CN107367713B - K2波段接收机前端模块的制作加工方法 - Google Patents

K2波段接收机前端模块的制作加工方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107367713B
CN107367713B CN201710473433.2A CN201710473433A CN107367713B CN 107367713 B CN107367713 B CN 107367713B CN 201710473433 A CN201710473433 A CN 201710473433A CN 107367713 B CN107367713 B CN 107367713B
Authority
CN
China
Prior art keywords
manufacturing
circuit board
insulator
end module
radio frequency
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710473433.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107367713A (zh
Inventor
汪宁
陈兴盛
李金晶
洪火锋
陈在
孟庆贤
俞昌忠
方航
张庆燕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anhui East China Institute of Optoelectronic Technology
Original Assignee
Anhui Huadong Polytechnic Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anhui Huadong Polytechnic Institute filed Critical Anhui Huadong Polytechnic Institute
Priority to CN201710473433.2A priority Critical patent/CN107367713B/zh
Publication of CN107367713A publication Critical patent/CN107367713A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107367713B publication Critical patent/CN107367713B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01SRADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/02Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S13/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

本发明公开了一种K2波段接收机前端模块的制作加工方法,该加工方法包括:步骤1:制作以及安装射频绝缘子组件;步骤2:使用导电胶粘接馈电绝缘子;步骤3:安装Rogers电路板以及SMP接头;步骤4:元器件焊接以及制作馈电电路板组件;步骤5:制作共晶组件U1、U2、U4;步骤6:将共晶组件依次安装到腔体上;步骤7:导电胶粘接滤波器;步骤8:电装焊接;步骤9:等离子清洗;步骤10:金丝键合;步骤11:封盖。该方法可以提高产品合格率,为批量化生产提供了有力保障。

Description

K2波段接收机前端模块的制作加工方法
技术领域
本发明涉及微波模块制作加工工艺领域,具体地涉及K2波段接收机前端模块的制作加工方法。
背景技术
接收机是雷达的重要组成部分,雷达接收机的主要作用是放大和处理雷达发射后反射回的所需要的回波,接收机前端是雷达处理回波信号的前端,其性能直接影响后续电路性能的发挥,并且影响雷达整机的性能指标。
经过多次试验和工艺摸索,并用此工艺方法生产的产品经过测试、环境试验及上机试飞,各项技术性能指标均满足整机要求,且此制作工艺流程简单,设备投资小,适用小批量生产。
发明内容
本发明的目的是提供一种K2波段接收机前端模块的制作加工方法,该方法可以提高产品合格率,为批量化生产提供了有力保障。
为了实现上述目的,本发明提供了一种K2波段接收机前端模块的制作加工方法,加工方法包括:步骤1:制作以及安装射频绝缘子组件;步骤2:使用导电胶粘接馈电绝缘子;步骤3:安装Rogers电路板以及SMP接头;步骤4:元器件焊接以及制作馈电电路板组件;步骤5:制作共晶组件U1、 U2、U4;步骤6:将共晶组件依次安装到腔体上;步骤7:导电胶粘接滤波器;步骤8:电装焊接;步骤9:等离子清洗;步骤10:金丝键合;步骤11:封盖。
优选地,步骤1包括:将射频绝缘子长端和短端长度分别修剪至 1.6-1.8mm和0.4-0.6mm,将射频绝缘子长端安装到套筒内并加热,进行焊膏熔化烧结完成后得到射频绝缘子组件;在射频绝缘子组件外侧点涂两圈 217℃焊膏,而后安装到腔体上,并对射频绝缘子组件在255-265℃的温度下进行烧结。
优选地,步骤2中包括在馈电绝缘子外侧涂覆一层导电胶安装到腔体上。
优选地,步骤3包括在Rogers电路板背面涂覆一层183℃焊锡膏,在馈电绝缘子外侧点涂二圈183℃焊锡膏,在SMP接头外侧点涂四圈183℃焊锡膏,并将Rogers电路板、馈电绝缘子和SMP接头安装于腔体上,将压块压在Rogers电路板上,盖上盖板并固定。
优选地,步骤4中,用电烙铁熔融183℃焊锡丝将电阻R1、电容C1~C6、放大器芯片U6和滤波器U7焊接到Rogers电路板上,用点胶机在待贴元器件的焊盘上点涂217℃焊锡膏。
优选地,步骤5中,将放大器芯片CGY2121和四个芯片电容用金锡焊膏在温度为290-310℃的手动共晶台上共晶到钼铜载体上。
优选地,步骤6中安装共晶组件前在待安装位置上点涂160℃焊锡膏。
优选地,步骤7中,在待安装滤波器腔体区域内涂覆一层导电胶。
优选地,步骤8中,用电烙铁熔融183℃焊锡丝将射频绝缘子组件、馈电绝缘子与边缘焊盘焊接连至一起;用螺钉配上平垫、弹垫将馈电电路板安装在腔体背面上,用电烙铁熔融183℃焊锡丝将馈电绝缘子与电路板用导线焊接。
优选地,步骤9中包括使用等离子清洗机进行氩气清洗,其中,清洗射频功率为500W,清洗时间为3min。
根据上述技术方案,本发明通过步骤1:制作以及安装射频绝缘子组件;步骤2:使用导电胶粘接馈电绝缘子;步骤3:安装Rogers电路板以及SMP 接头;步骤4:元器件焊接以及制作馈电电路板组件;步骤5:制作共晶组件U1、U2、U4;步骤6:将共晶组件依次安装到腔体上;步骤7:导电胶粘接滤波器;步骤8:电装焊接;步骤9:等离子清洗;步骤10:金丝键合;步骤11:封盖。该方法可以提高产品合格率,为批量化生产提供了有力保障。
本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本发明,但并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1是本发明中接收机前端模块正面装配图;
图2是本发明中接收机前端模块背面装配图;
图3是本发明中芯片共晶图。
附图标记说明
1腔体 2Rogers电路板
3射频绝缘子组件 4馈电绝缘子DC2516-0.7
5SMP接头 6馈电绝缘子DC1616-0.45
7馈电电路板
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明,并不用于限制本发明。
在本发明中,在未作相反说明的情况下,“上下左右、前后内外”等包含在术语中的方位词仅代表该术语在常规使用状态下的方位,或为本领域技术人员理解的俗称,而不应视为对该术语的限制。在如下具体实施方式说明中,馈电绝缘子4即代表馈电绝缘子DC2516-0.7,馈电绝缘子6即代表馈电绝缘子DC1616-0.45。
参见图1-3所示的K2波段接收机前端模块,该K2波段接收机前端模块的制作加工方法包括:步骤1:制作以及安装射频绝缘子组件;步骤2:使用导电胶粘接馈电绝缘子;步骤3:安装Rogers电路板以及SMP接头;步骤4:元器件焊接以及制作馈电电路板组件;步骤5:制作共晶组件U1、 U2、U4;步骤6:将共晶组件依次安装到腔体上;步骤7:导电胶粘接滤波器;步骤8:电装焊接;步骤9:等离子清洗;步骤10:金丝键合;步骤11:封盖。
通过上述技术方案的实施,提高产品合格率,也为批量化生产提供了有力保障。
在该实施方式中,将射频绝缘子(RF2516)长端和短端长度分别修剪至 1.6-1.8mm、0.4-0.6mm,在套筒一端内壁涂覆一层金锡焊膏(Au80Sn20),然后将射频绝缘子长端安装到套筒内,直至射频绝缘子组件3整体长度为 3.5-3.7mm,然后一起放在300℃手动共晶加热台上,进行焊膏熔化,烧结完成后得到射频绝缘子组件3。在射频绝缘子组件3外侧点涂两圈217℃焊膏 (OM338),随后对照K2波段接收机前端模块正面装配图1,安装到腔体1相应位置上;将其放在温度为255-265℃加热平台进行烧结,锡膏开始融化时,用镊子轻轻拨动,使焊缝处焊膏光亮饱满,烧结完成后取下,自然冷却。
在该实施方式中,在馈电绝缘子6(DC1616-0.45)外侧涂覆一层导电胶 (H20E),随后对照K2波段接收机前端模块正面装配图1,安装到腔体1相应位置上;将其放置在温度为115-125℃的烘箱中进行导电胶固化,固化时间为60~120min。
在该实施方式中,在Rogers电路板2背面涂覆一层薄薄的183℃焊锡膏,随后对照K2波段接收机前端模块正面装配图1,安装到腔体1上;在馈电绝缘子4(DC2516-0.7)外侧点涂2圈183℃焊锡膏,随后对照K2波段接收机前端模块正面装配图1,安装到腔体1上;在SMP接头5外侧点涂4圈 183℃焊锡膏,随后对照K2波段接收机前端模块正面装配图1,安装到腔体 1相应位置上,SMP接头内芯要与Rogers电路板微带线居中;将压块压在 Rogers电路板2上,盖上盖板,用螺钉固定,一起放置在215-225℃加热平台上进行烧结,在焊膏开始熔化时,不断将螺钉旋紧;用镊子轻轻拨动SMP 接头5和馈电绝缘子4(DC2516-0.7),使焊缝处焊膏光亮饱满,烧结完成后取下,自然冷却。
在该实施方式中,按照K2波段接收机前端模块正面装配图1,用电烙铁熔融183℃焊锡丝将电阻R1、电容C1~C6、放大器芯片U6和滤波器U7 焊接到Rogers电路板2上,焊接完成冷却后,放置在盛有无水乙醇的烧杯中超声清洗,然后使用毛刷子进行刷洗,自然晾干。按照馈电电路板组件装配图2,用点胶机在待贴元器件的焊盘上点涂217℃焊锡膏,正确贴装元器件,然后将其放置在235-245℃的加热平台上烧结,烧结完成冷却后,放置在盛有无水乙醇的烧杯中超声清洗,然后使用毛刷子进行刷洗,自然晾干。
在该实施方式中,按照芯片共晶图3,将放大器芯片CGY2121、4个芯片电容用金锡焊膏在温度为290-310℃的手动共晶台上共晶到钼铜载体上,在共晶过程中,芯片和芯片电容与钼铜载体需摩擦焊,使芯片与载体、芯片电容与载体充分焊接,至此,得到共晶组件U1。对照芯片共晶图3,按照步骤1)方法,共晶放大器芯片2069,得到共晶组件U2。对照芯片共晶图3,按照步骤1)方法,共晶混频器芯片H260,得到共晶组件U4。
在该实施方式中,焊锡熔化后,对照K2波段接收机前端模块正面装配图1,将共晶组件U1、U2、U4摩擦焊接到腔体1上,焊接完成后取下自然冷却。
在该实施方式中,在待安装滤波器腔体区域内涂覆一层导电胶(H20E) (共2处),随后对照K2波段接收机前端模块正面装配图1,将第一滤波器 U3和第二滤波器U5安装到腔体1相应位置上;然后将腔体1放置在温度为 115-125℃的烘箱中进行导电胶固化,固化时间为60~120min。
在该实施方式中,按照K2波段接收机前端模块正面装配图1,用电烙铁熔融183℃焊锡丝将射频绝缘子组件、馈电绝缘子与边缘焊盘焊接连至一起(共3处);按照K2波段接收机前端模块背面装配图2 ,用M2x4不锈钢十字槽圆头螺钉配上平垫、弹垫将馈电电路板安装在腔体背面上,用电烙铁熔融183℃焊锡丝将馈电绝缘子与电路板用导线焊接(共9处)。
在该实施方式中,使用YES-G500等离子清洗机,选择氩气清洗,参考清洗参数:射频功率500W,等离子清洗时间3min。使用金丝压焊机7476E,参考键合参数:芯片到芯片电容超声功率第一点和第二点分别为138、163,超声时间的第一点和第二点分别为38、70,尾丝为30;正面第一盖板和背面盖板用M2x4沉头螺钉固定,正面第二盖板用118℃铟锡焊料进行钎焊。
以上结合附图详细描述了本发明的优选实施方式,但是,本发明并不限于上述实施方式中的具体细节,在本发明的技术构思范围内,可以对本发明的技术方案进行多种简单变型,这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是,在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征,在不矛盾的情况下,可以通过任何合适的方式进行组合,为了避免不必要的重复,本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外,本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合,只要其不违背本发明的思想,其同样应当视为本发明所公开的内容。

Claims (10)

1.一种K2波段接收机前端模块的制作加工方法,其特征在于,该加工方法包括:步骤1:制作以及安装射频绝缘子组件;步骤2:使用导电胶粘接馈电绝缘子;步骤3:安装Rogers电路板以及SMP接头;步骤4:元器件焊接以及制作馈电电路板组件;步骤5:制作共晶组件U1、U2、U4;步骤6:将共晶组件依次安装到腔体上;步骤7:导电胶粘接滤波器;步骤8:电装焊接;步骤9:等离子清洗;步骤10:金丝键合;步骤11:封盖。
2.根据权利要求1所述的K2波段接收机前端模块的制作加工方法,其特征在于,步骤1包括:将射频绝缘子长端和短端长度分别修剪至1.6-1.8mm和0.4-0.6mm,将射频绝缘子长端安装到套筒内并加热,进行焊膏熔化烧结完成后得到射频绝缘子组件;
在射频绝缘子组件外侧点涂两圈217℃焊膏,而后安装到腔体上,并对射频绝缘子组件在255-265℃的温度下进行烧结。
3.根据权利要求1所述的K2波段接收机前端模块的制作加工方法,其特征在于,步骤2中包括在馈电绝缘子外侧涂覆一层导电胶安装到腔体上。
4.根据权利要求1所述的K2波段接收机前端模块的制作加工方法,其特征在于,步骤3包括在Rogers电路板背面涂覆一层183℃焊锡膏,在馈电绝缘子外侧点涂二圈183℃焊锡膏,在SMP接头外侧点涂四圈183℃焊锡膏,并将Rogers电路板、馈电绝缘子和SMP接头安装于腔体上,将压块压在Rogers电路板上,盖上盖板并固定。
5.根据权利要求1所述的K2波段接收机前端模块的制作加工方法,其特征在于,步骤4中,用电烙铁熔融183℃焊锡丝将电阻R1、电容C1~C6、放大器芯片U6和滤波器U7焊接到Rogers电路板上,用点胶机在待贴元器件的焊盘上点涂217℃焊锡膏。
6.根据权利要求1所述的K2波段接收机前端模块的制作加工方法,其特征在于,步骤5中,将放大器芯片CGY2121和四个芯片电容用金锡焊膏在温度为290-310℃的手动共晶台上共晶到钼铜载体上。
7.根据权利要求1所述的K2波段接收机前端模块的制作加工方法,其特征在于,步骤6中安装共晶组件前在待安装位置上点涂160℃焊锡膏。
8.根据权利要求1所述的K2波段接收机前端模块的制作加工方法,其特征在于,步骤7中,在待安装滤波器腔体区域内涂覆一层导电胶。
9.根据权利要求1所述的K2波段接收机前端模块的制作加工方法,其特征在于,步骤8中,用电烙铁熔融183℃焊锡丝将射频绝缘子组件、馈电绝缘子与边缘焊盘焊接连至一起;
用螺钉配上平垫、弹垫将馈电电路板安装在腔体背面上,用电烙铁熔融183℃焊锡丝将馈电绝缘子与电路板用导线焊接。
10.根据权利要求1所述的K2波段接收机前端模块的制作加工方法,其特征在于,步骤9中包括使用等离子清洗机进行氩气清洗,其中,清洗射频功率为500W,清洗时间为3min。
CN201710473433.2A 2017-06-21 2017-06-21 K2波段接收机前端模块的制作加工方法 Active CN107367713B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710473433.2A CN107367713B (zh) 2017-06-21 2017-06-21 K2波段接收机前端模块的制作加工方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710473433.2A CN107367713B (zh) 2017-06-21 2017-06-21 K2波段接收机前端模块的制作加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107367713A CN107367713A (zh) 2017-11-21
CN107367713B true CN107367713B (zh) 2020-06-12

Family

ID=60306233

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710473433.2A Active CN107367713B (zh) 2017-06-21 2017-06-21 K2波段接收机前端模块的制作加工方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107367713B (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108161264B (zh) * 2017-12-01 2020-10-23 安徽华东光电技术研究所 X波段收发组件的制作方法
CN108462491A (zh) * 2017-12-01 2018-08-28 安徽华东光电技术研究所 用于Ku波段频率综合器上的本振源模块加工方法
CN108039553A (zh) * 2017-12-15 2018-05-15 安徽华东光电技术研究所 一种Ku波段一分三功分器的制作工艺
CN108375757B (zh) * 2018-02-01 2021-02-05 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 用于相控阵发射***的发射组件的安装结构
CN109347450A (zh) * 2018-09-13 2019-02-15 安徽华东光电技术研究所有限公司 一种亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器的加工方法
CN109661123B (zh) * 2018-12-10 2021-08-27 安徽华东光电技术研究所有限公司 推动级放大模块的制作加工方法
CN109688787A (zh) * 2018-12-10 2019-04-26 安徽华东光电技术研究所有限公司 频段前级放大器模块制作方法
CN109672410B (zh) * 2018-12-20 2024-04-09 安徽华东光电技术研究所有限公司 一种Ka波段变频模块的制作方法
CN109769390A (zh) * 2019-03-14 2019-05-17 安徽华东光电技术研究所有限公司 一种前级放大器模块的制作方法
CN111934077A (zh) * 2020-08-07 2020-11-13 安徽华东光电技术研究所有限公司 一种Ka波段波导接收模块制作工艺
CN112954913A (zh) * 2021-01-26 2021-06-11 安徽华东光电技术研究所有限公司 K1波段接收机的中频模块制作方法
CN113939109A (zh) * 2021-09-29 2022-01-14 隆扬电子(昆山)股份有限公司 Rogers产品贴装工艺

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003069695A3 (en) * 2002-02-14 2003-11-20 Ma Com Inc Multilayer package for a semiconductor device
CN104833955A (zh) * 2015-03-09 2015-08-12 中国科学院上海微***与信息技术研究所 一种3mm波段小型探测器前端
CN106374862A (zh) * 2016-08-31 2017-02-01 安徽华东光电技术研究所 微波四通道放大器模块及其制作方法
CN106455356A (zh) * 2016-08-24 2017-02-22 安徽华东光电技术研究所 固态微波源的制作加工方法
CN106572607A (zh) * 2016-06-23 2017-04-19 安徽华东光电技术研究所 一种固态微波源的工艺制作方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003069695A3 (en) * 2002-02-14 2003-11-20 Ma Com Inc Multilayer package for a semiconductor device
CN104833955A (zh) * 2015-03-09 2015-08-12 中国科学院上海微***与信息技术研究所 一种3mm波段小型探测器前端
CN106572607A (zh) * 2016-06-23 2017-04-19 安徽华东光电技术研究所 一种固态微波源的工艺制作方法
CN106455356A (zh) * 2016-08-24 2017-02-22 安徽华东光电技术研究所 固态微波源的制作加工方法
CN106374862A (zh) * 2016-08-31 2017-02-01 安徽华东光电技术研究所 微波四通道放大器模块及其制作方法

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
X-Band Receiver Module in Fully Depleted Silicon On Insulator Technology;A. Mattamana 等;《2012 IEEE International SOI Conference (SOI)》;20130111;全文 *
X波段金属—陶瓷封装的设计;李军;《表面贴装技术研讨会暨电子互联与封装技术研讨会论文集》;20040422;全文 *
低温共烧陶瓷雷达引信接收前端;曾耿华等;《探测与控制学报》;20090616;第31卷(第2期);全文 *
微波组件馈电绝缘子装配工艺研究;陈澄等;《电子工艺技术》;20161213;第37卷(第6期);全文 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN107367713A (zh) 2017-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107367713B (zh) K2波段接收机前端模块的制作加工方法
CN107645849B (zh) 一种微波激励高频模块的制作方法
US7468560B2 (en) Semiconductor device with micro connecting elements and method for producing the same
JP2901091B2 (ja) 半導体装置
CN109661123B (zh) 推动级放大模块的制作加工方法
CN105530017A (zh) 一种宽带收发***接收前端的制作方法
CN105099370A (zh) 前置混频器的加工方法
US5661441A (en) Dielectric resonator oscillator and method of manufacturing the same
CN111106104A (zh) 18-28ghz的t组件制作工艺
CN109688725B (zh) K1波段频率源模块的制作方法
US7961470B2 (en) Power amplifier
CN108111138B (zh) 功率放大器的制作方法
JP2861956B2 (ja) 高周波デバイスパッケージ及びその製造方法
CN107395197B (zh) 锁相频率源的制作加工方法
CN109673104B (zh) 用于频率综合器上的激励信号模块加工方法
CN111934077A (zh) 一种Ka波段波导接收模块制作工艺
CN105472215A (zh) 具有电气支架的摄像模组及其组装方法和应用
CN113871834A (zh) 四倍频模块的制作工艺
JP3462479B2 (ja) 表面弾性波フィルターのセラミックパッケージのシーリング方法及び装置
CN109672410B (zh) 一种Ka波段变频模块的制作方法
CN216120271U (zh) 一种射频模组的封装结构
CN113206052A (zh) 一种射频模组的封装结构及制作方法
CN112954913A (zh) K1波段接收机的中频模块制作方法
CN111565518A (zh) 一种x波段80瓦功率放大器的制作工艺
CN114106712B (zh) 一种腔体滤波器导电胶粘接工艺

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address

Address after: 241000 Emshan Road, Yijiang District, Wuhu City, Anhui Province

Patentee after: ANHUI HUADONG PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY INSTITUTE Co.,Ltd.

Address before: 241000 Huaxia science and Technology Park, Wuhu high tech Industrial Development Zone, Anhui

Patentee before: Anhui Huadong Polytechnic Institute

CP03 Change of name, title or address