CN107423723B - 一种纹路识别器件、阵列基板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种纹路识别器件、阵列基板及显示装置，利用两个反射斜面构成光路选择器，可以将与纹路识别器件的表面呈一定角度的纹路光线反射至光敏结构中的光敏二极管，而光敏结构中与光敏二极管层叠设置的第一遮光电极和第二遮光电极均不透光，仅第一遮光电极设置有开口区域，因此纹路光线只能从开口区域照射至光敏二极管。这样，可实现在纹路距离光敏结构较远的情况下，保证纹路中谷和脊的反射光线在光敏结构中不会混光，从而高清晰度的识别出纹路，有利于纹路识别器件与显示器件集成。由于采用结构较简单的两个反射斜面构成光路选择器以实现对纹路光线的角度进行过滤的作用，无需在纹路识别器件中设置制程复杂的光准直器件或光纤，易于量产。

Description

一种纹路识别器件、阵列基板及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种纹路识别器件、阵列基板及显示装置。

背景技术

指纹是人体与生俱来独一无二并可与他人相区别的不变特征。它由指端皮肤表面上的一系列脊和谷组成。这些脊和谷的组成细节通常包括脊的分叉、脊的末端、拱形、帐篷式的拱形、左旋、右旋、螺旋或双旋等细节，决定了指纹图案的唯一性。由之发展起来的指纹识别技术是较早被用作为个人身份验证的技术，根据指纹采集、输入的方式不同，目前广泛应用并被熟知的有：光学成像、热敏传感器、人体远红外传感器等。其中，光学指纹成像一般是利用光敏二极管实现。

随着显示技术的飞速发展，具有指纹识别功能的显示面板已经逐渐遍及人们的生活中。目前，已出现将指纹识别集成于显示面板内部的结构，虽然有利于显示面板轻薄化，但是由于显示面板自身的模组厚度会增加指纹识别器件与显示面板表面的距离，致使指纹与光敏二极管之间存在较远的距离例如1mm左右，导致指纹中的谷和脊的反射光同时入射至同一光敏二极管，而出现混光问题，为辨别指纹纹路带来了干扰，难于获得高清晰度的指纹纹路。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种纹路识别器件、阵列基板及显示装置，用以解决现有的纹路识别器件获取到的纹路的谷和脊容易混光导致的难于清晰辨别纹路的问题。

因此，本发明实施例提供了一种纹路识别器件，包括：衬底基板和位于所述衬底基板上的多个纹路识别单元；各所述纹路识别单元包括：光敏结构，以及与所述光敏结构对应设置的光路选择器；其中，

所述光敏结构包括层叠设置的第一遮光电极、光敏二极管和第二遮光电极；所述第一遮光电极具有开口区域；

所述光路选择器包括：第一反射斜面，与所述第一反射斜面相对而置的第二反射斜面；

所述光路选择器，用于将与所述纹路识别器件的表面呈一定角度的纹路光线反射至所述开口区域。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，所述光路选择器设置于所述衬底基板与所述光敏结构之间；

所述第一反射斜面和所述第二反射斜面沿着垂直于所述衬底基板的对称轴呈对称分布；且从所述衬底基板指向所述光敏结构的方向，所述第一反射斜面和所述第二反射斜面之间的距离逐渐增大；

所述第一遮光电极、光敏二极管和第二遮光电极在所述衬底基板上依次层叠设置。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，所述光路选择器还包括：在靠近所述衬底基板一侧的连接所述第一反射斜面和所述第二反射斜面的第一吸光平面。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，所述光路选择器还包括：设置于所述第一遮光电极下表面的第二吸光平面。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，各所述纹路识别单元还包括：与所述光敏结构连接的开关晶体管，所述开关晶体管设置于所述衬底基板与所述光路选择器之间。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，所述光路选择器设置于所述光敏结构之上；

所述第一反射斜面和所述第二反射斜面相互平行；

所述第二遮光电极、光敏二极管和第一遮光电极在所述衬底基板上依次层叠设置。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，所述光路选择器还包括：设置于所述第一遮光电极上表面的第三吸光平面。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，所述光路选择器还包括：设置于所述第二反射斜面远离所述衬底基板一侧的第四吸光平面。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，各所述纹路识别单元还包括：与所述光敏结构连接的开关晶体管，所述开关晶体管设置于所述衬底基板与所述光敏结构之间。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，所述第一反射斜面和所述第二反射斜面分别与所述衬底基板之间的夹角均为θ度；

所述光路选择器用于将与所述纹路识别器件的表面呈2θ度的纹路光线反射至所述开口区域。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，所述第一反射斜面和所述第二反射斜面分别与所述衬底基板之间的夹角均为45度；

所述第一遮光电极的开口区域在所述衬底基板上的正投影与所述第二反射斜面在所述衬底基板上的正投影相互重合。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，所述第一遮光电极与所述开关晶体管的漏极电连接，所述第二遮光电极与加载固定电位的电极线电连接；或，

所述第一遮光电极与加载固定电位的电极线电连接，所述第二遮光电极与所述开关晶体管的漏极电连接。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，所述加载固定电位的电极线与所述开关晶体管的漏极同层设置。

另一方面，本发明实施例还提供了一种阵列基板，包括：设置于显示区域的多个显示单元，以及设置于显示区域的本发明实施例提供的上述纹路识别器件。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述显示单元包括：具有驱动晶体管的驱动电路和发光结构；所述发光结构中的阳极与所述驱动电路电连接，且所述阳极为反射电极；

所述纹路识别器件中的开关晶体管与所述驱动晶体管同层设置，所述纹路识别器件中的第一遮光电极或第二遮光电极与所述阳极同层设置。

另一方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括：本发明实施例提供的上述阵列基板。

本发明实施例的有益效果包括：

本发明实施例提供的一种纹路识别器件、阵列基板及显示装置，利用两个反射斜面构成光路选择器，可以将与纹路识别器件的表面呈一定角度的纹路光线反射至光敏结构中的光敏二极管，而光敏结构中与光敏二极管层叠设置的第一遮光电极和第二遮光电极均不透光，仅第一遮光电极设置有开口区域，因此纹路光线只能从开口区域照射至光敏二极管。这样，可以实现在纹路(例如手指的指纹)距离光敏结构较远的情况下(如1mm的距离时)，保证纹路中谷和脊的反射光线在光敏结构中不会混光，从而可以高清晰度的识别出纹路，以有利于纹路识别器件与显示器件集成。由于采用结构较简单的两个反射斜面构成光路选择器以实现对纹路光线的角度进行过滤的作用，无需在纹路识别器件中设置制程复杂的光准直器件或光纤，易于量产。

附图说明

图1为本发明实施例提供的纹路识别器件的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的纹路识别器件的另一种结构示意图；

图3a至图3c分别为图1所示的纹路识别器件中光路选择器的具体原理示意图；

图4a至图4c分别为图2所示的纹路识别器件中光路选择器的具体原理示意图；

图5为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明实施例提供的纹路识别器件、阵列基板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。

附图中各膜层的形状和大小不反纹路识别器件的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

本发明实施例提供的一种纹路识别器件，如图1和图2所示，包括：衬底基板100和位于衬底基板100上的多个纹路识别单元200；各纹路识别单元200包括：光敏结构210，以及与光敏结构210对应设置的光路选择器230；其中，

光敏结构210包括层叠设置的第一遮光电极211、光敏二极管212和第二遮光电极213；第一遮光电极211具有开口区域A；

光路选择器230包括：第一反射斜面231，与第一反射斜面231相对而置的第二反射斜面232；

光路选择器230，用于将与纹路识别器件的表面呈一定角度的纹路光线反射至开口区域A。

具体地，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，利用两个反射斜面构成光路选择器230，可以将与纹路识别器件的表面呈一定角度的纹路光线反射至光敏结构210中的光敏二极管212，而光敏结构210中与光敏二极管212层叠设置的第一遮光电极211和第二遮光电极213均不透光，仅第一遮光电极211设置有开口区域A，因此纹路光线只能从开口区域A照射至光敏二极管212，保证了仅与纹路识别器件的表面呈一定角度的纹路光线通过光路选择器230的反射可以以特定角度入射至该开口区域A。这样，可以实现在纹路(例如手指的指纹)距离光敏结构210较远的情况下(如1mm的距离时)，纹路中谷和脊的反射光线在光敏结构210中不会混光，从而可以高清晰度的识别出纹路。由于采用结构较简单的两个反射斜面构成光路选择器230以实现对纹路光线的角度进行过滤的作用，无需在纹路识别器件中设置制程复杂的光准直器件或光纤，易于量产。

具体地，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，为了保证光敏结构210中的第一遮光电极211和第二遮光电极213均不透光，在具体实施时，可以采用Mo或其他导电黑色材料制作遮光电极，并且，在具体实施时，第一遮光电极211和第二遮光电极213的面积可以稍大于光敏二极管212，以提高遮光性。具体地，光敏二极管212一般采用PIN实现其功能。并且，为了保证光路选择器230反射的光线可以入射至第一遮光电极211中设置的开口区域A，因此，需要根据光路选择器230的第二反射斜面232反射出的光线角度设置该开口区域A。值得注意的是，从纹路识别器件的表面入射至光路选择器230的第一反射斜面231的纹路光线的入射角度，和从光路选择器230的第二反射斜面232出射的纹路光线的出射角度之间存在一定的关系，两者可以相同，也可以不同，具体需要根据第一反射斜面231和第二反射斜面232的相对位置关系，以及两者的坡度角决定，在下面会做详细介绍。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，可以将光路选择器230设置于光敏结构210之上，将从纹路识别器件上方的特定角度的纹路光线反射至下方的光敏结构210中；或者，光路选择器230也可以设置于光敏结构210之下，将从纹路识别器件上方的特定角度的纹路光线反射至上方的光敏结构210中。并且，根据光路选择器230的膜层位置不同，其内部结构也不同。

具体地，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，如图1所示，光路选择器230可以设置于衬底基板100与光敏结构210之间；此时，由于光路选择器230需要将纹路识别器件上方的特定角度的纹路光线反射至上方的光敏结构210的开口区域A中，光路选择器230的具体结构可以为：第一反射斜面231和第二反射斜面232沿着垂直于衬底基板100的对称轴呈对称分布，即第一反射斜面231和第二反射斜面232具有相同的坡度角，但两者的坡度相对设置，且从衬底基板100指向光敏结构210的方向，第一反射斜面231和第二反射斜面232之间的距离逐渐增大；对应地，在光敏结构210中：第一遮光电极211、光敏二极管212和第二遮光电极213在衬底基板100上依次层叠设置，即开口区域A在光敏结构210的下方。

值得注意的是，上述光路选择器230的具体结构仅是举例说明，在实际应用时，当光路选择器230设置于衬底基板100与光敏结构210之间时，也可以将第一反射斜面231和第二反射斜面232设置为具有不同的坡度角，且从衬底基板100指向光敏结构210的方向，第一反射斜面231和第二反射斜面232之间的距离逐渐增大，在此不做限定。

进一步地，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，当光路选择器230设置于衬底基板100与光敏结构210之间时，为了便于将除了与纹路识别器件的表面呈一定角度之外的纹路光线排除在开口区域A之外，可以将这些不需要的干扰光线进行吸收，具体地，如图1所示，光路选择器230还可以包括：在靠近衬底基板100一侧的连接第一反射斜面231和第二反射斜面232的第一吸光平面233，该第一吸光平面233可以吸收第一反射斜面231反射的非所需角度的纹路光线。

同理，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，当光路选择器230设置于衬底基板100与光敏结构210之间时，为了便于将除了与纹路识别器件的表面呈一定角度之外的纹路光线排除在开口区域A之外，可以将这些不需要的干扰光线进行吸收，具体地，如图1所示，光路选择器230还可以包括：设置于第一遮光电极211下表面的第二吸光平面234，该第二吸光平面234可以吸收第二反射斜面232反射的非所需角度的纹路光线。并且，在具体实施时，第二吸光平面234的设置位置可以为第一遮光电极211的全部下表面，也可以为第一遮光电极211与第一吸光平面233正对的下表面，在此不做限定。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，当光路选择器230设置于衬底基板100与光敏结构210之间时，如图3a至图3c所示，第一反射斜面231和第二反射斜面232分别与衬底基板100之间的夹角可以均为θ度，即坡度角均为θ度。此时，光路选择器230用于将与纹路识别器件的表面呈2θ度的纹路光线反射至开口区域A。

基于此，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，可以根据第一反射斜面231和第二反射斜面232的坡度角θ度，具体设置在第一遮光电极211的开口区域A的具***置。

例如，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，如图3a所示，当第一反射斜面231和第二反射斜面232分别与衬底基板100之间的夹角θ均为45度，即坡度角均为45度时，光路选择器230用于将与纹路识别器件的表面垂直的纹路光线反射至开口区域A。此时，为了保证从第二反射斜面232反射的垂直光线全部入射至第一遮光电极211的开口区域A，需要第一遮光电极211的开口区域A在衬底基板100上的正投影与第二反射斜面232在衬底基板100上的正投影相互重合，即两者在垂直于衬底基板100的方向上相对而置。如图3a所示，光路选择器230可以将与纹路识别器件的表面垂直的纹路光线，即与第一反射斜面231的入射角度θ为45度的纹路光线反射至开口区域A，而与第一反射斜面231的入射角度大于45度或小于45度的纹路光线会被第一反射斜面231或第二反射斜面232反射至第一吸光平面233或第二吸光平面234而被吸收。

又如，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，如图3b所示，当第一反射斜面231和第二反射斜面232分别与衬底基板100之间的夹角θ均大于45度，即坡度角均大于45度时，光路选择器230用于将与纹路识别器件的表面呈2θ度的纹路光线反射至开口区域A。此时，为了保证从第二反射斜面232反射的垂直光线全部入射至第一遮光电极211的开口区域A，需要第一遮光电极211的开口区域A在衬底基板100上的正投影相对于第二反射斜面232在衬底基板100上的正投影往左侧移动，具体移动的距离根据第二反射斜面232和第一遮光电极211之间的相对距离和θ角度确定。如图3b所示，光路选择器230可以将与纹路识别器件的表面呈2θ度的纹路光线，即与第一反射斜面231的入射角度为θ度的纹路光线反射至开口区域A，而与第一反射斜面231的入射角度大于θ度或小于θ度的纹路光线会被第一反射斜面231或第二反射斜面232反射至第一吸光平面233或第二吸光平面234而被吸收。

又如，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，如图3c所示，当第一反射斜面231和第二反射斜面232分别与衬底基板100之间的夹角θ均小于45度，即坡度角均小于45度时，光路选择器230用于将与纹路识别器件的表面呈2θ度的纹路光线反射至开口区域A。此时，为了保证从第二反射斜面232反射的垂直光线全部入射至第一遮光电极211的开口区域A，需要第一遮光电极211的开口区域A在衬底基板100上的正投影相对于第二反射斜面232在衬底基板100上的正投影往右侧移动，具体移动的距离根据第二反射斜面232和第一遮光电极211之间的相对距离和θ角度确定。如图3c所示，光路选择器230可以将与纹路识别器件的表面呈2θ度的纹路光线，即与第一反射斜面231的入射角度为θ度的纹路光线反射至开口区域A，而与第一反射斜面231的入射角度大于θ度或小于θ度的纹路光线会被第一反射斜面231或第二反射斜面232反射至第一吸光平面233或第二吸光平面234而被吸收。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，当光路选择器230设置于衬底基板100与光敏结构210之间时，如图1所示，纹路识别单元200还可以包括：与光敏结构210连接的开关晶体管220，开关晶体管220可以设置于衬底基板100与光路选择器230之间。当然，开关晶体管220也可以设置于其他膜层位置，在此不做限定。

并且，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，如图1所示，第一遮光电极211可以与开关晶体管220的漏极电连接，对应地，第二遮光电极213与加载固定电位的电极线VD电连接；或，第一遮光电极211可以与加载固定电位的电极线VD电连接，对应地，第二遮光电极213与开关晶体管220的漏极电连接，在此不做限定。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，如图1所示，加载固定电位的电极线VD可以与开关晶体管220的漏极同层设置，以简化膜层复杂度。当然，加载固定电位的电极线VD也可以与开关晶体管220的栅极同层设置或是设置于单独的导电膜层，在此不做限定。

具体地，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，如图2所示，光路选择器230也可以设置于光敏结构210之上；此时，由于光路选择器230需要将纹路识别器件上方的特定角度的纹路光线反射至下方的光敏结构210的开口区域A中，光路选择器230的具体结构可以为：第一反射斜面231和第二反射斜面232相互平行；对应地，在光敏结构210中：第二遮光电极213、光敏二极管212和第一遮光电极211在衬底基板100上依次层叠设置，即开口区域A在光敏结构210的上方。

值得注意的是，上述光路选择器230的具体结构仅是举例说明，在实际应用时，当光路选择器230设置于光敏结构210之上时，也可以将第一反射斜面231和第二反射斜面232设置为具有不同的坡度角，且第一反射斜面231和第二反射斜面232的坡度角倾斜方向一致，在此不做限定。

进一步地，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，当光路选择器230设置于光敏结构210之上时，为了便于将除了与纹路识别器件的表面呈一定角度之外的纹路光线排除在开口区域A之外，可以将这些不需要的干扰光线进行吸收，具体地，如图2所示，光路选择器230还可以包括：设置于第一遮光电极211上表面的第三吸光平面235，该第三吸光平面235可以吸收第二反射斜面232反射的非所需角度的纹路光线。并且，在具体实施时，第三吸光平面235的设置位置可以为第一遮光电极211的全部上表面，也可以为第一遮光电极211与第一反射斜面231和第二反射斜面232之间间距正对的上表面，在此不做限定。

同理，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，当光路选择器230设置于光敏结构210之上时，为了便于将除了与纹路识别器件的表面呈一定角度之外的纹路光线排除在开口区域A之外，可以将这些不需要的干扰光线进行吸收，具体地，如图2所示，光路选择器230还可以包括：设置于第二反射斜面232远离衬底基板100一侧的第四吸光平面236，该第四吸光平面236可以吸收第一反射斜面231反射的非所需角度的纹路光线，并且，第四吸光平面236所在位置不应遮挡从纹路识别器件的表面到第一反射斜面231的入射光路径。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，当光路选择器230设置于光敏结构210之上时，如图4a至图4c所示，第一反射斜面231和第二反射斜面232分别与衬底基板100之间的夹角可以均为θ度，即坡度角均为θ度。此时，光路选择器230用于将与纹路识别器件的表面呈2θ度的纹路光线反射至开口区域A。

基于此，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，可以根据第一反射斜面231和第二反射斜面232的坡度角θ度，具体设置在第一遮光电极211的开口区域A的具***置。

例如，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，如图4a所示，当第一反射斜面231和第二反射斜面232分别与衬底基板100之间的夹角θ均为45度，即坡度角均为45度时，光路选择器230用于将与纹路识别器件的表面垂直的纹路光线反射至开口区域A。此时，为了保证从第二反射斜面232反射的垂直光线全部入射至第一遮光电极211的开口区域A，需要第一遮光电极211的开口区域A在衬底基板100上的正投影与第二反射斜面232在衬底基板100上的正投影相互重合，即两者在垂直于衬底基板100的方向上相对而置。如图4a所示，光路选择器230可以将与纹路识别器件的表面垂直的纹路光线，即与第一反射斜面231的入射角度θ为45度的纹路光线反射至开口区域A，而与第一反射斜面231的入射角度大于45度或小于45度的纹路光线会被第一反射斜面231或第二反射斜面232反射至第一吸光平面233或第二吸光平面234而被吸收。

又如，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，如图4b所示，当第一反射斜面231和第二反射斜面232分别与衬底基板100之间的夹角θ均大于45度，即坡度角均大于45度时，光路选择器230用于将与纹路识别器件的表面呈2θ度的纹路光线反射至开口区域A。此时，为了保证从第二反射斜面232反射的垂直光线全部入射至第一遮光电极211的开口区域A，需要第一遮光电极211的开口区域A在衬底基板100上的正投影相对于第二反射斜面232在衬底基板100上的正投影往左侧移动，具体移动的距离根据第二反射斜面232和第一遮光电极211之间的相对距离和θ角度确定。如图4b所示，光路选择器230可以将与纹路识别器件的表面呈2θ度的纹路光线，即与第一反射斜面231的入射角度为θ度的纹路光线反射至开口区域A，而与第一反射斜面231的入射角度大于θ度或小于θ度的纹路光线会被第一反射斜面231或第二反射斜面232反射至第一吸光平面233或第二吸光平面234而被吸收。

又如，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，如图4c所示，当第一反射斜面231和第二反射斜面232分别与衬底基板100之间的夹角θ均小于45度，即坡度角均小于45度时，光路选择器230用于将与纹路识别器件的表面呈2θ度的纹路光线反射至开口区域A。此时，为了保证从第二反射斜面232反射的垂直光线全部入射至第一遮光电极211的开口区域A，需要第一遮光电极211的开口区域A在衬底基板100上的正投影相对于第二反射斜面232在衬底基板100上的正投影往右侧移动，具体移动的距离根据第二反射斜面232和第一遮光电极211之间的相对距离和θ角度确定。如图4c所示，光路选择器230可以将与纹路识别器件的表面呈2θ度的纹路光线，即与第一反射斜面231的入射角度为θ度的纹路光线反射至开口区域A，而与第一反射斜面231的入射角度大于θ度或小于θ度的纹路光线会被第一反射斜面231或第二反射斜面232反射至第一吸光平面233或第二吸光平面234而被吸收。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，当光路选择器230设置于光敏结构210之上时，如图2所示，纹路识别单元200还可以包括：与光敏结构210连接的开关晶体管220，开关晶体管220设置于衬底基板100可以与光敏结构210之间。当然，开关晶体管220也可以设置于其他膜层位置，在此不做限定。

并且，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，如图2所示，第一遮光电极211可以与开关晶体管220的漏极电连接，对应地，第二遮光电极213与加载固定电位的电极线VD电连接；或，第一遮光电极211可以与加载固定电位的电极线VD电连接，对应地，第二遮光电极213与开关晶体管220的漏极电连接，在此不做限定。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，如图2所示，加载固定电位的电极线VD可以与开关晶体管220的漏极同层设置，以简化膜层复杂度。当然，加载固定电位的电极线VD也可以与开关晶体管220的栅极同层设置或是设置于单独的导电膜层，在此不做限定。

具体地，在本发明实施例提供的上述纹路识别器件中，光路选择器230的第一吸光平面233、第二吸光平面234、第三吸光平面235和第四吸光平面236可以采用黑矩阵材料等黑色吸光材料制作；第一反射斜面231和第二反射斜面232可以采用金属制作，并且，第一反射斜面231和第二反射斜面232的坡度角可以通过刻蚀下方的绝缘层以形成所需的坡度角，之后在绝缘层的侧壁沉积金属层后续刻蚀后形成第一反射斜面231和第二反射斜面232。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种阵列基板，由于阵列基板解决问题的原理与前述一种纹路识别器件相似，因此该阵列基板的实施可以参见纹路识别器件的实施，重复之处不再赘述。

具体地，本发明实施例提供的一种阵列基板，如图5所示，包括：设置于显示区域B的多个显示单元300，以及设置于显示区域B的本发明实施例提供的上述纹路识别器件，图5中仅示出了纹路识别器件中的一个纹路识别单元200。

具体地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，由于阵列基板具有一定的模组厚度，致使纹路与光敏结构210之间存在较远的距离，而采用本发明实施例提供的上述纹路识别器件集成于阵列基板中时，由于利用两个反射斜面构成光路选择器，可以将与纹路识别器件的表面呈一定角度的纹路光线反射至光敏结构中的光敏二极管，而光敏结构中与光敏二极管层叠设置的第一遮光电极和第二遮光电极均不透光，仅第一遮光电极设置有开口区域，因此纹路光线只能从开口区域照射至光敏二极管，保证了仅与纹路识别器件的表面呈一定角度的纹路光线通过光路选择器的反射可以以特定角度入射至该开口区域。这样，可以实现在纹路(例如手指的指纹)距离光敏结构较远的情况下(如1mm的距离时)，纹路中谷和脊的反射光线在光敏结构中不会混光，从而可以高清晰度的识别出纹路。由于采用结构较简单的两个反射斜面构成光路选择器以实现对纹路光线的角度进行过滤的作用，无需在纹路识别器件中设置制程复杂的光准直器件或光纤，易于量产。

在具体实施时，本发明实施例提供的上述阵列基板可以应用于有机电致发光显示面板，也可以应用于液晶显示面板，在此不做限定。具体地，当本发明实施例提供的上述阵列基板可以应用于有机电致发光显示面板时，如图5所示，显示单元300可以具体包括：具有驱动晶体管310的驱动电路和发光结构320；发光结构320中的阳极321与驱动电路电连接，且阳极321为反射电极，即发光结构320为顶发射型；此时，纹路识别器件中的开关晶体管220可以与驱动晶体管310同层设置，纹路识别器件中的第一遮光电极或第二遮光电极可以与阳极321同层设置，这样可以在阵列基板中尽量减少所需增加的膜层，如图5中示意出了第二遮光电极与阳极321同层设置的情况。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述阵列基板，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述阵列基板的实施例，重复之处不再赘述。

本发明实施例提供的上述纹路识别器件、阵列基板及显示装置，利用两个反射斜面构成光路选择器，可以将与纹路识别器件的表面呈一定角度的纹路光线反射至光敏结构中的光敏二极管，而光敏结构中与光敏二极管层叠设置的第一遮光电极和第二遮光电极均不透光，仅第一遮光电极设置有开口区域，因此纹路光线只能从开口区域照射至光敏二极管。这样，可以实现在纹路(例如手指的指纹)距离光敏结构较远的情况下(如1mm的距离时)，保证纹路中谷和脊的反射光线在光敏结构中不会混光，从而可以高清晰度的识别出纹路，以有利于纹路识别器件与显示器件集成。由于采用结构较简单的两个反射斜面构成光路选择器以实现对纹路光线的角度进行过滤的作用，无需在纹路识别器件中设置制程复杂的光准直器件或光纤，易于量产。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (16)

1.一种纹路识别器件，其特征在于，包括：衬底基板和位于所述衬底基板上的多个纹路识别单元；各所述纹路识别单元包括：光敏结构，以及与所述光敏结构对应设置的光路选择器；其中，

所述光敏结构包括层叠设置的第一遮光电极、光敏二极管和第二遮光电极；所述第一遮光电极具有开口区域；

所述光路选择器包括：第一反射斜面，与所述第一反射斜面相对而置的第二反射斜面；

所述光路选择器，用于将与所述纹路识别器件的表面呈一定角度的纹路光线反射至所述开口区域。

2.如权利要求1所述的纹路识别器件，其特征在于，所述光路选择器设置于所述衬底基板与所述光敏结构之间；

所述第一反射斜面和所述第二反射斜面沿着垂直于所述衬底基板的对称轴呈对称分布；且从所述衬底基板指向所述光敏结构的方向，所述第一反射斜面和所述第二反射斜面之间的距离逐渐增大；

所述第一遮光电极、光敏二极管和第二遮光电极在所述衬底基板上依次层叠设置。

3.如权利要求2所述的纹路识别器件，其特征在于，所述光路选择器还包括：在靠近所述衬底基板一侧的连接所述第一反射斜面和所述第二反射斜面的第一吸光平面。

4.如权利要求2所述的纹路识别器件，其特征在于，所述光路选择器还包括：设置于所述第一遮光电极下表面的第二吸光平面。

5.如权利要求2所述的纹路识别器件，其特征在于，各所述纹路识别单元还包括：与所述光敏结构连接的开关晶体管，所述开关晶体管设置于所述衬底基板与所述光路选择器之间。

6.如权利要求1所述的纹路识别器件，其特征在于，所述光路选择器设置于所述光敏结构之上；

所述第一反射斜面和所述第二反射斜面相互平行；

所述第二遮光电极、光敏二极管和第一遮光电极在所述衬底基板上依次层叠设置。

7.如权利要求6所述的纹路识别器件，其特征在于，所述光路选择器还包括：设置于所述第一遮光电极上表面的第三吸光平面。

8.如权利要求6所述的纹路识别器件，其特征在于，所述光路选择器还包括：设置于所述第二反射斜面远离所述衬底基板一侧的第四吸光平面。

9.如权利要求6所述的纹路识别器件，其特征在于，各所述纹路识别单元还包括：与所述光敏结构连接的开关晶体管，所述开关晶体管设置于所述衬底基板与所述光敏结构之间。

10.如权利要求2-9任一项所述的纹路识别器件，其特征在于，所述第一反射斜面和所述第二反射斜面分别与所述衬底基板之间的夹角均为θ度；

所述光路选择器用于将与所述纹路识别器件的表面呈2θ度的纹路光线反射至所述开口区域。

11.如权利要求10所述的纹路识别器件，其特征在于，所述第一反射斜面和所述第二反射斜面分别与所述衬底基板之间的夹角均为45度；

所述第一遮光电极的开口区域在所述衬底基板上的正投影与所述第二反射斜面在所述衬底基板上的正投影相互重合。

12.如权利要求5或9所述的纹路识别器件，其特征在于，所述第一遮光电极与所述开关晶体管的漏极电连接，所述第二遮光电极与加载固定电位的电极线电连接；或，

所述第一遮光电极与加载固定电位的电极线电连接，所述第二遮光电极与所述开关晶体管的漏极电连接。

13.如权利要求12所述的纹路识别器件，其特征在于，所述加载固定电位的电极线与所述开关晶体管的漏极同层设置。

14.一种阵列基板，其特征在于，包括：设置于显示区域的多个显示单元，以及设置于显示区域的如权利要求1-13任一项所述的纹路识别器件。

15.如权利要求14所述的阵列基板，其特征在于，所述显示单元包括：具有驱动晶体管的驱动电路和发光结构；所述发光结构中的阳极与所述驱动电路电连接，且所述阳极为反射电极；

所述纹路识别器件中的开关晶体管与所述驱动晶体管同层设置，所述纹路识别器件中的第一遮光电极或第二遮光电极与所述阳极同层设置。

16.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求14或15所述的阵列基板。

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