CN107326341B - Lpcvd工艺腔匀气装置 - Google Patents
Lpcvd工艺腔匀气装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107326341B CN107326341B CN201710576540.8A CN201710576540A CN107326341B CN 107326341 B CN107326341 B CN 107326341B CN 201710576540 A CN201710576540 A CN 201710576540A CN 107326341 B CN107326341 B CN 107326341B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- hole
- gas
- plate
- air
- process chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 40
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 8
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 5
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 claims description 3
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 3
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 119
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 238000005562 fading Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45572—Cooled nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45512—Premixing before introduction in the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明提供了一种LPCVD工艺腔匀气装置，包括上隔离板、匀流板和下隔离板；匀流板上开设有上导流槽和下导流槽；上导流槽具有第一进气端和第一出气端，下导流槽具有第二进气端和第二出气端；第一进气端与第一气源相通；第二进气端与第二气源相通；第一出气端和第二出气端通过匀流板上开设的出气孔相通；下隔离板上设置有第一出气通孔，第一出气通孔与出气孔相通。本发明提供的LPCVD工艺腔匀气装置保证了气体扩散的均匀性，提高了CIGS薄膜电池的薄膜成型质量。
Description
技术领域
本发明涉及薄膜电池的制备工艺技术，尤其涉及一种LPCVD工艺腔匀气装置。
背景技术
随着环境污染引起的温室效应问题日益严重，人们也越来越认识到环境保护的重要性，同时人们对能源的需求也在逐年递增，能源危机也在日益临近，使用清洁能源已被各国政府和组织提上了议事日程。现在各国都在大力发展清洁能源，光伏应用作为新能源应用的一个重要组成部分，正逐渐被人们所重视。
目前光伏产业的发展，关键取决于降低太阳能电池生产成本的潜力。铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池具有生产成本低、污染小、不衰退、弱光性能好等特点，光电转换效率居各种薄膜太阳能电池之首，接近晶体硅太阳电池，而成本则是晶体硅电池的三分之一，被国际上称为“下一时代非常有前途的新型薄膜太阳电池”。此外，该电池具有柔和、均匀的黑色外观，是对外观有较高要求场所的理想选择，如大型建筑物的玻璃幕墙等，在现代化高层建筑等领域有很大市场。
在CIGS薄膜太阳能电池的制造过程中，通常需要应用低压力化学气相沉积法(LPCVD)来进行薄膜制造。具体地，将玻璃基板放在工艺反应腔中，将反应气体通入到工艺反应腔内进行沉积。但是，现有技术中通入反应气体的过程中，很难保证流向玻璃基板的气体的均匀性，从而影响薄膜成型质量。
发明内容
本发明的目的是提供一种LPCVD工艺腔匀气装置，以解决现有技术中的问题，提高薄膜成型的质量。
本发明提供了一种LPCVD工艺腔匀气装置，其中，包括由上至下依次设置的上隔离板、匀流板和下隔离板；其中，
所述匀流板的上表面上开设有上导流槽，所述匀流板的下表面上开设有下导流槽；
所述上导流槽具有第一进气端和第一出气端，所述下导流槽具有第二进气端和第二出气端；所述第一进气端与第一气源相通；所述第二进气端与第二气源相通；所述第一出气端和对应的第二出气端通过所述匀流板上开设的出气孔相连通；
所述上隔离板封堵所述上导流槽以及所述出气孔的顶部；
所述下隔离板封堵所述下导流槽，且所述下隔离板上设置有第一出气通孔，所述第一出气通孔与所述出气孔对应相通。
如上所述的LPCVD工艺腔匀气装置，其中，优选的是，所述匀流板上设置有第一进气道，所述下隔离板上设置有第一进气通孔和第二进气通孔，所述第一进气道、第一进气通孔和第一气源相通；所述第二进气端、第二进气通孔和第二气源相通。
如上所述的LPCVD工艺腔匀气装置，其中，优选的是，所述上导流槽和所述下导流槽分别为分枝状结构。
如上所述的LPCVD工艺腔匀气装置，其中，优选的是，所述分枝状结构中，每一级分枝结构的横截面积均小于其上一级的分枝结构的横截面积。
如上所述的LPCVD工艺腔匀气装置，其中，优选的是，所述匀流板的上表面和下表面均设置有凹槽，所述凹槽内设置有密封圈。
如上所述的LPCVD工艺腔匀气装置，其中，优选的是，所述出气孔的孔径与所述第一出气通孔的孔径相等。
如上所述的LPCVD工艺腔匀气装置，其中，优选的是，还包括冷却板，设置在所述下隔离板的下方；所述冷却板上设置有冷却槽、冷却通道和第二出气通孔；
所述冷却槽内设置有冷却水管；
所述冷却通道内用于通入冷却液；
所述第二出气通孔与所述第一出气通孔对应相通。
如上所述的LPCVD工艺腔匀气装置，其中，优选的是，所述冷却板上还设置有第二进气道和第三进气道；所述第二进气道分别与所述第一进气通孔和所述第一气源相通；所述第三进气道分别与所述第二进气通孔和所述第二气源相通。
如上所述的LPCVD工艺腔匀气装置，其中，优选的是，所述冷却通道开设在所述冷却板的上表面。
如上所述的LPCVD工艺腔匀气装置，其中，优选的是，所述冷却通道为迂回状。
如上所述的LPCVD工艺腔匀气装置，其中，所述第二出气通孔为阶梯孔，且所述第二出气通孔的大孔邻近所述第一出气通孔，所述第二出气通孔的大孔的直径大于所述第一出气通孔的孔径。
如上所述的LPCVD工艺腔匀气装置，其中，优选的是，所述第二出气通孔的小孔的孔径相等，并与所述第一出气通孔的的孔径相等。
本发明提供的LPCVD工艺腔匀气装置通过设置上隔离板、匀流板和下隔离板，并在匀流板上开设上导流槽和下导流槽，使第一气源的气体经过第一进气通孔进入到第一进气道，进而进入到上导流槽内，第二气源的气体经过第二进气通孔进入到下导流槽内，由于上导流槽和下导流槽通过出气孔相通，因此，第一气源的气体和第二气源的气体在下隔离板的上表面得到混合，并经由第一出气通孔后扩散到玻璃基板上，由于第一出气通孔的孔径大小均相同，从而保证了气体扩散的均匀性，提高了CIGS薄膜电池的薄膜成型质量。
附图说明
图1为本发明一种优选的实施例提供的LPCVD工艺腔匀气装置的工作原理图；
图2为本发明一种优选的实施例提供的LPCVD工艺腔匀气装置的结构示意图；
图3为上隔离板的结构示意图；
图4为匀流板的结构示意图；
图5为图4中的A-A向剖视图；
图6为图5中的C处放大图；
图7为图4中的B-B向剖视图；
图8为图7中的D处放大图；
图9为图7中的E处放大图；
图10为下隔离板的结构示意图；
图11为冷却板的结构示意图；
图12为图11中的F-F向剖视图；
图13为图12中的H处放大图；
图14为图11中的G-G向剖视图；
图15为图14中的I处放大图；
图16为本发明一种优选的实施例提供的LPCVD工艺腔匀气装置的一个断面图；
图17为图16中的J处放大图；
图18为本发明一种优选的实施例提供的LPCVD工艺腔匀气装置的另一个断面图；
图19为图18中的K处放大图。
附图标记说明：
1-上隔离板 2-匀流板 21-上导流槽 22-下导流槽 23-第一进气道 24-出气孔3-下隔离板 31-第一进气通孔 32-第二进气通孔 33-第一出气通孔 4冷却板 41-第二进气道 42-第三进气道 43-冷却通道 44-第二出气通孔 5-玻璃基板 6-密封圈
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。
本发明实施例提供了一种LPCVD工艺腔匀气装置，包括由上至下依次设置的上隔离板1、匀流板2和下隔离板3。图1为本发明一种优选的实施例提供的LPCVD工艺腔匀气装置的工作原理图，图2为本发明一种优选的实施例提供的LPCVD工艺腔匀气装置的结构示意图，请参照图1和图2，需要说明的是，该图1和图2中示出的匀气装置优选地还包括冷却板4。将反应气体通过该匀气装置通入到工艺腔中，并均匀地扩散在玻璃基板5的表面。工艺气体主要有水蒸气、氢气、硼烷和二乙基锌等，本发明实施例提供的LPCVD工艺腔匀气装置主要针对的是铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池生产线，在大尺寸玻璃基板的表面沉积一层均匀的透明导电膜。
图3为上隔离板的结构示意图，如图3所示，上隔离板(1)为板状，其材质可以有多种，只要与反应气体不发生作用即可。
图4为匀流板的结构示意图，图5为图4中的A-A向剖视图，图6为图5中的C处放大图，图7为图4中的B-B向剖视图，图8为图7中的D处放大图。
参照图4至图8，匀流板2的上表面上开设有上导流槽21，下表面上开设有下导流槽22。上导流槽21具有第一进气端(未示出)和第一出气端(未示出)，下导流槽22具有第二进气端(未示出)和第二出气端(未示出)；第一进气端与第一气源相通；第二进气端与第二气源相通；第一出气端和对应的第二出气端通过匀流板上开设的出气孔24相连通。上隔离板1封堵上导流槽21和出气孔24的顶部，从而避免反应气体从上导流槽21和出气孔24的顶部逸出。
继续参照图4，优选的是，上导流槽21和下导流槽22分别为分枝状结构。具体地，按照一分二、二分四、四分八、八分十六……的规律加工出关于X、Y轴对称的上导流槽21和下导流槽22，上导流槽21和下导流槽22的布局、走向和尺寸均可以完全相同，从而便于加工。该分枝状结构形成了多个第一进气端、多个第一出气端和多个第二进气端以及多个第二出气端，优选地，多个第一进气端汇流后通过第一进气道23与第一气源相通，多个第二进气端汇集后与第二气源相通。
优选地，该分枝状结构中，每一级分枝结构的横截面积均小于其上一级的分枝结构的横截面积。将分枝结构按其横截面由大到小的规律分布，所有导流槽的路径是相等的。上导流槽、下导流槽除了起始位置外，也是完全对称，所有导流槽的末端(上导流槽的末端即第一出气端，下导流槽的末端即第二出气端)在水平与竖直方向都是均布的。所有导流槽的末端均加工一个小孔，使上导流槽和下导流槽相通，该小孔即上述的出气孔24。
图9为图7中的E处放大图，作为一种优选的实现方式，在匀流板2的上表面和下表面均设置有凹槽，所述凹槽内设置有密封圈6，从而使匀流板2可以与上隔离板1和下隔离板3均为密封接触。
图10为下隔离板的结构示意图，如图10所示，下隔离板3封堵上述下导流槽22，下隔离板3上设置有第一出气通孔33，第一出气通孔33与出气孔24对应相通。第一气源的气体和第二气源的气体在匀流板2中得到混合，再通过第一出气通孔33和出气孔24排出到工艺反应腔，实现了匀气的效果。
优选的是，所述下隔离板3上设置有第一进气通孔31和第二进气通孔32，第一进气道23、第一进气通孔31和第一气源相通；第二进气端、第二进气通孔32和第二气源相通。
上述的上隔离板1、匀流板2和下隔离板3之间可以通过紧固件固定连接，第一气源和第二气源分别对应不同的反应气体。第一气源的气体经过第一进气通孔31进入到第一进气道23，进而进入到上导流槽21内，第二气源的气体经过第二进气通孔32进入到下导流槽22内，由于上导流槽21和下导流槽22通过出气孔24相通，因此，第一气源的气体和第二气源的气体在下隔离板3的上表面得到混合，并经由第一出气通孔33后扩散到玻璃基板5上，由于第一出气通孔33的孔径大小均相同，从而保证了气体扩散的均匀性，提高了CIGS薄膜电池的薄膜成型质量。
出气孔24和第一出气通孔33均可以是多个，可以理解的是，为了避免气体的串动，多个出气孔24是孔径大小的相同的孔，并与第一出气通孔33的孔径大小相同。
现有技术中，工艺腔室内部是低真空、高温环境，当反应气体进入后，遇到高温物体就会在其表面沉积膜层。当沉积的膜层到一定量后，一是会堵塞匀气装置的出气孔，二是沉积在匀气装置下表面的膜层会脱落掉到玻璃基板上，最终影响玻璃表面沉积膜层的质量。因此，本发明实施例提供的LPCVD工艺腔匀气装置优选地还包括冷却板，图11为冷却板的结构示意图，图12为图11中的F-F向剖视图，图13为图12中的H处放大图，图14为图11中的G-G向剖视图，图15为图14中的I处放大图。
参照图11至图15，同时参照图1和图2，冷却板4设置在下隔离板3的下方；冷却板4上设置有冷却槽、冷却通道43和第二出气通孔44。
冷却槽内设置有冷却水管，用于向冷却通道43内通入冷却液；第二出气通孔44与第一出气通孔33对应相通。优选的是，冷却板4上还设置有第二进气道41和第三进气道42；第二进气道41分别与第一进气通孔31和第一气源相通；第三进气道42分别与第二进气通孔32和第二气源相通。
图16为本发明一种优选的实施例提供的LPCVD工艺腔匀气装置的一个断面图，图17为图16中的J处放大图，图18为本发明一种优选的实施例提供的LPCVD工艺腔匀气装置的另一个断面图，图19为图18中的K处放大图。
参照图16至图19，可以看出，第一气源的气体依次经过第二进气道41、第一进气通孔31、第一进气道23后进入上导流槽21；第二气源的气体依次经过第三进气道41、第二进气通孔32后进入下导流槽22，由于上导流槽和下导流槽22通过出气孔24相通，因此，第一气源的气体和第二气源的气体在下隔离板3的上表面得到混合，并经由第一出气通孔33和第二出气通孔44后扩散到玻璃基板5上。
优选的是，第二出气通孔44为阶梯孔，且第二出气通孔44的大孔邻近第一出气通孔33，第二出气通孔44的大孔的直径大于第一出气通孔33的孔径，保证气体流动的更为流畅。
进一步地，多个第二出气通孔44的小孔的孔径相等，并与第一出气通孔的33的孔径相等。
返回参照图11和图13，冷却通道43可以开设在冷却板4的上表面，以对冷却板内通过的气体和下隔离板内通过的气体同时冷却。
进一步地，冷却通道43为迂回状，从而尽可能地延长冷却通道43的有效冷却长度
通过设置冷却板解决了现有技术中的问题，通过能量交换使匀气装置表面的温度始终处于相对较低的范围。没有了沉积膜层所需的高温条件，因此降低了膜层在匀气装置表面的生长速率，进而延长了匀气装置的维护时间，提高了生产效率。
以上依据图式所示的实施例详细说明了本发明的构造、特征及作用效果，以上所述仅为本发明的较佳实施例，但本发明不以图面所示限定实施范围，凡是依照本发明的构想所作的改变，或修改为等同变化的等效实施例，仍未超出说明书与图示所涵盖的精神时，均应在本发明的保护范围内。
Claims (11)
1.一种LPCVD工艺腔匀气装置，其特征在于，包括由上至下依次设置的上隔离板(1)、匀流板(2)和下隔离板(3)；其中，
所述匀流板(2)的上表面上开设有上导流槽(21)，所述匀流板的下表面上开设有下导流槽(22)；
所述上导流槽(21)具有第一进气端和第一出气端，所述下导流槽(22)具有第二进气端和第二出气端；所述第一进气端与第一气源相通；所述第二进气端与第二气源相通；所述第一出气端和对应的第二出气端通过所述匀流板上开设的出气孔(24)相连通；
所述上隔离板(1)封堵所述上导流槽(21)以及所述出气孔(24)的顶部；
所述下隔离板(3)封堵所述下导流槽(22)，且所述下隔离板(3)上设置有第一出气通孔(33)，所述第一出气通孔(33)与所述出气孔(24)对应相通；
其中，所述上导流槽(21)和所述下导流槽(22)分别为分枝状结构。
2.根据权利要求1所述的LPCVD工艺腔匀气装置，其特征在于，所述匀流板(2)上设置有第一进气道(23)，所述下隔离板(3)上设置有第一进气通孔(31)和第二进气通孔(32)，所述第一进气道(23)、第一进气通孔(31)和第一气源相通；所述第二进气端、第二进气通孔(32)和第二气源相通。
3.根据权利要求2所述的LPCVD工艺腔匀气装置，其特征在于，所述分枝状结构中，每一级分枝结构的横截面积均小于其上一级的分枝结构的横截面积。
4.根据权利要求3所述的LPCVD工艺腔匀气装置，其特征在于，所述匀流板(2)的上表面和下表面均设置有凹槽，所述凹槽内设置有密封圈(6)。
5.根据权利要求1所述的LPCVD工艺腔匀气装置，其特征在于，所述出气孔(24)的孔径与所述第一出气通孔(33)的孔径相等。
6.根据权利要求2-5任一项所述的LPCVD工艺腔匀气装置，其特征在于，还包括冷却板(4)，设置在所述下隔离板(3)的下方；所述冷却板(4)上设置有冷却槽、冷却通道(43)和第二出气通孔(44)；
所述冷却槽内设置有冷却水管；
所述冷却通道(43)内用于通入冷却液；
所述第二出气通孔(44)与所述第一出气通孔(33)对应相通。
7.根据权利要求6所述的LPCVD工艺腔匀气装置，其特征在于，所述冷却板(4)上还设置有第二进气道(41)和第三进气道(42)；所述第二进气道(41)分别与所述第一进气通孔(31)和所述第一气源相通；所述第三进气道(42)分别与所述第二进气通孔(32)和所述第二气源相通。
8.根据权利要求6所述的LPCVD工艺腔匀气装置，其特征在于，所述冷却通道(43)开设在所述冷却板(4)的上表面。
9.根据权利要求7所述的LPCVD工艺腔匀气装置，其特征在于，所述冷却通道(43)为迂回状。
10.根据权利要求6所述的LPCVD工艺腔匀气装置，其特征在于，所述第二出气通孔(44)为阶梯孔，且所述第二出气通孔(44)的大孔邻近所述第一出气通孔(33)，所述第二出气通孔(44)的大孔的直径大于所述第一出气通孔(33)的孔径。
11.根据权利要求10所述的LPCVD工艺腔匀气装置，其特征在于，所述第二出气通孔(44)的小孔的孔径相等，并与所述第一出气通孔的(33)的孔径相等。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710576540.8A CN107326341B (zh) | 2017-07-14 | 2017-07-14 | Lpcvd工艺腔匀气装置 |
| PCT/CN2018/095579 WO2019011317A1 (zh) | 2017-07-14 | 2018-07-13 | 匀流板和工艺腔匀气装置 |
| US16/094,570 US20210189563A1 (en) | 2017-07-14 | 2018-07-13 | Flow homogenizing plate and gas homogenizing device for process chamber |
| CN201880001505.6A CN109563622B (zh) | 2017-07-14 | 2018-07-13 | 匀流板和工艺腔匀气装置 |
| JP2018554538A JP2019525447A (ja) | 2017-07-14 | 2018-07-13 | 均等流板及びプロセスチャンバ等化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710576540.8A CN107326341B (zh) | 2017-07-14 | 2017-07-14 | Lpcvd工艺腔匀气装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107326341A CN107326341A (zh) | 2017-11-07 |
| CN107326341B true CN107326341B (zh) | 2019-10-25 |
Family
ID=60226976
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710576540.8A Active CN107326341B (zh) | 2017-07-14 | 2017-07-14 | Lpcvd工艺腔匀气装置 |
| CN201880001505.6A Active CN109563622B (zh) | 2017-07-14 | 2018-07-13 | 匀流板和工艺腔匀气装置 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201880001505.6A Active CN109563622B (zh) | 2017-07-14 | 2018-07-13 | 匀流板和工艺腔匀气装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20210189563A1 (zh) |
| JP (1) | JP2019525447A (zh) |
| CN (2) | CN107326341B (zh) |
| WO (1) | WO2019011317A1 (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107326341B (zh) * | 2017-07-14 | 2019-10-25 | 君泰创新（北京）科技有限公司 | Lpcvd工艺腔匀气装置 |
| TWI709203B (zh) * | 2018-09-11 | 2020-11-01 | 大陸商北京北方華創微電子裝備有限公司 | 腔室冷卻裝置及半導體加工設備 |
| CN111304630A (zh) * | 2019-12-06 | 2020-06-19 | 深圳市纳设智能装备有限公司 | 一种预热型喷淋组件 |
| CN113808899B (zh) * | 2020-06-17 | 2024-07-05 | 江苏鲁汶仪器股份有限公司 | 一种应用于等离子体处理装置中的高均匀性气路*** |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3380091B2 (ja) * | 1995-06-09 | 2003-02-24 | 株式会社荏原製作所 | 反応ガス噴射ヘッド及び薄膜気相成長装置 |
| US7976631B2 (en) * | 2007-10-16 | 2011-07-12 | Applied Materials, Inc. | Multi-gas straight channel showerhead |
| KR101064210B1 (ko) * | 2009-06-01 | 2011-09-14 | 한국생산기술연구원 | 막증착 진공장비용 샤워헤드 |
| US20110308458A1 (en) * | 2010-06-21 | 2011-12-22 | Semes Co., Ltd. | Thin Film Deposition Apparatus |
| KR101297933B1 (ko) * | 2010-07-12 | 2013-08-19 | 가부시키가이샤 알박 | 성막 장치 |
| CN201778112U (zh) * | 2010-07-23 | 2011-03-30 | 深圳市捷佳伟创微电子设备有限公司 | 一种工艺气体的输送法兰 |
| CN102492937A (zh) * | 2011-12-29 | 2012-06-13 | 中国科学院半导体研究所 | 用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头 |
| US9132436B2 (en) * | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
| CN202881383U (zh) * | 2012-09-28 | 2013-04-17 | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 | 一种用于mocvd设备反应室的均气装置 |
| US9677176B2 (en) * | 2013-07-03 | 2017-06-13 | Novellus Systems, Inc. | Multi-plenum, dual-temperature showerhead |
| CN106756887A (zh) * | 2017-03-21 | 2017-05-31 | 北京化工大学 | 一种微分混合式化学气相沉积装置 |
| CN107326341B (zh) * | 2017-07-14 | 2019-10-25 | 君泰创新（北京）科技有限公司 | Lpcvd工艺腔匀气装置 |
-
2017
- 2017-07-14 CN CN201710576540.8A patent/CN107326341B/zh active Active
-
2018
- 2018-07-13 CN CN201880001505.6A patent/CN109563622B/zh active Active
- 2018-07-13 WO PCT/CN2018/095579 patent/WO2019011317A1/zh active Application Filing
- 2018-07-13 JP JP2018554538A patent/JP2019525447A/ja active Pending
- 2018-07-13 US US16/094,570 patent/US20210189563A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20210189563A1 (en) | 2021-06-24 |
| WO2019011317A1 (zh) | 2019-01-17 |
| CN107326341A (zh) | 2017-11-07 |
| JP2019525447A (ja) | 2019-09-05 |
| CN109563622A (zh) | 2019-04-02 |
| CN109563622B (zh) | 2021-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107326341B (zh) | Lpcvd工艺腔匀气装置 | |
| CN113314726B (zh) | 一种箭羽状质子交换膜燃料电池双极板 | |
| WO2005069922A3 (en) | Fuel cell system | |
| KR20080107470A (ko) | 비평면 태양 전지들의 모놀리식 집적 | |
| CN106816610B (zh) | 一种基于迷宫挡板结构流场的质子交换膜燃料电池双极板 | |
| CN113299941B (zh) | 一种平行四边形组合挡板质子交换膜燃料电池双极板 | |
| CN102117924B (zh) | 流体流场板总成 | |
| US9178230B2 (en) | Fuel cell having perforated flow field | |
| KR100995394B1 (ko) | 박막 태양전지의 박막 형성장치 | |
| CN111118609A (zh) | 一种用于气体扩散的管式炉结构 | |
| CN214797474U (zh) | 一种箭羽状质子交换膜燃料电池双极板 | |
| CN116404073A (zh) | 一种制备TOPCon电池中非晶硅薄膜的方法及装置 | |
| CN113013437A (zh) | 一种具有渐缩坡面结构的燃料电池阴极流道 | |
| CN103872179B (zh) | 一种提高薄膜太阳能电池效率的制备方法 | |
| CN109830704A (zh) | 基于树状流道结构的氢燃料电池双极板 | |
| CN214152947U (zh) | 一种液流电池流体板框及其组成的单电池 | |
| CN102201489A (zh) | 包括硬性或柔性基板的光电装置及其制造方法 | |
| CN203284326U (zh) | 一种在线透明导电膜玻璃镀膜装置 | |
| CN209328932U (zh) | Hit异质结太阳能电池制造设备 | |
| CN206148459U (zh) | 一种多层膜电化学沉积设备 | |
| CN220318044U (zh) | 扩散炉 | |
| CN206109602U (zh) | 一种太阳能电池片槽式制绒设备 | |
| CN110165242A (zh) | 一种多层次流道宽度的pem电池流场板结构 | |
| CN220692061U (zh) | 一种具有溢胶槽结构的氢燃料电池阳极板流道结构 | |
| CN220907634U (zh) | 一种腔体进气装置及气体处理设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20210108 Address after: 101102 102-lq307, 1-3 / F, building 26, 17 huanke Middle Road, Jinqiao Science and technology industrial base, Tongzhou Park, Zhongguancun Science and Technology Park, Tongzhou District, Beijing Patentee after: Deyun Chuangxin (Beijing) Technology Co.,Ltd. Address before: 100176 Beijing Daxing District Beijing Economic and Technological Development Zone, No. 66 Building, No. 2 Jingyuan North Street, 7th Floor 805 Patentee before: Juntai innovation (Beijing) Technology Co.,Ltd. |