CN107408637A - 用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物、用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜和有机电致发光元件 - Google Patents

用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物、用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜和有机电致发光元件 Download PDF

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Abstract

本发明提供用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物，其特征在于，包含：由式(D1)～(D5)的任一个所示的用氰基取代的含氮杂芳香族化合物构成的掺杂剂物质、电荷传输性物质和有机溶剂，上述掺杂剂物质和上述电荷传输性物质在上述有机溶剂中溶解。

Description

用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物、用于 有机电致发光元件的电荷传输性薄膜和有机电致发光元件
技术领域
本发明涉及用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物、用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜和有机电致发光元件。
背景技术
在有机电致发光(以下称为有机EL)元件中，作为发光层、电荷注入层，使用由有机化合物构成的电荷传输性膜。特别地，空穴注入层承担阳极与空穴传输层或发光层的电荷的授受，为了实现有机EL元件的低电压驱动和高亮度而发挥重要的功能。
空穴注入层的形成方法大致分为以蒸镀法为代表的干法和以旋涂法为代表的湿法，将这些各方法进行比较，湿法能够大面积地高效率地制造平坦性高的薄膜。因此，在有机EL显示器的大面积化不断发展的现今，希望可采用湿法形成的空穴注入层。
鉴于这样的实际情况，本发明人已开发出可适用于各种湿法、同时给予在应用于有机EL元件的空穴注入层的情况下能够实现优异的EL元件特性的薄膜的电荷传输性材料、用于其的对于有机溶剂的溶解性良好的化合物(例如参照专利文献1～4)。
但是，随着有机EL领域的进展，常常需要能够实现优异的EL特性的新的涂布型有机EL用材料。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2008/032616号
专利文献2：国际公开第2008/129947号
专利文献3：国际公开第2006/025342号
专利文献4：国际公开第2010/058777号
专利文献5：日本特开2009-079131号公报
专利文献6：日本特开2001-341239号公报
专利文献7：日本特开2004-189674号公报
专利文献8：日本特开平11-222263号公报
发明内容
发明要解决的课题
本发明鉴于上述实际情况而完成，目的在于提供组合物，该组合物用于形成在应用于有机EL元件的情况下能够实现优异的亮度特性的电荷传输性薄膜。
用于解决课题的手段
本发明人反复锐意研究，结果发现：包含包括规定的用氰基取代的含氮杂芳香族化合物的掺杂剂物质、电荷传输性物质和有机溶剂的组合物得到在用作有机电致发光元件的空穴注入层等功能层的情况下能够实现优异的亮度特性的电荷传输性薄膜，完成了本发明。
再有，在专利文献5～8中公开了包含2,4,6,7-四氰基-1,4,5,8-四氮杂萘作为掺杂剂(电子接受体)的材料，但在这些各文献中，没有教导本发明涉及的组合物这样的有机EL元件用材料的记载，也没有暗示其的记载。
即，本发明提供：
1.用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物，其特征在于，包含：包括由式(D1)～(D5)的任一个所示的用氰基取代的含氮杂芳香族化合物的掺杂剂物质、电荷传输性物质和有机溶剂，上述掺杂剂物质和上述电荷传输性物质在上述有机溶剂中溶解，
[化1]
2.1的用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物，其中，上述电荷传输性物质为分子量200～9,500的电荷传输性化合物，
3.2的用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物，其中，上述电荷传输性化合物为苯胺衍生物或噻吩衍生物，
4.3的用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物，其中，上述电荷传输性化合物为苯胺衍生物，
5.1～4的任一项的用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物，其中，还包含有机硅烷化合物，
6.1～5的任一项的用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物，其中，还包含杂多酸，
7.1～6的任一项的用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物，其为有机电致发光元件的空穴注入层、空穴传输层或空穴注入传输层形成用组合物，
8.使用1～7的任一项的用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物制造的用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜，
9.有机电致发光元件，其具有8的用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜。
发明的效果
通过使用本发明涉及的组合物，能够得到电荷传输性薄膜，其兼具优异的平坦性和优异的电荷传输性，用作有机电致发光元件的空穴注入层等功能层的情况下能够实现优异的亮度特性。
其理由尚未弄清，推测2,4,6,7-四氰基-1,4,5,8-四氮杂萘这样的、氰基结合于含氮杂芳香环的结构的化合物不仅由于含氮杂芳香环中的电子缺失的影响，而且由于与其结合的氰基的吸电子的效果，期待作为掺杂剂发挥优异的功能，因此通过使用与电荷传输性物质、特别是苯胺衍生物一起含有这样的化合物作为掺杂剂物质的本发明涉及的组合物，得到了不仅平坦性和电荷传输性优异、而且从阳极的空穴接受能力和向空穴传输层、发光层的空穴注入能力也优异的电荷传输性薄膜，结果得到了优异的亮度特性的有机EL元件。
另外，本发明涉及的组合物即使在使用了旋涂法、狭缝涂布法等可大面积地成膜的各种湿法的情况下也能够再现性良好地制造电荷传输性优异的薄膜，因此对于近年来的有机EL元件的领域中的进展也能够充分地应对。
具体实施方式
以下对本发明更详细地说明。
本发明的用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物(以下也简称为本发明的组合物)包含掺杂剂物质，该掺杂剂物质由式(D1)～(D5)的任一个所示的用氰基取代的含氮杂芳香族化合物构成。
[化2]
这些中，如果考虑得到的薄膜的电荷传输性、该化合物的获得容易性、该化合物的在有机溶剂中的溶解性的平衡，最优选由式(D1)所示的用氰基取代的含氮杂芳香族化合物。
本发明的组合物除了上述用氰基取代的含氮杂芳香族化合物以外，可包含杂如多酸化合物、芳基磺酸衍生物、四氰基醌二甲烷衍生物、苯醌衍生物等的其他掺杂剂物质，其中，优选杂多酸。
杂多酸为具有代表性地由式(D6)所示的Keggin型或式(D7)所示的Dawson型的化学结构表示的、杂原子位于分子的中心的结构，作为钒(V)、钼(Mo)、钨(W)等的含氧酸的同多酸与异种元素的含氧酸缩合而成的多酸。作为这样的异种元素的含氧酸，主要可列举出硅(Si)、磷(P)、砷(As)等的含氧酸。
[化3]
作为杂多酸的具体例，可列举出磷钼酸、硅钼酸、磷钨酸、硅钨酸、磷钨钼酸等，这些可以单独地使用，也可将2种以上组合使用。再有，本发明中使用的杂多酸可作为市售品得到，另外，也能够采用公知的方法合成。
特别地，使用1种杂多酸的情况下，这1种杂多酸优选磷钨酸或磷钼酸，最优选磷钨酸。另外，使用2种以上的杂多酸的情况下，这2种以上的杂多酸中的1个优选磷钨酸或磷钼酸，更优选磷钨酸。
应予说明，杂多酸在元素分析等定量分析中，即使相对于由通式表示的结构，元素的数多或少，只要其是作为市售品获得的产品或者按照公知的合成方法适当地合成的产物，都能够在本发明中使用。
即，例如，一般地，磷钨酸用化学式H3(PW12O40)·nH2O表示，磷钼酸用化学式H3(PMo12O40)·nH2O表示，在定量分析中，即使该式中的P(磷)、O(氧)或W(钨)或Mo(钼)的数多或者少，只要其为作为市售品获得的产品或者按照公知的合成方法适当地合成的产物，则都能够在本发明中使用。这种情况下，本发明中所规定的杂多酸的质量不是合成物、市售品中的纯粹的磷钨酸的质量(磷钨酸含量)，而是意味着作为市售品可获得的形态和采用公知的合成法可分离的形态下包含水合水、其他杂质等的状态下的总质量。
就本发明的组合物中的掺杂剂物质的含量而言，考虑电荷传输性物质的种类、量等适当地设定，通常，用质量比表示，相对于电荷传输性物质1，为0.1～10左右。
作为本发明的组合物包含的电荷传输性物质，典型地，能够使用有机EL的领域等中使用的电荷传输性物质。
作为其具体例，可列举出低聚苯胺衍生物、N,N'-二芳基联苯胺衍生物、N,N,N',N'-四芳基联苯胺衍生物等芳基胺衍生物(苯胺衍生物)、低聚噻吩衍生物、噻吩并噻吩衍生物、噻吩并苯并噻吩衍生物等噻吩衍生物等各种电荷传输性化合物。
其中，优选苯胺衍生物、噻吩衍生物，更优选苯胺衍生物。
本发明中，从制备给予平坦性高的薄膜的均一的组合物的观点出发，电荷传输性化合物的分子量优选为200～9,500左右，从得到电荷传输性更为优异的薄膜的观点出发，其下限值更优选为300，进一步优选为400，从制备再现性更良好地给予平坦性高的薄膜的均一的组合物的观点出发，其上限值更优选为8,000，进一步优选为7,000，更进一步优选为6,000，更进一步优选为5,000。再有，从防止在薄膜化的情况下电荷传输性物质分离的观点出发，优选电荷传输性化合物不具有分子量分布(分散度为1)(即，优选为单一的分子量)。
作为苯胺衍生物的具体例，可列举出由下述式(1)或(2)表示的具体例。
[化4]
式(1)中，k表示1～10的整数，从提高化合物在有机溶剂中的溶解性的观点出发，优选1～5，更优选1～3，进一步优选1或2，最优选1。式(2)中，l表示1或2。
式(2)中，R1和R2相互独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、或者可被卤素原子取代的、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基或碳数2～20的杂芳基。
作为卤素原子，可列举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，优选氟原子。
作为碳数1～20的烷基，直链状、分支状、环状的烷基均可，例如可列举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基等碳数1～20的直链或分支状烷基；环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、双环丁基、双环戊基、双环己基、双环庚基、双环辛基、双环壬基、双环癸基等碳数3～20的环状烷基等。
作为碳数2～20的烯基的具体例，可列举出乙烯基、正-1-丙烯基、正-2-丙烯基、1-甲基乙烯基、正-1-丁烯基、正-2-丁烯基、正-3-丁烯基、2-甲基-1-丙烯基、2-甲基-2-丙烯基、1-乙基乙烯基、1-甲基-1-丙烯基、1-甲基-2-丙烯基、正-1-戊烯基、正-1-癸烯基、正-1-二十碳烯基等。
作为碳数2～20的炔基的具体例，可列举出乙炔基、正-1-丙炔基、正-2-丙炔基、正-1-丁炔基、正-2-丁炔基、正-3-丁炔基、1-甲基-2-丙炔基、正-1-戊炔基、正-2-戊炔基、正-3-戊炔基、正-4-戊炔基、1-甲基-正-丁炔基、2-甲基-正-丁炔基、3-甲基-正-丁炔基、1,1-二甲基-正-丙炔基、正-1-己炔基、正-1-癸炔基、正-1-十五碳炔基、正-1-二十碳炔基等。
作为碳数6～20的芳基的具体例，可列举出苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基等。
作为碳数2～20的杂芳基的具体例，可列举出2-噻吩基、3-噻吩基、2-呋喃基、3-呋喃基、2-噁唑基、4-噁唑基、5-噁唑基、3-异噁唑基、4-异噁唑基、5-异噁唑基等含氧杂芳基；2-噻唑基、4-噻唑基、5-噻唑基、3-异噻唑基、4-异噻唑基、5-异噻唑基等含硫杂芳基；2-咪唑基、4-咪唑基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、2-吡嗪基、3-吡嗪基、5-吡嗪基、6-吡嗪基、2-嘧啶基、4-嘧啶基、5-嘧啶基、6-嘧啶基、3-哒嗪基、4-哒嗪基、5-哒嗪基、6-哒嗪基、1,2,3-三嗪-4-基、1,2,3-三嗪-5-基、1,2,4-三嗪-3-基、1,2,4-三嗪-5-基、1,2,4-三嗪-6-基、1,3,5-三嗪-2-基、1,2,4,5-四嗪-3-基、1,2,3,4-四嗪-5-基、2-喹啉基、3-喹啉基、4-喹啉基、5-喹啉基、6-喹啉基、7-喹啉基、8-喹啉基、1-异喹啉基、3-异喹啉基、4-异喹啉基、5-异喹啉基、6-异喹啉基、7-异喹啉基、8-异喹啉基、2-喹喔啉基、5-喹喔啉基、6-喹喔啉基、2-喹唑啉基、4-喹唑啉基、5-喹唑啉基、6-喹唑啉基、7-喹唑啉基、8-喹唑啉基、3-噌啉基、4-噌啉基、5-噌啉基、6-噌啉基、7-噌啉基、8-噌啉基等含氮杂芳基等。
这些中，R1和R2优选氢原子、氟原子、氰基、可被卤素原子取代的碳数1～20的烷基、可被卤素原子取代的碳数6～20的芳基、可被卤素原子取代的碳数2～20的杂芳基，更优选氢原子、氟原子、氰基、可被卤素原子取代的碳数1～10的烷基、可被卤素原子取代的苯基，进一步优选氢原子、氟原子、甲基、三氟甲基，最优选氢原子。
式(1)和(2)中，Ph1表示由式(P1)表示的基团。
[化5]
式中，R3～R6相互独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、或可被卤素原子取代的、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基或碳数2～20的杂芳基，作为它们的具体例，可列举出与上述R1和R2中说明的具体例同样的具体例。
特别地，作为R3～R6，优选氢原子、氟原子、氰基、可被卤素原子取代的碳数1～20的烷基、可被卤素原子取代的碳数6～20的芳基、可被卤素原子取代的碳数2～20的杂芳基，更优选氢原子、氟原子、氰基、可被卤素原子取代的碳数1～10的烷基、可被卤素原子取代的苯基，进一步优选氢原子、氟原子、甲基、三氟甲基，最优选氢原子。
以下列举出作为Ph1优选的基团的具体例，但并不限定于此。
[化6]
式(1)中，Ar1相互独立地表示由式(B1)～(B11)的任一个表示的基团，特别优选由式(B1')～(B11')的任一个表示的基团。
[化7]
[化8]
式中，R7～R27、R30～R51和R53～R154相互独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、或可被卤素原子取代的、二苯基氨基、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基或碳数2～20的杂芳基，R28和R29相互独立地表示可被Z1取代的、碳数6～20的芳基或碳数2～20的杂芳基，R52表示氢原子、可被Z4取代的、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基或碳数2～20的炔基、或者可被Z1取代的、碳数6～20的芳基或碳数2～20的杂芳基，Z1表示卤素原子、硝基、氰基、或者可被Z2取代的、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基或碳数2～20的炔基，Z2表示卤素原子、硝基、氰基、或者可被Z3取代的、碳数6～20的芳基或碳数2～20的杂芳基，Z3表示卤素原子、硝基或氰基，Z4表示卤素原子、硝基、氰基、或者可被Z5取代的、碳数6～20的芳基或碳数2～20的杂芳基，Z5表示卤素原子、硝基、氰基、或者可被Z3取代的、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基或碳数2～20的炔基，作为这些卤素原子、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基和碳数2～20的杂芳基的具体例，可列举出与上述R1和R2中说明的具体例同样的具体例。
特别地，作为R7～R27、R30～R51和R53～R154，优选氢原子、氟原子、氰基、可被卤素原子取代的二苯基氨基、可被卤素原子取代的碳数1～20的烷基、可被卤素原子取代的碳数6～20的芳基、可被卤素原子取代的碳数2～20的杂芳基，更优选氢原子、氟原子、氰基、可被卤素原子取代的碳数1～10的烷基、可被卤素原子取代的苯基，进一步优选氢原子、氟原子、甲基、三氟甲基，最优选氢原子。
作为R28和R29，优选可被Z1取代的碳数6～14的芳基、可被Z1取代的碳数2～14的杂芳基，更优选可被Z1取代的碳数6～14的芳基，进一步优选可被Z1取代的苯基、可被Z1取代的1-萘基、可被Z1取代的2-萘基。
作为R52，优选氢原子、可被Z1取代的碳数6～20的芳基、可被Z1取代的碳数2～20的杂芳基、可被Z4取代的碳数1～20的烷基，更优选氢原子、可被Z1取代的碳数6～14的芳基、可被Z1取代的碳数2～14的杂芳基、可被Z4取代的碳数1～10的烷基，进一步优选氢原子、可被Z1取代的碳数6～14的芳基、可被Z1取代的碳数2～14的含氮杂芳基、可被Z4取代的碳数1～10的烷基，更进一步优选氢原子、可被Z1取代的苯基、可被Z1取代的1-萘基、可被Z1取代的2-萘基、可被Z1取代的2-吡啶基、可被Z1取代的3-吡啶基、可被Z1取代的4-吡啶基、可被Z4取代的甲基。
Ar4相互独立地表示可被各个芳基为碳数6～20的芳基的二芳基氨基取代的碳数6～20的芳基。作为碳数6～20的芳基的具体例，可列举出与R1和R2中说明的具体例同样的具体例，作为上述二芳基氨基的具体例，可列举出二苯基氨基、1-萘基苯基氨基、二(1-萘基)氨基、1-萘基-2-萘基氨基、二(2-萘基)氨基等。
作为Ar4，优选苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、对-(二苯基氨基)苯基、对-(1-萘基苯基氨基)苯基、对-(二(1-萘基)氨基)苯基、对-(1-萘基-2-萘基氨基)苯基、对-(二(2-萘基)氨基)苯基，更优选对-(二苯基氨基)苯基。
以下列举出作为Ar1优选的基团的具体例，但并不限定于这些。应予说明，下述式中，DPA表示二苯基氨基，R52表示与上述相同的含义。
[化9]
[化10]
[化11]
[化12]
[化13]
[化14]
[化15]
[化16]
式(1)中，Ar2相互独立地表示由式(A1)～(A18)的任一个表示的基团。
[化17]
式中，R155表示氢原子、可被Z4取代的、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基或碳数2～20的炔基、或者可被Z1取代的、碳数6～20的芳基或碳数2～20的杂芳基，R156和R157相互独立地表示可被Z1取代的、碳数6～20的芳基或碳数2～20的杂芳基，DPA、Ar4、Z1和Z4表示与上述相同的含义。作为这些卤素原子、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基和碳数2～20的杂芳基的具体例，可列举出与上述R1和R2中说明的具体例同样的具体例。
特别地，作为R155，优选氢原子、可被Z1取代的碳数6～20的芳基、可被Z1取代的碳数2～20的杂芳基、可被Z4取代的碳数1～20的烷基，更优选氢原子、可被Z1取代的碳数6～14的芳基、可被Z1取代的碳数2～14的杂芳基、可被Z4取代的碳数1～10的烷基，进一步优选氢原子、可被Z1取代的碳数6～14的芳基、可被Z1取代的碳数2～14的含氮杂芳基、可被Z4取代的碳数1～10的烷基，更进一步优选氢原子、可被Z1取代的苯基、可被Z1取代的1-萘基、可被Z1取代的2-萘基、可被Z1取代的2-吡啶基、可被Z1取代的3-吡啶基、可被Z1取代的4-吡啶基、可被Z4取代的甲基。
作为R156和R157，优选可被Z1取代的碳数6～14的芳基、可被Z1取代的碳数2～14的杂芳基，更优选可被Z1取代的碳数6～14的芳基，进一步优选可被Z1取代的苯基、可被Z1取代的1-萘基、可被Z1取代的2-萘基。
以下列举出作为Ar2优选的基团的具体例，但并不限定于这些。应予说明，下述式中，R155和DPA表示与上述相同的含义。
[化18]
[化19]
[化20]
[化21]
[化22]
[化23]
[化24]
[化25]
在式(1)中，如果考虑得到的苯胺衍生物的合成的容易性，优选Ar1全部为同一基团，Ar2全部为同一基团，更优选Ar1和Ar2全部为同一基团。即，由式(1)表示的苯胺衍生物更优选由下述式(1-1)表示的苯胺衍生物。
[化26]
在式(1-1)中，Ph1和k表示与上述相同的含义，Ar5同时表示由式(D1)～(D13)的任一个表示的基团，特别优选为由式(D1')～(D13')的任一个表示的基团。应予说明，下述式中，R28、R29、R52、Ar4和DPA表示与上述相同的含义。作为Ar5的具体例，可列举出与作为Ar1优选的基团的具体例的上述的具体例同样的具体例。
[化27]
[化28]
另外，从能够如后述那样使用比较低价的双(4-氨基苯基)胺作为原料化合物、比较简便地合成，同时得到的苯胺衍生物的对于有机溶剂的溶解性优异出发，由式(1)表示的苯胺衍生物优选由式(1-2)表示的苯胺衍生物。
[化29]
式中，Ar6同时表示由式(E1)～(E14)的任一个表示的基团。再有，下述式中，R52表示与上述相同的含义。
[化30]
式(2)中，Ar3表示由式(C1)～(C8)的任一个表示的基团，特别优选由(C1')～(C8')的任一个表示的基团。应予说明，下述式中，DPA表示与上述相同的含义。
[化31]
[化32]
R28、R29、R52和R155～R157中，Z1优选卤素原子、硝基、氰基、可被Z2取代的碳数1～10的烷基、可被Z2取代的碳数2～10的烯基、可被Z2取代的碳数2～10的炔基，更优选卤素原子、硝基、氰基、可被Z2取代的碳数1～3的烷基、可被Z2取代的碳数2～3的烯基、可被Z2取代的碳数2～3的炔基，进一步优选氟原子、可被Z2取代的碳数1～3的烷基、可被Z2取代的碳数2～3的烯基、可被Z2取代的碳数2～3的炔基。
R28、R29、R52和R155～R157中，Z4优选卤素原子、硝基、氰基、可被Z5取代的碳数6～14的芳基，更优选卤素原子、硝基、氰基、可被Z5取代的碳数6～10的芳基，进一步优选氟原子、可被Z5取代的碳数6～10的芳基，进一步优选氟原子、可被Z5取代的苯基。
R28、R29、R52和R155～R157中，Z2优选卤素原子、硝基、氰基、可被Z3取代的碳数6～14的芳基，更优选卤素原子、硝基、氰基、可被Z3取代的碳数6～10的芳基，进一步优选氟原子、可被Z3取代的碳数6～10的芳基，更进一步优选氟原子、可被Z3取代的苯基。
R28、R29、R52和R155～R157中，Z5优选卤素原子、硝基、氰基、可被Z3取代的碳数1～10的烷基、可被Z3取代的碳数2～10的烯基、可被Z3取代的碳数2～10的炔基，更优选卤素原子、硝基、氰基、可被Z3取代的碳数1～3的烷基、可被Z3取代的碳数2～3的烯基、可被Z3取代的碳数2～3的炔基，进一步优选氟原子、可被Z3取代的碳数1～3的烷基、可被Z3取代的碳数2～3的烯基、可被Z3取代的碳数2～3的炔基。
R28、R29、R52和R155～R157中，Z3优选卤素原子，更优选氟原子。
R7～R27、R30～R51和R53～R154中，Z1优选卤素原子、硝基、氰基、可被Z2取代的碳数1～3的烷基、可被Z2取代的碳数2～3的烯基、可被Z2取代的碳数2～3的炔基，更优选卤素原子、可被Z2取代的碳数1～3的烷基，进一步优选氟原子、可被Z2取代的甲基。
R7～R27、R30～R51和R53～R154中，Z4优选卤素原子、硝基、氰基、可被Z5取代的碳数6～10的芳基，更优选卤素原子、可被Z5取代的碳数6～10的芳基，进一步优选氟原子、可被Z5取代的苯基。
R7～R27、R30～R51和R53～R154中，Z2优选卤素原子、硝基、氰基、可被Z3取代的碳数6～10的芳基，更优选卤素原子、可被Z3取代的碳数6～10的芳基，进一步优选氟原子、可被Z3取代的苯基。
R7～R27、R30～R51和R53～R154中，Z5优选卤素原子、硝基、氰基、可被Z3取代的碳数1～3的烷基、可被Z3取代的碳数2～3的烯基、可被Z3取代的碳数2～3的炔基，更优选卤素原子、可被Z3取代的碳数1～3的烷基，进一步优选氟原子、可被Z3取代的甲基。
R7～R27、R30～R51和R53～R154中，Z3优选卤素原子，更优选氟原子。
本发明中，作为R52和R155的优选的基团的具体例，可列举出以下所示的基团，但并不限定于这些。
[化33]
[化34]
[化35]
[化36]
[化37]
[化38]
本发明中，上述烷基、烯基和炔基的碳数优选为10以下，更优选为6以下，进一步优选为4以下。另外，上述芳基和杂芳基的碳数优选为14以下，更优选为10以下，进一步优选为6以下。
由式(1)表示的苯胺衍生物能够在催化剂存在下使由式(3)表示的胺化合物与由式(4)表示的芳基化合物反应而制造。
[化39]
(式中，X表示卤素原子或准卤素基团，Ar1、Ar2、Ph1和k表示与上述相同的含义。)
特别地，由式(1-1)表示的苯胺衍生物能够在催化剂存在下使由式(7)表示的胺化合物与由式(8)表示的芳基化合物反应而制造。
[化40]
(式中，X、Ar5、Ph1和k表示与上述相同的含义。)
另外，由式(1-2)表示的苯胺衍生物能够在催化剂存在下使双(4-氨基苯基)胺与由式(9)表示的芳基化合物反应而制造。
[化41]
(式中，X和Ar6表示与上述相同的含义。)
另一方面，由式(2)表示的苯胺衍生物能够在催化剂存在下使由式(5)表示的胺化合物与由式(6)表示的芳基化合物反应而制造。
[化42]
(式中，X、R1、R2、Ar3、Ph1和l表示与上述相同的含义。)
作为卤素原子，可列举出与上述同样的卤素原子。作为准卤素基团，可列举出甲磺酰氧基、三氟甲磺酰氧基、九氟丁磺酰氧基等(氟)烷基磺酰氧基；苯磺酰氧基、甲苯磺酰氧基等芳香族磺酰氧基等。
就由式(3)、(5)或(7)表示的胺化合物或双(4-氨基苯基)胺与由式(4)、(6)、(8)或(9)表示的芳基化合物的进料比而言，相对于胺化合物或双(4-氨基苯基)胺的全部NH基的物质的量，能够使芳基化合物为1当量以上，优选1～1.2当量左右。
作为上述反应中使用的催化剂，例如可列举出氯化铜、溴化铜、碘化铜等铜催化剂；四(三苯基膦)钯(Pd(PPh3)4)、双(三苯基膦)二氯钯(Pd(PPh3)2Cl2)、双(二亚苄基丙酮)钯(Pd(dba)2)、三(二亚苄基丙酮)二钯(Pd2(dba)3)、双(三(叔-丁基膦)钯(Pd(P-t-Bu3)2)、醋酸钯(Pd(OAc)2)等钯催化剂等。这些催化剂可1种单独地使用，也可将2种以上组合使用。另外，这些催化剂可与公知的适当的配体一起使用。
作为这样的配体，可列举出三苯基膦、三-邻-甲苯基膦、二苯基甲基膦、苯基二甲基膦、三甲基膦、三乙基膦、三丁基膦、三-叔-丁基膦、二-叔-丁基(苯基)膦、二-叔-丁基(4-二甲基氨基苯基)膦、1,2-双(二苯基膦基)乙烷、1,3-双(二苯基膦基)丙烷、1,4-双(二苯基膦基)丁烷、1,1’-双(二苯基膦基)二茂铁等叔膦、亚磷酸三甲酯、亚磷酸三乙酯、亚磷酸三苯酯等亚磷酸三酯等。
就催化剂的使用量而言，相对于由式(4)、(6)、(8)或(9)表示的芳基化合物1摩尔，能够使其为0.2摩尔左右，优选0.15摩尔左右。另外，在使用配体的情况下，相对于使用的金属络合物，其使用量能够设为0.1～5当量，优选1～2当量。
原料化合物全部为固体的情况下或者从高效率地得到目标的苯胺衍生物的观点出发，上述各反应在溶剂中进行。在使用溶剂的情况下，其种类只要不对反应产生不良影响，则并无特别限定。作为其具体例，可列举出脂肪族烃类(戊烷、正己烷、正辛烷、正癸烷、十氢萘等)、卤代脂肪族烃类(氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷、四氯化碳等)、芳香族烃类(苯、硝基苯、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、均三甲基苯等)、卤代芳香族烃类(氯苯、溴苯、邻二氯苯、间二氯苯、对二氯苯等)、醚类(***、二异丙醚、叔丁基甲基醚、四氢呋喃、二噁烷、1,2-二甲氧基乙烷、1,2-二乙氧基乙烷等)、酮类(丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮、二正丁基酮、环己酮等)、酰胺类(N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺等)、内酰胺和内酯类(N-甲基吡咯烷酮、γ-丁内酯等)、脲类(N,N-二甲基咪唑啉酮、四甲基脲等)、亚砜类(二甲基亚砜、环丁砜等)、腈类(乙腈、丙腈、丁腈等)等。这些溶剂可1种单独地使用，也可将2种以上混合使用。
反应温度可在使用的溶剂的熔点到沸点的范围内适当地设定，特别地，优选0～200℃左右，更优选20～150℃。
反应结束后，按照常规方法进行后处理，能够得到目标的苯胺衍生物。
在由上述的式(1)表示的苯胺衍生物的制造方法中，可用作原料的由式(3')表示的胺化合物能够在催化剂存在下使由式(10)表示的胺化合物与由式(11)表示的芳基化合物反应而高效率地制造。
[化43]
(式中，X、Ar1、Ph1和k表示与上述相同的含义。不过，2个Ar1不会同时成为由式(B1)表示的基团。)
由式(3')表示的胺化合物的上述制造方法是使由式(10)表示的胺化合物与由式(11)表示的芳基化合物进行偶合反应，由式(10)表示的胺化合物与由式(11)表示的芳基化合物的进料用物质的量比表示，相对于为1的胺化合物，优选芳基化合物为2～2.4左右。
关于上述偶合反应中的催化剂、配体、溶剂、反应温度等各条件与对于由式(1)表示的苯胺衍生物的制造方法说明的上述条件相同。
制造式(1)中Ar1是R52为氢原子的由式(B4)表示的基团或由式(B10)表示的基团、或者、Ar2是由式(A12)表示的基团或R155(包含式(1-1)中的R52。)为氢原子的由式(A16)表示的基团的、本发明的苯胺衍生物的情况下，在上述的反应中，也能够使用在氨基上具有保护基的芳基化合物。
具体地，在上述的反应中，代替Ar2为由式(A12)表示的基团的由式(4)表示的芳基化合物(式(G1))、Ar2为由式(A16)表示的基团、R155为氢原子的由式(4)表示的芳基化合物(式(G2))、Ar5为由式(D9)表示的基团的由式(8)表示的芳基化合物(式(G1))、Ar5为由式(D11)表示的基团、R52为氢原子的由式(8)表示的芳基化合物(式(G2))、Ar6为由式(E13)表示的基团、R52为氢原子的由式(9)表示的芳基化合物(式(G3))、Ar6为由式(E14)表示的基团、R52为氢原子的由式(9)表示的芳基化合物(式(G4))、Ar1为由式(B4)表示的基团、R52为氢原子的由式(11)表示的芳基化合物(式(G5))、Ar1为由式(B10)表示的基团的由式(11)表示的芳基化合物(式(G6))，分别使用这些各芳基化合物的氨基被保护的芳基化合物(式(G1P)～(G6P))，使这些被保护的芳基化合物与上述的胺化合物在催化剂存在下反应后，在适当的时刻进行脱保护。
[化44]
(式中，X、R45～R51、R139～R146和Ar4表示与上述相同的含义。)
P1～P6相互独立地表示氨基的保护基。作为这样的保护基，能够使用惯用的保护基，具体地，可列举出取代或未取代的烷氧基羰基(例如，甲氧基羰基、乙氧基羰基、叔丁氧基羰基、2,2,2-三氯乙氧基羰基、烯丙氧基羰基、9-芴基甲氧基羰基)、取代或未取代的芳烷氧基羰基(例如，苄氧基羰基)、取代或未取代的芳氧基羰基(例如，苯氧基羰基)等氧羰基型保护基；甲酰基；取代或未取代的链烷酰基(例如，乙酰基、三氟乙酰基、叔丁酰基)、取代或未取代的芳基羰基(例如，苯甲酰基)等羰基型保护基；取代或未取代的烷基(例如，叔丁基)、取代或未取代的芳烷基(例如，苄基、二苯甲基、三苯甲基)等烷基型保护基、取代或未取代的磺酰基型保护基(例如，苯磺酰基、对-甲苯磺酰基、2-硝基苯磺酰基)等，但并不限定于这些。其中，优选氧羰基型保护基、羰基型保护基、烷基型保护基。
应予说明，Ar51～Ar56和Ar61～Ar66各自表示通过将各芳基化合物的X(卤素原子或准卤素基团)移除而表示的1价的基团。例如，Ar61～Ar66各自表示下述的基团。
[化45]
(式中，P1～P6、R45～R51、R139～R146和Ar4表示与上述相同的含义。)
对于使用了具有上述的氨基的保护基的芳基化合物的制造方法，作为更具体的例子，可列举出以下所示的例子，但并不限定于这些。
[化46]
[化47]
[化48]
[化49]
[化50]
[化51]
[化52]
[化53]
与使用了具有这样的保护基的芳基化合物的制造方法中的原料的进料比、催化剂、配体、溶剂、反应温度等有关的各条件与对于由式(1)表示的苯胺衍生物或由式(3')表示的胺化合物说明的上述条件相同。另外，脱保护在酸性或碱性条件下进行处理、在氧化或还原条件下进行处理等，例如可参考GREEN'S PROTECTIVE GROUPS in OrganicSynthesis,第4版，考虑保护基的性质等采用适当的公知的方法进行。
制造式(1)中Ar1是R52不为氢原子的由式(B4)表示的基团、或由式(B11)表示的基团、或者、Ar2是由式(A13)表示的基团、或R155(包含式(1-1)中的R52。)不为氢原子的由式(A16)表示的基团的、具有叔胺部位的本发明的苯胺衍生物的情况下，可使用Ar1是由式(B4)表示的基团、R52为氢原子或由式(B10)表示的基团、或Ar2是由式(A12)表示的基团或由式(A16)表示的基团、R155(包含式(1-1)中的R52。)为氢原子的由式(1)表示的、具有仲胺部位的本发明的苯胺衍生物、Ar1是R52为氢原子的由式(B4)表示的基团或由式(B10)表示的基团的由式(3)表示的、具有仲胺部位的胺化合物。
具体地，如以下所示那样，使具有该仲胺部位的苯胺衍生物或胺化合物中的胺部位与由式(10)表示的芳基化合物或由式(11)或(12)表示的烃化合物反应。
[化54]
[化55]
式中，X、R139～R146、Ar4和R45～R51表示与上述相同的含义。Cb155和Cb52相互独立地表示可被Z4取代的、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基或碳数2～20的炔基、或者可被Z1取代的、碳数6～20的芳基或碳数2～20的杂芳基，作为这些烷基、烯基、炔基、芳基和杂芳基，可列举出与上述同样的基团。Z1和Z4表示与上述相同的含义。
对于使用了上述具有仲胺部位的苯胺衍生物或胺化合物的制造方法，作为更具体的例子，可列举出以下所示的实例，但并不限定于这些。
[化56]
[化57]
[化58]
[化59]
[化60]
[化61]
[化62]
[化63]
由式(1-3)～(1-8)表示的苯胺衍生物与由式(10)表示的芳基化合物或由式(11)～(12)表示的烃化合物的进料比，相对于苯胺衍生物的全部NH基的物质的量，能够使芳基化合物或烃化合物为1当量以上，优选1～1.2当量左右。
另外，由式(3'-1)～(3'-2)表示的胺化合物与由式(10)表示的芳基化合物或由式(12)表示的烃化合物的进料比用物质的量比表示，相对于为1的由式(3'-1)～(3'-2)表示的胺化合物，由式(10)表示的芳基化合物或由式(12)表示的烃化合物优选2～2.4左右。
此外，进料以外的各条件如以下所述。
使用铜、钯等上述的催化剂，制造由式(1-9)～(1-14)表示的苯胺衍生物或由式(3'-3)～(3'-4)表示的胺化合物的情况下，与催化剂、配体、溶剂、反应温度等有关的条件可采用对于由式(1)表示的苯胺衍生物的制造方法说明的上述条件。
另一方面，通过使用了由式(1)表示的芳基化合物、Cb155为可被Z4取代的碳数1～20的烷基或可被Z1取代的、碳数6～20的芳基或碳数2～20的杂芳基的由式(11)表示的烃化合物、或者Cb52为可被Z4取代的碳数1～20的烷基或可被Z1取代的、碳数6～20的芳基或碳数2～20的杂芳基的由式(12)表示的烃化合物的置换反应制造由式(1-9)～(1-14)表示的苯胺衍生物或由式(3'-3)～(3'-4)表示的胺化合物的情况下，在溶剂中使由式(1-3)～(1-8)表示的苯胺衍生物或由式(3'-1)～(3'-2)表示的胺化合物与碱反应，使得到的生成物与由式(11)～(12)表示的烃化合物或由式(10)表示的芳基化合物反应。
作为碱，可列举出锂、钠、钾、氢化锂、氢化钠、氢氧化钾、叔丁氧基锂、叔丁氧基钠、叔丁氧基钾、氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、碳酸钾、碳酸氢钠、碳酸氢钾等碱金属单质、氢氧化碱金属、烷氧基碱金属、碳酸碱金属、碳酸氢碱金属；碳酸钙等碳酸碱土金属；正丁基锂、仲丁基锂、叔丁基锂等有机锂；三乙胺、二异丙基乙基胺、四甲基乙二胺、三亚乙基二胺、吡啶等胺类等，只要是可在这种反应中使用，则并无特别限定。特别地，从处理容易出发，优选氢化钠、碳酸钠、碳酸钾。
就碱的使用量而言，分别地，相对于由式(1-3)～(1-8)表示的苯胺衍生物的全部NH基，为1～1.2当量左右，相对于由式(3'-1)～(3'-2)表示的胺化合物1摩尔，为2～2.4左右。
作为溶剂的具体例，可列举出对于由式(1)表示的苯胺衍生物的制造方法例示的溶剂。反应温度可从使用的溶剂的熔点至沸点的范围内适当地选择，为20～150℃左右。
反应结束后，按照分液处理、柱色谱、再沉淀、重结晶等常规方法进行后处理。
应予说明，由于受到原料的结构、使用的溶剂的种类等的影响，因此不能一概而论，在X为氟原子的情况下，优选置换反应，在X为氟原子以外的情况下，优选使用了催化剂的反应。
另外，在上述的由式(1)表示的苯胺衍生物的制造方法中可用作原料的、2个Ar1都为由式(B1)表示的基团的由式(3)表示的胺化合物也能够按照国际公开第2008/129947号、国际公开第2013/08466号记载的方法合成。
以下列举出由式(1)或(2)表示的苯胺衍生物的具体例，但并不限定于这些。应予说明，式中，“Me”表示甲基，“Et”表示乙基，“Prn”表示正丙基，“Pri”表示异丙基，“Bun”表示正丁基，“Bui”表示异丁基，“Bus”表示仲丁基，“But”表示叔丁基，“DPA”表示二苯基氨基，“SBF”表示9,9'-螺双[9H-芴]-2-基。
[表1]
[表2]
[表3]
[表4]
[表5]
[表6]
[表7]
[表8]
[表9]
[表10]
[表11]
[表12]
[表13]
[表14]
[表15]
[表16]
[表17]
[表18]
作为本发明的组合物包含的有机溶剂，能够使用可将电荷传输性物质和掺杂剂物质良好地溶解的良溶剂。
作为这样的良溶剂，例如可列举出N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基丁酰胺、N,N-二乙基丁酰胺、N,N-甲基乙基丁酰胺、N,N-二甲基异丁酰胺、N,N-二乙基异丁酰胺、N-乙基-N-甲基异丁酰胺、N-甲基吡咯烷酮、1，3-二甲基-2-咪唑啉酮等有机溶剂，但并不限定于这些。这些溶剂能够1种单独地使用或者将2种以上混合使用，就其使用量而言，相对于使用的溶剂全体，能够设为5～100质量％。
另外，本发明中，出于对于基板的润湿性的提高、溶剂的表面张力的调整、极性的调整、沸点的调整等目的，除了上述有机溶剂以外，可包含其他有机溶剂。作为这样的其他有机溶剂，优选包含二醇类、三醇类、亚烷基二醇单烷基醚类、亚烷基二醇二烷基醚类、二(亚烷基二醇)单烷基醚类、二(亚烷基二醇)二烷基醚类，可列举出二醇类、亚烷基二醇单烷基醚类、二(亚烷基二醇)单烷基醚类等，但并不限定于这些。这些溶剂能够1种单独地使用，或者将2种以上混合使用，其使用量根据一起使用的良溶剂的量确定。
其中，作为良溶剂以外的其他有机溶剂，优选二甘醇、三甘醇、二丙二醇、1,2-乙二醇、1,2-丙二醇、1,2-丁二醇、2,3-丁二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、乙二醇单甲基醚、乙二醇单乙基醚、乙二醇丙基醚、乙二醇异丙基醚、乙二醇单丁基醚、乙二醇单异丁基醚、丙二醇单甲基醚、丙二醇单乙基醚、丙二醇单丙基醚、丙二醇单异丙基醚、丙二醇单丁基醚、丙二醇单异丁基醚二甘醇单甲基醚、二甘醇单乙基醚、二甘醇丙基醚、二甘醇异丙基醚、二甘醇单丁基醚、二甘醇单异丁基醚、二丙二醇单甲基醚、二丙二醇单乙基醚、二丙二醇单丙基醚、二丙二醇单异丙基醚、二丙二醇单丁基醚、二丙二醇单异丁基醚，更优选二甘醇、三甘醇、二丙二醇、1,2-乙二醇、1,2-丙二醇、1,2-丁二醇、2,3-丁二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、乙二醇单甲基醚、丙二醇单甲基醚、二甘醇单甲基醚、二丙二醇单甲基醚。通过在考虑电荷传输性物质、掺杂剂物质的种类、量的同时从这样的溶剂中选择使用的溶剂，从而能够容易地制备具有所期望的液体物性的组合物。
本发明中，从得到平坦性优异的电荷传输性的观点出发，上述电荷传输性物质和上述掺杂剂物质在上述有机溶剂中溶解(包含有机硅烷化合物等其他成分时，该成分也在上述有机溶剂中溶解)。
本发明的组合物的粘度根据制作的薄膜的厚度等、固体成分浓度适当地设定，通常，在25℃下为1～50mPa·s，其表面张力通常为20～50mN/m。
本发明的组合物可包含有机硅烷化合物。通过包含有机硅烷化合物，将由组合物得到的薄膜用作有机EL元件的空穴注入层的情况下，能够提高向如空穴传输层、发光层这样的在阳极的相反侧以与空穴注入层相接的方式所层叠的层的空穴注入能力。
作为该有机硅烷化合物，可列举出二烷氧基硅烷化合物、三烷氧基硅烷化合物或四烷氧基硅烷化合物，这些可单独地使用，也可将2种以上组合使用。
本发明中，有机硅烷化合物优选包含选自二烷氧基硅烷化合物和三烷氧基硅烷化合物中的1种，更优选包含三烷氧基硅烷化合物，进一步优选包含含有氟原子的三烷氧基硅烷化合物。
作为这些烷氧基硅烷化合物，例如可列举出由式(S1)～(S3)表示的化合物。
Si(OR)4 (S1)
SiR′(OR)3 (S2)
Si(R′)2(OR)2 (S3)
式中，R相互独立地表示可被Z6取代的碳数1～20的烷基、可被Z6取代的碳数2～20的烯基、可被Z6取代的碳数2～20的炔基、可被Z7取代的碳数6～20的芳基、或者可被Z7取代的碳数2～20的杂芳基，R′相互独立地表示可被Z8取代的碳数1～20的烷基、可被Z8取代的碳数2～20的烯基、可被Z8取代的碳数2～20的炔基、可被Z9取代的碳数6～20的芳基、或者可被Z9取代的碳数2～20的杂芳基。
Z6表示卤素原子、可被Z10取代的碳数6～20的芳基、或者可被Z10取代的碳数2～20的杂芳基，Z7表示卤素原子、可被Z10取代的碳数1～20的烷基、可被Z10取代的碳数2～20的烯基、或者可被Z10取代的碳数2～20的炔基。
Z8表示卤素原子、可被Z10取代的碳数6～20的芳基、可被Z10取代的碳数2～20的杂芳基、环氧环己基、缩水甘油氧基、甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基、脲基(-NHCONH2)、硫醇基、异氰酸酯基(-NCO)、氨基、-NHY1基、或NY2Y3基，Z9表示卤素原子、可被Z10取代的碳数1～20的烷基、可被Z10取代的碳数2～20的烯基、可被Z10取代的碳数2～20的炔基、环氧环己基、缩水甘油氧基、甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基、脲基(-NHCONH2)、硫醇基、异氰酸酯基(-NCO)、氨基、-NHY1基、或NY2Y3基，Y1～Y3相互独立地表示可被Z10取代的碳数1～20的烷基、可被Z10取代的碳数2～20的烯基、可被Z10取代的碳数2～20的炔基、可被Z10取代的碳数6～20的芳基、或者可被Z10取代的碳数2～20的杂芳基。
Z10表示卤素原子、氨基、硝基、氰基或硫醇基。
作为式(S1)～(S3)中的、卤素原子、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基和碳数2～20的杂芳基，可列举出与上述同样的基团。
R和R′中，烷基、烯基和炔基的碳数优选为10以下，更优选为6以下，进一步优选为4以下。
另外，芳基和杂芳基的碳数优选为14以下，更优选为10以下，进一步优选为6以下。
作为R，优选可被Z6取代的、碳数1～20的烷基或碳数2～20的烯基、或者可被Z7取代的碳数6～20的芳基，更优选可被Z6取代的、碳数1～6的烷基或碳数2～6的烯基、或者可被Z7取代的苯基，进一步优选可被Z6取代的碳数1～4的烷基或可被Z7取代的苯基，进一步优选可被Z6取代的、甲基或乙基。
另外，作为R′，优选可被Z8取代的碳数1～20的烷基或可被Z9取代的碳数6～20的芳基，更优选可被Z8取代的碳数1～10的烷基或可被Z9取代的碳数6～14的芳基，进一步优选可被Z8取代的碳数1～6的烷基、或者可被Z9取代的碳数6～10的芳基，更进一步优选可被Z8取代的碳数1～4的烷基或可被Z9取代的苯基。
再有，多个R可以全部相同也可不同，多个R′也可全部相同也可不同。
作为Z6，优选卤素原子或可被Z10取代的碳数6～20的芳基，更优选氟原子或可被Z10取代的苯基，最优选不存在(即，为未取代)。
另外，作为Z7，优选卤素原子或可被Z10取代的碳数6～20的烷基，更优选氟原子或可被Z10取代的碳数1～10的烷基，最优选不存在(即，为未取代)。
另一方面，作为Z8，优选卤素原子、可被Z10取代的苯基、可被Z10取代的呋喃基、环氧环己基、缩水甘油氧基、甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基、脲基、硫醇基、异氰酸酯基、氨基、可被Z10取代的苯基氨基、或者可被Z10取代的二苯基氨基，更优选卤素原子，进一步优选氟原子、或不存在(即，为未取代)。
另外，作为Z9，优选卤素原子、可被Z10取代的碳数1～20的烷基、可被Z10取代的呋喃基、环氧环己基、缩水甘油氧基、甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基、脲基、硫醇基、异氰酸酯基、氨基、可被Z10取代的苯基氨基、或可被Z10取代的二苯基氨基，更优选卤素原子，进一步优选氟原子、或不存在(即，为未取代)。
而且，作为Z10，优选卤素原子，更优选氟原子或不存在(即，为未取代)。
以下列举出本发明中可使用的有机硅烷化合物的具体例，但并不限定于这些。
作为二烷氧基硅烷化合物的具体例，可列举出二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、甲基乙基二甲氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷、甲基丙基二甲氧基硅烷、甲基丙基二乙氧基硅烷、二异丙基二甲氧基硅烷、苯基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基甲基二甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-(3,4-环氧环己基)乙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、N-(2-氨基乙基)氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、3,3,3-三氟丙基甲基二甲氧基硅烷等。
作为三烷氧基硅烷化合物的具体例，可列举出甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、丙基三乙氧基硅烷、丁基三甲氧基硅烷、丁基三乙氧基硅烷、戊基三甲氧基硅烷、戊基三乙氧基硅烷、庚基三甲氧基硅烷、庚基三乙氧基硅烷、辛基三甲氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷、十二烷基三乙氧基硅烷、十六烷基三甲氧基硅烷、十六烷基三乙氧基硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷、十八烷基三乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、三乙氧基(4-(三氟甲基)苯基)硅烷、十二烷基三乙氧基硅烷、3,3,3-三氟丙基三甲氧基硅烷、(三乙氧基甲硅烷基)环己烷、全氟辛基乙基三乙氧基硅烷、三乙氧基氟硅烷、十三氟-1,1,2,2-四氢辛基三乙氧基硅烷、五氟苯基三甲氧基硅烷、五氟苯基三乙氧基硅烷、3-(七氟异丙氧基)丙基三乙氧基硅烷、十七氟-1,1,2,2-四氢癸基三乙氧基硅烷、三乙氧基-2-噻吩基硅烷、3-(三乙氧基甲硅烷基)呋喃等。
作为四烷氧基硅烷化合物的具体例，可列举出四乙氧基硅烷、四甲氧基硅烷、四丙氧基硅烷等。
这些中，优选3,3,3-三氟丙基甲基二甲氧基硅烷、三乙氧基(4-(三氟甲基)苯基)硅烷、3,3,3-三氟丙基三甲氧基硅烷、全氟辛基乙基三乙氧基硅烷或五氟苯基三甲氧基硅烷、五氟苯基三乙氧基硅烷。
本发明的组合物含有有机硅烷化合物的情况下，就其含量而言，相对于电荷传输性物质和掺杂剂物质的总质量，通常为0.1～50质量％左右，如果考虑抑制得到的薄膜的电荷传输性的降低，并且提高向在上述的阴极侧以与由该组合物得到的薄膜构成的空穴注入层相接的方式层叠的空穴传输层等的空穴注入能力，优选为0.5～40质量％左右，更优选为0.8～30质量％左右，进一步优选为1～20质量％左右。
就本发明的组合物的粘度而言，根据制作的薄膜的厚度等、固体成分浓度适当地设定，通常在25℃下为1～50mPa·s，其表面张力通常为20～50mN/m。
另外，就本发明的组合物的固体成分浓度而言，考虑组合物的粘度和表面张力等、制作的薄膜的厚度等适当地设定，通常为0.1～20.0质量％左右，如果考虑提高组合物的涂布性，优选为0.5～10.0质量％左右，更优选为1.0～5.0质量％左右。应予说明，这里所说的固体成分意味着本发明的组合物中所含的电荷传输性物质和掺杂剂物质。
作为组合物的制备法，并无特别限定，例如可列举出使电荷传输性物质先溶解于溶剂，向其中加入掺杂剂物质的方法；使电荷传输性物质、掺杂剂物质的混合物溶解于溶剂中的方法。
另外，有多种有机溶剂的情况下，可在将电荷传输性物质和掺杂剂物质充分溶解的溶剂中首先使它们溶解，向其中加入其他溶剂，也可在多种有机溶剂的混合溶剂中使电荷传输性物质和掺杂剂物质依次溶解或者使它们同时溶解。
本发明中，对于组合物而言，从再现性良好地得到高平坦性薄膜的观点出发，希望使电荷传输性物质、掺杂剂物质等溶解于有机溶剂后，使用亚微米级的过滤器等进行过滤。
通过将上述说明的本发明的电荷传输性薄膜形成组合物在基材上涂布、烧成，从而能够在基材上形成本发明的电荷传输性薄膜。
作为组合物的涂布方法，可列举出浸渍法、旋涂法、转印印刷法、辊涂法、毛刷涂布、喷墨法、喷涂法、狭缝式涂布等，但并不限定于这些。就涂布方法而言，如果考虑再现性良好地得到平坦性高的电荷传输薄膜，则优选旋涂法、喷墨法、喷涂法。再有，优选根据涂布方法来调节组合物的粘度和表面张力。
本发明中，为了再现性良好地得到具有均匀的成膜面和高电荷传输性的厚膜的电荷传输性膜，优选在大气气氛下对组合物进行烧成。
就烧成温度而言，考虑得到的薄膜的用途、对得到的薄膜赋予的电荷传输性的程度、溶剂的种类、沸点等，在100～260℃左右的范围内适当地设定，将得到的薄膜用作有机EL元件的空穴注入层的情况下，优选140～250℃左右，更优选145～240℃左右。烧成时间根据烧成温度而异，因此不能一概地规定，但通常为1分钟～1小时。
再有，烧成时，为了使更高的均匀成膜性显现，在基材上使反应进行，可给予2阶段以上的温度变化，例如可使用热板、烘箱等适当的设备进行加热。
对电荷传输性薄膜的膜厚并无特别限定，用作有机EL元件的空穴注入层的情况下，优选5～200nm。作为使膜厚变化的方法，有使组合物中的固体成分浓度变化、使涂布时的基板上的溶液量变化等方法。
本发明的电荷传输性薄膜在有机EL元件中能够适宜地用作空穴注入层，也可作为空穴注入传输层等电荷传输性功能层使用。
本发明的有机EL元件具有一对电极，在这些电极之间具有上述的本发明的电荷传输性薄膜。
作为有机EL元件的代表性的构成，可列举出下述(a)～(f)，但并不限定于这些。再有，在下述构成中，根据需要也能够在发光层与阳极之间设置电子阻挡层等，在发光层与阴极之间设置空穴(空穴)阻挡层等。另外，空穴注入层、空穴传输层或空穴注入传输层也可兼具作为电子阻挡层等的功能，电子注入层、电子传输层或电子注入传输层也可兼具作为空穴(空穴)阻挡层等的功能。
(a)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极
(b)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子注入传输层/阴极
(c)阳极/空穴注入传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极
(d)阳极/空穴注入传输层/发光层/电子注入传输层/阴极
(e)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/阴极
(f)阳极/空穴注入传输层/发光层/阴极
“空穴注入层”、“空穴传输层”和“空穴注入传输层”是在发光层与阳极之间形成的层，具有将空穴从阳极输送到发光层的功能。在发光层与阳极之间只设置1层的空穴传输性材料的层的情况下，其为“空穴注入传输层”，在发光层与阳极之间设置2层以上的空穴传输性材料的层的情况下，靠近阳极的层为“空穴注入层”，其以外的层为“空穴传输层”。特别地，空穴注入层和空穴注入传输层使用不仅从阳极的空穴接受性优异、而且分别向空穴传输层和发光层的空穴注入性也优异的薄膜。
“电子注入层”、“电子传输层”和“电子注入传输层”是在发光层与阴极之间所形成的层，具有将电子从阴极输送到发光层的功能。在发光层与阴极之间只设置1层的电子传输性材料的层的情况下，其为“电子注入传输层”，在发光层与阴极之间设置2层以上的电子传输性材料的层的情况下，靠近阴极的层为“电子注入层”，其以外的层为“电子传输层”。
“发光层”为具有发光功能的有机层，采用掺杂体系的情况下，包含主体材料和掺杂剂材料。此时，主体材料主要具有促进电子与空穴的再结合、将激子封闭在发光层内的功能，掺杂剂材料具有使通过再结合得到的激子高效地发光的功能。磷光元件的情况下，主体材料主要具有将由掺杂剂生成的激子封闭在发光层内的功能。
作为使用本发明的组合物制作有机EL元件时的使用材料、制作方法，可列举出下述的使用材料、制作方法，但并不限定于这些。
就使用的电极基板而言，优选预先进行采用洗涤剂、醇、纯水等的液体清洗而将其净化，例如，对于阳极基板而言，优选在使用前即刻进行UV臭氧处理、氧-等离子体处理等表面处理。不过，阳极材料以有机物作为主成分的情况下，也可不进行表面处理。
由本发明的组合物得到的薄膜为空穴注入层的情形下的、本发明的有机EL元件的制作方法的一例如以下所述。
采用上述的方法，在阳极基板上涂布本发明的组合物并烧成，在电极上制作空穴注入层。在该空穴注入层上依次设置空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极。就空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层而言，可根据使用的材料的特性等采用蒸镀法或涂布法(湿法)的任一个形成。
作为阳极材料，可列举出以铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)为代表的透明电极、由以铝为代表的金属、它们的合金等构成的金属阳极，优选进行了平坦化处理的阳极材料。也能够使用具有高电荷传输性的聚噻吩衍生物、聚苯胺衍生物。
再有，作为构成金属阳极的其他金属，可列举出钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、镓、钇、锆、铌、钼、钌、铑、钯、镉、铟、钪、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、铪、铊、钨、铼、锇、铱、铂、金、钛、铅、铋、它们的合金等，但并不限定于这些。
作为形成空穴传输层的材料，可列举出(三苯基胺)二聚体衍生物、[(三苯基胺)二聚体]螺二聚体、N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺(α-NPD)、N,N'-双(萘-2-基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-9,9-螺双芴、N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-9,9-螺双芴、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二甲基-芴、N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二甲基-芴、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二苯基-芴、N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二苯基-芴、N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-2,2'-二甲基联苯胺、2,2',7,7'-四(N,N-二苯基氨基)-9,9-螺双芴、9,9-双[4-(N,N-双-联苯-4-基-氨基)苯基]-9H-芴、9,9-双[4-(N,N-双-萘-2-基-氨基)苯基]-9H-芴、9,9-双[4-(N-萘-1-基-N-苯基氨基)-苯基]-9H-芴、2,2',7,7'-四[N-萘基(苯基)-氨基]-9,9-螺双芴、N,N'-双(菲-9-基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺、2,2'-双[N,N-双(联苯-4-基)氨基]-9,9-螺双芴、2,2'-双(N,N-二苯基氨基)-9,9-螺双芴、二-[4-(N,N-二(对-甲苯基)氨基)-苯基]环己烷、2,2',7,7'-四(N,N-二(对-甲苯基)氨基)-9,9-螺双芴、N,N,N',N'-四-萘-2-基-联苯胺、N,N,N',N'-四-(3-甲基苯基)-3,3'-二甲基联苯胺、N,N'-二(萘基)-N,N'-二(萘-2-基)-联苯胺、N,N,N',N'-四(萘基)-联苯胺、N,N'-二(萘-2-基)-N,N'-二苯基联苯胺-1,4-二胺、N1,N4-二苯基-N1,N4-二(间-甲苯基)苯-1,4-二胺、N2,N2,N6,N6-四苯基萘-2,6-二胺、三(4-(喹啉-8-基)苯基)胺、2,2'-双(3-(N,N-二(对-甲苯基)氨基)苯基)联苯、4,4',4″-三[3-甲基苯基(苯基)氨基]三苯基胺(m-MTDATA)、4,4',4″-三[1-萘基(苯基)氨基]三苯基胺(1-TNATA)等三芳基胺类、5,5″-双-{4-[双(4-甲基苯基)氨基]苯基}-2,2':5',2″-三联噻吩(BMA-3T)等低聚噻吩类等空穴传输性低分子材料等。
作为形成发光层的材料，可列举出三(8-羟基喹啉)铝(III)(Alq3)、双(8-羟基喹啉)锌(II)(Znq2)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-(对-苯基苯酚)铝(III)(BAlq)、4,4'-双(2,2-二苯基乙烯基)联苯、9,10-二(萘-2-基)蒽、2-叔-丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽、2,7-双[9,9-二(4-甲基苯基)-芴-2-基]-9,9-二(4-甲基苯基)芴、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽、2-(9,9-螺双芴-2-基)-9,9-螺双芴、2,7-双(9,9-螺双芴-2-基)-9,9-螺双芴、2-[9,9-二(4-甲基苯基)-芴-2-基]-9,9-二(4-甲基苯基)芴、2,2'-二芘基-9,9-螺双芴、1,3,5-三(芘-1-基)苯、9,9-双[4-(芘基)苯基]-9H-芴、2,2'-联(9,10-二苯基蒽)、2,7-二芘基-9,9-螺双芴、1,4-二(芘-1-基)苯、1,3-二(芘-1-基)苯、6,13-二(联苯-4-基)并五苯、3,9-二(萘-2-基)苝、3,10-二(萘-2-基)苝、三[4-(芘基)-苯基]胺、10,10'-二(联苯-4-基)-9,9'-联蒽、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-[1,1':4',1″:4″,1″'-四联苯]-4,4″'-二胺、4,4'-二[10-(萘-1-基)蒽-9-基]联苯、二苯并{[f,f']-4,4',7,7'-四苯基}二茚并[1,2,3-cd:1',2',3'-lm]苝、1-(7-(9,9'-联蒽-10-基)-9,9-二甲基-9H-芴-2-基)芘、1-(7-(9,9'-联蒽-10-基)-9,9-二己基-9H-芴-2-基)芘、1,3-双(咔唑-9-基)苯、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯基胺、4,4'-双(咔唑-9-基)联苯(CBP)、4,4'-双(咔唑-9-基)-2,2'-二甲基联苯、2,7-双(咔唑-9-基)-9,9-二甲基芴、2,2',7,7'-四(咔唑-9-基)-9,9-螺双芴、2,7-双(咔唑-9-基)-9,9-二(对-甲苯基)芴、9,9-双[4-(咔唑-9-基)-苯基]芴、2,7-双(咔唑-9-基)-9,9-螺双芴、1,4-双(三苯基甲硅烷基)苯、1,3-双(三苯基甲硅烷基)苯、双(4-N,N-二乙基氨基-2-甲基苯基)-4-甲基苯基甲烷、2,7-双(咔唑-9-基)-9,9-二辛基芴、4,4″-二(三苯基甲硅烷基)-对-三联苯、4,4'-二(三苯基甲硅烷基)联苯、9-(4-叔-丁基苯基)-3,6-双(三苯基甲硅烷基)-9H-咔唑、9-(4-叔-丁基苯基)-3,6-二甲苯基-9H-咔唑、9-(4-叔-丁基苯基)-3,6-双(9-(4-甲氧基苯基)-9H-芴-9-基)-9H-咔唑、2,6-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶、三苯基(4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基)硅烷、9,9-二甲基-N,N-二苯基-7-(4-(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯基)-9H-芴-2-胺、3,5-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶、9,9-螺双芴-2-基-二苯基-氧化膦、9,9'-(5-(三苯基甲硅烷基)-1,3-亚苯基)双(9H-咔唑)、3-(2,7-双(二苯基磷酰基)-9-苯基-9H-芴-9-基)-9-苯基-9H-咔唑、4,4,8,8,12,12-六(对-甲苯基)-4H-8H-12H-12C-氮杂二苯并[cd,mn]芘、4,7-二(9H-咔唑-9-基)-1,10-菲咯啉、2,2'-双(4-(咔唑-9-基)苯基)联苯、2,8-双(二苯基磷酰基)二苯并[b,d]噻吩、双(2-甲基苯基)二苯基硅烷、双[3,5-二(9H-咔唑-9-基)苯基]二苯基硅烷、3,6-双(咔唑-9-基)-9-(2-乙基-己基)-9H-咔唑、3-(二苯基磷酰基)-9-(4-(二苯基磷酰基)苯基)-9H-咔唑、3,6-双[(3,5-二苯基)苯基]-9-苯基咔唑等，可通过与发光性掺杂剂进行共蒸镀而形成发光层。
作为发光性掺杂剂，可列举出3-(2-苯并噻唑基)-7-(二乙基氨基)香豆素、2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)喹嗪并[9,9a,1gh]香豆素、喹吖啶酮、N,N'-二甲基-喹吖啶酮、三(2-苯基吡啶)铱(III)(Ir(ppy)3)、双(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮)铱(III)(Ir(ppy)2(acac))、三[2-(对-甲苯基)吡啶]铱(III)(Ir(mppy)3)、9,10-双[N,N-二(对-甲苯基)氨基]蒽、9,10-双[苯基(间-甲苯基)氨基]蒽、双[2-(2-羟基苯基)苯并噻唑]锌(II)、N10,N10,N10,N10-四(对-甲苯基)-9,9'-联蒽-10,10'-二胺、N10,N10,N10,N10-四苯基-9,9'-联蒽-10,10'-二胺、N10,N10-二苯基-N10,N10-二萘基-9,9'-联蒽-10,10'-二胺、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑亚乙烯基)-1,1'-联苯、苝、2,5,8,11-四-叔-丁基苝、1,4-双[2-(3-N-乙基咔唑基)乙烯基]苯、4,4'-双[4-(二-对-甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯、4-(二-对-甲苯基氨基)-4'-[(二-对-甲苯基氨基)苯乙烯基]均二苯乙烯、双[3,5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)]铱(III)、4,4'-双[4-(二苯基氨基)苯乙烯基]联苯、双(2,4-二氟苯基吡啶)四(1-吡唑基)硼酸酯铱(III)、N,N'-双(萘-2-基)-N,N'-双(苯基)-三(9,9-二甲基亚芴基)、2,7-双{2-[苯基(间-甲苯基)氨基]-9,9-二甲基-芴-7-基}-9,9-二甲基-芴、N-(4-((E)-2-(6((E)-4-(二苯基氨基)苯乙烯基)萘-2-基)乙烯基)苯基)-N-苯基苯胺、fac-铱(III)三(1-苯基-3-甲基苯并咪唑啉-2-亚基-C,C2)、mer-铱(III)三(1-苯基-3-甲基苯并咪唑啉-2-亚基-C,C2)、2,7-双[4-(二苯基氨基)苯乙烯基]-9,9-螺双芴、6-甲基-2-(4-(9-(4-(6-甲基苯并[d]噻唑-2-基)苯基)蒽-10-基)苯基)苯并[d]噻唑、1,4-二[4-(N,N-二苯基)氨基]苯乙烯基苯、1,4-双(4-(9H-咔唑-9-基)苯乙烯基)苯、(E)-6-(4-(二苯基氨基)苯乙烯基)-N,N-二苯基萘-2-胺、双(2,4-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-1H-四唑)铱(III)、双(3-三氟甲基-5-(2-吡啶基)吡唑)((2,4-二氟苄基)二苯基次磷酸酯)铱(III)、双(3-三氟甲基-5-(2-吡啶基)吡唑)(苄基二苯基次磷酸酯)铱(III)、双(1-(2,4-二氟苄基)-3-甲基苯并咪唑鎓)(3-(三氟甲基)-5-(2-吡啶基)-1,2,4-***)铱(III)、双(3-三氟甲基-5-(2-吡啶基)吡唑)(4',6'-二氟苯基吡啶)铱(III)、双(4',6'-二氟苯基吡啶)(3,5-双(三氟甲基)-2-(2'-吡啶基)吡咯)铱(III)、双(4',6'-二氟苯基吡啶)(3-(三氟甲基)-5-(2-吡啶基)-1,2,4-***)铱(III)、(Z)-6-均三甲苯基-N-(6-均三甲苯基喹啉-2(1H)-亚基)喹啉-2-胺-BF2、(E)-2-(2-(4-(二甲基氨基)苯乙烯基)-6-甲基-4H-吡喃-4-亚基)丙二腈、4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃、4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定基-9-烯基)-4H-吡喃、4-(二氰基亚甲基)-2-叔-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定-4-基-乙烯基)-4H-吡喃、三(二苯甲酰基甲烷)菲咯啉铕(III)、5,6,11,12-四苯基并四苯、双(2-苯并[b]噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)铱(III)、三(1-苯基异喹啉)铱(III)、双(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)铱(III)、双[1-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-异喹啉](乙酰丙酮)铱(III)、双[2-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)喹啉](乙酰丙酮)铱(III)、三[4,4'-二-叔-丁基-(2,2')-联吡啶]钌(III)·双(六氟磷酸盐)、三(2-苯基喹啉)铱(III)、双(2-苯基喹啉)(乙酰丙酮)铱(III)、2,8-二-叔-丁基-5,11-双(4-叔-丁基苯基)-6,12-二苯基并四苯、双(2-苯基苯并噻唑)(乙酰丙酮)铱(III)、5,10,15,20-四苯基四苯并卟啉铂、锇(II)双(3-三氟甲基-5-(2-吡啶)-吡唑)二甲基苯基膦、锇(II)双(3-(三氟甲基)-5-(4-叔-丁基吡啶基)-1,2,4-***)二苯基甲基膦、锇(II)双(3-(三氟甲基)-5-(2-吡啶基)-1,2,4-***)二甲基苯基膦、锇(II)双(3-(三氟甲基)-5-(4-叔-丁基吡啶基)-1,2,4-***)二甲基苯基膦、双[2-(4-正-己基苯基)喹啉](乙酰丙酮)铱(III)、三[2-(4-正-己基苯基)喹啉]铱(III)、三[2-苯基-4-甲基喹啉]铱(III)、双(2-苯基喹啉)(2-(3-甲基苯基)吡啶)铱(III)、双(2-(9,9-二乙基-芴-2-基)-1-苯基-1H-苯并[d]咪唑)(乙酰丙酮)铱(III)、双(2-苯基吡啶)(3-(吡啶-2-基)-2H-色烯-2-酮)铱(III)、双(2-苯基喹啉)(2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二酮)铱(III)、双(苯基异喹啉)(2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二酮)铱(III)、双(4-苯基噻吩并[3,2-c]吡啶合-N,C2)乙酰丙酮铱(III)、(E)-2-(2-叔-丁基-6-(2-(2,6,6-三甲基-2,4,5,6-四氢-1H-吡咯并[3,2,1-ij]喹啉-8-基)乙烯基)-4H-吡喃-4-亚基)丙二腈、双(3-三氟甲基-5-(1-异喹啉基)吡唑)(甲基二苯基膦)钌、双[(4-正-己基苯基)异喹啉](乙酰丙酮)铱(III)、八乙基卟吩铂(II)、双(2-甲基二苯并[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)铱(III)、三[(4-正-己基苯基)异喹啉]铱(III)等。
作为形成电子传输层的材料，可列举出8-羟基喹啉-锂、2,2',2″-(1,3,5-苯三基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)、2-(4-联苯)5-(4-叔-丁基苯基)-1,3,4-噁二唑、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-(苯基苯酚)铝、1,3-双[2-(2,2'-联吡啶-6-基)-1,3,4-噁二唑-5-基]苯、6,6'-双[5-(联苯-4-基)-1,3,4-噁二唑-2-基]-2,2'-联吡啶、3-(4-联苯)-4-苯基-5-叔-丁基苯基-1,2,4-***、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-***、2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、2,7-双[2-(2,2'-联吡啶-6-基)-1,3,4-噁二唑-5-基]-9,9-二甲基芴、1,3-双[2-(4-叔-丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-5-基]苯、三(2,4,6-三甲基-3-(吡啶-3-基)苯基)硼烷、1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑并[4,5f][1,10]菲咯啉、2-(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、苯基-二芘基氧化膦、3,3',5,5'-四[(间-吡啶基)-苯-3-基]联苯、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯、4,4'-双(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)联苯、1,3-双[3,5-二(吡啶-3-基)苯基]苯、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍、二苯基双(4-(吡啶-3-基)苯基)硅烷、3,5-二(芘-1-基)吡啶等。
作为形成电子注入层的材料，可列举出氧化锂(Li2O)、氧化镁(MgO)、氧化铝(Al2O3)、氟化锂(LiF)、氟化钠(NaF)、氟化镁(MgF2)、氟化铯(CsF)、氟化锶(SrF2)、三氧化钼(MoO3)、铝、乙酰丙酮锂(Li(acac))、醋酸锂、苯甲酸锂等。
作为阴极材料，可列举出铝、镁-银合金、铝-锂合金、锂、钠、钾、铯等。
另外，由本发明的组合物得到的薄膜为空穴注入层的情形下的、本发明的有机EL元件的制作方法的其他的例子如以下所述。
在上述的EL元件制作方法中，通过代替进行空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层的真空蒸镀操作而依次形成空穴传输层、发光层，能够制作具有由本发明的组合物形成的电荷传输性薄膜的有机EL元件。具体地，在阳极基板上涂布本发明的组合物，采用上述的方法制作空穴注入层，在其上依次形成空穴传输层、发光层，进而蒸镀阴极材料，制成有机EL元件。
作为使用的阴极和阳极材料，能够使用与上述的阴极和阳极材料同样的阴极和阳极材料，能够进行同样的清洗处理、表面处理。
作为空穴传输层和发光层的形成方法，可列举出下述方法：通过在空穴传输性高分子材料或发光性高分子材料、或者在它们中加入了掺杂剂的材料中加入溶剂而溶解，或者均匀地分散，分别在空穴注入层或空穴传输层上涂布后，进行烧成，从而成膜。
作为空穴传输性高分子材料，可列举出聚[(9,9-二己基芴基-2,7-二基)-共-(N,N'-双{对-丁基苯基}-1,4-二氨基亚苯基)]、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-共-(N,N'-双{对-丁基苯基}-1,1'-亚联苯基-4,4-二胺)]、聚[(9,9-双{1'-戊烯-5'-基}芴基-2,7-二基)-共-(N,N'-双{对-丁基苯基}-1,4-二氨基亚苯基)]、用聚硅倍半氧烷封端的聚[N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺]、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-共-(4,4'-(N-(对-丁基苯基))二苯基胺)]等。
作为发光性高分子材料，可列举出聚(9,9-二烷基芴)(PDAF)等聚芴衍生物、聚(2-甲氧基-5-(2'-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基)(MEH-PPV)等聚亚苯基亚乙烯基衍生物、聚(3-烷基噻吩)(PAT)等聚噻吩衍生物、聚乙烯基咔唑(PVCz)等。
作为溶剂，可列举出甲苯、二甲苯、氯仿等。作为溶解或均匀分散法，可列举出搅拌、加热搅拌、超声波分散等方法。
作为涂布方法，并无特别限定，可列举出喷墨法、喷涂法、浸渍法、旋涂法、转印印刷法、辊涂法、毛刷涂布等。再有，涂布优选在氮、氩等非活性气体下进行。
作为烧成方法，可列举出在非活性气体下或真空中、用烘箱或热板进行加热的方法。
由本发明的组合物得到的薄膜为空穴注入传输层的情形下的、本发明的有机EL元件的制作方法的一例如以下所述。
在阳极基板上形成空穴注入传输层，在该空穴注入传输层上依次设置发光层、电子传输层、电子注入层、阴极。作为发光层、电子传输层和电子注入层的形成方法和具体例，可列举出与上述的形成方法和具体例同样的形成方法和具体例。
作为阳极材料、形成发光层、发光性掺杂剂、电子传输层和电子阻挡层的材料、阴极材料，可列举出与上述的材料相同的材料。
再有，在电极和上述各层之间的任意之间，根据需要可设置空穴阻挡层、电子阻挡层等。例如，作为形成电子阻挡层的材料，可列举出三(苯基吡唑)铱等。
构成阳极和阴极以及在它们之间形成的层的材料，由于因制造具有底部发射结构、顶部发射结构的哪一种结构的元件而异，因此考虑这点来适当地选择材料。
通常，在底部发射结构的元件中，在基板侧使用透明阳极，从基板侧将光取出，而在顶部发射结构的元件中，使用由金属构成的反射阳极，从位于基板的相反方向的透明电极(阴极)侧将光取出。因此，例如对于阳极材料而言，制造底部发射结构的元件时使用ITO等的透明阳极，制造顶部发射结构的元件时使用Al/Nd等的反射阳极。
就本发明的有机EL元件而言，为了防止特性恶化，可按照常规方法、根据需要与捕水剂等一起进行密封。
实施例
以下列举实施例对本发明更具体地说明，但本发明并不限定于下述的实施例。应予说明，使用的装置如以下所述。
(1)1H-NMR：日本电子株式会社制造JNM-ECP300FT NMR SYSTEM
(2)MALDI-TOF-MS：Bruker Daltonics公司制造、autoflex III smartbeam
(3)基板清洗：长州产业株式会社制造基板清洗装置(减压等离子体方式)
(4)组合物(清漆)的涂布：ミカサ(Mikasa)(株)制造旋涂机MS-A100
(5)膜厚测定：小坂研究所株式会社制造微细形状测定机SURFCORDER ET-4000
(6)EL元件的制作：长州产业株式会社制造多功能蒸镀装置***C-E2L1G1-N
(7)EL元件的亮度等的测定：(有)テック·ワールド(Tech World)制造I-V-L测定***
(8)EL元件的寿命测定(半衰期的测定)：(株)イーエッチシー(EHC K.K.)制造有机EL亮度寿命评价***PEL-105S
[1]化合物的合成
[合成例1]苯胺衍生物1的合成
[化64]
在烧瓶内装入N1-(4-氨基苯基)苯-1,4-二胺1.00g、3-溴-9-苯基-9H-咔唑8.89g、醋酸钯112mg和叔丁醇钠3.47g后，对烧瓶内进行了氮置换。向其中装入甲苯30mL和预先制备的二-叔-丁基(苯基)膦的甲苯溶液2.75mL(浓度81.0g/L)，在90℃下搅拌了6小时。
搅拌结束后，将反应混合物冷却到室温，将冷却的反应混合物、甲苯和离子交换水混合，进行了分液处理。将得到的有机层用硫酸钠干燥、浓缩。用硅胶对浓缩液进行过滤，在得到的滤液中加入活性炭0.2g，在室温下搅拌了30分钟。
然后，通过过滤将活性炭除去，将滤液浓缩。将浓缩液滴入甲醇和醋酸乙酯的混合溶剂(500mL/500mL)，将得到的浆料在室温下搅拌一晚，接下来，对浆料进行过滤，将滤物回收。将得到的滤物干燥，得到了目标的苯胺衍生物1)(收量5.88g，收率83％)。
1H-NMR(300MHz，THF-d8)δ[ppm]：8.08(d，J＝7.7Hz，2H)，7.99(d，J＝7.7Hz，8H)，7.60-7.64(m，19H)，7.42-7.47(m，6H)，7.28-7.36(m，19H)，7.09-7.21(m，6H)，7.00(m，8H).
MALDI-TOF-MS m/Z测定值：1404.68([M]+计算值：1404.56).
[2]组合物的制备
[实施例1-1]
使0.112g苯胺衍生物1、2,4,6,7-四氰基-1,4,5,8-四氮杂萘((株)三宝化学研究所制造、以下称为“TCNA”)0.092g在氮气氛下溶解于1,3-二甲基-2-咪唑啉酮(以下称为“DMI”。)5.0g中。向其中加入2,3-丁二醇(以下称为“2,3-BD”。)3.0g和二丙二醇单甲基醚(以下称为“DPM”。)2.0g，搅拌，使用孔径0.2μm的PTFE制过滤器将得到的溶液进行过滤，得到了电荷传输性薄膜形成组合物。
[实施例1-2]
使0.171g苯胺衍生物1、TCNA 0.141g和磷钨酸(日本新金属(株)制造、以下称为“PTA”)0.312g在氮气氛下溶解于DMI 7.5g中。向其中加入2,3-BD 4.5g和DPM 3.0g，搅拌，使用孔径0.2μm的PTFE制过滤器将得到的溶液进行过滤，得到了电荷传输性薄膜形成组合物。
[实施例1-3]
使0.171g苯胺衍生物1、TCNA 0.141g和PTA 0.312g在氮气氛下溶解于DMI 7.5g。向其中加入2,3-BD 4.5g和DPM 3.0g，搅拌，进而加入3,3,3-三氟丙基三甲氧基硅烷(信越化学工业(株)制造)0.010g和苯基三甲氧基硅烷(信越化学工业(株)制造)0.021g，搅拌，使用孔径0.2μm的PTFE制过滤器将得到的溶液过滤，得到了电荷传输性薄膜形成组合物。
[3]有机EL元件的制造和特性评价
[实施例2-1]
使用旋涂器将实施例1-1中得到的电荷传输性薄膜形成组合物涂布于ITO基板后，在80℃下干燥1分钟，进而，在大气气氛下、150℃下烧成10分钟，在ITO基板上形成了30nm的均匀的薄膜。作为ITO基板，使用在表面上以膜厚150nm将铟锡氧化物(ITO)图案化的25mm×25mm×0.7t的玻璃基板，在使用前采用O2等离子体清洗装置(150W、30秒)将表面上的杂质除去。
接下来，对于形成了薄膜的ITO基板，使用蒸镀装置(真空度1.0×10-5Pa)以0.2nm/秒将α-NPD成膜30nm。接下来，将CBP和Ir(PPy)3共蒸镀。就共蒸镀而言，以Ir(PPy)3的浓度成为6％的方式控制蒸镀速率，层叠了40nm。接下来，依次层叠BAlq、氟化锂和铝的薄膜，得到了有机EL元件。此时，就蒸镀速率而言，对于BAlq和铝在0.2nm/秒、对于氟化锂在0.02nm/秒的条件下分别进行，使膜厚分别为20nm、0.5nm和120nm。
再有，为了防止空气中的氧、水等的影响导致的特性劣化，将有机EL元件用密封基板密封后，对其特性进行了评价。按照以下的程序进行了密封。在氧浓度2ppm以下、露点-85℃以下的氮气氛中将有机EL元件收入密封基板之间，采用粘接材料((株)MORESCO制、MORESCO MOISTURE CUT WB90US(P))将密封基板贴合。此时，将捕水剂(ダイニック(株)制造，HD-071010W-40)与有机EL元件一起收入密封基板内。对于贴合的密封基板，照射了UV光(波长：365nm、照射量：6,000mJ/cm2)后，在80℃下进行退火处理1小时，使粘接材料固化。
[化65]
[实施例2-2～2-3]
除了代替实施例1-1中得到的电荷传输性薄膜形成组合物而分别使用了实施例1-2～1-3中得到的电荷传输性薄膜形成组合物以外，采用与实施例2-1同样的方法得到了元件。
测定了用驱动电流0.7mA使制作的元件发光时的驱动电压、亮度和发光效率以及亮度的半衰期(初期亮度5000cd/m2)。将结果示于表19中。应予说明，各元件的发光面大小的面积为2mm×2mm。
[表19]
如表19中所示那样，可知具有由本发明的电荷传输性薄膜形成组合物得到的电荷传输性薄膜作为空穴注入层的有机EL元件的亮度特性优异。
另外，可知该有机EL元件的耐久性也优异。

Claims (9)

1.用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物，其特征在于，包含：包括由式(D1)～(D5)的任一个所示的用氰基取代的含氮杂芳香族化合物的掺杂剂物质、电荷传输性物质和有机溶剂，所述掺杂剂物质和所述电荷传输性物质在所述有机溶剂中溶解，
2.权利要求1所述的用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物，其中，所述电荷传输性物质为分子量200～9,500的电荷传输性化合物。
3.权利要求2所述的用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物，其中，所述电荷传输性化合物为苯胺衍生物或噻吩衍生物。
4.权利要求3所述的用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物，其中，所述电荷传输性化合物为苯胺衍生物。
5.权利要求1～4中任一项所述的用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物，其中，还包含有机硅烷化合物。
6.权利要求1～5中任一项所述的用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物，其中，还包含杂多酸。
7.权利要求1～6中任一项所述的用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物，其为有机电致发光元件的空穴注入层、空穴传输层或空穴注入传输层形成用组合物。
8.用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜，其是使用权利要求1～7中任一项所述的用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜形成组合物而制造的。
9.有机电致发光元件，其具有权利要求8所述的用于有机电致发光元件的电荷传输性薄膜。
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