CN107359108A - 一种半导体晶圆清洗方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体制作技术领域,具体涉及一种半导体晶圆清洗方法,包括以下步骤:S1、采用带O2的等离子体轰击晶圆表面;S2、在完成步骤S1后的第一规定时间内采用NMP清洗晶圆表面,之后采用IPA溶液去除晶圆上残留的NMP,最后采用去离子水清洗晶圆表面,晶圆吹干或旋干待用;S3、在完成步骤S2后的第二规定时间内采用稀释氨水清洗晶圆表面,之后采用去离子水清洗晶圆表面,晶圆吹干或旋干待用;S4、在完成步骤S3后的第三规定时间内采用DHF溶液清洗晶圆表面,之后采用去离子水清洗晶圆表面,晶圆吹干或旋干待用;在完成步骤S4后的第四规定时间内利用带O2的等离子体轰击晶圆表面,在20min以内使用该晶圆进行后续工艺。本发明操作安全,成本低。
Description
技术领域
本发明属于半导体制作技术领域,具体涉及一种半导体晶圆清洗方法。
背景技术
二十一世纪,社会迈入了超高速发展的信息时代,全球数据业务呈现几何倍数的***式增长,对网络带宽和速度的需求飞速增长,导致半导体芯片集成度越来越高、功能越来越多、线宽越来越小。因此,在半导体芯片的制作过程中,清洁、干净的晶圆表面对半导体器件制作越来越重要。例如:前道工艺的表面生成物、particle、有机沾污等污染物,将导致器件在湿法工艺时出现表面起伏,严重时将影响器件击穿等特性;前道工艺的光胶,在去除过程中,在底部会留有肉眼很难发现的残胶,从而影响后续如金属沉积、湿法刻蚀等工艺的进行以及可靠性。
传统的Si晶圆清洗方式一般流程为:
强酸+强氧化剂:如浓硫酸+双氧水,去除表面有机物;
氨水+双氧水:去除表面金属离子微尘;
稀释氢氟酸:去除表面氧化物;
由于第一道工艺采用的强酸+强氧化剂,操作危险性较高,一般采用专门的自动机台,造价较高,不利于实验使用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种安全性高、成本低的半导体晶圆清洗方法。
为达到上述要求,本发明采取的技术方案是:提供一种半导体晶圆清洗方法,包括以下步骤:
S1、采用带O2的等离子体轰击晶圆表面;
S2、在完成步骤S1后的第一规定时间内采用NMP清洗晶圆表面,之后采用IPA溶液去除晶圆上残留的NMP,最后采用去离子水清洗晶圆表面,晶圆吹干或旋干待用;
S3、在完成步骤S2后的第二规定时间内采用稀释氨水清洗晶圆表面,之后采用去离子水清洗晶圆表面,晶圆吹干或旋干待用;
S4、在完成步骤S3后的第三规定时间内采用DHF溶液清洗晶圆表面,之后采用去离子水清洗晶圆表面,晶圆吹干或旋干待用;
S5、在完成步骤S4后的第四规定时间内利用带O2的等离子体轰击晶圆表面,在20min以内使用该晶圆进行后续工艺。
与现有技术相比,本发明具有以下优点:第一步采用带O2的等离子体轰击晶圆表面,去除晶圆表面前道工艺的残留物质,再采用NMP清除晶圆表面有机物,IPA溶液冲洗清除NMP残留,去离子水去除IPA残留,再采用稀释氨水去除晶圆表面吸附的颗粒颗粒,最后利用DHF溶液去除晶圆表面氧化物,从而得到干净的Si晶圆;操作安全性高,成本低。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解,构成本申请的一部分,在这些附图中使用相同的参考标号来表示相同或相似的部分,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。在附图中:
图1为本发明的流程图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚,以下结合附图及具体实施例,对本申请作进一步地详细说明。为简单起见,以下描述中省略了本领域技术人员公知的某些技术特征。
如图1所示,本实施例提供一种半导体晶圆清洗方法,包括以下步骤:
S1、采用带O2的等离子体轰击晶圆表面,带O2的等离子体通过Descum或Asher设备产生;
S2、在完成步骤S1后的20min内采用NMP清洗晶圆表面,清洗时的室温为100℃,清洗时间为2min;之后采用IPA溶液去除晶圆上残留的NMP,清洗时间2min;最后采用去离子水清洗晶圆表面,晶圆吹干或旋干待用;
S3、在完成步骤S2后的20min内采用稀释氨水清洗晶圆表面,稀释氨水的浓度为5%,清洗时间为5min;之后采用去离子水清洗晶圆表面,晶圆吹干或旋干待用;
S4、在完成步骤S3后的20min内采用DHF溶液清洗晶圆表面,DHF溶液为氢氟酸、双氧水及去离子水混合液体,氢氟酸的体积浓度≥10%,双氧水的体积浓度≥10%,清洗时间为3min;之后采用去离子水清洗晶圆表面,晶圆吹干或旋干待用;
S5、在步骤S4工艺之后,晶圆表面氧化层部分除去,在完成步骤S4后的20min内利用O2等离子体再次进行轰击,有助于进一步提高晶圆表面金属附着力,并且在轰击完毕后的20min以内使用该晶圆进行后续工艺,具有更好的效果。
以上实施例仅表示本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能理解为对本发明范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明保护范围。因此本发明的保护范围应该以权利要求为准。
Claims (10)
1.一种半导体晶圆清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、采用带O2的等离子体轰击晶圆表面;
S2、在完成步骤S1后的第一规定时间内采用NMP清洗晶圆表面,之后采用IPA溶液去除晶圆上残留的NMP,最后采用去离子水清洗晶圆表面,晶圆吹干或旋干待用;
S3、在完成步骤S2后的第二规定时间内采用稀释氨水清洗晶圆表面,之后采用去离子水清洗晶圆表面,晶圆吹干或旋干待用;
S4、在完成步骤S3后的第三规定时间内采用DHF溶液清洗晶圆表面,之后采用去离子水清洗晶圆表面,晶圆吹干或旋干待用;
S5、在完成步骤S4后的第四规定时间内利用带O2的等离子体轰击晶圆表面,在20min以内使用该晶圆进行后续工艺。
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆清洗方法,其特征在于,所述步骤S2中的第一规定时间为20min。
3.根据权利要求1或2所述的半导体晶圆清洗方法,其特征在于,所述步骤S2中采用NMP清洗时的室温为100℃,清洗时间为0.5~3min。
4.根据权利要求3所述的半导体晶圆清洗方法,其特征在于,所述步骤S2中采用IPA溶液清洗的时间0.5~3min。
5.根据权利要求1所述的半导体晶圆清洗方法,其特征在于,所述步骤S3中的第二规定时间为20min。
6.根据权利要求1或5所述的半导体晶圆清洗方法,其特征在于,所述步骤S3中稀释氨水浓度为1%~10%。
7.根据权利要求6所述的半导体晶圆清洗方法,其特征在于,所述步骤S3中稀释氨水的清洗时间为0.5~10min。
8.根据权利要求1所述的半导体晶圆清洗方法,其特征在于,所述步骤S4中的第三规定时间为20min,所述步骤S5中的第四规定时间为20min。
9.根据权利要求1或8所述的半导体晶圆清洗方法,其特征在于,所述步骤S4中DHF溶液为氢氟酸、双氧水、去离子水混合液体,氢氟酸的体积浓度≥10%,双氧水的体积浓度≥10%。
10.根据权利要求9所述的半导体晶圆清洗方法,其特征在于,所述步骤S4中DHF溶液的清洗时间为0.5~5min。
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