CN107479283A - 一种阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种阵列基板、显示面板及显示装置,其第一非显示区域包括:衬底基板,设置在衬底基板上的多条触控扇出走线、第一绑定引脚以及连接在各触控扇出走线与第一绑定引脚之间的多条触控连接线;触控扇出走线与触控连接线设置于不同膜层且通过过孔一一对应连接;触控扇出走线与对应连接的触控连接线在衬底基板的正投影存在交叠区域;各触控静电保护电路与各触控连接线对应连接,且触控静电保护电路在衬底基板的正投影与交叠区域部分重叠。将触控静电保护电路设置在触控扇出走线与触控连接线的交叠区域,使得触控静电保护电路不额外占用其它的布线空间,节省原本触控静电保护电路所需要占用的空间,从而缩小非显示区域所在的边框以实现窄边框。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤指一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的飞速发展,显示器除了传统的信息展示等作用外,在外形上的要求也在逐步提升,例如,目前全面屏的手机备受消费者青睐,缩小边框区域以及异形设计以实现更大屏占比已是市场未来的发展趋势。为了满足用户对显示器外观的需求,可以对显示屏进行异形设计,例如C/R cut,即显示屏做直线倒角或弧形倒角,异形设计既可以使显示屏具有更好的机构强度,也可以增强显示屏的可靠性,以及获得更好的外观效果。
一般情况下,在异形显示屏的上边框位置通常设置有开关电路、数据信号线以及触控信号线的保护电路等。由于异形显示屏的边框区域具有像素错位排列的问题,导致上述电路在边框位置无法齐平设置,这就使得上边框的左右侧各需要增加50μm,因此现有技术很难压缩空间实现窄边框。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板、显示面板及显示装置,用以简化非显示区域的线路分布,压缩空间实现窄边框设计。
第一方面,本发明实施例提供一种阵列基板,包括:所述阵列基板分为显示区域以及围绕所述显示区域的非显示区域,所述非显示区域包括第一非显示区域;其中,
第一非显示区域包括:衬底基板,设置在所述衬底基板上的多条触控扇出走线、第一绑定引脚以及连接在各所述触控扇出走线与所述第一绑定引脚之间的多条触控连接线;其中,
所述触控扇出走线与所述触控连接线设置于不同膜层且通过过孔一一对应连接;所述触控扇出走线与对应连接的所述触控连接线在所述衬底基板的正投影存在交叠区域;
所述第一非显示区域还包括:多个触控静电保护电路,各所述触控静电保护电路与各所述触控连接线对应连接,且所述触控静电保护电路在所述衬底基板的正投影与所述交叠区域部分重叠。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述触控静电保护电路与各所述触控连接线一一对应连接。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述触控静电保护电路平行于所述触控连接线的长度小于所述交叠区域平行于所述触控连接线的长度。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述第一非显示区域还包括多条数据信号线;
任一所述数据信号线包括数据扇出走线以及连接所述数据扇出走线的数据连接线;
所述数据扇出走线与所述触控连接线同层设置;
所述触控扇出走线与所述数据连接线同层设置。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,相邻两条所述触控连接线之间至少设置一条所述数据信号线;
各所述触控静电保护电路位于各所述触控连接线两侧相邻的两条所述数据信号线之间。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述触控静电保护电路与所述数据信号线在所述衬底基板的正投影互不重叠。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述触控静电保护电路与所述数据信号线在所述衬底基板的正投影存在重叠区域。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述触控静电保护电路包括:至少一个晶体管组,各所述晶体管组均包括类型不同的第一晶体管和第二晶体管,其中,
所述第一晶体管的栅极与源极连接,所述第一晶体管的漏极与对应的所述触控连接线连接;
所述第二晶体管的栅极与源极连接,所述第二晶体管的漏极与对应的所述触控连接线连接。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述第一非显示区域还包括:与所述触控连接线同层设置的高电平信号线和低电平信号线;所述高电平信号线及所述低电平信号线在所述衬底基板的正投影均与所述数据扇出走线、所述触控连接线在所述衬底基板的正投影互不重叠;
所述第一晶体管为P型晶体管,所述第二晶体管为N型晶体管;所述第一晶体管的源极连接所述高电平信号线,所述第二晶体管的源极连接所述低电平信号线。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述静电保护电路包括:至少一个晶体管组,各所述晶体管组均包括相同类型的第一晶体管和第二晶体管;其中,
所述第一晶体管的栅极与对应的所述触控连接线连接,所述第一晶体管的源极与所述第一晶体管的栅极连接;
所述第二晶体管的漏极与对应的所述触控连接线连接,所述第二晶体管的源极与所述第二晶体管的栅极连接。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述第一非显示区域还包括:与所述触控连接线同层设置的高电平信号线和低电平信号线;所述高电平信号线及所述低电平信号线在所述衬底基板的正投影均与所述数据扇出走线、所述触控连接线在所述衬底基板的正投影互不重叠;
所述第一晶体管和所述第二晶体管为N型晶体管;所述第一晶体管的漏极与所述高电平信号线连接,所述第二晶体管的源极与所述低电平信号线连接;或,
所述第一晶体管和所述第二晶体管为P型晶体管;所述第一晶体管的漏极与所述低电平信号线连接,所述第二晶体管的源极与所述高电平信号线连接。
第二方面,本发明实施例提供一种显示面板,包括上述任一阵列基板。
第三方面,本发明实施例提供一种显示装置,包括上述显示面板。
本发明有益效果如下:
本发明实施例提供的阵列基板、显示面板及显示装置,阵列基板分为显示区域以及围绕显示区域的非显示区域,非显示区域包括第一非显示区域;其中,第一非显示区域包括:衬底基板,设置在衬底基板上的多条触控扇出走线、第一绑定引脚以及连接在各触控扇出走线与第一绑定引脚之间的多条触控连接线;其中,触控扇出走线与触控连接线设置于不同膜层且通过过孔一一对应连接;触控扇出走线与对应连接的触控连接线在衬底基板的正投影存在交叠区域;第一非显示区域还包括:多个触控静电保护电路,各触控静电保护电路与各触控连接线对应连接,且触控静电保护电路在衬底基板的正投影与交叠区域部分重叠。将触控静电保护电路设置在触控扇出走线与触控连接线的交叠区域,使得触控静电保护电路不额外占用其它的布线空间,节省原本触控静电保护电路所需要占用的非显示区域的空间,从而缩小非显示区域所在的边框,实现窄边框设计。
附图说明
图1为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的第一非显示区域的结构示意图之一;
图3为本发明实施例提供的第一非显示区域的结构示意图之二;
图4为本发明实施例提供的触控静电保护电路的结构示意图之一;
图5为本发明实施例提供的触控静电保护电路的结构示意图之二;
图6为图5所示的触控静电保护电路的等效电路图;
图7a为本发明实施例提供的触控静电保护电路的结构示意图之三;
图7b为图7a所示的触控静电保护电路的等效电路图;
图8a为本发明实施例提供的触控静电保护电路的结构示意图之三;
图8b为图8a所示的触控静电保护电路的等效电路图;
图9为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供一种阵列基板、显示面板及显示装置,用以简化非显示区域的线路分布,压缩空间实现窄边框设计。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂,下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施方式;相反,提供这些实施方式使得本发明更全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略对它们的重复描述。本发明中所描述的表达位置与方向的词,均是以附图为例进行的说明,但根据需要也可以做出改变,所做改变均包含在本发明保护范围内。本发明的附图仅用于示意相对位置关系,某些部位的层厚采用了夸示的绘图方式以便于理解,附图中的层厚并不代表实际层厚的比例关系。
需要说明的是,在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式的限制。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的一个部件位于另一部件的“一侧”包含该部件和该另一部件相邻或者不相邻的情形。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式,然所述描述乃以说明本申请的一般原则为目的,并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。本申请附图中各部件的厚度和形状不反映显示装置的真实比例,目的只是示意说明本发明内容。
下面结合附图,对本发明实施例提供的阵列基板、显示面板及显示装置进行具体说明。其中,附图中各部件的厚度和形状不反映显示装置的真实比例,目的只是示意说明本发明内容。
如图1所示,本发明实施例提供的阵列基板分为显示区域100以及围绕显示区域100的非显示区域200,非显示区域200包括第一非显示区域21。
具体地,如图2所示,图2为第一非显示区域21的结构示意图。第一非显示区域21包括:衬底基板211,设置在衬底基板211上的多条触控扇出走线212、第一绑定引脚213以及连接在各触控扇出走线212与第一绑定引脚213之间的多条触控连接线214;其中:触控扇出走线212与触控连接线214设置于不同膜层且通过过孔215一一对应连接;触控扇出走线212与对应连接的触控连接线214在衬底基板的正投影存在交叠区域P。
如图2所示,第一非显示区域21还包括:多个触控静电保护电路216,各触控静电保护电路216与各触控连接线214对应连接,且触控静电保护电路214在衬底基板的正投影与交叠区域P部分重叠。
在具体实施时,上述的第一非显示区域21可为包括绑定(bonding)区域的非显示区域,该第一非显示区域21内具有驱动芯片,上述的第一绑定引脚213可为驱动芯片的绑定引脚,用于将各触控信号线(包括上述触控扇出走线212和触控连接线214)连接到驱动芯片以进行触控信号的控制,各触控信号线的另一端连接至显示区域内的各触控电极。进一步地,各触控扇出走线212的伸延方向各不相同,因此并不能直接连接到第一绑定引脚213上,因此需要将各触控扇出走线212分别通过一根触控连接线214连接至对应的各第一绑定引脚213。而由于触控扇出走线的数量众多,因此,触控连接线214的长度需要至少大于一既定的最小值才能保证所有触控扇出走线212均通过触控连接线214连接至第一绑定引脚213,这就使得触控扇出走线212与触控连接线214的重叠区域具有一定的长度,在这一重叠区域的空间内可设置连接触控连接线214的触控静电保护电路,从而不再需要为触控静电保护电路额外预留布线的空间,节省了原本设置触控静电保护电路的那一部分空间,使得第一非显示区域所在的边框缩小,有利于实现窄边框设计。
在本发明实施例提供的上述阵列基板中,如图2所示,触控静电保护电路216与上述的交叠区域P部分重叠,有利于将触控静电保护电路连接至触控连接线,而不再需要为触控静电保护电路与触控连接线之间设置多于的连接线,在实际应用中,可以直接通过过孔实现相互连接。
进一步地,在本发明实施例提供的相这阵列基板中,如图2所示,触控静电保护电路216与各触控连接线214一一对应连接。为每一条触控连接线214均设置一个触控静电保护电路216,可以保护每条用于传输触控信号的信号线均具有静电保护的能力,全面保护阵列基板的触控信号线不会因为传输的电信号过大或过小而产生异常。
在具体实施时,在本发明实施例提供的是述阵列基板中,如图2所示,触控静电保护电路216平行于触控连接线214的长度L1小于触控扇出走线212与触控连接线214产生的交叠区域P平行于触控连接线214的长度L2。由此,可以保证各触控静电保护电路216均设置在上述的交叠区域P中,而不占用其它的空间,也可以保护各触控静电保护电路216可以有效地与各触控连接线214连接,例如,触控静电保护电路216可以通过过孔与触控连接线214连接。
进一步地,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,如图3所示,第一非显示区域21还包括多条数据信号线210;任一数据信号线210包括数据扇出走线217以及连接数据扇出走线217的数据连接线218。
其中,数据扇出走线217与触控连接线214同层设置;触控扇出走线212与数据连接线218同层设置。
在具体实施时,信号线通过采用金属材料来制作,为了节省布线空间,可将各信号线的扇出走线和连接线设置于不同金属层,金属层之间具有绝缘层。采用上述信号线的叠层设置,可以有效节省布线空间。而当位于不同层的信号线可通过过孔相互连接。例如,在本发明实施例中,触控扇出走线212与触控连接线214位于不同层,且触控扇出走线212位于触控连接线214的上层;数据扇出走线217与数据连接线218同样位于不同层,且数据扇出走线217与触控连接线214位于同层,数据连接线218与触控扇出走线212位于同层,即数据连接线218位于数据扇出走线217的上层。数据扇出走线217与数据连接线218同样通过过孔219相互连接。
此外,采用信号线的扇出走线和连接线不同层设置的结构,还可以避免一些信号线之间的交叠,从而避免信号串扰。如图3所示,第一非显示区域内可以包括用于传输高电平信号源信号的高电平信号线,以及用于传输低电平信号源信号的低电平信号线,这两条信号线的延伸方向与触控连接线214与数据连接线218的延伸方向不一致,那么如果各信号线均采用同层设置的结构,不可避免地将导致高电平信号线及低电平信号线与触控信号线、数据信号线之间存在交叉区域,信号将不能有效传输。而在本发明例中,将触控信号线折触控扇出走线212与触控连接线214设置于不同层,针数据信号线的数据扇出走线217与数据连接线218设置于不同层,可以在各扇出走线(或连接线)将要遇到高电平信号线以及低电平信号线时断开,而通过与高电平信号线及低电平信号线位于不同层的连接线(或扇出走线)的连接来避免与高电平信号线及低电平信号线的接触。
具体地,在本发明实施例中,如图3所示,相邻两条触控连接线214之间至少设置一条数据信号线210;各触控静电保护电路216位于各触控连接线214两侧相邻的两条数据信号线210之间。在实际制作过程中,数据连接线218所在的金属层的金属线之间的间距通常可为85.5μm左右,而触控静电保护电路垂直于数据连接线218方向上的宽度可以灵活设置,当触控静电保护电路的面积越大时,其静电保护能力越强;而由于设置位置处的空间有限,为了使每条触控连接线214均设置一个触控静电保护电路,且各触控静电保护电路之间不会相互交叠,可采用以下两种实施方式设置触控静电保护电路。
在一种可实施的方式中,如图4所示,触控静电保护电路216与数据信号线(在该部分具体为数据连接线218)在衬底基板的正投影互不重叠。在实际制作过程中,可尽量压缩触控静电保护电路216的面积,使得触控静电保护电路216与数据信号线两者的正提高不存在交叠区域,从而可以避免两者交叠区域产生的寄生电容。
在另一种可实施的方式中,如图5所示,触控静电保护电路216与数据信号线(在该部分具体为数据连接线218)在衬底基板的正投影存在重叠区域。在实际制作过程中,为了最大限度地提高触控静电保护电路216的防静电能力,可尽可能大的增大触控静电保护电路的面积。此外,还要保证每条触控连接线214均连接一个触控静电保护电路216,触控静电保护电路216可与数据信号线两都存在重叠区域,且最大限度地,触控静电保护电路216平行于数据连接线218方向的边缘可与数据连接线218的外侧边缘齐平(参见图5)。
以下对触控静电保护电路的具体结构进行详细说明。
在一种可实施的方式中,如图4和图5所示,触控静电保护电路216包括:至少一个晶体管组2161,如图4所示,各晶体管组2161均包括类型不同的第一晶体管T1和第二晶体管T2。
其中,第一晶体管T1的栅极G1与源极S1连接,第一晶体管T1的漏极D1与对应的触控连接线连接214;第二晶体管T2的栅极G2与源极S2连接,第二晶体管T2的漏极D2与对应的触控连接线214连接。在实际应用中,上述第一晶体管T1和第二晶体管T2的源极和漏极可以互相调换。
在具体实施时,如图4和图5所示,第一非显示区域还包括:与触控连接线214同层设置的高电平信号线VGH和低电平信号线VGL;高电平信号线VGH及低电平信号线VGL在衬底基板的正投影均与数据扇出走线212、触控连接线214在衬底基板的正投影互不重叠。
高电平信号线VGH和低电平信号线VGL与触控连接线214同层设置,也与数据扇出走线217同层设置。如图4和图5所示,高电平信号线VGH和低电平信号线VGL与数据扇出走线217以及触控连接线214的延伸方向不同,将数据扇出走线217以及触控连接线214在靠近高电平信号线VGH和低电平信号线VGL的区域做截止,而采用位于不同层(例如,位于上一金属层)的数据连接线218通过过孔连接数据扇出走线217,采用触控扇出走线212通过过孔连接触控连接线214,从而使得数据扇出走线217、触控连接线214均不会与高电平信号线VGH和低电平信号线VGL存在交叠区域,避免不同信号线之间的相互交叉造成的信号非正常传输。
在具体实施过程中,第一晶体管T1和第二晶体管T2都相当于一个二极管。当触控连接线214的电压在正常范围内,即大于低电平信号线VGL的电压,小于高电平信号线VGH的电压时,第一晶体管T1和第二晶体管T2都不导通,静电保护电路不工作,也不会影响触控连接线214中的电压。当出现正电荷的静电,触控连接线214中的电压高于高电平信号线VGH的电压时,第一晶体管T1正向导通,因而可以将触控连接线214中的静电导走,使触控连接线214中的电压维持在高电位;当出现负电荷的静电,触控连接线214中的电压低于低电平信号线VGL的电压时,第二晶体管T2正向导通,因而可以将触控连接线214中的静电导走,使触控连接线214中的电压维持在低电位,从而对信号线17起到静电保护的作用。
进一步地,在本实施例中,上述第一晶体管T1可为P型晶体管,第二晶体管T2可为N型晶体管;其中,第一晶体管T1的源极S1连接高电平信号线VGH,第二晶体管T2的源极S2连接低电平信号线VGL。
图4和图5所示的晶体管组2161的等效电路如图6所示。P型晶体管开启的条件为:栅极电压Vg与源极电压Vs(或漏极电压Vd)的差值小于阈值电压Vth。N型晶体管开启的条件为:栅极电压Vg与源极电压Vs(或漏极电压Vd)的差值大于阈值电压Vth。具体地,当触控连接线214中的电压大于VGH时,由于第一晶体管T1的栅极G2与高电平信号线VGH导通,第一晶体管T1的漏极D2与触控连接线214导通,第一晶体管T1的栅极电压Vg(高电平信号线VGH的电压)小于漏极电压Vd,因而使第一晶体管T1的源极S1和漏极D1导通,触控连接线214中的高电压被导走,触控连接线214中的电压维持在VGH;当当信号线17中的电压小于VGL时,由于第二晶体管T2的栅极G2与低电平信号线VGL导通,第二晶体管T2的漏极D2与触控连接线214导通,第二晶体管T2的栅极电压Vg(低电平信号线VGL的电压)大于漏极电压Vd,因而使第二晶体管T2的源极S2和漏极D2导通,触控连接线214中的低电压被导走,触控连接线214中的电压维持在VGL。
在另一种可实施的方式中,如图7a和图8a所示,静电保护电路216包括:至少一个晶体管组2161,各晶体管组2161均包括相同类型的第一晶体管T1和第二晶体管T2。
其中,第一晶体管T1的栅极G1与对应的触控连接线214连接,第一晶体管T1的源极S1与第一晶体管T1的栅极G1连接;第二晶体管T2的漏极D2与对应的触控连接线214连接,第二晶体管T2的源极S2与第二晶体管T2的栅极G2连接。在实际应用中,上述第一晶体管T1和第二晶体管T2的源极和漏极可以互相调换。
在具体实施时,如图7a和图8a所示,第一非显示区域还包括:与触控连接线214同层设置的高电平信号线VGH和低电平信号线VGL;高电平信号线VGH及低电平信号线VGL在衬底基板的正投影均与数据扇出走线212、触控连接线214在衬底基板的正投影互不重叠。采用该结构可与上述实施例达到相同的技术效果,其作用参见上述实施例,此处不再赘述。
在具体实施时,第一晶体管T1和第二晶体管T2可均为N型晶体管,如图7a所示,第一晶体管T1的漏极D1与高电平信号线VGH连接,第二晶体管T2的源极S2与低电平信号线VGL连接。
或者,第一晶体管T1和第二晶体管T2可均为P型晶体管,如图8a所示,第一晶体管T1的漏极D1与低电平信号线VGL连接,第二晶体管T2的源极S2与高电平信号线VGH连接。
具体地,图7a所示的晶体管组2161的等效电路如图7b所示,当触控连接线214中的电压大于VGH时,由于第一晶体管T1的栅极G1与触控连接线214导通,第一晶体管的漏极D1与高电平信号线VGH导通,第一晶体管T1的栅极电压Vg大于漏极电压Vd(高电平信号线VGH的电压),因而使第一晶体管T1的源极S1和漏极D1导通,触控连接线214中的高电压被导走,电压维持在VGH;当触控连接线214中的电压小于VGL时,由于第二晶体管T2的栅极G2与低电平信号线VGL导通,第二晶体管T2的漏极D2与触控连接线214导通,第二晶体管T2的栅极电压Vg(低电平信号线VGL的电压)大于漏极电压Vd,因而使第二晶体管T2的源极S2和漏极D2导通,触控连接线214中的低电压被导走,电压维持在VGL;当触控连接线214中的电压在VGL~VGH之间时,第一晶体管T1和第二晶体管T2的栅极电压Vg均小于漏极电压Vd,即第一晶体管T1和第二晶体管T2都不能打开。
图7a所示的晶体管组2161的等效电路如图7b所示,当触控连接线214中的电压小于VGL时,由于第一晶体管T1的栅极G1与触控连接线214导通,第一晶体管的漏极D1与低电平信号线VGL导通,第一晶体管T1的栅极电压Vg小于漏极电压Vd(低电平信号线VGL的电压),因而使第一晶体管T1的源极S1和漏极D1导通,触控连接线214中的低电压被导走,电压维持在VGL;当触控连接线214中的电压大于VGH时,由于第二晶体管T2的栅极G2与高电平信号线VGH导通,第二晶体管T2的漏极D2与触控连接线214导通,第二晶体管T2的栅极电压Vg(高电平信号线VGH的电压)小于漏极电压Vd,因而使第二晶体管T2的源极S2和漏极D2导通,触控连接线214中的高电压被导走,电压维持在VGH;当触控连接线214中的电压在VGL~VGH之间时,第一晶体管T1和第二晶体管T2的栅极电压Vg均大于漏极电压Vd,即第一晶体管T1和第二晶体管T2都不能打开。
在实际制作过程中,上述各实施例中的第一晶体管和第二晶体管的栅极可以同层形成,有源层可以同层形成,源漏极可以同层形成,且在第一晶体管的源极(漏极)与第二晶体管的源极(漏极)均连接至触控连接线时,可以共用源极(漏极)。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供一种显示面板,包括上述任一阵列基板。本发明实施例提供的上述显示面板可为液晶显示面板,进一步可包括:位于阵列基板一侧的彩膜基板,以及位于阵列基板与彩膜基板之间的液晶层。其中,阵列基板可采用上述任一阵列基板的结构,在此不做限定。由于该实施例提供的显示面板包含了上述实施例中描述的阵列基板,因此,也相应地具有上述阵列基板的相关优势,该显示面板的实施可以参见上述阵列基板的实施例,重复之处不再赘述。
另一方面,本发明实施例还提供一种显示装置,包括上述的显示面板。该显示装置可为液晶显示器、液晶电视等显示装置,也可为手机、平板电脑、笔记本等移动设备。如图9所示,为本发明实施例提供的上述显示装置为手机时的俯视图,其中,显示屏可采用上述显示面板的结构,显示面板可包括上述任一阵列基板的结构,在此不做限定。
本发明实施例提供的阵列基板、显示面板及显示装置,阵列基板分为显示区域以及围绕显示区域的非显示区域,非显示区域包括第一非显示区域;其中,第一非显示区域包括:衬底基板,设置在衬底基板上的多条触控扇出走线、第一绑定引脚以及连接在各触控扇出走线与第一绑定引脚之间的多条触控连接线;其中,触控扇出走线与触控连接线设置于不同膜层且通过过孔一一对应连接;触控扇出走线与对应连接的触控连接线在衬底基板的正投影存在交叠区域;第一非显示区域还包括:多个触控静电保护电路,各触控静电保护电路与各触控连接线对应连接,且触控静电保护电路在衬底基板的正投影与交叠区域部分重叠。将触控静电保护电路设置在触控扇出走线与触控连接线的交叠区域,使得触控静电保护电路不额外占用其它的布线空间,节省原本触控静电保护电路所需要占用的非显示区域的空间,从而缩小非显示区域所在的边框,实现窄边框设计。
尽管已描述了本发明的优选实施例,但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念,则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以,所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (13)
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板分为显示区域以及围绕所述显示区域的非显示区域,所述非显示区域包括第一非显示区域;其中,
第一非显示区域包括:衬底基板,设置在所述衬底基板上的多条触控扇出走线、第一绑定引脚以及连接在各所述触控扇出走线与所述第一绑定引脚之间的多条触控连接线;其中,
所述触控扇出走线与所述触控连接线设置于不同膜层且通过过孔一一对应连接;所述触控扇出走线与对应连接的所述触控连接线在所述衬底基板的正投影存在交叠区域;
所述第一非显示区域还包括:多个触控静电保护电路,各所述触控静电保护电路与各所述触控连接线对应连接,且所述触控静电保护电路在所述衬底基板的正投影与所述交叠区域部分重叠。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述触控静电保护电路与各所述触控连接线一一对应连接。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述触控静电保护电路平行于所述触控连接线的长度小于所述交叠区域平行于所述触控连接线的长度。
4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一非显示区域还包括多条数据信号线;
任一所述数据信号线包括数据扇出走线以及连接所述数据扇出走线的数据连接线;
所述数据扇出走线与所述触控连接线同层设置;
所述触控扇出走线与所述数据连接线同层设置。
5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,相邻两条所述触控连接线之间至少设置一条所述数据信号线;
各所述触控静电保护电路位于各所述触控连接线两侧相邻的两条所述数据信号线之间。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述触控静电保护电路与所述数据信号线在所述衬底基板的正投影互不重叠。
7.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述触控静电保护电路与所述数据信号线在所述衬底基板的正投影存在重叠区域。
8.如权利要求1-7任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述触控静电保护电路包括:至少一个晶体管组,各所述晶体管组均包括类型不同的第一晶体管和第二晶体管,其中,
所述第一晶体管的栅极与源极连接,所述第一晶体管的漏极与对应的所述触控连接线连接;
所述第二晶体管的栅极与源极连接,所述第二晶体管的漏极与对应的所述触控连接线连接。
9.如权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述第一非显示区域还包括:与所述触控连接线同层设置的高电平信号线和低电平信号线;所述高电平信号线及所述低电平信号线在所述衬底基板的正投影均与所述数据扇出走线、所述触控连接线在所述衬底基板的正投影互不重叠;
所述第一晶体管为P型晶体管,所述第二晶体管为N型晶体管;所述第一晶体管的源极连接所述高电平信号线,所述第二晶体管的源极连接所述低电平信号线。
10.如权利要求1-7任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述静电保护电路包括:至少一个晶体管组,各所述晶体管组均包括相同类型的第一晶体管和第二晶体管;其中,
所述第一晶体管的栅极与对应的所述触控连接线连接,所述第一晶体管的源极与所述第一晶体管的栅极连接;
所述第二晶体管的漏极与对应的所述触控连接线连接,所述第二晶体管的源极与所述第二晶体管的栅极连接。
11.如权利要求10所述的阵列基板,其特征在于,所述第一非显示区域还包括:与所述触控连接线同层设置的高电平信号线和低电平信号线;所述高电平信号线及所述低电平信号线在所述衬底基板的正投影均与所述数据扇出走线、所述触控连接线在所述衬底基板的正投影互不重叠;
所述第一晶体管和所述第二晶体管为N型晶体管;所述第一晶体管的漏极与所述高电平信号线连接,所述第二晶体管的源极与所述低电平信号线连接;或,
所述第一晶体管和所述第二晶体管为P型晶体管;所述第一晶体管的漏极与所述低电平信号线连接,所述第二晶体管的源极与所述高电平信号线连接。
12.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-11任一项所述的阵列基板。
13.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求12所述的显示面板。
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