CN107203054B - 一种太赫兹可变衰减器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种太赫兹可变衰减器，由数片基于砷化镓材料的薄片排列而成，薄片的数量可以根据需要增加或者减少。太赫兹光源发出的太赫兹光经过砷化镓材料的薄片可以衰减并到太赫兹探测器中，太赫兹探测器可以计算的太赫兹功率。每片砷化镓材料薄片作为衰减片都很薄并且厚度相同，这样就可以保证每片薄片作为衰减片对太赫兹波的衰减量是相同的，并且多片砷化镓材料的薄片作为衰减片不会产生法布里‑玻罗效应，影响最后的太赫兹衰减量。带有凹槽的底座可以使太赫兹波按相同的方向经过砷化镓材料的薄片作为衰减片，从而保证最后的衰减量是每片衰减量的和。采用上述方案，方法设计的太赫兹可变衰减器，使用方便，对放置角度要求低，精度高。
Description
技术领域
本发明涉及太赫兹可变衰减器技术领域，尤其涉及的是一种太赫兹可变衰减器。
背景技术
太赫兹波是指光波频率在0.1～10THz的范围内，真空中的相应波长为(3000～30)μm，它是位于红外与微波之间的一个波段，通常也叫THz波。
近几年来，随着人们对太赫兹波的产生和探测技术研究的日渐深入，太赫兹波在物质特性分析、成像、探测、遥感和国防上面的作用日益凸显出来，由此引起了一场世界范围内的针对太赫兹波的研究热潮。目前对太赫兹波的衰减一般是通过一片硅片的衰减来进行的，但是由于一片硅片的衰减量是固定的，因此不能很好的满足用户想要输出额定太赫兹波功率的要求。
当用多片硅片对太赫兹波进行衰减时，由于相邻两片硅片会产生法布里-玻罗效应，导致衰减量与预期的衰减量不同。因为硅片表面都是很光滑的，所以当太赫兹波入射后，会有部分光透过，部分光反射回去，反射回去的光到另一个硅平面，又反射回来，从而形成法布里-玻罗效应，大大影响太赫兹光的定量衰减。如图1所示。
现有的太赫兹衰减片存在以下不足：
(1)现有的太赫兹衰减片都是硅片，单片只有固定的衰减量，对太赫兹波的功率衰减只有一个定值，难以达到理想的太赫兹功率；
(2)现有的多硅片可调太赫兹衰减器，由于硅片之间存在法布里-玻罗效应，导致多片硅衰减片的衰减量是不可控的；
(3)由于硅衰减片有一定的厚度，当角度稍微有所不同的时候，硅衰减片对太赫兹波的衰减量也有所不同；
(4)平滑表面的硅片加工难度极高，而且需要加工数片，对加工工艺的要求就更高了。
因此，现有技术存在缺陷，需要改进。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种太赫兹可变衰减器。
本发明的技术方案如下：
一种太赫兹可变衰减器，包括数片基于砷化镓材料的薄片排列而成，太赫兹光源发出的太赫兹光经过砷化镓材料的薄片衰减并到太赫兹探测器中，太赫兹探测器用于计算的太赫兹功率；带有凹槽的底座用于放置使太赫兹波按相同的方向经过所述薄片。
上述方案中，所述薄片的数量根据需要增加或者减少。
上述方案中，所述薄片1作为衰减片都很薄并且厚度相同。，从而保证最后的衰减量是每片衰减量的和。
上述方案中，所述薄片的厚度小于1mm，最佳为0.7mm。
上述方案中，所述底座放置薄片的槽需要相互平行。
上述方案中，所述薄片根据需要增加或者减少。
采用上述方案，方法设计的太赫兹可变衰减器，使用方便，对放置角度要求低，精度高。
附图说明
图1为现有技术中多硅片之间形成的法布里-玻罗效应示意图。
图2为本发明太赫兹可变衰减器的结构示意图。
图3为本发明太赫兹可变衰减器底座的结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面结合附图和具体实施例，对本发明进行更详细的说明。但是，本发明可以采用许多不同的形式来实现，并不限于本说明书所描述的实施例。需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
除非另有定义，本说明书所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本说明书中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是用于限制本发明。本说明书所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
实施例1
如图2-图3所示，本发明太赫兹可变衰减器是由数片基于砷化镓材料的薄片1排列而成，薄片1的数量可以根据需要增加或者减少。太赫兹光源2发出的太赫兹光经过砷化镓材料的薄片1可以衰减并到太赫兹探测器3中，太赫兹探测器3可以计算的太赫兹功率。每片砷化镓材料薄片1作为衰减片都很薄并且厚度相同，这样就可以保证每片薄片1作为衰减片对太赫兹波的衰减量是相同的，并且多片砷化镓材料的薄片1作为衰减片不会产生法布里-玻罗效应，影响最后的太赫兹衰减量。带有凹槽的底座4可以使太赫兹波按相同的方向经过砷化镓材料的薄片1作为衰减片，从而保证最后的衰减量是每片衰减量的和。所述薄片1的厚度小于1mm，最佳为0.7mm在薄片1为0.7mm，能够最大程度上保证选用砷化镓材料作为衰减材料，厚度相同的情况下，对太赫兹波的衰减量相同。
太赫兹衰减器底座放置衰减片的槽5需要相互平行，保证太赫兹波是以相同的角度入射到每个太赫兹衰减片。
太赫兹衰减器上的衰减薄片可以根据需要增加或者减少。
相对于现有技术方案，本发明的优点在于：(1)消除了多衰减片组合会产生法布里-玻罗效应的问题，可以通过组合得到想要的太赫兹波功率。(2)制作方便，精确度高。(3)使用便捷，适于外出便携，稳定性好。
需要说明的是，上述各技术特征继续相互组合，形成未在上面列举的各种实施例，均视为本发明说明书记载的范围；并且，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (1)
1.一种太赫兹可变衰减器，其特征在于，包括数片基于砷化镓材料的薄片排列而成，太赫兹光源发出的太赫兹光经过砷化镓材料的薄片衰减并到太赫兹探测器中，太赫兹探测器用于计算的太赫兹功率；带有凹槽的底座用于放置使太赫兹波按相同的方向经过所述薄片；所述薄片的数量根据需要增加或者减少；所述薄片作为衰减片都很薄并且厚度相同，从而保证最后的衰减量是每片衰减量的和；所述薄片的厚度为0.7mm；所述底座放置薄片的槽需要相互平行；所述薄片根据需要增加或者减少。
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