GayIn1-yP 发射区及AlInP窗口层，其中GayIn1-yP基区和GayIn1-yP发射区中Ga的组分y 的范围是0.30≤y≤0.50，所述顶电池禁带宽度为1.6～1.9eV，AlGaInP背电场厚度为0.02～0.15μm，GayIn1-yP基区和GayIn1-yP发射区的总厚度为0.5～1μm， AlInP窗口层厚度0.03～0.05μm，有利于顶电池吸收更多的太阳光，提高顶电池的电流密度；
所述底电池下层还设有P型接触层，所述P型接触层为P型Ge衬底；所述 P型Ge衬底的掺杂剂为Ga，掺杂浓度在1×1018～10×1018/cm3；
所述顶电池的上层还设有N型接触层，所述N型接触层为GaAs材料的GaAs 窗口层，所述GaAs窗口层生长厚度为0.3～0.6μm,掺杂剂为Te，Se，Si其中的一种或者多种组合，掺杂浓度在3×1018～9×1018/cm3。
实施例2
本实施例中各层生长均采用MOCVD技术(Metal Organic Chemical VaporDeposition，金属有机化合物化学气相沉淀)。
实施例1所述抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池的制作方法，其步骤为，
(1)制备底电池：底电池由下至上依次包括P-Ge基区、N-Ge发射区和GaInP 成核层；在P型接触层表面通过PH3扩散形成N-Ge发射区和GaInP成核层，所述P-Ge基区为P型接触层和N-Ge发射区的过渡区，P-Ge基区作为底电池的基区；所述N-Ge发射区厚度0.1～0.3μm，所述GaInP成核层厚度0.03～0.10μ m；所述底电池禁带宽度为0.67eV；所述P型接触层为P型Ge的衬底，掺杂剂为Ga，掺杂浓度在1×1018～10×1018/cm3；
(2)制备InGaAs缓冲层：在所述底电池的表面生长InGaAs缓冲层，所述 InGaAs缓冲层厚度为0.5～1.5μm。
(3)制备第一隧穿结：在所述InGaAs缓冲层的表面生长第一隧穿结，所述第一隧穿结为N++GaAs/P++GaAs，其中，N++GaAs层和P++GaAs层厚度均在0.01～ 0.04μm，N++GaAs的掺杂剂为Te、Se、Si其中的一种或者多种组合，掺杂浓度 3×1018～1×1019/cm3；P++GaAs的掺杂剂为Mg、Zn、C其中的一种或者多种组合，掺杂浓度要求2×1019～5×1019/cm3；
(4)制备DBR1：在所述第一隧穿结的表面生长DBR1，所述DBR1(具有应变结构的第一分布式布拉格反射器)由10～30对InAlAs/InGaAs结构组成，其中，相邻的每对InAlAs/InGaAs结构中，InGaAs中In摩尔组分阶梯式增加，梯度为1％～3％，初始In摩尔组分为1％，InAlAs中In摩尔组分阶梯式增加，梯度为1％～3％，初始In摩尔组分为0.5％；每对InAlAs/InGaAs结构中，InAlAs 结构、InGaAs结构的厚度根据λ/4n计算，其中850nm≤λ≤1200nm，n为对应 AlGaAs或者InGaAs材料的折射率；
(5)制备中电池：在所述DBR1的表面生长中电池，所述中电池由下至上依次包括InAlAs背电场、InxGa1-xAs基区、InxGa1-xAs发射区、AlInP或GaInP 窗口层组成，其中InxGa1- xAs基区和InxGa1-xAs发射区中In的组分x的范围是 0.01≤x≤0.22；所述中电池禁带宽度为1.1～1.4eV，利于中电池吸收更多的太阳光，提高中电池的电流密度；InxGa1-xAs基区的厚度为1.5～2.5μm，InxGa1-xAs 发射区的厚度为0.1～0.2μm，AlInP或GaInP窗口层厚度为0.05～0.15μm； AlInP或GaInP窗口层为AlInP窗口层或GaInP窗口层；
(6)制备第二隧穿结：在所述中电池的表面生长第二隧穿结，所述第二隧穿结为N++GaInP/P++AlGaAs，其中，N++GaInP层与P++AlGaAs层的厚度均为0.01～ 0.04μm，N++GaInP的掺杂剂为Te、Se、Si其中的一种或者多种组合，掺杂浓度 3×1018～1×1019/cm3；P++AlGaAs的掺杂剂为Mg、Zn、C其中的一种或者多种组合，掺杂浓度要求2×1019～5×1019/cm3；
(7)制备DBR2：在所述第二隧穿结的表面生长DBR2，所述DBR2(具有应变结构的第二分布式布拉格反射器)由10～30对AlInP/AlGaInP结构组成，其中，第一对AlInP/AlGaInP结构与中电池晶格晶格常数匹配一致，之后相邻的每对AlInP/AlGaInP结构结构的In摩尔组分按照阶梯式减少，AlInP中In摩尔组分梯度为1％～3％，AlGaInP中In摩尔组分梯度为1％～3％；每对 AlInP/AlGaInP结构中，AlInP结构、AlGaInP结构的厚度根据λ/4n计算，其中 650nm≤λ≤800nm，n为对应AlInP或者AlGaInP材料的折射率；
(8)制备顶电池：在所述DBR2的表面生长顶电池，所述顶电池由下至上依次包括AlGaInP背电场、GayIn1-yP基区、GayIn1-yP发射区及AlInP窗口层，其中GayIn1-yP基区和GayIn1-yP发射区中Ga的组分y的范围是0.30≤y≤0.50，所述顶电池禁带宽度为1.6～1.9eV，AlGaInP背电场厚度为0.02～0.15μm，GayIn1-yP 基区和GayIn1-yP发射区的总厚度为0.5～1μm，AlInP窗口层厚度0.03～0.05μm，有利于顶电池吸收更多的太阳光，提高顶电池的电流密度；
(9)制备N型接触层：在所述顶电池的表面生长N型接触层，所述N型接触层为GaAs材料的GaAs窗口层，生长厚度为0.3～0.6μm,掺杂剂为Te，Se， Si其中的一种或者多种组合，掺杂浓度在3×1018～9×1018/cm3。
本发明底电池禁带宽度为0.67eV，中电池禁带宽度为1.1～1.4eV，顶电池禁带宽度为1.6～1.9eV，降低各个子电池之间的电流失配，减少太阳光能的损失，提高转换效率；同时，采用的具有应变结构的DBR，可以有效的释放晶格失配带来的应力和过滤晶格失配引入的位错；DBR可以有效反射中电池或顶电池中未被有效吸收的太阳光，提高各个子电池对太阳光的吸收，同时引入DBR可以减薄中、顶电池的厚度，提高中电池与顶电池抗辐照性能。

Claims (8)

1.一种具有抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池，其特征在于，包括P型接触层、底电池、第一隧穿结、具有应变结构的DBR1、中电池、第二隧穿结、具有应变结构的DBR2、顶电池和N型接触层；
所述底电池、中电池和顶电池为三结子电池，由下至上依次排列；
所述底电池与中电池之间通过第一隧穿结连接；
所述第一隧穿结与所述中电池之间还设有DBR1；
所述中电池与所述顶电池之间通过第二隧穿结连接；
所述第二隧穿结与所述顶电池之间还设有DBR2；
所述底电池下层还设有P型接触层，所述P型接触层为P型Ge衬底；
所述顶电池的上层还设有N型接触层，所述N型接触层为GaAs材料的GaAs窗口层。
2.如权利要求1所述太阳电池，其特征在于，所述第一隧穿结为N++GaAs/P++GaAs，其中，N++GaAs层和P++GaAs层厚度均在0.01～0.04μm，N++GaAs的掺杂剂为Te、Se、Si其中的一种或者多种组合，掺杂浓度3×1018～1×1019/cm3；P++GaAs的掺杂剂为Mg、Zn、C其中的一种或者多种组合，掺杂浓度要求2×1019～5×1019/cm3。
3.如权利要求1所述太阳电池，其特征在于，在所述第一隧穿结与底电池间设有InGaAs缓冲层，所述InGaAs缓冲层厚度为0.5～1.5μm。
4.如权利要求1所述太阳电池，其特征在于，所述DBR1由10～30对InAlAs/InGaAs结构组成，其中，相邻的每对InAlAs/InGaAs结构中，InGaAs中In摩尔组分阶梯式增加，梯度为1％～3％，初始In摩尔组分为1％，InAlAs中In摩尔组分阶梯式增加，梯度为1％～3％，初始In摩尔组分为0.5％；每对InAlAs/InGaAs结构中，InAlAs结构、InGaAs结构的厚度根据λ/4n计算，其中850nm≤λ≤1200nm，n为对应AlGaAs或者InGaAs材料的折射率。
5.如权利要求1所述太阳电池，其特征在于，所述的第二隧穿结为N++GaInP/P++AlGaAs，其中，N++GaInP层与P++AlGaAs层的厚度均为0.01～0.04μm，N++GaInP的掺杂剂为Te、Se、Si其中的一种或者多种组合，掺杂浓度3×1018～1×1019/cm3；P++AlGaAs的掺杂剂为Mg、Zn、C其中的一种或者多种组合，掺杂浓度要求2×1019～5×1019/cm3。
6.如权利要求1所述太阳电池，其特征在于，所述DBR2由10～30对AlInP/AlGaInP结构组成，其中，其中，第一对AlInP/AlGaInP结构与中电池晶格晶格常数匹配一致，之后相邻的每对AlInP/AlGaInP结构结构的In摩尔组分按照阶梯式减少，AlInP中In摩尔组分梯度为1％～3％，AlGaInP中In摩尔组分梯度为1％～3％；每对AlInP/AlGaInP结构中，AlInP结构、AlGaInP结构的厚度根据λ/4n计算，其中650nm≤λ≤800nm，n为对应AlInP或者AlGaInP材料的折射率。
7.权利要求1-6任一所述太阳电池的制作方法，其步骤为，
(1)制备底电池：底电池由下至上依次包括P-Ge基区、N-Ge发射区和GaInP成核层；在P型接触层表面通过PH3扩散形成N-Ge发射区和GaInP成核层，所述P-Ge基区为P型接触层和N-Ge发射区的过渡区，P-Ge基区作为底电池的基区；所述N-Ge发射区厚度0.1～0.3μm，所述GaInP成核层厚度0.03～0.10μm；所述底电池禁带宽度为0.67eV；所述P型接触层为P型Ge的衬底，掺杂剂为Ga，掺杂浓度在1×1018～10×1018/cm3；
(2)制备第一隧穿结：在所述InGaAs缓冲层的表面生长第一隧穿结，所述第一隧穿结为N++GaAs/P++GaAs，其中，N++GaAs层和P++GaAs层厚度均在0.01～0.04μm，N++GaAs的掺杂剂为Te、Se、Si其中的一种或者多种组合，掺杂浓度3×1018～1×1019/cm3；P++GaAs的掺杂剂为Mg、Zn、C其中的一种或者多种组合，掺杂浓度要求2×1019～5×1019/cm3；
(3)制备DBR1：在所述第一隧穿结的表面生长DBR1，所述DBR1(具有应变结构的第一分布式布拉格反射器)由10～30对InAlAs/InGaAs结构组成，其中，相邻的每对InAlAs/InGaAs结构中，InGaAs中In摩尔组分阶梯式增加，梯度为1％～3％，初始In摩尔组分为1％，InAlAs中In摩尔组分阶梯式增加，梯度为1％～3％，初始In摩尔组分为0.5％；每对InAlAs/InGaAs结构中，InAlAs结构、InGaAs结构的厚度根据λ/4n计算，其中850nm≤λ≤1200nm，n为对应AlGaAs或者InGaAs材料的折射率；
(4)制备中电池：在所述DBR1的表面生长中电池，所述中电池由下至上依次包括InAlAs背电场、InxGa1-xAs基区、InxGa1-xAs发射区、AlInP或GaInP窗口层组成，其中InxGa1-xAs基区和InxGa1-xAs发射区中In的组分x的范围是0.01≤x≤0.22；所述中电池禁带宽度为1.1～1.4eV，利于中电池吸收更多的太阳光，提高中电池的电流密度；InxGa1-xAs基区的厚度为1.5～2.5μm，InxGa1-xAs发射区的厚度为0.1～0.2μm，AlInP或GaInP窗口层厚度为0.05～0.15μm；AlInP或GaInP窗口层为AlInP窗口层或GaInP窗口层；
(5)制备第二隧穿结：在所述中电池的表面生长第二隧穿结，所述第二隧穿结为N++GaInP/P++AlGaAs，其中，N++GaInP层与P++AlGaAs层的厚度均为0.01～0.04μm，N++GaInP的掺杂剂为Te、Se、Si其中的一种或者多种组合，掺杂浓度3×1018～1×1019/cm3；P++AlGaAs的掺杂剂为Mg、Zn、C其中的一种或者多种组合，掺杂浓度要求2×1019～5×1019/cm3；
(6)制备DBR2：在所述第二隧穿结的表面生长DBR2，所述DBR2(具有应变结构的第二分布式布拉格反射器)由10～30对AlInP/AlGaInP结构组成，其中，第一对AlInP/AlGaInP结构与中电池晶格晶格常数匹配一致，之后相邻的每对AlInP/AlGaInP结构结构的In摩尔组分按照阶梯式减少，AlInP中In摩尔组分梯度为1％～3％，AlGaInP中In摩尔组分梯度为1％～3％；每对AlInP/AlGaInP结构中，AlInP结构、AlGaInP结构的厚度根据λ/4n计算，其中650nm≤λ≤800nm，n为对应AlInP或者AlGaInP材料的折射率；
(7)制备顶电池：在所述DBR2的表面生长顶电池，所述顶电池由下至上依次包括AlGaInP背电场、GayIn1-yP基区、GayIn1-yP发射区及AlInP窗口层，其中GayIn1-yP基区和GayIn1-yP发射区中Ga的组分y的范围是0.30≤y≤0.50，所述顶电池禁带宽度为1.6～1.9eV，AlGaInP背电场厚度为0.02～0.15μm，GayIn1-yP基区和GayIn1-yP发射区的总厚度为0.5～1μm，AlInP窗口层厚度0.03～0.05μm，有利于顶电池吸收更多的太阳光，提高顶电池的电流密度；
(8)制备N型接触层：在所述顶电池的表面生长N型接触层，所述N型接触层为GaAs材料的GaAs窗口层，生长厚度为0.3～0.6μm,掺杂剂为Te，Se，Si其中的一种或者多种组合，掺杂浓度在3×1018～9×1018/cm3。
8.如权利要求12所述太阳电池的制作方法，其特征在于，步骤(1)后制备InGaAs缓冲层：在所述底电池的表面生长InGaAs缓冲层，所述InGaAs缓冲层厚度为0.5～1.5μm。
CN201710725701.5A 2017-08-22 2017-08-22 一种具有抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池及其制造方法 Active CN107527967B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710725701.5A CN107527967B (zh) 2017-08-22 2017-08-22 一种具有抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710725701.5A CN107527967B (zh) 2017-08-22 2017-08-22 一种具有抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107527967A true CN107527967A (zh) 2017-12-29
CN107527967B CN107527967B (zh) 2023-08-25

Family

ID=60681779

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710725701.5A Active CN107527967B (zh) 2017-08-22 2017-08-22 一种具有抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107527967B (zh)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108172638A (zh) * 2018-02-11 2018-06-15 扬州乾照光电有限公司 一种三结太阳电池
CN108198891A (zh) * 2018-01-03 2018-06-22 厦门乾照光电股份有限公司 太阳能电池及其制作方法
CN109148634A (zh) * 2018-08-23 2019-01-04 南昌凯迅光电有限公司 一种倒置三结砷化镓太阳电池及其制作方法
WO2019175651A1 (en) * 2018-03-16 2019-09-19 Xiamen Changelight Co. Ltd. GaAs THREE-JUNCTION SOLAR CELL AND METHOD OF PREPARING THEREOF
CN112514084A (zh) * 2018-03-12 2021-03-16 阿雷光子学公司 用于光伏电池和其他光吸收装置的啁啾分布式布拉格反射器
CN112615255A (zh) * 2019-10-04 2021-04-06 全新光电科技股份有限公司 具有穿隧接面层的垂直腔面激光发射器(vcsel)
CN113644147A (zh) * 2021-06-25 2021-11-12 北京空间飞行器总体设计部 一种与火星光谱匹配的三结砷化镓太阳电池
CN114361942A (zh) * 2021-03-31 2022-04-15 兆劲科技股份有限公司 一种垂直共振腔面射激光元件
CN115863466A (zh) * 2023-03-02 2023-03-28 南昌凯迅光电股份有限公司 一种砷化镓太阳电池芯片及其制备方法
TWI838629B (zh) * 2019-10-04 2024-04-11 全新光電科技股份有限公司 具有穿隧接面層的垂直共振腔表面放射雷射二極體(vcsel)

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10233528A (ja) * 1996-12-18 1998-09-02 Sharp Corp 半導体発光ダイオード
JP2001068783A (ja) * 1999-08-25 2001-03-16 Fujitsu Ltd 面発光レーザ及びその製造方法
KR20070059854A (ko) * 2005-12-06 2007-06-12 한국전자통신연구원 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 ｄｂｒ 구조물 및그 제조방법과 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드
CN101388419A (zh) * 2008-10-27 2009-03-18 厦门乾照光电有限公司 具有反射层的三结太阳电池及其制造方法
US20100147366A1 (en) * 2008-12-17 2010-06-17 Emcore Solar Power, Inc. Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells with Distributed Bragg Reflector
CN102280548A (zh) * 2011-09-05 2011-12-14 厦门乾照光电股份有限公司 发光二极管结构及其制造方法
CN102299224A (zh) * 2011-09-15 2011-12-28 厦门乾照光电股份有限公司 一种发光二极管
CN103280482A (zh) * 2012-04-29 2013-09-04 天津三安光电有限公司 多结太阳能电池及其制备方法
JP2014167993A (ja) * 2013-02-28 2014-09-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体多層膜反射鏡構造
JP2014167994A (ja) * 2013-02-28 2014-09-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体多層膜反射鏡構造
CN104617168A (zh) * 2014-12-26 2015-05-13 天津蓝天太阳科技有限公司 一种抗辐照三结级联砷化镓太阳电池及制备方法
CN105826420A (zh) * 2016-05-12 2016-08-03 中山德华芯片技术有限公司 一种具有反射层的双面生长四结太阳能电池及其制备方法
CN106129211A (zh) * 2016-08-24 2016-11-16 南昌凯迅光电有限公司 具有嵌入式透明扩展电极结构的发光二极管及其制备方法

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10233528A (ja) * 1996-12-18 1998-09-02 Sharp Corp 半導体発光ダイオード
JP2001068783A (ja) * 1999-08-25 2001-03-16 Fujitsu Ltd 面発光レーザ及びその製造方法
KR20070059854A (ko) * 2005-12-06 2007-06-12 한국전자통신연구원 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 ｄｂｒ 구조물 및그 제조방법과 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드
CN101388419A (zh) * 2008-10-27 2009-03-18 厦门乾照光电有限公司 具有反射层的三结太阳电池及其制造方法
US20100147366A1 (en) * 2008-12-17 2010-06-17 Emcore Solar Power, Inc. Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells with Distributed Bragg Reflector
CN102280548A (zh) * 2011-09-05 2011-12-14 厦门乾照光电股份有限公司 发光二极管结构及其制造方法
CN102299224A (zh) * 2011-09-15 2011-12-28 厦门乾照光电股份有限公司 一种发光二极管
CN103280482A (zh) * 2012-04-29 2013-09-04 天津三安光电有限公司 多结太阳能电池及其制备方法
JP2014167993A (ja) * 2013-02-28 2014-09-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体多層膜反射鏡構造
JP2014167994A (ja) * 2013-02-28 2014-09-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体多層膜反射鏡構造
CN104617168A (zh) * 2014-12-26 2015-05-13 天津蓝天太阳科技有限公司 一种抗辐照三结级联砷化镓太阳电池及制备方法
CN105826420A (zh) * 2016-05-12 2016-08-03 中山德华芯片技术有限公司 一种具有反射层的双面生长四结太阳能电池及其制备方法
CN106129211A (zh) * 2016-08-24 2016-11-16 南昌凯迅光电有限公司 具有嵌入式透明扩展电极结构的发光二极管及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
曹明德, 范广涵, 廖常俊, 刘鲁: "用于UHB-LED的AlGaAs/AlAs DBR光学性质的研究", 华南师范大学学报(自然科学版), no. 01 *

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108198891A (zh) * 2018-01-03 2018-06-22 厦门乾照光电股份有限公司 太阳能电池及其制作方法
CN108198891B (zh) * 2018-01-03 2019-05-10 厦门乾照光电股份有限公司 太阳能电池及其制作方法
CN108172638B (zh) * 2018-02-11 2024-06-21 扬州乾照光电有限公司 一种三结太阳电池
CN108172638A (zh) * 2018-02-11 2018-06-15 扬州乾照光电有限公司 一种三结太阳电池
CN112514084A (zh) * 2018-03-12 2021-03-16 阿雷光子学公司 用于光伏电池和其他光吸收装置的啁啾分布式布拉格反射器
WO2019175651A1 (en) * 2018-03-16 2019-09-19 Xiamen Changelight Co. Ltd. GaAs THREE-JUNCTION SOLAR CELL AND METHOD OF PREPARING THEREOF
CN109148634A (zh) * 2018-08-23 2019-01-04 南昌凯迅光电有限公司 一种倒置三结砷化镓太阳电池及其制作方法
CN112615255A (zh) * 2019-10-04 2021-04-06 全新光电科技股份有限公司 具有穿隧接面层的垂直腔面激光发射器(vcsel)
CN112615255B (zh) * 2019-10-04 2022-03-25 全新光电科技股份有限公司 具有穿隧接面层的垂直腔面激光发射器(vcsel)
TWI838629B (zh) * 2019-10-04 2024-04-11 全新光電科技股份有限公司 具有穿隧接面層的垂直共振腔表面放射雷射二極體(vcsel)
US20210104872A1 (en) * 2019-10-04 2021-04-08 Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd. Vertical cavity surface emitting laser diode (vcsel) with tunnel junction
CN114361942A (zh) * 2021-03-31 2022-04-15 兆劲科技股份有限公司 一种垂直共振腔面射激光元件
CN113644147A (zh) * 2021-06-25 2021-11-12 北京空间飞行器总体设计部 一种与火星光谱匹配的三结砷化镓太阳电池
CN115863466A (zh) * 2023-03-02 2023-03-28 南昌凯迅光电股份有限公司 一种砷化镓太阳电池芯片及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107527967B (zh) 2023-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107527967A (zh) 一种具有抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池及其制造方法
CN101388419B (zh) 具有反射层的三结太阳电池及其制造方法
CN105762208B (zh) 一种正向失配四结级联砷化镓太阳电池及其制备方法
CN104300015B (zh) AlGaAs/GaInAs/Ge连续光谱太阳能电池
CN104465843A (zh) 一种双面生长的GaAs四结太阳电池
CN101241945A (zh) 硅基高效多结太阳电池及其制备方法
CN207320146U (zh) 一种具有抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池
CN106252451A (zh) 一种五结叠层太阳电池及其制备方法
CN105355670A (zh) 一种含dbr结构的五结太阳能电池
CN109326674B (zh) 含多个双异质结子电池的五结太阳能电池及其制备方法
CN103219414B (zh) GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法
CN105576068B (zh) 一种双面生长的InP五结太阳电池
CN103258872A (zh) 高效三结太阳能电池及其制作方法
CN109148634A (zh) 一种倒置三结砷化镓太阳电池及其制作方法
CN206282866U (zh) 一种五结叠层太阳电池
CN102738292B (zh) 多结叠层电池及其制备方法
CN103000740A (zh) GaAs/GaInP双结太阳能电池及其制作方法
CN204315612U (zh) 一种含量子结构的双面生长四结太阳电池
CN104465809B (zh) 一种双面生长的硅基四结太阳电池
CN110931593A (zh) 一种晶格匹配的硅基无砷化合物四结太阳电池
CN105810760A (zh) 一种晶格匹配的五结太阳能电池及其制作方法
CN206584943U (zh) 一种正向生长的匹配四结太阳能电池
CN206282867U (zh) 一种正向失配四结太阳能电池
CN201311936Y (zh) 具有反射层的三结太阳电池
CN205194710U (zh) 一种具有反射层的四结太阳能电池

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: No.199, huangtang West Street, Airport Economic Zone, Nanchang City, Jiangxi Province, 330000

Applicant after: Nanchang Kaixun photoelectric Co.,Ltd.

Address before: 330038 3-1-1102, Central West District, liantai Xiangyu, No. 999, Yiyuan Road, Honggutan new area, Nanchang City, Jiangxi Province

Applicant before: NANCHANG KAIXUN PHOTOELECTRIC Co.,Ltd.

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant