CN107272047B - 正电子湮没寿命谱测量方法及*** - Google Patents
正电子湮没寿命谱测量方法及*** Download PDFInfo
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Abstract
本公开是关于一种正电子湮没寿命谱测量方法及***,该方法通过判断基于设置在待测样品同侧的两个探测器探测正电子而生成的第一脉冲信号和第二脉冲信号是否满足预设条件,并在满足该预设条件时对第一脉冲信号和第二脉冲信号进行幅值分析、时间差计算等数学运算处理,以得到正电子湮没寿命谱。借助于预设条件的判断过程,可以充分利用探测器探测到的有效事件数,提高了探测效率,减少了正电子寿命谱的采集时间。
Description
技术领域
本公开涉及核谱学和核探测技术领域,具体而言,涉及一种正电子湮没寿命谱测量方法及正电子湮没寿命谱测量***。
背景技术
正电子寿命是指从正电子产生到正电子与电子发生湮没所经历的时间,其大小与物质中电子的密度分布有着直接联系。当物质中有缺陷产生时,正电子在缺陷处的湮没寿命明显比在正常结构中的湮没寿命长,并且缺陷越大正电子寿命越长,因此,正电子寿命可以直接反映出物质中的微结构信息,尤其对物质中的缺陷敏感。通过正电子寿命谱测量,能够获知物质中缺陷的种类、尺寸等信息,另外,还能反映出缺陷的分布情况等。目前,正电子寿命谱测量作为一种无损且具有特殊优势的表征手段,在材料科学研究领域中得到了广泛的应用。
在常规的正电子寿命谱测量中,通常以康普顿(Kapton)膜密封的22Na作为正电子放射源,两片相同的待测样品放置于该正电子放射源两侧形成类似“三明治”的结构,以保证正电子几乎全部在待测样品中湮没。22Na在放出正电子的同时会伴随放射出能量约为1.28MeV的伽马光子,将该伽马光子作为正电子的寿命起始信号,将正电子与电子湮没后同时产生的两个能量约0.511MeV的伽马光子信号的任意一个作为终止信号,计算起始信号与终止信号的时间差即可得到正电子的寿命值,对寿命值进行统计即可得到寿命谱。
如图1所示,正电子寿命谱仪通常使用两个BaF2探测器分别作为起始探头和终止探头,经过恒比定时微分甄别器(CFDD)的能量阈值选择及恒比定时分别输出1.29MeV伽马光子的时间信号和0.511MeV伽马光子的时间信号,两信号的时间差(其中,终止信号延时输出)经过时幅转换器(TAC)转换为幅值进入多道分析器(MCA),利用终端(PC)上对应的数据收集软件进行采谱即可得到正电子湮没寿命图。
然而,在常规的正电子寿命谱测量方法中,一个探测器既可以探测到放射源发射的1.28MeV的伽马光子,又可以探测到正电子湮没产生的0.511MeV的伽马光子。因此,两个探测器可能出现对同一信号重复探测的问题,探测到有效正电子湮没事件的计数率较低。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种正电子湮没寿命谱测量方法及正电子湮没寿命谱测量***,进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或者多个问题。
根据本公开的一个方面,提供一种正电子湮没寿命谱测量方法,包括:
接收由第一探测器探测第一伽马光子而生成的第一探测信号和由第二探测器探测第二伽马光子而生成的第二探测信号,并生成与所述第一探测信号对应的第一脉冲信号和与第二探测信号对应的第二脉冲信号;
判断所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号是否满足预设条件,并在判断出所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号满足所述预设条件时,计算所述第二脉冲信号减去所述第一脉冲信号的时间差;
判断所述第一脉冲信号的幅值是否为第一幅值以得到判断结果,根据所述判断结果并结合所述时间差和一预设偏移量获得统计图谱;其中,所述统计图谱包含正向部分和负向部分;以及
将所述统计图谱发送至图谱处理单元,通过所述图谱处理单元将所述统计图谱的负向部分对称反转,并将对称反转后的结果与所述统计图谱的正向部分叠加,以得到正电子湮没寿命谱。
在本公开的一种示例性实施例中,生成与所述第一探测信号对应的第一脉冲信号和与第二探测信号对应的第二脉冲信号包括:
对第一探测信号进行模数转换以生成所述第一脉冲信号;以及
对第二探测信号进行模数转换以生成所述第二脉冲信号。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一探测器与所述第二探测器设于待测样品的同侧。
在本公开的一种示例性实施例中,所述预设条件包括:
以所述第一脉冲信号为基准,在前后ΔT时间内接收到所述第二脉冲信号。
在本公开的一种示例性实施例中,根据所述判断结果并结合所述时间差和一预设偏移量获得统计图谱包括:
在判断出所述第一脉冲信号的幅值为所述第一幅值时,计算所述时间差与所述预设偏移值的和以得到所述统计图谱的正向部分;
在判断出所述第一脉冲信号的幅值为第二幅值时,计算所述时间差与所述预设偏移值的差以得到所述统计图谱的负向部分。
根据本公开的一个方面,提供一种正电子湮没寿命谱测量***,包括:
第一模数转换器,用于接收由第一探测器探测第一伽马光子而生成的第一探测信号并生成与所述第一探测信号对应的第一脉冲信号;
第二模数转换器,用于接收由第二探测器探测第二伽马光子而生成的第二探测信号并生成与所述第二探测信号对应的第二脉冲信号;
符合单元,用于判断所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号是否满足预设条件,并在判断出所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号满足所述预设条件时,输出一控制信号;
波形分析单元,用于响应所述控制信号接收所述第一脉冲信号和所述第二脉冲信号,计算所述第二脉冲信号减去所述第一脉冲信号的时间差,判断所述第一脉冲信号的幅值是否为第一幅值以得到判断结果,根据所述判断结果并结合所述时间差和一预设偏移量获得统计图谱,并发送所述统计图谱,其中,所述统计图谱包含正向部分和负向部分;
图谱处理单元,用于将所述统计图谱的负向部分对称反转,并将对称反转后的结果与所述统计图谱的正向部分叠加,以得到正电子湮没寿命谱。
在本公开的一种示例性实施例中,所述正电子湮没寿命谱测量***还包括:
第一探测器,用于在探测到第一伽马光子时生成所述第一探测信号;
第二探测器,用于在探测到第二伽马光子时生成所述第二探测信号;
其中,所述第一探测器与所述第二探测器设于待测样品的同侧。
在本公开的一种示例性实施例中,所述预设条件包括:
以所述第一脉冲信号为基准,在前后ΔT时间内接收到所述第二脉冲信号。
在本公开的一种示例性实施例中,根据所述判断结果并结合所述时间差和一预设偏移量获得统计图谱包括:
在判断出所述第一脉冲信号的幅值为所述第一幅值时,计算所述时间差与所述预设偏移值的和以得到所述统计图谱的正向部分;
在判断出所述第一脉冲信号的幅值为第二幅值时,计算所述时间差与所述预设偏移值的差以得到所述统计图谱的负向部分。
在本公开的一种示例性实施例中,所述正电子湮没寿命谱测量***还包括:
屏蔽装置,设置在所述第一探测器与所述第二探测器之间。
波形分析单元,用于响应所述控制信号接收所述第一脉冲信号和所述第二脉冲信号,计算所述第二脉冲信号减去所述第一脉冲信号的时间差,判断所述第一脉冲信号的幅值是否为第一幅值,并在判断出所述第一脉冲信号的幅值为所述第一幅值时,计算所述时间差与一预设偏移值的和以得到统计图谱的正向部分,在判断出所述第一脉冲信号的幅值为第二幅值时,计算所述时间差与所述预设偏移值的差以得到所述统计图谱的负向部分,并发送所述统计图谱;
图谱处理单元,用于将所述统计图谱的负向部分对称反转,并将对称反转后的结果与所述统计图谱的正向部分叠加,以得到正电子湮没寿命谱。
在本公开的一种示例性实施例中,所述正电子湮没寿命谱测量***还包括:
第一探测器,用于在探测到第一伽马光子时生成所述第一探测信号;
第二探测器,用于在探测到第二伽马光子时生成所述第二探测信号;
其中,所述第一探测器与所述第二探测器设于待测样品的同侧。
在本公开的一种示例性实施例中,所述预设条件包括:
在一预设时间段2ΔT内,接收到所述第一脉冲信号和所述第二脉冲信号。
在本公开的一种示例性实施例中,所述预设条件包括:
以所述第一脉冲信号为基准,在前后ΔT时间内接收到所述第二脉冲信号。
在本公开的一种示例性实施例中,所述正电子湮没寿命谱测量***还包括:
屏蔽装置,设置在所述第一探测器与所述第二探测器之间。
在本公开的一些实施例所提供的技术方案中,通过判断基于设置在待测样品同侧的两个探测器探测正电子而生成的第一脉冲信号和第二脉冲信号是否满足预设条件,并在满足该预设条件时对第一脉冲信号和第二脉冲信号进行幅值分析、时间差计算等数学运算处理,以得到正电子湮没寿命谱。借助于预设条件的判断过程,可以充分利用探测器探测到的有效事件数,提高了探测效率,减少了正电子寿命谱的采集时间。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本公开的实施例,并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中:
图1示意性示出了根据一些技术的正电子湮没寿命谱测量***的方框图;
图2示意性示出了根据本公开的示例性实施方式的正电子湮没寿命谱测量方法的流程图;
图3和图4分别示出了本公开的示例性实施方式的满足预设条件的两种有效事件的示意图;
图5示出了根据本公开的示例性实施方式的未进行波形分析处理的统计图谱的示意图;
图6示意性示出了根据本公开的示例性实施方式的对波形进行分析处理的流程图;
图7示出了根据本公开的示例性实施方式的对波形进行分析处理后得到的统计图谱的示意图;
图8示出了根据本公开的示例性实施方式的正电子湮没寿命谱的示意图;
图9示意性示出了根据本公开的示例性实施方式的正电子湮没寿命谱测量***的方框图;以及
图10示意性示出了根据本公开的示例性实施方式的信号采集与分析板卡的内部结构的方框图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的范例;相反,提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本公开的实施方式的充分理解。然而,本领域技术人员将意识到,可以实践本公开的技术方案而省略所述特定细节中的一个或更多,或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下,不详细示出或描述公知技术方案以避免喧宾夺主而使得本公开的各方面变得模糊。
此外,附图仅为本公开的示意性图解,并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分,因而将省略对它们的重复描述。附图中所示的一些方框图是功能实体,不一定必须与物理或逻辑上独立的实体相对应。可以采用软件形式来实现这些功能实体,或在一个或多个硬件模块或集成电路中实现这些功能实体,或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。
附图中所示的流程图仅是示例性说明,不是必须包括所有的步骤。例如,有的步骤还可以分解,而有的步骤可以合并或部分合并,因此实际执行的顺序有可能根据实际情况改变。
另外,本公开中所采用的术语“第一”、“第二”仅旨在起到区分要素的作用,而并不表示对要素的限定。
图1示意性示出了本公开的示例性实施方式的正电子湮没寿命谱测量方法。参考图1,所述正电子湮没寿命谱测量方法可以包括以下步骤:
S10.接收第一探测信号和第二探测信号,并生成与所述第一探测信号对应的第一脉冲信号和与第二探测信号对应的第二脉冲信号;
S20.判断所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号是否满足预设条件,并在判断出所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号满足所述预设条件时,计算所述第二脉冲信号减去所述第一脉冲信号的时间差;
S30.判断所述第一脉冲信号的幅值是否为第一幅值以得到判断结果,根据所述判断结果并结合所述时间差和一预设偏移量获得统计图谱;其中,所述统计图谱包含正向部分和负向部分;以及
S40.将所述统计图谱发送至图谱处理单元,通过所述图谱处理单元将所述统计图谱的负向部分对称反转,并将对称反转后的结果与所述统计图谱的正向部分叠加,以得到正电子湮没寿命谱。
在本公开的示例性实施方式的正电子湮没寿命谱测量方法中,通过判断基于设置在待测样品同侧的两个探测器探测正电子而生成的第一脉冲信号和第二脉冲信号是否满足预设条件,并在满足该预设条件时对第一脉冲信号和第二脉冲信号进行幅值分析、时间差计算等数学运算处理,以得到正电子湮没寿命谱。借助于预设条件的判断过程,可以充分利用探测器探测到的有效事件数,提高了探测效率,减少了正电子寿命谱的采集时间。
接下来,将对本公开的示例性实施方式的正电子湮没寿命谱测量方法的各步骤进行说明。
S10.接收第一探测信号和第二探测信号,并生成与所述第一探测信号对应的第一脉冲信号和与第二探测信号对应的第二脉冲信号。
在本公开的示例性实施方式中,可以以康普顿膜密封的22Na作为正电子放射源,并且将两片相同的待测样品放置于该正电子放射源的两侧。
本公开可以采用第一探测器和第二探测器对正电子放射源发射出的伽马光子进行探测。其中,第一探测器和第二探测器可以均为BaF2探测器。
另外,正电子放射源通常以4π立体角随机产生并发射正电子,其中大部分正电子会在待测样品中湮没,少数正电子会在康普顿薄膜中湮没,与正电子几乎同时产生的能量约1.28MeV的伽马光子以及湮没产生的能量约为0.511MeV的伽马光子也可以认为是以4π立体角向外发射。因此,两个探测器可以呈任意角度进行摆放,但是正电子与电子湮没后产生的一对伽马光子会成约180度角的对立方向向外发射,为了避免在信号处理时引入一对0.511MeV伽马信号事件,在本公开的示例性实施方式中,第一探测器和第二探测器设置在正电子放射源的同侧,两个探测器的探头可以彼此靠近且以一定角度分开以确保探测尽量多的正电子湮没事件。
另外,第一探测器和第二探测器之间可以设置有屏蔽装置,以确保第一探测器与第二探测器互不干扰。例如,该屏蔽装置可以包括铅块。
当第一探测器探测到伽马信号时,可以向本公开示例性说明的信号采集与分析板卡发送第一探测信号;类似地,当第二探测器探测到伽马信号时,可以向该信号采集与分析卡板发送第二探测信号。
接下来,信号采集与分析板卡中的第一模数转换器可以接收由第一探测器发送的第一探测信号,并对第一探测信号进行模数转换以得到第一脉冲信号;类似地,信号采集与分析板卡中的第二模数转换器可以接收由第二探测器发送的第二探测信号,并对第二探测信号进行模数转换以得到第二脉冲信号。
此外,在信号采集与分析板卡中,可以通过触发电平去除与本方案分析无关的噪声信号,这些噪声信号可能例如由探测器发送并经由模数转换器进行了模数转换。具体的,可以通过设置触发电平以使得能够屏蔽一预设幅值以下的信号,进而使得满足触发阈值的第一脉冲信号和第二脉冲信号能够被发送至信号采集与分析板卡中的符合单元,以进行本公开的示例性实施方式的有效事件的判断过程。
此外,还可以在模数转换器与符合单元之间设置一去噪装置,该去噪装置可以对模数转换器输出的信号进行详细地分析,并去除除满足预设阈值条件之外的噪声信号。
通过对模数转换器输出的信号进行去噪处理,避免了与本公开内容无关的信号的干扰。
S20.判断所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号是否满足预设条件,并在判断出所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号满足所述预设条件时,计算所述第二脉冲信号减去所述第一脉冲信号的时间差。
根据本公开的一些实施例,预设条件可以包括:在一预设时间段2ΔT内,接收到第一脉冲信号和第二脉冲信号。
根据本公开的另一些实施例,预设条件可以包括:以第一脉冲信号为基准,在前后ΔT时间内接收到第二脉冲信号。容易理解的是,预设条件还可包括:以第二脉冲信号为基准,在前后ΔT时间内接收到第一脉冲信号。其中,可以结合正电子湮没寿命的历史探测数据,例如将ΔT设定为约100ns。
在本公开的示例性实施方式中,满足上述预设条件的第一脉冲信号和第二脉冲信号构成一次本公开中所述的有效事件。
在步骤S20中,信号采集与分析板卡中的符合单元在接收到第一脉冲信号和第二脉冲信号时,符合单元可以根据上述预设条件筛选出构成有效事件的第一脉冲信号和第二脉冲信号,避免了后续处理无效事件,提高了探测效率。另外,此处所述的无效事件可以例如是,第一探测器在探测到由于正电子产生而发射的能量约1.28MeV的伽马光子之后,在ΔT时间内又探测到正电子湮没而产生0.511MeV的伽马光子,此时,可以理解该正电子由产生到湮没的两个时间点均由第一探测器探测到,整个过程中,第二探测器未探测到伽马光子。本领域的技术人员可以容易联想到本公开的其他无效事件的情况,在此不再赘述。
符合单元在判断出有效事件后,可以向信号采集与分析板卡中的波形分析单元发送一控制信号,使该波形分析单元可以分别从第一模数转换器和第二模数转换器获取第一脉冲信号和第二脉冲信号。并对第一脉冲信号和第二脉冲信号进行分析处理。
图3和图4分别示出了本公开的示例性实施方式的满足预设条件的两种有效事件的示意图。
参考图3,符合单元接收到第一脉冲信号(幅值为1.28MeV)后,在预设时间段ΔT内,又探测到第二脉冲信号(幅值为0.511MeV)。例如,可以将第一脉冲信号到来的时间点记为T1,将第二脉冲信号到来的时间点记为T2,可以计算出第二脉冲信号减去第一脉冲信号的时间差T,即,T=T2-T1。
参考图4,符合单元接收到第二脉冲信号(幅值为1.28MeV)后,在预设时间段ΔT内,又探测到第一脉冲信号(幅值为0.511MeV)。此时,可以计算出第二脉冲信号减去第一脉冲信号的时间差T,即,T=T2-T1。
显然,在图3所示的有效事件的情况下,时间差T为正值;在图4所示的有效事件的情况下,时间差T为负值。
此外,可以根据图3和图4两种有效事件计算出的时间差T获得如图5所示的统计图谱。在这种情况下,无法将图3所示的有效事件与图4所示的有效事件分离开,鉴于此,本公开的步骤可以跳转至步骤S30。
S30.判断所述第一脉冲信号的幅值是否为第一幅值以得到判断结果,根据所述判断结果并结合所述时间差和一预设偏移量获得统计图谱;其中,所述统计图谱包含正向部分和负向部分。
参考图6对步骤S30进行说明,图6示意性示出了对图5所示的统计图谱的波形进行分析处理的流程图。
首先,波形分析单元可以判断第一脉冲信号的幅值是否为第一幅值,此处所述的第一幅值为1.28MeV。
接下来,波形分析单元可以根据判断结果并结合时间差T以及一预设偏移量T0得到分析处理后的统计图谱,其中,可以将预设偏移量设定为T0大于5ns。
具体的,在判断出第一脉冲信号的幅值为第一幅值时,波形分析单元可以计算时间差T与预设偏移量T0的和T+T0,以得到统计图谱的正向部分;在判断出第一脉冲信号的幅值不为第一幅值时,也就是说,在判断出第一脉冲信号的幅值为第二幅值0.511MeV时,波形分析单元可以计算时间差T与预设偏移量T0的差T-T0,以得到统计图谱的负向部分。这样处理的目的在于从示例性的图谱(图5所示)中分离两种有效事件。
由此,可以得到如图7示例性示出的统计图谱。
本领域的技术人员容易理解的是,还可以采用其他分析处理方法从图5的图谱中分离图3和图4所示的有效事件,例如,可以判断第二脉冲信号的幅值是否为第一幅值,根据判断结果获得图7所示的统计图谱,等等。
S40.将所述统计图谱发送至图谱处理单元,通过所述图谱处理单元将所述统计图谱的负向部分对称反转,并将对称反转后的结果与所述统计图谱的正向部分叠加,以得到正电子湮没寿命谱。
在本公开的示例性实施方式中,波形分析单元可以将得到如图7示例性示出的统计图谱发送至一图谱处理单元,该图谱处理单元可以集成在PC终端,也可以是单独进行图谱处理的装置,本示例性实施方式中对此不做特殊限定。
图谱处理单元可以将接收到的统计图谱的负向部分对称反转,具体的,可以将负向部分沿横坐标为0对应的纵轴对折,并将对折后的结果与统计图谱的正向部分叠加,以得到正电子湮没寿命谱。
例如,在处理的过程中,首先,可以记录负向部分所有点的坐标。并将负向部分所有点的横坐标取绝对值,接下来,与正向部分的横坐标对应,将负向部分所有点的纵坐标与正向部分的纵坐标叠加,以得到例如图8所示的正电子湮没寿命谱。
应当注意,尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤,但是,这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤,或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的,可以省略某些步骤,将多个步骤合并为一个步骤执行,以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。
进一步的,本示例实施方式中还提供了一种正电子湮没寿命谱测量***。
图9示意性示出了根据本公开的示例性实施方式的正电子湮没寿命谱测量***的方框图。参考图9,根据本公开的正电子湮没寿命谱测量***可以包括:第一探测器、第二探测器、信号采集与分析板卡和PC终端,另外,本公开的正电子湮没寿命谱测量***还可以包括为第一探测器和第二探测器供电的高压电源HV。
参考图10,根据本公开的示例性实施方式的信号采集与分析板卡可以包括第一模数转换器ADC1、第二模数转换器ADC2、符合单元和波形分析单元。
下面将对图9和图10所示的正电子湮没寿命谱测量***的各组成部分进行说明,其中:
第一探测器,可以用于在探测到第一伽马光子时生成第一探测信号;
第二探测器,可以用于在探测到第二伽马光子时生成第二探测信号;
第一模数转换器ADC1,可以用于接收第一探测信号并生成与所述第一探测信号对应的第一脉冲信号;
第二模数转换器ADC2,可以用于接收第二探测信号并生成与所述第二探测信号对应的第二脉冲信号;
符合单元,可以用于判断所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号是否满足预设条件,并在判断出所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号满足所述预设条件时,输出一控制信号;
波形分析单元,可以用于响应所述控制信号接收所述第一脉冲信号和所述第二脉冲信号,计算所述第二脉冲信号减去所述第一脉冲信号的时间差,判断所述第一脉冲信号的幅值是否为第一幅值以得到判断结果,根据所述判断结果并结合所述时间差和一预设偏移量获得统计图谱,并发送所述统计图谱,其中,所述统计图谱包含正向部分和负向部分;
图谱处理单元,可以集成在PC中,图谱处理单元可以用于将所述统计图谱的负向部分对称反转,并将对称反转后的结果与所述统计图谱的正向部分叠加,以得到正电子湮没寿命谱。
此外,还可以通过触发电平对第一模数转换器ADC1和第二模数转换器ADC2输出的信号进行去噪处理。具体的,可以通过设置触发电平以使得能够屏蔽一预设幅值以下的噪声信号,进而使得满足触发阈值的第一脉冲信号和第二脉冲信号能够被发送至信号采集与分析板卡中的符合单元,以进行本公开的示例性实施方式的有效事件的判断过程。
根据本公开的示例性实施例,所述预设条件包括:
以所述第一脉冲信号为基准,在前后ΔT时间内接收到所述第二脉冲信号。
根据本公开的示例性实施例,根据所述判断结果并结合所述时间差和一预设偏移量获得统计图谱包括:
在判断出所述第一脉冲信号的幅值为所述第一幅值时,计算所述时间差与所述预设偏移值的和以得到所述统计图谱的正向部分;
在判断出所述第一脉冲信号的幅值为第二幅值时,计算所述时间差与所述预设偏移值的差以得到所述统计图谱的负向部分。
根据本公开的示例性实施例,所述正电子湮没寿命谱测量***还包括:
屏蔽装置,设置在所述第一探测器与所述第二探测器之间。
具体实现正电子湮没寿命谱测量的功能步骤与上述方法发明实施方式中相同,因此在此不再赘述。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后,将容易想到本公开的其他实施例。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本公开的真正范围和精神由权利要求指出。
应当理解的是,本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构,并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限。
Claims (10)
1.一种正电子湮没寿命谱测量方法,其特征在于,包括:
接收由第一探测器探测第一伽马光子而生成的第一探测信号和由第二探测器探测第二伽马光子而生成的第二探测信号,并生成与所述第一探测信号对应的第一脉冲信号和与第二探测信号对应的第二脉冲信号;
判断所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号是否满足预设条件,并在判断出所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号满足所述预设条件时,计算所述第二脉冲信号减去所述第一脉冲信号的时间差;
判断所述第一脉冲信号的幅值是否为第一幅值以得到判断结果,根据所述判断结果并结合所述时间差和一预设偏移量获得统计图谱;其中,所述统计图谱包含正向部分和负向部分;以及
将所述统计图谱发送至图谱处理单元,通过所述图谱处理单元将所述统计图谱的负向部分对称反转,并将对称反转后的结果与所述统计图谱的正向部分叠加,以得到正电子湮没寿命谱。
2.根据权利要求1所述的正电子湮没寿命谱测量方法,其特征在于,生成与所述第一探测信号对应的第一脉冲信号和与第二探测信号对应的第二脉冲信号包括:
对第一探测信号进行模数转换以生成所述第一脉冲信号;以及
对第二探测信号进行模数转换以生成所述第二脉冲信号。
3.根据权利要求1或2所述的正电子湮没寿命谱测量方法,其特征在于,所述第一探测器与所述第二探测器设于待测样品的同侧。
4.根据权利要求3所述的正电子湮没寿命谱测量方法,其特征在于,所述预设条件包括:
以所述第一脉冲信号为基准,在前后ΔT时间内接收到所述第二脉冲信号。
5.根据权利要求1所述的正电子湮没寿命谱测量方法,其特征在于,根据所述判断结果并结合所述时间差和一预设偏移量获得统计图谱包括:
在判断出所述第一脉冲信号的幅值为所述第一幅值时,计算所述时间差与所述预设偏移值的和以得到所述统计图谱的正向部分;
在判断出所述第一脉冲信号的幅值为第二幅值时,计算所述时间差与所述预设偏移值的差以得到所述统计图谱的负向部分。
6.一种正电子湮没寿命谱测量***,其特征在于,包括:
第一模数转换器,用于接收由第一探测器探测第一伽马光子而生成的第一探测信号并生成与所述第一探测信号对应的第一脉冲信号;
第二模数转换器,用于接收由第二探测器探测第二伽马光子而生成的第二探测信号并生成与所述第二探测信号对应的第二脉冲信号;
符合单元,用于判断所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号是否满足预设条件,并在判断出所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号满足所述预设条件时,输出一控制信号;
波形分析单元,用于响应所述控制信号接收所述第一脉冲信号和所述第二脉冲信号,计算所述第二脉冲信号减去所述第一脉冲信号的时间差,判断所述第一脉冲信号的幅值是否为第一幅值以得到判断结果,根据所述判断结果并结合所述时间差和一预设偏移量获得统计图谱,并发送所述统计图谱,其中,所述统计图谱包含正向部分和负向部分;
图谱处理单元,用于将所述统计图谱的负向部分对称反转,并将对称反转后的结果与所述统计图谱的正向部分叠加,以得到正电子湮没寿命谱。
7.根据权利要求6所述的正电子湮没寿命谱测量***,其特征在于,所述正电子湮没寿命谱测量***还包括:
第一探测器,用于在探测到第一伽马光子时生成所述第一探测信号;
第二探测器,用于在探测到第二伽马光子时生成所述第二探测信号;
其中,所述第一探测器与所述第二探测器设于待测样品的同侧。
8.根据权利要求7所述的正电子湮没寿命谱测量***,其特征在于,所述预设条件包括:
以所述第一脉冲信号为基准,在前后ΔT时间内接收到所述第二脉冲信号。
9.根据权利要求6所述的正电子湮没寿命谱测量***,其特征在于,根据所述判断结果并结合所述时间差和一预设偏移量获得统计图谱包括:
在判断出所述第一脉冲信号的幅值为所述第一幅值时,计算所述时间差与所述预设偏移值的和以得到所述统计图谱的正向部分;
在判断出所述第一脉冲信号的幅值为第二幅值时,计算所述时间差与所述预设偏移值的差以得到所述统计图谱的负向部分。
10.根据权利要求7所述的正电子湮没寿命谱测量***,其特征在于,所述正电子湮没寿命谱测量***还包括:
屏蔽装置,设置在所述第一探测器与所述第二探测器之间。
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