CN107403746A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供显示装置及其制造方法，其目的在于实现改善相对于水分的阻挡特性、且变形少的柔性显示装置。有机EL显示装置在第一基板(100)上形成有TFT，在所述TFT之上形成有有机EL层(112)，其特征在于，在所述有机EL层(112)之上形成有保护层(114)，在所述第一基板100的外侧形成有包含AlOx层在内的第一基底层(10)。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示装置，特别是涉及能够使基板弯曲的柔性显示装置。
背景技术
有机EL显示装置或液晶显示装置通过减薄显示装置，能够柔性弯曲来使用。在该情况下，由薄玻璃或薄树脂形成用于形成元件的基板。片状的薄基板在制造工序中进行流水作业很难。例如，在玻璃基板的情况下，在工序流转时，以0.5mm左右的厚的基板进行流水作业，完成之后，对玻璃基板进行研磨来形成薄的基板，制成柔性显示装置。
另一方面，在由树脂形成基板的情况下，在玻璃基板上形成树脂薄片，将其作为显示装置的基板，在树脂薄片之上形成阵列层、发光层等。之后，通过激光烧蚀等将玻璃基板和树脂基板剥离，制成柔性显示器。这种结构记载于专利文献1中。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2004－349539号公报
通过激光烧蚀来剥离树脂和基板的方法因为是通过对玻璃基板和树脂基板的界面进行剥蚀来实现剥离，所以产生对树脂基板的损伤。当树脂基板受到损伤时，来自外部的水分等更容易侵入。另外，还存在因剥离时的应力等而柔性显示器弯曲等问题点。
发明内容
本发明的课题在于，以在完成后通过激光烧蚀将玻璃基板和树脂基板分离的方式形成的柔性显示器中，防止显示器的弯曲，且抑制水分从外部的侵入，实现可靠性高的柔性显示器。
本发明克服上述课题，代表性的技术方案如下。
(1)一种有机EL显示装置，在第一基板上形成有TFT，在所述TFT之上形成有有机EL层，所述有机EL显示装置的特征在于，在所述有机EL层之上形成有保护层，在所述第一基板的外侧形成有第一基底层。
(2)一种有机EL显示装置的制造方法，所述有机EL显示装置在第一基板上形成有TFT，在所述TFT之上形成有有机EL层，所述有机EL显示装置的制造方法的特征在于，在玻璃基板之上形成剥离层，在所述剥离层之上形成基底层，在所述基底层之上通过聚酰亚胺形成第一基板，在所述第一基板上形成所述TFT，在所述TFT之上形成有机EL层，在所述有机EL层之上形成保护层，之后，将所述玻璃基板与所述剥离层一同从所述第一基板剥离。
(3)一种液晶显示装置，在第一基板上形成有TFT和像素电极，与所述第一基板对置地配置有对置基板，在所述第一基板和所述第二基板之间夹持有液晶，所述液晶显示装置的特征在于，在所述第一基板的外侧形成有第一基底层。
(4)一种液晶显示装置的制造方法，所述液晶显示装置中，在第一基板上形成有TFT和像素电极，与所述第一基板对置地配置有对置基板，在所述第一基板和所述第二基板之间夹持有液晶，所述液晶显示装置的制造方法的特征在于，在第一玻璃基板之上形成第一剥离层，在所述第一剥离层之上形成第一基底层，在所述第一基底层之上，通过聚酰亚胺形成第一基板，在所述第一基板之上形成所述TFT和所述像素电极，在第二玻璃基板之上形成第二剥离层，在所述第二剥离层之上形成第二基底层，在所述第二基底层之上通过聚酰亚胺形成第二基板，在所述第一基板和所述第二基板之间封固液晶，之后，将所述第二玻璃基板与所述第二剥离层一同从所述第二基板剥离，将所述第一玻璃基板与所述第一剥离层一同从所述第一基板剥离。
附图说明
图1是有机EL显示装置的俯视图。
图2是图1的A－A剖视图。
图3是示出柔性显示装置的制造方法及其课题的剖视图。
图4是母基板的俯视图。
图5是示出本发明中的有机EL显示装置的制造工序例的流程图。
图6是示出本发明中的有机EL显示装置的制造工序的剖视图。
图7是带有玻璃基板的状态下的有机EL显示装置的剖视图。
图8是剥离了玻璃基板的状态下的有机EL显示装置的剖视图。
图9是示出AlOx的薄膜应力与溅射中的水分压之间的关系的图表。
图10是示出溅射中的水分压与制成膜后的AlOx的折射率之间的关系的图表。
图11是示出TFT基板的外侧的结构例的剖视图。
图12是示出TFT基板的外侧的结构例的其它例的剖视图。
图13是示出TFT基板的外侧的结构例的另一其它例的剖视图。
图14是液晶显示装置的俯视图。
图15是图14的B－B剖视图。
图16是示出本发明中的液晶显示装置的制造工序例的流程图。
图17是带有玻璃基板的状态下的液晶显示装置的剖视图。
图18是剥离了玻璃基板的状态下的液晶显示装置的剖视图。
附图文字说明
1 第一玻璃基板、2 第二玻璃基板、10 基底层、11 第一AlOx层、12 第二AlOx层、13 Al层、20 剥离层、50 阵列层、40 无机钝化膜、60 外层涂敷膜、100 TFT基板、101 基底膜、102 半导体层、103 栅极绝缘膜、104 栅电极、105 层间绝缘膜、106 漏电极、107 源电极、108 有机钝化膜、109 反射膜、110 下部电极、111 隔堤、112 有机EL层、113 上部电极、114 保护层、120 公共电极、121 电容绝缘膜、122 像素电极、123 取向膜、130 通孔、140通孔、150 端子部、200 对置基板、201 彩色滤光片、202 黑矩阵、203 外层涂敷膜(overcoat film)、220 粘接材料、250 液晶层、251 液晶分子、300 柔性配线基板、400 驱动IC、500 偏振板、501 粘着材、510 上偏振板、520 下偏振板、1000 显示区域、1071 接触电极、2000 背光灯、3000 液晶显示面板、4000 母基板、4100 有机EL单元、4200 截断线
具体实施方式
以下，使用实施例详细说明本发明的内容。
实施例1
图1是应用本发明的有机EL显示装置的俯视图。本发明的有机EL显示装置是能够柔性弯曲的显示装置。图1中，有机EL显示装置具有显示区域1000和端子部150，在显示区域1000粘贴有用于防止反射的偏振板500。在端子部150连接有用于向有机EL显示装置供给电源或信号的柔性配线基板300，另外，连接有驱动有机EL显示装置的驱动IC400。
图2的图1的A－A剖视图。在聚酰亚胺基板100之上形成有显示区域、端子部。聚酰亚胺基板100的厚度为10～20μm，能够柔性弯曲。聚酰亚胺基板100因为厚度薄，所以有时形状不稳定，机械强度也不足，因此，在背面粘贴有外层涂敷膜60。外层涂敷膜60由PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)或丙烯酸树脂形成，厚度为0.1mm左右。
图2中，在聚酰亚胺基板100之上形成有具有发光层的阵列层，覆盖该阵列层地配置有偏振板500。顶部发光型的有机EL显示装置因为具有反射电极，所以反射来自外部的光。偏振板500用于防止外部光的反射以便于易于观察画面。此外，图2是不存在对置基板的类型的有机EL显示装置。
图3是示出制作如图1、2所示的、柔性显示器的通常的工艺的剖视图。图3A中，在玻璃基板1上涂敷树脂、例如成为聚酰亚胺的材料的聚酰胺酸，并进行干燥、烧制，制成树脂基板100。作为树脂基板100，从耐热性等出发，优选聚酰亚胺基板。以后，以树脂基板100为聚酰亚胺基板进行说明，但本发明的树脂基板100不限于聚酰亚胺基板。
玻璃基板1具有能够通过制造工艺的强度，厚度例如为0.5mm。形成于玻璃基板1之上的聚酰亚胺基板100的厚度为10～20μm。在聚酰亚胺基板100之上形成发光层、具有TFT等的阵列层。此外，因为在聚酰亚胺基板上形成TFT等，所以也称作TFT基板100。
之后，如图3B所示，使焦点对准聚酰亚胺基板100和玻璃基板1的界面，照射激光LA，进行激光烧蚀，使玻璃基板1和聚酰亚胺基板100的粘接力降低，将聚酰亚胺基板100和玻璃基板1分离。
图3C是示出从玻璃基板1剥离了具有阵列层的聚酰亚胺基板100的状态的剖视图。因为在形成有阵列层的聚酰亚胺基板100上施加有制造工序中的应力(stress)或激光烧蚀时的应力，所以当从玻璃基板1分离时，例如如图3C所示那样弯曲。另外，通过激光烧蚀，聚酰亚胺基板100的与玻璃的界面变成粗糙面，水分等容易从外部侵入。因此，还容易出现可靠性的问题。本发明是解决这种问题的发明。
但是，有机EL显示装置在一个一个地制造时效率差，因此，在母基板上形成多个有机EL显示装置，在完成了母基板后，分离成各个有机EL单元。图4是在母基板400上形成7×5＝35个有机EL单元4100的情况。在母基板4000完成后，沿着分离线4200分离成各个有机EL单元4100。分离例如通过激光切割进行。
图5是示出有机EL显示装置的制造工艺的例子。有机EL显示装置的制造方法也有多种，但图5的方式是在形成阵列层的TFT基板上贴合对置基板的类型的制造方法。图5中，TFT基板和对置基板均由聚酰亚胺基板形成。也就是，TFT基板和对置基板均是最初通过涂敷于玻璃基板之上而形成，之后分离玻璃基板。
图5中，TFT基板和对置基板以母基板的状态分别形成。在TFT基板侧，在形成聚酰亚胺基板后，形成包含TFT或有机EL层等的阵列层，进而涂敷用于与对置基板粘接的粘接材料。
之后，将母TFT基板和母对置基板粘接，首先，在母基板的状态下通过激光烧蚀等将对置基板侧的玻璃基板剥离。之后，通过激光切割等分离成各个有机EL单元，对各个有机EL单元连接IC或柔性配线基板。之后，通过激光烧蚀，将玻璃基板从TFT基板侧剥离。之后，粘贴偏振板，完成有机EL显示装置。
图6是示出本发明的特征的工艺图。图6A是在玻璃基板1上形成有作为剥离层20的金属的图。金属能够从Ti、Ni、Cu、Fe、Ag、Au、Cr、Mo、W或包含这些金属在内的合金中选择。该剥离层20当之后进行激光烧蚀时，与玻璃基板1一同从聚酰亚胺基板100剥离。金属的厚度与进行激光烧蚀时的、激光的波长对应地选择。更优选的波长可举出YAG二次谐波(532nm)或二次、三次谐波。
图6B示出在剥离层20之上形成有基于铝氧化物AlOx(有时AlOx也为Al2O3)的基底层10的状态。AlOx因为阻挡特性高，所以可以以30nm～80nm左右发挥阻挡功能。更优选的膜厚可举出50nm左右。图6C示出在AlOx之上形成有聚酰亚胺基板100的状态。聚酰亚胺基板100通过利用狭缝涂敷等涂敷作为液体的聚酰亚胺的材料，之后进行干燥、烧制而形成。
进而，如图6D所示，在聚酰亚胺基板100之上形成包含TFT或有机EL层的阵列层50，形成有机EL单元。有时在阵列层100之上形成有对置基板，但图6中省略。图7示出有机EL单元的详细结构。图6D中，为了容易理解，以TFT基板100为代表记载有机EL单元。
之后，如图6D的箭头LA所示，对由金属形成的剥离层20照射激光LA，通过激光烧蚀，在剥离层20和基底层10之间进行剥离。图6E是示出像这样剥离了玻璃基板1的状态的剖视图。此时的激光烧蚀主要在剥离层20进行，且因为在聚酰亚胺基板100和剥离层20之间存在基底层10，所以聚酰亚胺基板100上不会产生大的损伤。这是本发明的特征之一。
图7是示出通过激光烧蚀而剥离玻璃基板1之前的状态的有机EL显示装置的剖视图。图7中，配置有图6中省略的对置基板200。此外，根据有机EL显示装置的种类不同，有时也不存在对置基板200。
图7是示出本发明的顶部发光型的有机EL显示装置的显示区域的结构的剖视图。图7中，在玻璃基板1上形成有剥离层20，在剥离层20之上形成有基于AlOx等的基底层10。在基底层10之上形成有聚酰亚胺基板100。在聚酰亚胺基板100之上形成有基于硅氧化物SiOx(有时SiOx也为SiO2)、基于硅氮化物SiNx(SiNx也有时为Si3N4)等的基底膜101。基底膜101阻止水分等从聚酰亚胺基板100侧侵入，用于保护TFT或有机EL层。
在基底膜101之上形成有半导体层102。图7中的半导体层102有时由氧化物半导体形成，也有时由Poly－Si形成。氧化物半导体例如举出a－IGZO(amorphous IndiumGallium Zinc Oxide：非结晶氧化铟镓锌)。氧化物半导体具有漏电流小的特征。在由Poly－Si半导体层形成图7的TFT的情况下，半导体层102能够通过以下方式形成：最初通过CVD形成非晶质Si(a－Si)，利用准分子激光器将其变换成Poly－Si。
覆盖半导体层102，通过使用了CVD的基于TEOS(四乙氧基甲硅烷)的SiOx形成栅极绝缘膜103。在栅极绝缘膜103之上形成栅电极104。之后，通过离子注入，将半导体层102中与栅电极104对应的以外的部分作为导电层。在半导体层102中，与栅电极104对应的部分成为沟道部1021。
覆盖栅电极104，通过基于CVD的SiNx形成层间绝缘膜105。然后，在层间绝缘膜105及栅极绝缘膜103上形成通孔，将漏电极106及源电极107连接。图7中，覆盖漏电极106、源电极107、层间绝缘膜105形成有机钝化膜108。由于有机钝化膜108兼作平坦化膜，所以较厚地形成为2～3μm。有机钝化膜108例如由丙烯酸树脂形成。
在有机钝化膜108之上形成反射电极109，在反射电极109之上通过ITO等透明导电膜形成成为阳极的下部电极110。反射电极109由反射率高的Al合金形成。反射电极109经由形成于有机钝化膜108的通孔与TFT的源电极107连接。
在下部电极110的周边形成由丙烯酸等构成的隔堤111。形成隔堤111的目的是防止接下来形成的包含发光层的有机EL层112或上部电极113因分层而导通不良。隔堤111通过在全面上涂层丙烯酸树脂等透明树脂，在与下部电极110对应的部分形成取出来自有机EL层的光的孔而形成。
图7中，在下部电极110之上形成有机EL层112。有机EL层112例如由电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层等形成。在有机EL层112之上形成作为阴极的上部导电层113。上部导电层113除由作为透明导电膜的IZO(Indium Zinc Oxide：氧化铟锌)、ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)等形成外，还有时由银等金属的薄膜形成。
之后，为了防止水分从上部电极113侧的侵入，使用CVD，通过SiNx在上部电极113之上形成保护层114。由于有机EL层112不耐受热，所以用于形成保护层114的CVD为100℃左右的低温CVD。在保护层之上形成粘接对置基板的粘接材料。
另一方面，如图5所示，与TFT基板100分开地形成对置基板200。对置基板200的形成与TFT基板100侧相同。即，在第二玻璃基板2上形成剥离层20，在剥离层20之上形成基于AlOx等的基底层10，再在基底层10之上通过狭缝涂敷等涂敷聚酰亚胺材料，进行干燥、烧制，形成基于聚酰亚胺的对置基板200。使用形成于TFT基板100侧的粘接材料220将这样形成的对置基板200粘接。
在该情况下，因为在对置基板200上形成有基底层10，所以保护形成于TFT基板100侧的有机EL层112不受来自外部的水分等影响。在有机EL层112使用白色有机EL层的情况下，需要彩色滤光片，但通常彩色滤光片形成于对置基板200侧。
为了将像这样形成的有机EL显示装置作为柔性显示器，需要将第一玻璃基板1及第二玻璃基板2剥离。如图6D所示，该剥离是通过对剥离层20照射激光LA进行的激光烧蚀而进行的。当对剥离层20进行激光烧蚀时，剥离层20和基底层10之间的粘接力降低，能够容易地剥离玻璃基板1。对置基板200侧的第二玻璃基板2也相同。
如图8所示，剥离了第一玻璃基板1及第二玻璃基板2之后的有机EL显示装置非常薄。另外，因为层构造在TFT基板100侧和对置基板200侧不同，所以如图3C所示那样容易弯曲。与之相对，例如在使用AlOx作为基底层10的情况下，AlOx能够通过制造方法来控制薄膜应力，由此，能够防止柔性显示器的弯曲。
即，AlOx通常是通过溅射形成的，但薄膜应力的符号会因溅射时的水分压(水分压力)而发生变化。图9是示出溅射时的水分压与制成膜后的AlOx的薄膜应力之间的关系的图表。图9中，横轴为溅射时的水分压，纵轴为制成膜后的AlOx的薄膜应力。如图9所示，随着水分压升高，薄膜应力的符号从负向正变化。
图9中，在水分压为2×10－4Pa左右时，薄膜应力成为零。也就是，若使用以水分压为2×10－4Pa左右溅射而成的膜，则能够形成薄膜应力为零的基底层。另一方面，在要将AlOx用于片状的有机EL显示装置整体的弯曲控制的情况下，能够以使AlOx的薄膜应力故意成为正侧或负侧的方式来制作。
另外，能够将基底层10作为针对来自外部的水分等的阻挡层来使用。AlOx因溅射时的水分压而膜质不同，水分压越小，能够得到越致密的膜。越是致密的膜，越能够提高针对水分等的阻挡特性。
但是，AlOx的膜的致密度和折射率之间存在相关性。即，膜变得越致密，折射率越高。图10是示出AlOx的溅射时的水分压和所形成的AlOx的折射率之间的关系的图表。即，能够通过测定制成膜后的AlOx的折射率来评价AlOx的膜质。此外，图9及图10中的○、△、×等是指所形成的试样的批次不同。
本发明的特征之一是，如图11所示，通过使用以低的水分压溅射的阻挡特性高的第一AlOx11和以比第一AlOx时高的水分压溅射的第二AlOx12的层叠构造，形成维持优异的阻挡特性且任意控制薄膜应力的基底层10。图11中，第一AlOx11例如为10nm，第二AlOx12例如为10nm。
即，第二AlOx12由于也能够具有与第一AlOx11符号相反的薄膜应力，所以作为第一AlOx11和第二AlOx12的层叠膜整体，也能够实现小的薄膜应力。另一方面，第一AlOx11由于具有高的阻挡特性，所以作为基底层整体能够得到高的阻挡特性。
例如，如图9所示，若在形成第一AlOx时，水分压为P1(9×10－6Pa)左右，在形成第二AlOx时，将水分压设为P2(4×10－4Pa)左右，则第一AlOx11的薄膜应力为－200MPa左右，第二AlOx12为180MPa左右，因此，作为第一基底层10整体，也能够实现非常小的薄膜应力。另外，根据需要，也能够形成拉伸应力或压缩应力大的基底层。
图11是基底层10仅由膜质不同的AlOx形成的例子，但从与聚酰亚胺基板100的亲和性等出发，如图12所示，也有时最好在AlOx层10和聚酰亚胺基板100之间配置SiOx。此外，不仅是SiOx，还可以将SiOx和SiNx的层叠膜配置于AlOx10和聚酰亚胺基板100之间。SiOx或SiNx的膜厚例如为50nm～300nm。进而，SiOx或SiNx也可以形成于AlOx10和第一玻璃基板1之间。该情况下，在产品中，SiOx或SiNx配置于AlOx的外侧。
图11是由膜质不同的AlOx11和AlOx12的层叠膜形成基底层10的例子，但除此之外，如图13所示，能够由AlOx11和Al13的层叠膜形成基底层10。Al13与AlOx11相比，柔软且薄膜应力小，因此，能够用于基底层10的薄膜应力的控制。另外，Al13也能够与AlOx11一同作为阻挡来自外部的水分等的阻挡层起作用。但是，包含图13的Al13在内的结构由于不能透射光，所以很难作为对置基板200侧的基底层来使用。
图7中的TFT的结构是栅电极与半导体层相比位于更上方的所谓顶栅型的TFT。但是，即使是半导体层与栅电极相比位于更上侧的底栅型的TFT，本发明也能够完全同样地应用。
此外，为了提高阻挡功能，通过将包含AlOx在内的基底层设置于聚酰亚胺基板和TFT之间、或者TFT和有机钝化膜之间、或者外层涂敷膜114和粘接材料之间等，能够进一步提高阻挡性能和进一步提高柔性基板的弯曲防止效果。
实施例2
液晶显示装置也能够通过将TFT基板或对置基板减薄来作为柔性显示器。另外，通过实施例1的图6中说明的方法，也能够利用聚酰亚胺那样的树脂形成TFT基板及对置基板。
图14是液晶显示装置的俯视图。图14中，在与TFT基板100对置的对置基板200上形成有显示区域1000，覆盖显示区域1000配置有上偏振板510。在端子部150连接有驱动IC400和柔性配线基板300。
图15是图14的B－B剖视图。图15中，将TFT基板100和对置基板200对置配置，在TFT基板100和对置基板200之间夹持有液晶。在对置基板200之上粘贴有上偏振板510，在TFT基板100之下粘贴有下偏振板520。由TFT基板100、对置基板200、上偏振板510、下偏振板520构成液晶显示面板3000。在下偏振板520的下侧配置有背光灯2000。
图15中，通过由薄树脂或薄玻璃形成TFT基板100或对置基板200，能够将液晶显示面板3000制成柔性弯曲的构造。背光灯2000包含光源、导光板、光学片等，但通过利用薄的树脂形成导光板等，并将背光灯也选择柔软的类型，能够将液晶显示装置整体制成柔性显示装置。
图16是这种液晶显示装置的制造工艺的例子。此外，在液晶显示装置的情况下，也如图4所示，最初形成于母基板的情况与有机EL显示装置的情况相同。图16中，TFT基板和对置基板分开来形成，在对置基板侧滴下了液晶后，进行贴合。
图16中，由聚酰亚胺形成的TFT基板及对置基板的形成方法与图5及图6中说明的有机EL显示装置的情况相同。在形成了聚酰亚胺基板后，在TFT基板侧形成阵列层。另一方面，在对置基板侧，形成彩色滤光片或密封材料，滴下液晶。TFT基板侧和对置基板侧的详细结构在图17中进行说明。
图16中，在将TFT基板和对置基板贴合之后，首先，通过激光烧蚀将玻璃基板从对置基板侧剥离。之后，截断成各液晶单元，在各液晶单元连接驱动IC及柔性配线基板。之后，通过激光烧蚀，从TFT基板侧剥离玻璃基板。之后，在TFT基板及对置基板侧分别粘贴下偏振板及上偏振板。
图17是示出图16中贴合了TFT基板100侧和对置基板200侧的状态的显示区域的剖视图。图17中，在第一玻璃基板1之上形成有剥离层20，在剥离层20之上形成有基底层10。在其上利用聚酰亚胺形成TFT基板100。该工艺与图6中说明的有机EL显示装置的情况相同。
在TFT基板100之上形成有由SiOx或SiNx形成的基底膜101。形成于基底膜101之上的TFT的结构与实施例1的图7中说明的结构基本上相同。即，在第一基底层10之上形成有半导体层102，在其上覆盖有通过TEOS形成的基于SiOx的栅极绝缘膜103。在栅极绝缘膜103之上形成有栅电极104，覆盖其形成有通过溅射形成的基于SiNx的层间绝缘膜105。
在层间绝缘膜105之上形成有接触电极1071。接触电极1071经由通孔140与TFT的漏电极107连接，且经由通孔130与像素电极122连接。图17的漏电极106与视频信号线连接。图17中，在层间绝缘膜105之上例如形成有由SiNx形成的无机钝化膜40。无机钝化膜40保护TFT不受从上侧侵入的水分或氢影响。
在无机钝化膜40之上形成有兼作平坦化膜的有机钝化膜108。在有机钝化膜108之上，呈平面状地形成有公共电极120，在公共电极120之上形成有电容绝缘膜121，再在电容绝缘膜121之上形成有像素电极122。像素电极122经由通孔130与接触电极1071连接。电容绝缘膜121与像素电极122及公共电极120一起构成保持电容。图17中，当对像素电极122施加电压时，在其与公共电极120之间产生如箭头示出的电力线，驱动液晶分子251。在像素电极122之上形成有用于对液晶分子251进行初始取向的取向膜123。
图17中，对置基板200隔着液晶层250相对配置。对置基板200也由聚酰亚胺形成。对置基板200的形成方法也与TFT基板100侧相同，如图16及图6中说明的那样。即，在第二玻璃基板2上形成有剥离层20，在剥离层20上形成有基底层10，再在基底层10上形成有成为对置基板200的聚酰亚胺基板。
在对置基板200之上形成有黑矩阵202及彩色滤光片201，覆盖彩色滤光片201形成有外层涂敷膜203。覆盖外层涂敷膜203形成有用于将液晶分子251初始取向的取向膜123。
之后，如图18所示，通过激光烧蚀，首先将第二玻璃基板2从对置基板2剥离。通过进行激光烧蚀，剥离层2与第二玻璃基板2一同被剥离，在对置基板200的外侧残留基底层10。
之后，截断母基板，分离成各个液晶单元，且将驱动IC及柔性配线基板连接。之后，如图18所示，通过激光烧蚀，将第一玻璃基板1从TFT基板100侧剥离。剥离层20与第一玻璃基板1一同被剥离，在TFT基板100的外侧存在基底层10。
这样，在液晶显示装置的情况下，也能够在由聚酰亚胺形成的TFT基板100或对置基板200的外侧残留基底层10。由此，能够防止激光烧蚀时的对聚酰亚胺基板100、200造成的损伤。另外，如图11～图12中所说明的那样，通过将基底层10制成保护AlOx在内的多层膜，能够控制薄膜应力，防止柔性显示装置的弯曲。
此外，基底层如图13所示，在包含Al层的情况下，基底层为不透明，因此，在具有背光灯的液晶显示装置中，使用起来很困难。但是，在反射型液晶显示装置的情况下能够使用。
图17中的TFT的结构为栅电极存在于半导体层之上的、所谓顶栅型的TFT。但是，即使是半导体层存在于比栅电极更上侧的、底栅型的TFT，本发明也能够全部同样地应用。
为了提高阻挡功能，将包含AlOx在内的基底层设置于TFT基板100和TFT之间、或TFT和有机钝化膜108之间、或者对置基板200和彩色滤光片或黑矩阵之间等，能够提高阻挡性能，能够进一步提高柔性基板的弯曲防止效果。

Claims (20)

1.一种有机EL显示装置，在第一基板上形成有TFT，在所述TFT之上形成有有机EL层，所述有机EL显示装置的特征在于，
在所述有机EL层之上形成有保护层，
在所述第一基板的外侧形成有第一基底层。
2.根据权利要求1所述的有机EL显示装置，其特征在于，
所述第一基底层由包含AlOx在内的层形成。
3.根据权利要求1所述的有机EL显示装置，其特征在于，
所述第一基底层为膜质不同的第一AlOx和第二AlOx的层叠构造。
4.根据权利要求1所述的有机EL显示装置，其特征在于，
在所述保护层之上形成有第二基板，
在所述第二基板的外侧形成有第二基底层。
5.根据权利要求4所述的有机EL显示装置，其特征在于，
所述第二基底层由包含AlOx在内的层形成。
6.一种有机EL显示装置的制造方法，所述有机EL显示装置在第一基板上形成有TFT，在所述TFT之上形成有有机EL层，所述有机EL显示装置的制造方法的特征在于，
在第一玻璃基板之上形成剥离层，
在所述剥离层之上形成基底层，
在所述基底层之上通过聚酰亚胺形成第一基板，
在所述第一基板上形成所述TFT，在所述TFT之上形成有机EL层，
在所述有机EL层之上形成保护层，
之后，将所述玻璃基板与所述剥离层一同从所述第一基板剥离。
7.根据权利要求6所述的有机EL显示装置的制造方法，其特征在于，
所述剥离层由Ti、Ni、Cu、Fe、Ag、Au、Cr、Mo、W等金属、或包含这些金属的合金形成。
8.根据权利要求6所述的有机EL显示装置的制造方法，其特征在于，
由AlOx形成所述基底层。
9.根据权利要求6所述的有机EL显示装置的制造方法，其特征在于，
由第一水分压下的第一AlOx和第二水分压下的第二AlOx的层叠构造形成所述基底层。
10.根据权利要求6所述的有机EL显示装置的制造方法，其特征在于，
所述剥离通过激光烧蚀进行。
11.一种液晶显示装置，
在第一基板上形成有TFT和像素电极，
与所述第一基板对置地配置有对置基板，
在所述第一基板和所述第二基板之间夹持有液晶，
所述液晶显示装置的特征在于，
在所述第一基板的外侧形成有第一基底层。
12.根据权利要求11所述的液晶显示装置，其特征在于，
所述第一基底层由包含AlOx在内的层形成。
13.根据权利要求11所述的液晶显示装置，其特征在于，
所述第一基底层为膜质不同的第一AlOx和第二AlOx的层叠构造。
14.根据权利要求11所述的液晶显示装置，其特征在于，
在所述第二基板的外侧形成有第二基底层。
15.根据权利要求14所述的液晶显示装置，其特征在于，
所述第二基底层由包含AlOx在内的层形成。
16.一种液晶显示装置的制造方法，在所述液晶显示装置中，
在第一基板上形成有TFT和像素电极，
与所述第一基板对置地配置有对置基板，
在所述第一基板和所述第二基板之间夹持有液晶，所述液晶显示装置的制造方法的特征在于，
在第一玻璃基板之上形成第一剥离层，
在所述第一剥离层之上形成第一基底层，
在所述第一基底层之上通过聚酰亚胺形成第一基板，
在所述第一基板之上形成所述TFT和所述像素电极，
在第二玻璃基板之上形成第二剥离层，
在所述第二剥离层之上形成第二基底层，
在所述第二基底层之上通过聚酰亚胺形成第二基板，
在所述第一基板和所述第二基板之间封固液晶，
之后，将所述第二玻璃基板与所述第二剥离层一同从所述第二基板剥离，
将所述第一玻璃基板与所述第一剥离层一同从所述第一基板剥离。
17.根据权利要求16所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，
所述剥离层由Ti、Ni、Cu、Fe、Ag、Au、Cr、Mo、W等金属、或包含这些金属的合金形成。
18.根据权利要求16所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，
由AlOx形成所述基底层。
19.根据权利要求16所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，
由第一水分压下的第一AlOx和第二水分压下的第二AlOx的层叠构造形成所述基底层。
20.根据权利要求16所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，
所述剥离通过激光烧蚀进行。
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