CN107217198B - 一种基于薄带连铸制备旋转立方双取向硅钢的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明属于冶金领域,特别涉及一种基于薄带连铸制备旋转立方双取向硅钢的方法。按以下步骤进行:(1)按设定成分冶炼钢水,其成分按重量百分比为:C 0.01~0.05%,Si 1.6~3.3%,Mn≤0.003%,V 0.03~0.05%,Al≤0.005%,P≤0.008%,S 0.002~0.005%,N≤0.002%,O≤0.002%,Nb≤0.002%,Ti≤0.002%,余量为Fe及不可避免杂质;(2)薄带连铸过程后形成铸带;(3)在惰性气氛条件下进行一道次热轧;(4)将热卷带酸洗后涂Al2O3隔离剂后进行重新卷取;(5)热卷进罩式炉进行长时间热处理,结束后控制冷却速率,并卷取保温;(6)清理氧化铁皮后进行冷轧;(7)冷轧卷进行两次再结晶退火;(8)涂覆隔离剂后退火,获得旋转立方双取向硅钢成品。本发明基于铸轧‑铸带热处理‑冷轧‑两次退火制度,获得{100}<011>取向晶粒异常长大的双取向硅钢。

Description

一种基于薄带连铸制备旋转立方双取向硅钢的方法
技术领域
本发明属于冶金技术领域,特别涉及一种基于薄带连铸制备旋转立方双取向硅钢的方法。
背景技术
无取向硅钢是一种重要的软磁材料。对于无取向硅钢而言,硅钢板的{100}方向是容易磁化方向,则其理想晶体结构为{001}<uvw>,因为它是各向同性而且难磁化方向<111>不在轧面上。常见的双取向为立方或者旋转立方双取向,在{100}面上有两个互相垂直的易磁化<100>,可以满足旋转铁芯服役于磁路呈互相垂直封闭回路的特定需求。鉴于双取向硅钢特殊的优异性能,低成本制备双取向硅钢一直是人们努力的目标。由于立方织构并不是轧制稳定织构,需要严格控制轧制规程才能得到较强的立方,导致因此在工业化生产中通过轧制减薄-退火工艺制备双取向硅钢存在一定的难度。而旋转立方织构在冷轧板中可以稳定存在,因此低成本制备旋转立方双取向硅钢是开发双取向硅钢的重点。
为了降低无取向硅钢生产成本和提高最终产品磁性能,迫切需要一种新的技术途径制备高磁感低铁损无取向硅钢。近年来,已有相关的技术报道提出利用先进短流程薄带连铸技术制备无取向硅钢。双辊薄带连铸技术,以转动的两个铸辊为结晶器,将液态钢水直接注入铸辊和侧封板组成的熔池内,由液态钢水直接凝固成形厚度为1~6mm薄带,可不需经过连铸、加热、热轧和常化等生产工序。研究表明,利用薄带连铸技术在制备高品质硅钢方面具有明显优势,中国专利(公告号CN 102041367B)公开了一种薄带连铸制备无取向硅钢的制备方法,该专利通过控制过热度提高铸带中等轴晶比例,最终产品磁感值为1.70~1.79T,但是在制备双取向硅钢方面并没有更多报道。
发明内容
针对现有旋转立方双取向硅钢在制备方法上存在的上问题,本发明提供一种基于薄带连铸制备旋转立方双取向硅钢的方法,基于对双辊薄带连铸制备硅钢全流程组织-织构演变规律,充分利用薄带连铸流程的优势,通过对铸带进行热处理,获得晶粒尺寸粗大的强{100}的初始组织,经冷轧退火后获得旋转立方双取向硅钢。
本发明的技术方案是:
一种基于薄带连铸制备旋转立方双取向硅钢的方法,按以下步骤进行:
(1)按设定成分冶炼钢水,其成分按重量百分比为:C 0.01~0.05%,Si 1.6~3.3%,Mn≤0.003%,V 0.03~0.05%,Al≤0.005%,P≤0.008%,S 0.002~0.005%,N≤0.002%,O≤0.002%,Nb≤0.002%,Ti≤0.002%,余量为Fe及不可避免杂质;
(2)薄带连铸过程:将钢水通过浇口进入中间包,中间包预热温度1200~1250℃,控制过热度为30~60℃,钢水通过中间包进入薄带连铸机后形成铸带,控制铸速40~60m/min,控制熔池液位高度120~160mm,控制铸带厚度2.0~2.8mm;
(3)铸带出辊后在惰性气氛条件下自然冷却至热轧机,热轧温度950~1000℃,终轧温度900~950℃,压下量2~5%,热轧后卷取;
(4)将热卷带酸洗后涂Al2O3隔离剂后进行重新卷取,Al2O3隔离剂颗粒度为10~20μm;
(5)热卷进行罩式炉进行热处理,在露点小于-30℃纯H2流通的条件下,先以50~150℃/h的速度升温至930~1050℃,保温10~30h进行退火;保温后采用水雾冷却,控制冷却速度≥50℃/s,终冷温度650~750℃,冷却后立即进行卷取;
(6)热处理后带卷经过酸洗后进行单阶段多道次冷轧,总压下量为80~90%,获得冷轧带卷;
(7)将冷轧带在850~900℃进行再结晶退火,时间为120~180s,再结晶退火时冷轧带是在氮气氢气混合气氛条件下进行,控制混合气氛的露点在+30℃,然后涂覆隔离剂后进行高温退火,先以50~150℃/h的速度升温至970~1100℃,保温10~20h进行退火,获得旋转立方双取向硅钢成品。
所述的旋转立方双取向硅钢最终厚度为0.20~0.50mm。
所述的步骤(5)中,铸带经热处理后获得具有直径8~12mm和发达{100}<0vw>取向的晶粒。
所述的旋转立方双取向硅钢添加0.03~0.05%V,并控制C 0.01~0.05%,采用VC作为抑制剂。
所述的步骤(5)中,铸带热处理过程实现VC固溶处理,采用水雾冷却抑制其析出,而利用卷取控制VC大量均匀析出。
所述的步骤(6)中,单阶段多道次冷轧的每道次压下量为10%~30%。
所述的步骤(7)中,旋转立方双取向硅钢冷轧退火板具有发达的{100}<011>取向织构,二次晶粒尺寸为10~20mm。
所述的旋转立方双取向硅钢冷轧退火板沿轧向45°和135°磁性能为:铁损P17/50为0.75~1.2W/kg,磁感B8≥1.83T。
所述的步骤(7)中,氮气氢气混合气氛的体积比例为20%~80%H2+N2
本发明实现低成本制备旋转立方双取向硅钢的低成本制备,其技术原理如下:
利用薄带连铸制备薄规格铸带,热卷在露点小于-30℃纯H2流通的条件下经过长时间热处理,一方面利用表面能作用获得近{100}<0vw>取向的异常长大晶粒,同时实现VC全固溶。在后续的卷取过程控制VC大量细小均匀析出。经过冷轧后先进行低温脱碳再结晶退火,保留部分旋转立方取向组织,作为二次再结晶过程中形核核心。再进行高温长时间退火,利用VC作为其他取向晶粒长大抑制剂,旋转立方取向晶粒利用其尺寸优势完成异常长大过程,最终退火板形成统一的{100}<011>取向织构,二次晶粒尺寸为10~20mm。
与现有技术相比,本发明的优点及有益效果在于:
1、本发明基于薄带连铸工艺制备2.0~2.8mm厚度规格薄带。铸带经一道次平整后在纯H2条件下长时间热处理。热卷发生近{100}<0vw>取向异常长大,同时实现VC等抑制剂形成元素回溶,在后续卷取过程形成VC大量细小均匀析出。
2、本发明冷轧板采用两阶段退火工艺,第一阶段脱碳再结晶退火过程,完成旋转立方取向晶粒回复以及再结晶形核;第二阶段高温长时间退火,利用VC作为抑制剂,获得{100}<011>取向晶粒异常长大的成品板。最终成品板沿轧向45°和135°磁性能为:铁损P17/50为0.75~1.2W/kg,磁感B8≥1.83T,满足双取向电工钢铁芯的基本要求。
3、本发明基于薄带连铸流程,工序简单可行,产品磁性能高。
附图说明
图1为本发明的基于薄带连铸制备旋转立方双取向硅钢的方法流程示意图;
图2为本发明实施例3中的铸带微观组织显微图;
图3为本发明实施例3中产品宏观织构图。
具体实施方式
在具体实施过程中,采用的薄带连铸机为专利(公开号CN103551532A)公开的薄带连铸机。如图1所示,基于薄带连铸制备旋转立方双取向硅钢的方法流程如下:按设定成分冶炼钢水,进入薄带连铸机完成薄带连铸过程,出铸机后的铸带进行一道次热轧,热轧带经酸洗后涂隔离剂进行热处理,随后冷却至设定温度保温。经酸洗后开卷冷轧,得到目标厚度薄带后进行两次再结晶退火,得到旋转立方双取向硅钢成品。
下面,通过实施例对本发明进一步详细阐述。
实施例1
本实施例中,基于薄带连铸制备旋转立方双取向硅钢的方法,按以下步骤进行:
按设定成分冶炼钢水,其成分按重量百分比为:C 0.01%,Si 1.6%,Mn0.0025%,V 0.03%,Al 0.0044%,P 0.0075%,S 0.002%,N 0.0016%,O 0.0013%,Nb0.0011%,Ti 0.0018%,余量为Fe;
薄带连铸过程:将钢水通过浇口进入中间包,中间包预热温度1200℃,控制过热度为60℃,钢水通过中间包进入薄带连铸机后形成铸带,控制铸速50m/min,控制熔池液位高度140mm,控制铸带厚度2.8mm;
铸带出辊后在惰性气氛条件下自然冷却至热轧机,热轧温度980℃,终轧温度930℃,压下量3%,热轧后卷取;
将热卷带酸洗后涂Al2O3隔离剂后进行重新卷取,Al2O3隔离剂颗粒度为15μm;
热卷进行罩式炉进行热处理,在露点小于-30℃纯H2流通的条件下,先以100℃/h的速度升温至930~980℃,保温15h进行退火。铸带经热处理后获得具有直径3~15mm和发达{100}<0vw>取向的晶粒,{100}<0vw>取向的晶粒比例70%。保温后采用水雾冷却,控制冷却速度80℃/s,终冷温度700℃,冷却后立即进行卷取;
热处理后带卷经过酸洗后进行单阶段多道次冷轧,总压下量为85%,每道次压下量为20~25%,获得冷轧带卷;
将冷轧带在850~900℃进行再结晶退火,时间为120~180s,再结晶退火时冷轧带是在氮气氢气混合气氛(本实施例的氮气氢气混合气氛的体积比例为3:1)条件下进行,控制混合气氛的露点在+30℃,然后涂覆隔离剂(颗粒度为15μm的Al2O3)后进行高温退火,先以100℃/h的速度升温至970~1050℃,保温15h进行退火。旋转立方双取向硅钢冷轧退火板具有统一的{100}<001>取向织构,二次晶粒尺寸5~20mm。旋转立方双取向硅钢冷轧退火板沿轧向45°和135°磁性能为:铁损P17/50为1.0~1.2W/kg,磁感B8≥1.83T。
实施例2
本实施例中,基于薄带连铸制备旋转立方双取向硅钢的方法,按以下步骤进行:
按设定成分冶炼钢水,其成分按重量百分比为:C 0.03%,Si 2.0%,Mn0.0027%,V 0.04%,Al 0.0037%,P 0.0068%,S 0.004%,N 0.0012%,O 0.0018%,Nb0.0016%,Ti 0.0012%,余量为Fe;
薄带连铸过程:将钢水通过浇口进入中间包,中间包预热温度1220℃,控制过热度为50℃,钢水通过中间包进入薄带连铸机后形成铸带,控制铸速40m/min,控制熔池液位高度130mm,控制铸带厚度2.5mm;
铸带出辊后在惰性气氛条件下自然冷却至热轧机,热轧温度960℃,终轧温度920℃,压下量4%,热轧后卷取;
将热卷带酸洗后涂Al2O3隔离剂后进行重新卷取,Al2O3隔离剂颗粒度为12μm;
热卷进行罩式炉进行热处理,在露点小于-30℃纯H2流通的条件下,先以80℃/h的速度升温至980~1020℃,保温20h进行退火。铸带经热处理后获得具有直径3~15mm和发达{100}<0vw>取向的晶粒,{100}<0vw>取向的晶粒比例80%。保温后采用水雾冷却,控制冷却速度60℃/s,终冷温度720℃,冷却后立即进行卷取;
热处理后带卷经过酸洗后进行单阶段多道次冷轧,总压下量为83%,每道次压下量为15~20%,获得冷轧带卷;
将冷轧带在850~900℃进行再结晶退火,时间为120~180s,再结晶退火时冷轧带是在氮气氢气混合气氛(本实施例的氮气氢气混合气氛的体积比例为2:1)条件下进行,控制混合气氛的露点在+30℃,然后涂覆隔离剂(颗粒度为12μm的Al2O3)后进行高温退火,先以80℃/h的速度升温至1000~1080℃,保温18h进行退火。旋转立方双取向硅钢冷轧退火板具有统一的{100}<011>取向织构,二次晶粒尺寸5~20mm。旋转立方双取向硅钢冷轧退火板沿轧向45°和135°磁性能为:铁损P17/50为0.8~1.1W/kg,磁感B8≥1.83T。
实施例3
本实施例中,基于薄带连铸制备旋转立方双取向硅钢的方法,按以下步骤进行:
按设定成分冶炼钢水,其成分按重量百分比为:C 0.05%,Si 3.3%,Mn0.0022%,V 0.05%,Al 0.0037%,P 0.0056%,S 0.005%,N 0.0016%,O 0.0013%,Nb0.0008%,Ti 0.0007%,余量为Fe;
薄带连铸过程:将钢水通过浇口进入中间包,中间包预热温度1250℃,控制过热度为40℃,钢水通过中间包进入薄带连铸机后形成铸带,控制铸速60m/min,控制熔池液位高度150mm,控制铸带厚度2.0mm;
铸带出辊后在惰性气氛条件下自然冷却至热轧机,热轧温度970℃,终轧温度910℃,压下量5%,热轧后卷取;
将热卷带酸洗后涂Al2O3隔离剂后进行重新卷取,Al2O3隔离剂颗粒度为18μm;
热卷进行罩式炉进行热处理,在露点小于-30℃纯H2流通的条件下,先以120℃/h的速度升温至1000~1050℃,保温25h进行退火。铸带经热处理后获得具有直径3~15mm和发达{100}<0vw>取向的晶粒,{100}<0vw>取向的晶粒比例75%。保温后采用水雾冷却,控制冷却速度100℃/s,终冷温度680℃,冷却后立即进行卷取;
热处理后带卷经过酸洗后进行单阶段多道次冷轧,总压下量为88%,每道次压下量为10~15%,获得冷轧带卷;
将冷轧带在850~900℃进行再结晶退火,时间为120~180s,再结晶退火时冷轧带是在氮气氢气混合气氛(本实施例的氮气氢气混合气氛的体积比例为1:1)条件下进行,控制混合气氛的露点在+30℃,然后涂覆隔离剂(颗粒度为18μm的Al2O3)后进行高温退火,先以120℃/h的速度升温至1050~1100℃,保温12h进行退火。旋转立方双取向硅钢冷轧退火板具有统一的{100}<011>取向织构,二次晶粒尺寸5~20mm。旋转立方双取向硅钢冷轧退火板沿轧向45°和135°磁性能为:铁损P17/50为0.75~1.0W/kg,磁感B8≥1.83T。
如图2所示,从铸带微观组织显微图可以看出,晶粒粗大,柱状晶较为发达。
如图3所示,从产品宏观织构图可以看出,最终形成了统一且较强的旋转立方取向织构,其强度高达45。
实施例结果表明,本发明通过铸带预处理,增强初始组织中{100}织构强度,同时实现VC全固溶,在后续的卷取过程控制VC大量细小均匀析出。基于铸轧-铸带热处理-冷轧-两次退火制度,以VC为抑制剂,获得{100}<011>取向晶粒异常长大的双取向硅钢。冷轧退火板沿轧向45°和135°磁性能为:铁损P17/50为0.75~1.2W/kg,磁感B8≥1.83T。该成品磁性能优异,制备方法简单可行。

Claims (8)

1.一种基于薄带连铸制备旋转立方双取向硅钢的方法,其特征在于,按以下步骤进行:
(1)按设定成分冶炼钢水,其成分按重量百分比为:C 0.01~0.05%,Si 1.6~3.3%,Mn≤0.003%,V 0.03~0.05%,Al≤0.005%,P≤0.008%,S 0.002~0.005%,N≤0.002%,O≤0.002%,Nb≤0.002%,Ti≤0.002%,余量为Fe及不可避免杂质;
(2)薄带连铸过程:将钢水通过浇口进入中间包,中间包预热温度1200~1250℃,控制过热度为30~60℃,钢水通过中间包进入薄带连铸机后形成铸带,控制铸速40~60m/min,控制熔池液位高度120~160mm,控制铸带厚度2.0~2.8mm;
(3)铸带出辊后在惰性气氛条件下自然冷却至热轧机,热轧温度950~1000℃,终轧温度900~950℃,压下量2~5%,热轧后卷取;
(4)将热卷带酸洗后涂Al2O3隔离剂后进行重新卷取,Al2O3隔离剂颗粒度为10~20μm;
(5)热卷进行罩式炉进行热处理,在露点小于-30℃纯H2流通的条件下,先以50~150℃/h的速度升温至930~1050℃,保温10~30h进行退火;保温后采用水雾冷却,控制冷却速度≥50℃/s,终冷温度650~750℃,冷却后立即进行卷取;
(6)热处理后带卷经过酸洗后进行单阶段多道次冷轧,总压下量为80~90%,获得冷轧带卷;
(7)将冷轧带在850~900℃进行再结晶退火,时间为120~180s,再结晶退火时冷轧带是在氮气氢气混合气氛条件下进行,控制混合气氛的露点在+30℃,然后涂覆隔离剂后进行高温退火,先以50~150℃/h的速度升温至970~1100℃,保温10~20h进行退火,获得旋转立方双取向硅钢成品。
2.根据权利要求1所述的基于薄带连铸制备旋转立方双取向硅钢的方法,其特征在于,所述的旋转立方双取向硅钢最终厚度为0.20~0.50mm。
3.根据权利要求1所述的基于薄带连铸制备旋转立方双取向硅钢的方法,其特征在于,所述的步骤(5)中,铸带经热处理后获得具有发达{100}<0vw>取向的晶粒。
4.根据权利要求1所述的基于薄带连铸制备旋转立方双取向硅钢的方法,其特征在于,所述的旋转立方双取向硅钢添加0.03~0.05%V,并控制C 0.01~0.05%,采用VC作为抑制剂。
5.根据权利要求1所述的基于薄带连铸制备旋转立方双取向硅钢的方法,其特征在于,所述的步骤(6)中,单阶段多道次冷轧的每道次压下量为10%~30%。
6.根据权利要求1所述的基于薄带连铸制备旋转立方双取向硅钢的方法,其特征在于,所述的步骤(7)中,旋转立方双取向硅钢冷轧退火板具有发达的{100}<011>取向织构。
7.根据权利要求1所述的基于薄带连铸制备旋转立方双取向硅钢的方法,其特征在于,所述的旋转立方双取向硅钢冷轧退火板沿轧向45°和135°磁性能为:铁损P17/50为0.75~1.2W/kg,磁感B8≥1.83T。
8.根据权利要求1所述的基于薄带连铸制备旋转立方双取向硅钢的方法,其特征在于,所述的步骤(7)中,氮气氢气混合气氛的体积比例为20%~80%H2和余量的N2
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