CN107315215B - 宽吸收光谱的硫化铅薄膜及其制备方法 - Google Patents
宽吸收光谱的硫化铅薄膜及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107315215B CN107315215B CN201710454647.5A CN201710454647A CN107315215B CN 107315215 B CN107315215 B CN 107315215B CN 201710454647 A CN201710454647 A CN 201710454647A CN 107315215 B CN107315215 B CN 107315215B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- lead sulfide
- substrate
- solution
- film
- absorption spectrum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/22—Absorbing filters
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G21/00—Compounds of lead
- C01G21/21—Sulfides
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
- C01P2002/84—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by UV- or VIS- data
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明公开了一种宽吸收光谱的硫化铅薄膜及其制备方法。薄膜由覆于衬底上的硫化铅晶粒组成,其中,薄膜的厚度为500‑540nm,硫化铅晶粒的粒径为6‑10nm,由粒径6‑10nm的硫化铅晶粒组成的薄膜于450‑2200nm波段呈现吸收峰;方法采用化学浴沉积法,即先将氢氧化钠溶液、硫脲溶液和三乙醇胺依次加入醋酸铅溶液中,得到混合液,再向混合液中加入去离子水,得到反应液,之后,先将衬底置于搅拌下的70‑80℃的反应液中至少2h,再对得到的其表面置有反应物的衬底进行清洗和干燥,制得目的产物。它具有较宽的波段吸收特性,极易于广泛地商业化应用于光电探测、太阳能涂覆吸收层、气敏检测等领域。
Description
技术领域
本发明涉及一种硫化铅薄膜及制备方法,尤其是一种宽吸收光谱的硫化铅薄膜及其制备方法。
背景技术
硫化铅(PbS)是一种重要的IV-VI族半导体材料,因具有较大的波尔激子半径(18nm)和较小的本征带隙(0.41eV),其在近红外光谱区域(1-3μm)具有非常好的响应效果;因此,硫化铅在红外传感和探测等领域有着重要的应用。同时,硫化铅还具有较大的非线性光学系数,且成膜均匀细致,以及具有耐腐蚀、耐高温、耐氧化等优良的性能。近年来,人们基于纳米材料的尺寸效应所显现出的一些异于宏观材料的特殊性质,对硫化铅纳米材料的研发作了一些有益的尝试和努力,如题为“Effect of temperature and deposition timeon the optical properties of chemically deposited nanostructure PbS thinfilms”,Thin Solid Films,2011,519,4917-4922(“温度和沉积时间对化学沉积纳米结构PbS薄膜光学性能的影响”,《固体薄膜》2011年,第519期第4917-4922页)的文章。该文中提及的PbS薄膜的厚度为600-1000nm,其由粒径为17.1-43.19nm的PbS晶粒组成;制备方法采用化学浴沉积法。这种薄膜状产物虽将其光吸收边蓝移到了紫外波段,却和制备方法都存在着不足之处,首先,产物的光吸收峰仅局限于300-600nm的范围,制约了应用的场合;其次,制备方法也不能获得具有宽波段吸收特性的产物。
发明内容
本发明要解决的技术问题为克服现有技术中的不足之处,提供一种具有较宽波段吸收特性的宽吸收光谱的硫化铅薄膜。
本发明要解决的另一个技术问题为提供一种上述宽吸收光谱的硫化铅薄膜的制备方法。
为解决本发明的技术问题,所采用的技术方案为,宽吸收光谱的硫化铅薄膜由覆于衬底上的硫化铅晶粒组成,特别是:
所述薄膜的厚度为500-540nm;
所述硫化铅晶粒的粒径为6-10nm;
所述由粒径6-10nm的硫化铅晶粒组成的薄膜于450-2200nm波段呈现吸收峰。
为解决本发明的另一个技术问题,所采用的另一个技术方案为,上述宽吸收光谱的硫化铅薄膜的制备方法采用化学浴沉积法,特别是主要步骤如下:
步骤1,按照1.5-1.7mol/L的氢氧化钠溶液、1.9-2.1mol/L的硫脲溶液、7-7.5mol/L的三乙醇胺、0.4-0.6mol/L的醋酸铅溶液和去离子水的体积比为5-7:2-4:0.2-0.4:4-6:70的比例,先将氢氧化钠溶液、硫脲溶液和三乙醇胺依次加入醋酸铅溶液中,得到混合液,再向混合液中加入去离子水,得到反应液;
步骤2,先将衬底置于搅拌下的70-80℃的反应液中至少2h,得到其表面置有反应物的衬底,再对其表面置有反应物的衬底进行清洗和干燥,制得宽吸收光谱的硫化铅薄膜。
作为宽吸收光谱的硫化铅薄膜的制备方法的进一步改进:
优选地,衬底为玻璃衬底,或硅片衬底,或陶瓷衬底。
优选地,将衬底置于反应液中之前,先将其置于重铬酸钾和≥98wt%的硫酸的混液中浸泡24h后,分别于丙酮、乙醇和去离子水中超声10-15min,再用氮气吹干。
优选地,搅拌的速率为200-240r/min。
优选地,清洗为使用去离子水清洗2-4次。
优选地,干燥为自然晾干。
相对于现有技术的有益效果是:
其一,对制得的目的产物分别使用X射线衍射仪和紫外-可见-红外光谱仪进行表征,由其结果可知,目的产物由覆于衬底上的硫化铅晶粒组成薄膜状,其中,薄膜的厚度为500-540nm,硫化铅晶粒的粒径为6-10nm;其中的晶粒尺寸由X射线衍射花样图根据德拜-谢乐公式D=kλ/βcosθ计算得出。目的产物于450-2200nm波段呈现吸收峰。这种由硫化铅晶粒组装成的目的产物,既由于半导体自身的量子局域效应及量子尺寸效应特质,又因硫化铅晶粒组成的薄膜的厚度恰当,以及硫化铅晶粒大小的优化确立,使目的产物的光吸收峰具有了自近紫外至红外波段的宽范围的全覆盖特性。
其二,制备方法科学、高效。不仅制得了具有较宽波段吸收特性的目的产物——宽吸收光谱的硫化铅薄膜,还有着工艺简便易操作,适于生产大面积目的产物的特点;进而使目的产物极易于广泛地商业化应用于光电探测、太阳能涂覆吸收层、气敏检测等领域。
附图说明
图1是对制备方法制得的目的产物使用X射线衍射(XRD)仪进行表征的结果之一。其中,图底部的曲线为硫化铅的标准XRD谱线;由图可知,目的产物的成分为硫化铅。
图2是对制得的目的产物使用紫外-可见-近红外(UV-vis-NIR)分光光度计进行表征的结果之一。由UV-vis-NIR谱图可看出,目的产物具有宽的吸收光谱特性。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的优选方式作进一步详细的描述。
首先从市场购得或自行制得:
氢氧化钠溶液;
硫脲溶液;
三乙醇胺;
醋酸铅溶液;
去离子水;
作为衬底的玻璃衬底、硅片衬底和陶瓷衬底,其中,衬底在使用之前,先将其置于重铬酸钾和≥98wt%的硫酸的混液中浸泡24h后,分别于丙酮、乙醇和去离子水中超声10-15min,再用氮气吹干;
重铬酸钾;
≥98wt%的硫酸;
丙酮;
乙醇。
接着:
实施例1
制备的具体步骤为:
步骤1,按照1.5mol/L的氢氧化钠溶液、2.1mol/L的硫脲溶液、7mol/L的三乙醇胺、0.6mol/L的醋酸铅溶液和去离子水的体积比为5:4:0.2:6:70的比例,先将氢氧化钠溶液、硫脲溶液和三乙醇胺依次加入醋酸铅溶液中,得到混合液;再向混合液中加入去离子水,得到反应液。
步骤2,先将衬底置于搅拌下的70℃的反应液中4h,得到其表面置有反应物的衬底;其中,衬底为玻璃衬底,搅拌的速率为200r/min。再对其表面置有反应物的衬底进行清洗和干燥;其中,清洗为使用去离子水清洗2次,干燥为自然晾干。制得如图1和图2中的曲线所示的宽吸收光谱的硫化铅薄膜。
实施例2
制备的具体步骤为:
步骤1,按照1.55mol/L的氢氧化钠溶液、2.05mol/L的硫脲溶液、7.2mol/L的三乙醇胺、0.55mol/L的醋酸铅溶液和去离子水的体积比为5.5:3.5:0.25:5.5:70的比例,先将氢氧化钠溶液、硫脲溶液和三乙醇胺依次加入醋酸铅溶液中,得到混合液;再向混合液中加入去离子水,得到反应液。
步骤2,先将衬底置于搅拌下的73℃的反应液中3.5h,得到其表面置有反应物的衬底;其中,衬底为玻璃衬底,搅拌的速率为210r/min。再对其表面置有反应物的衬底进行清洗和干燥;其中,清洗为使用去离子水清洗2次,干燥为自然晾干。制得如图1和图2中的曲线所示的宽吸收光谱的硫化铅薄膜。
实施例3
制备的具体步骤为:
步骤1,按照1.6mol/L的氢氧化钠溶液、2mol/L的硫脲溶液、7.3mol/L的三乙醇胺、0.5mol/L的醋酸铅溶液和去离子水的体积比为6:3:0.3:5:70的比例,先将氢氧化钠溶液、硫脲溶液和三乙醇胺依次加入醋酸铅溶液中,得到混合液;再向混合液中加入去离子水,得到反应液。
步骤2,先将衬底置于搅拌下的75℃的反应液中3h,得到其表面置有反应物的衬底;其中,衬底为玻璃衬底,搅拌的速率为220r/min。再对其表面置有反应物的衬底进行清洗和干燥;其中,清洗为使用去离子水清洗3次,干燥为自然晾干。制得如图1和图2中的曲线所示的宽吸收光谱的硫化铅薄膜。
实施例4
制备的具体步骤为:
步骤1,按照1.65mol/L的氢氧化钠溶液、1.95mol/L的硫脲溶液、7.4mol/L的三乙醇胺、0.45mol/L的醋酸铅溶液和去离子水的体积比为6.5:2.5:0.35:4.5:70的比例,先将氢氧化钠溶液、硫脲溶液和三乙醇胺依次加入醋酸铅溶液中,得到混合液;再向混合液中加入去离子水,得到反应液。
步骤2,先将衬底置于搅拌下的78℃的反应液中2.5h,得到其表面置有反应物的衬底;其中,衬底为玻璃衬底,搅拌的速率为230r/min。再对其表面置有反应物的衬底进行清洗和干燥;其中,清洗为使用去离子水清洗3次,干燥为自然晾干。制得如图1和图2中的曲线所示的宽吸收光谱的硫化铅薄膜。
实施例5
制备的具体步骤为:
步骤1,按照1.7mol/L的氢氧化钠溶液、1.9mol/L的硫脲溶液、7.5mol/L的三乙醇胺、0.4mol/L的醋酸铅溶液和去离子水的体积比为7:2:0.4:4:70的比例,先将氢氧化钠溶液、硫脲溶液和三乙醇胺依次加入醋酸铅溶液中,得到混合液;再向混合液中加入去离子水,得到反应液。
步骤2,先将衬底置于搅拌下的80℃的反应液中2h,得到其表面置有反应物的衬底;其中,衬底为玻璃衬底,搅拌的速率为240r/min。再对其表面置有反应物的衬底进行清洗和干燥;其中,清洗为使用去离子水清洗4次,干燥为自然晾干。制得如图1和图2中的曲线所示的宽吸收光谱的硫化铅薄膜。
再分别选用作为衬底的硅片衬底或陶瓷衬底,重复上述实施例1-5,同样制得了如图1和图2中的曲线所示的宽吸收光谱的硫化铅薄膜。
显然,本领域的技术人员可以对本发明的宽吸收光谱的硫化铅薄膜及其制备方法进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若对本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (7)
1.一种宽吸收光谱的硫化铅薄膜,由覆于衬底上的硫化铅晶粒组成,其特征在于:
所述薄膜的厚度为500-540nm;
所述硫化铅晶粒的粒径为6-10nm;
所述由粒径6-10nm的硫化铅晶粒组成的薄膜于450-2200nm波段呈现吸收峰。
2.一种权利要求1所述宽吸收光谱的硫化铅薄膜的制备方法,采用化学浴沉积法,其特征在于主要步骤如下:
步骤1,按照1.5-1.7mol/L的氢氧化钠溶液、1.9-2.1mol/L的硫脲溶液、7-7.5mol/L的三乙醇胺、0.4-0.6mol/L的醋酸铅溶液和去离子水的体积比为5-7:2-4∶0.2-0.4:4-6:70的比例,先将氢氧化钠溶液、硫脲溶液和三乙醇胺依次加入醋酸铅溶液中,得到混合液,再向混合液中加入去离子水,得到反应液;
步骤2,先将衬底置于搅拌下的70-80℃的反应液中至少2h,得到其表面置有反应物的衬底,再对其表面置有反应物的衬底进行清洗和干燥,制得宽吸收光谱的硫化铅薄膜。
3.根据权利要求2所述的宽吸收光谱的硫化铅薄膜的制备方法,其特征是衬底为玻璃衬底,或硅片衬底,或陶瓷衬底。
4.根据权利要求2所述的宽吸收光谱的硫化铅薄膜的制备方法,其特征是将衬底置于反应液中之前,先将其置于重铬酸钾和≥98wt%的硫酸的混液中浸泡24h后,分别于丙酮、乙醇和去离子水中超声10-15min,再用氮气吹干。
5.根据权利要求2所述的宽吸收光谱的硫化铅薄膜的制备方法,其特征是搅拌的速率为200-240r/min。
6.根据权利要求2所述的宽吸收光谱的硫化铅薄膜的制备方法,其特征是清洗为使用去离子水清洗2-4次。
7.根据权利要求2所述的宽吸收光谱的硫化铅薄膜的制备方法,其特征是干燥为自然晾干。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710454647.5A CN107315215B (zh) | 2017-06-15 | 2017-06-15 | 宽吸收光谱的硫化铅薄膜及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710454647.5A CN107315215B (zh) | 2017-06-15 | 2017-06-15 | 宽吸收光谱的硫化铅薄膜及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107315215A CN107315215A (zh) | 2017-11-03 |
CN107315215B true CN107315215B (zh) | 2020-12-08 |
Family
ID=60183228
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710454647.5A Active CN107315215B (zh) | 2017-06-15 | 2017-06-15 | 宽吸收光谱的硫化铅薄膜及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107315215B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109280906A (zh) * | 2018-12-03 | 2019-01-29 | 山东建筑大学 | 一种硫化铅薄膜 |
CN111564749B (zh) * | 2020-05-12 | 2021-07-16 | 中国人民解放军国防科技大学 | 基于硫化铅产生飞秒激光脉冲信号的装置及激光器 |
CN111705297B (zh) * | 2020-06-12 | 2021-07-06 | 大连理工大学 | 高性能晶圆级硫化铅近红外光敏薄膜及其制备方法 |
CN112687801B (zh) * | 2020-12-24 | 2022-10-28 | 华中科技大学 | 一种iv-vi族半导体薄膜及其制备方法 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5062589A (zh) * | 1973-10-04 | 1975-05-28 | ||
US4948976A (en) * | 1989-02-09 | 1990-08-14 | Servo Corporation Of America | Multi-wavelength band infrared detector |
CN1986910A (zh) * | 2005-12-20 | 2007-06-27 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 硫化铅半导体纳米颗粒的制备方法 |
CN101117237A (zh) * | 2007-07-17 | 2008-02-06 | 浙江大学 | 一种制备六角星形硫化铅纳米晶的方法 |
CN101429679A (zh) * | 2008-11-25 | 2009-05-13 | 陕西科技大学 | 一种纳米PbS薄膜的制备方法 |
CN101792930A (zh) * | 2009-10-16 | 2010-08-04 | 电子科技大学 | 一种(200)择优取向硫化铅薄膜的制备方法 |
JP2010175677A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Hoya Corp | スキャナモジュールを備えたカメラ |
CN102557119A (zh) * | 2012-03-16 | 2012-07-11 | 西南大学 | 硫化铅纳米方块的制备方法 |
CN102751366A (zh) * | 2012-07-11 | 2012-10-24 | 大连海事大学 | 太阳能荧光聚集器及其制备方法 |
CN103073053A (zh) * | 2013-02-02 | 2013-05-01 | 山东大学 | 一种直接合成硫化铅立方体纳米颗粒薄膜的方法 |
CN105304338A (zh) * | 2015-09-21 | 2016-02-03 | 河南师范大学 | 一种用于量子点敏化太阳能电池的对电极及其制备方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7846489B2 (en) * | 2005-07-22 | 2010-12-07 | State of Oregon acting by and though the State Board of Higher Education on behalf of Oregon State University | Method and apparatus for chemical deposition |
US8726829B2 (en) * | 2011-06-07 | 2014-05-20 | Jiaxiong Wang | Chemical bath deposition apparatus for fabrication of semiconductor films through roll-to-roll processes |
-
2017
- 2017-06-15 CN CN201710454647.5A patent/CN107315215B/zh active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5062589A (zh) * | 1973-10-04 | 1975-05-28 | ||
US4948976A (en) * | 1989-02-09 | 1990-08-14 | Servo Corporation Of America | Multi-wavelength band infrared detector |
CN1986910A (zh) * | 2005-12-20 | 2007-06-27 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 硫化铅半导体纳米颗粒的制备方法 |
CN101117237A (zh) * | 2007-07-17 | 2008-02-06 | 浙江大学 | 一种制备六角星形硫化铅纳米晶的方法 |
CN101429679A (zh) * | 2008-11-25 | 2009-05-13 | 陕西科技大学 | 一种纳米PbS薄膜的制备方法 |
JP2010175677A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Hoya Corp | スキャナモジュールを備えたカメラ |
CN101792930A (zh) * | 2009-10-16 | 2010-08-04 | 电子科技大学 | 一种(200)择优取向硫化铅薄膜的制备方法 |
CN102557119A (zh) * | 2012-03-16 | 2012-07-11 | 西南大学 | 硫化铅纳米方块的制备方法 |
CN102751366A (zh) * | 2012-07-11 | 2012-10-24 | 大连海事大学 | 太阳能荧光聚集器及其制备方法 |
CN103073053A (zh) * | 2013-02-02 | 2013-05-01 | 山东大学 | 一种直接合成硫化铅立方体纳米颗粒薄膜的方法 |
CN105304338A (zh) * | 2015-09-21 | 2016-02-03 | 河南师范大学 | 一种用于量子点敏化太阳能电池的对电极及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107315215A (zh) | 2017-11-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107315215B (zh) | 宽吸收光谱的硫化铅薄膜及其制备方法 | |
Moholkar et al. | Development of CZTS thin films solar cells by pulsed laser deposition: influence of pulse repetition rate | |
Husna et al. | Influence of annealing temperature on the properties of ZnO thin films grown by sputtering | |
Nagayasamy et al. | The effect of ZnO thin film and its structural and optical properties prepared by sol-gel spin coating method | |
Rahman et al. | Structural, surface morphological and optical properties and their correlation with the thickness of spin coated superior quality CdS thin film synthesized using a novel chemical route | |
Sahare et al. | A comparative investigation of optical and structural properties of Cu-doped CdO-derived nanostructures | |
Ilican et al. | CdO: Al films deposited by sol–gel process: a study on their structural and optical properties | |
Abdullah et al. | Effect of deposition time on ZnS thin films properties by chemical bath deposition (CBD) techinique | |
Starowicz et al. | Materials studies of copper oxides obtained by low temperature oxidation of copper sheets | |
Daranfed et al. | Effect of the deposition times on the properties of ZnO thin films deposited by ultrasonic spray pyrolysis for optoelectronic applications | |
Pîslaru-Dănescu et al. | Synthesis and characterization of antireflective ZnO nanoparticles coatings used for energy improving efficiency of silicone solar cells | |
Rajini et al. | An Investigation of SILAR Grown CdO Thin Films | |
Tariq et al. | Study of annealing effects on the physical properties of evaporated SnS thin films for photovoltaic applications | |
Rahimzadeh et al. | Effects of starting precursor ratio on optoelectrical properties and blue emission of nanostructured C-ZnS thin films prepared by spin coating | |
Remadevi et al. | Photoassisted chemically deposited tin sulfide thin films based on two different chemical formulations | |
Asogwa | Effect of deposition medium on the optical and solid state properties of annealed MnO2 thin films | |
Ivanova et al. | Morphological and optical investigation of Sol-Gel ZnO films | |
Nebi et al. | Deposition of Co doped TiO2 films using sol gel spin coating technique and investigation of band gap | |
Mina et al. | Optical and morphological characterization of BaSeThin films synthesized via chemical bath deposition | |
Kumar et al. | Effect of substrate temperature on optical properties of Bi2S3 chalcogenide thin films | |
Salawu et al. | Effects of temperature on morphological, structural and optical characteristics of CdTe films for PV applications | |
Zainal et al. | Characterization of Single Layer ZnO thin Films Prepared by Sol-gel Spin Coating Technique at Different Concentration | |
Abdullah et al. | Optical and structural properties of ZnS thin films grown by CBD technique | |
Rathinamala et al. | Influence of annealing temperature on structural and optical properties of CdS thin films prepared by sol-gel spin coating method | |
Ghos et al. | Influence of substrate, process conditions, and post-annealing temperature on the properties of ZnO thin films grown by SILAR method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |