CN107124190B - 射频电路开关芯片、射频电路、天线装置及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种射频电路开关芯片、射频电路、天线装置及电子设备。该射频电路开关芯片包括分频器、第一开关以及第二开关；其中该分频器连接该第一开关和该第二开关的输入端；该第一开关的输出端包括高频端口和中频端口；该第二开关的输出端包括低频端口；当该第一开关闭合于高频端口，且该第二开关闭合于低频端口时，实现对包括高频信号与低频信号的多载波信号的分频处理；当该第一开关闭合于中频端口，且该第二开关闭合于低频端口时，实现对包括中频信号和低频信号的多载波信号的分频处理。本发明实施例可以提高电子设备对包括不同频段信号的多载波射频信号进行处理的多样性。

Description

射频电路开关芯片、射频电路、天线装置及电子设备

技术领域

本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种射频电路开关芯片、射频电路、天线装置及电子设备。

背景技术

随着通信技术的发展，产生了载波聚合(Carrier Aggregation，简称CA)技术。通过载波聚合技术，可以将多个不同频段的射频信号聚合在一起，从而提高通信网络的上下行传输速率。

目前，全球各个通信市场的频率资源互不相同。不同区域的通信运营商拥有不同的通信频谱分配，因此也就存在不同频段间载波的聚合。然而，相关技术中，终端对多载波射频信号的处理较为单一，缺乏多样性。

发明内容

本发明实施例提供一种射频电路开关芯片、射频电路、天线装置及电子设备，可以提高电子设备对多载波射频信号进行处理的多样性。

本发明实施例提供一种射频电路开关芯片，包括分频器、第一开关以及第二开关；其中

所述分频器连接所述第一开关和所述第二开关的输入端；

所述第一开关的输出端包括高频端口和中频端口；

所述第二开关的输出端包括低频端口；

当所述第一开关闭合于高频端口，且所述第二开关闭合于低频端口时，实现对包括高频信号与低频信号的多载波信号的分频处理；

当所述第一开关闭合于中频端口，且所述第二开关闭合于低频端口时，实现对包括中频信号和低频信号的多载波信号的分频处理。

本发明实施例还提供一种射频电路，包括射频接收器、射频电路开关芯片以及天线，所述射频接收器、所述射频电路开关芯片以及所述天线依次连接；

所述射频电路开关芯片包括分频器、第一开关以及第二开关；其中

所述分频器连接所述第一开关和所述第二开关的输入端；

所述第一开关的输出端包括高频端口和中频端口；

所述第二开关的输出端包括低频端口；

当所述第一开关闭合于高频端口，且所述第二开关闭合于低频端口时，实现对包括高频信号与低频信号的多载波信号的分频处理；

当所述第一开关闭合于中频端口，且所述第二开关闭合于低频端口时，实现对包括中频信号和低频信号的多载波信号的分频处理。

本发明实施例还提供一种天线装置，包括本发明实施例提供的射频电路。

本发明实施例还提供一种电子设备，包括壳体和电路板，所述电路板安装在所述壳体内部，所述电路板上设置有射频电路，所述射频电路为本发明实施例提供的射频电路。

本发明实施例提供的射频电路开关芯片、射频电路、天线装置以及电子设备，能够对电子设备接收到的包括不同频段信号的多载波信号进行分频处理，从而提高电子设备对多载波信号进行处理的多样性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的电子设备的分解示意图。

图2是本发明实施例提供的电子设备的结构示意图。

图3是本发明实施例提供的射频电路的第一种结构示意图。

图4是本发明实施例提供的射频电路的第二种结构示意图。

图5是本发明实施例提供的射频电路的第三种结构示意图。

图6是本发明实施例提供的射频电路的第四种结构示意图。

图7是本发明实施例提供的射频电路的第五种结构示意图。

图8是本发明实施例提供的射频电路的第六种结构示意图。

图9是本发明实施例提供的射频电路的第七种结构示意图。

图10是本发明实施例提供的射频电路开关芯片的第一种结构示意图。

图11是本发明实施例提供的射频电路开关芯片的第二种结构示意图。

图12是本发明实施例提供的射频电路的第八种结构示意图。

图13是本发明实施例提供的射频电路开关芯片的第三种结构示意图。

图14是本发明实施例提供的射频电路开关芯片的第四种结构示意图。

图15是本发明实施例提供的射频电路的第九种结构示意图。

图16是本发明实施例提供的射频电路开关芯片的第五种结构示意图。

图17是本发明实施例提供的射频电路开关芯片的第六种结构示意图。

图18是本发明实施例提供的电子设备的另一结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

本发明实施例提供一种电子设备。该电子设备可以是诸如智能手机、平板电脑等终端设备。请参阅图1和图2，电子设备100可以包括盖板101、显示屏102、电路板103、电池104以及壳体105。

其中，盖板101安装到显示屏102上，以覆盖显示屏102。盖板101可以为透明玻璃盖板。在一些实施例中，盖板101可以是用诸如蓝宝石等材料制成的玻璃盖板。

显示屏102安装在壳体105上，以形成电子设备100的显示面。显示屏102可以包括显示区域102A和非显示区域102B。显示区域102A用于显示图像、文本等信息。非显示区域102B不显示信息。在非显示区域102B的底部可以设置指纹模组、触控电路等功能组件。

电路板103安装在壳体105内部。电路板103可以为电子设备100的主板。电路板103上可以集成有摄像头、接近传感器以及处理器等功能组件。同时，显示屏102可以电连接至电路板103。

在一些实施例中，电路板103上设置有射频(RF，Radio Frequency)电路。射频电路可以通过无线网络与网络设备(例如，服务器、基站等)或其他电子设备(例如，智能手机等)通信，以完成与网络设备或其他电子设备之间的信息收发。

请参阅图3，在一些实施例中，射频电路200可以为用于接收射频信号的分集模组。射频电路200可以包括射频接收器21、滤波单元22、射频电路开关芯片23以及天线24。其中，射频接收器21、滤波单元22、射频电路开关芯片23以及天线24依次连接。

射频接收器21具有接收端口RX。接收端口RX用于接收射频信号(下行信号)。射频接收器21的接收端口RX与滤波单元22连接。

滤波单元22用于对天线24接收到的下行信号进行滤波，并将滤波后的下行信号发送到射频接收器21。

射频电路开关芯片23用于接通射频接收器21与天线24之间的通信频段。射频电路开关芯片23的详细结构和功能将在下文进行描述。

天线24用于从外界接收射频信号，并将接收到的下行信号发送到射频接收器21。

请参阅图4，在一些实施例中，射频电路200还包括控制电路25。其中，控制电路25可以与射频电路开关芯片23连接。控制电路25还可以与电子设备100中的处理器连接，以根据处理器的指令控制射频电路开关芯片23的状态。

请参阅图5，在一些实施例中，射频电路200还可以包括低噪声放大单元26(LowNoise Amplifier，LNA)。其中，在射频接收器21的接收端口RX与滤波单元22之间连接有低噪声放大单元26，低噪声放大单元26用于对弱信号的放大，降低下行信号中的噪声。

请参阅图6，在一些实施例中，射频电路200还可以包括相位平移(Phase Shift)单元27。其中，在滤波单元22与射频电路开关芯片23之间还连接有相位平移单元27。相位平移单元27用于调整下行信号的信号幅值的相位。

请参阅图7，在一些实施例中，射频接收器21包括高频端口21H、中频端口21M以及低频端口21L。其中，高频端口21H、中频端口21M、低频端口21L可以分别包括多个射频接收端口。高频端口21H用于接收高频射频信号，中频端口21M用于接收中频射频信号，低频端口21L用于接收低频射频信号。

需要说明的是，上述高频射频信号、中频射频信号、低频射频信号只是相对概念，并无绝对的频率范围区分。例如，低频信号为700-960MHz(兆赫兹)，中频信号为1710-2170MHz，高频信号为2300-2690MHz。

例如，射频接收器21可以包括9个射频接收端口b1、b2、b3、b4、b5、b6、b7、b8、b9。

其中，b1、b2、b3为中频接收端口，用于接收中频射频信号(例如，Band1、Band3、Band34或Band39等频段的射频信号)。b4、b5、b6为高频接收端口，用于接收高频射频信号(例如，Band7、Band40、Band41等频段的射频信号)。b7、b8、b9为低频接收端口，用于接收低频射频信号(例如，Band8、Band12、Band20或Band26等频段的射频信号)。

需要说明的是，上述实施例仅以射频接收器21的高频端口21H、中频端口21M、低频端口21L均分别包括3个射频接收端口为例进行说明。在其他一些实施例中，高频端口21H、中频端口21M、低频端口21L还可以分别包括其他数量的射频接收端口。只需满足高频端口21H、中频端口21M、低频端口21L各自所包括的射频接收端口的数量大于1即可。

滤波单元22可以包括9个滤波器221、222、223、224、225、226、227、228、229。

射频电路开关芯片23的输出端可以包括9个子输出端口c1、c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9。

其中，射频电路开关芯片23的输入端与天线24连接。而射频电路开关芯片23的9个子输出端口c1、c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9分别与滤波单元22中的滤波器221、222、223、224、225、226、227、228、229连接。滤波器221、222、223、224、225、226、227、228、229分别与射频接收器21的射频接收端口b1、b2、b3、b4、b5、b6、b7、b8、b9连接。

请参阅图8，在一种实施方式中，滤波单元22可以包括二合一滤波器221、二合一滤波器223以及滤波器222、224、225、226、227、228、229。

其中，二合一滤波器221同侧的两个端口同时与射频接收器21的射频接收端口d1、d2连接，二合一滤波器221另一侧的端口与射频电路开关芯片23的子输出端口c1连接。例如，二合一滤波器221的输入端连接于射频电路开关芯片23的子输出端口c1，二合一滤波器221的输出端连接于频段为Band1、Band3的子接收端口d1、d2，二合一滤波器221被配置为对中频频段Band1、Band3的下行信号进行滤波。

二合一滤波器223同侧的两个端口同时与射频接收器21的射频接收端口d4、d5连接，二合一滤波器223另一侧的端口与射频电路开关芯片23的子输出端口c3连接。如图8所示，譬如二合一滤波器223的输入端连接于射频电路开关芯片23的子输出端c3，二合一滤波器223的输出端连接于频段为Band41、Band39的子接收端口d4、d5，二合一滤波器223被配置为对高频频段Band41、中频频段Band39的下行信号进行滤波。

滤波器222、224、225、226、227、228、229的一端分别与射频接收器21的射频接收端口d3、d6、d7、d8、d9、d10、d11连接，滤波器222、224、225、226、227、228、229的另一端分别与射频电路开关芯片23的子输出端口c2、c4、c5、c6、c7、c8、c9连接。如图所示，譬如滤波器222、224、225、226、227、228、229分别被配置为对对频段为Band25、Band34、Band40、Band7、Band26、Band8、Band20的下行信号进行滤波。

请参阅图9，在另一种实施方式中，滤波单元22包括二合一滤波器221、三合一滤波器223以及滤波器222、225、226、227、228、229。

其中，二合一滤波器221同侧的两个端口同时与射频接收器21的射频接收端口e1、e2连接，二合一滤波器221另一侧的端口与射频电路开关芯片23的子输出端口c1连接。例如，二合一滤波器221的输入端连接于射频电路开关芯片23的子输出端c1，二合一滤波器221的输出端连接于频段为Band1、Band3的子接收端口e1、e2，二合一滤波器221被配置为对中频频段Band1、Band3的下行信号进行滤波。

三合一滤波器223同侧的三个端口同时与射频接收器21的射频接收端口e4、e5、e6连接，三合一滤波器223另一侧的端口与射频电路开关芯片23的子输出端口c3连接。如图所示，譬如三合一滤波器223的输入端连接于射频电路开关芯片23的子输出端口c3，三合一滤波器223的输出端连接于频段为Band41、Band39、Band34的子接收端口e4、e5、e6，三合一滤波器223被配置为对高频频段Band41、中频频段Band39、中频频段Band34的下行信号进行滤波。

滤波器222、225、226、227、228、229的一端分别与射频接收器21的射频接收端口e3、e7、e8、e9、e10、e11连接，滤波器222、225、226、227、228、229的另一端分别与射频电路开关芯片23的子输出端口c2、c5、c6、c7、c8、c9连接。如图所示，譬如滤波器222、225、226、227、228、229分别被配置为对频段为Band25、Band40、Band7、Band26、Band8、Band20的下行信号进行滤波。

请参阅图10，在一些实施例中，射频电路开关芯片23可以包括第一开关231、第二开关232、以及分频器233。

在一种实施方式中，分频器233的输入端可以与天线24连接，而分频器233的输出端可以与第一开关231和第二开关232的输入端连接。

第一开关231、第二开关232可以均为单刀多掷开关。例如，第一开关231可以包括6个子输出端口c1、c2、c3、c4、c5、c6，第二开关232包括3个子输出端口c7、c8、c9。

需要说明的是，上述连接关系仅表示元器件之间的直接连接，并不代表互相连接的元器件之间处于电性接通状态。

在一些实施例中，子输出端口c1、c2、c3可以分别与射频接收器21中的中频端口连接，子输出端口c4、c5、c6可以分别与射频接收器21中的高频端口连接，子输出端口c7、c8、c9可以分别与射频接收器21中的低频端口连接。

当天线24接收到包括高频信号和低频信号的多载波射频信号时，该多载波射频信号被传送到分频器233。之后，第一开关231根据高频信号的频率闭合于对应的高频端口，例如c4、c5、c6中的某一端口。第二开关232根据低频信号的频率闭合于对应的低频端口，例如c7、c8、c9中的某一端口。通过第一开关231闭合于高频端口以及第二开关232闭合于低频端口，可以实现对包括高频信号和低频信号的多载波射频信号的分频处理。

当天线24接收到包括中频信号和低频信号的多载波射频信号时，该多载波射频信号被传送到分频器233。之后，第一开关231根据中频信号的频率闭合于对应的中频端口，例如c1、c2、c3中的某一端口。第二开关232根据低频信号闭合于对应的低频端口，例如c7、c8、c9中的某一端口。通过第一开关231闭合于中频端口以及第二开关232闭合于低频端口，可以实现对包括中频信号和低频信号的多载波射频信号的分频处理。

请参阅图11，在一种实施方式中，第一开关231和第二开关232可以封装形成芯片234。

请参阅图12，图12为射频电路200的结构示意图。射频电路200可以包括天线24、射频电路开关芯片23、滤波单元22以及射频接收器21。

其中，射频电路开关芯片23包括第一开关231、第二开关232以及分频器233。第一开关231和第二开关232均为单刀多掷开关。

第一开关231的输出端包括6个子输出端口c1、c2、c3、c4、c5、c6。其中，子输出端口c1、c2、c3为中频端口，子输出端口c4、c5、c6为高频端口。

第二开关231的输出端包括3个子输出端口c7、c8、c9。子输出端口c7、c8、c9为低频端口。

滤波单元22包括滤波器221、222、223、224、225、226、227、228、229。

射频接收器21包括9个射频接收端口b1、b2、b3、b4、b5、b6、b7、b8、b9。

其中，b1、b2、b3为中频接收端口，用于接收中频射频信号(例如，Band1、Band3、Band34或Band39等频段的射频信号)。b4、b5、b6为高频接收端口，用于接收高频射频信号(例如，Band7、Band40、Band41等频段的射频信号)。b7、b8、b9为低频接收端口，用于接收低频射频信号(例如，Band8、Band12、Band20或Band26等频段的射频信号)。

需要说明的是，上述实施例仅以射频接收器21的高频端口、中频端口、低频端口分别包括3个射频接收端口为例进行说明。在其他一些实施例中，高频端口、中频端口、低频端口还可以分别包括其他数量的射频接收端口。只需满足高频端口、中频端口、低频端口各自所包括的射频接收端口的数量大于1即可。

天线24与射频电路开关芯片23中的分频器233的输入端连接。分频器233的输出端与第一开关231和第二开关232的输入端连接。

射频电路开关芯片23中的子输出端口c1、c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9分别与滤波器221、222、223、224、225、226、227、228、229连接。

滤波器221、222、223、224、225、226、227、228、229分别与射频接收器21的射频接收端口b1、b2、b3、b4、b5、b6、b7、b8、b9连接。

也即，射频接收器21的高频端口和中频端口通过滤波器可以分别与第一开关231中的高频端口和中频端口接通。而低频端口通过滤波器可以与第二开关232中的低频端口接通。

在本发明实施例中，例如当天线24接收到包括高频射频信号和低频射频信号的多载波射频信号时，天线24将该多载波射频信号传送到射频电路开关芯片23中的分频器233。之后，第一开关231可以根据高频射频信号的频率闭合于对应的高频端口，例如第一开关231闭合于c4端口。第二开关232根据低频射频信号的频率闭合于对应的低频端口，例如第二开关232闭合于c7端口。在第一开关231和第二开关232闭合于对应的端口之后，由多载波射频信号分频出的高频信号和低频信号经过滤波器滤波，并被传送到射频接收器对应的接收端口，即射频接收器21可以接收到包括高频信号和低频信号的多载波射频信号。

例如，当天线24接收到包括中频射频信号和低频射频信号的多载波射频信号时，天线24将该多载波射频信号传送到射频电路开关芯片23中的分频器233。之后，第一开关231可以根据中频射频信号的频率闭合于对应的中频端口，例如第一开关231闭合于c1端口。第二开关232根据低频射频信号的频率闭合于对应的低频端口，例如第二开关232闭合于c8端口。在第一开关231和第二开关232闭合于对应的端口之后，由多载波射频信号分频出的中频信号和低频信号经过滤波器滤波，并被传送到射频接收器对应的接收端口，即射频接收器21可以接收到包括中频信号和低频信号的多载波射频信号。

以包括高频信号和低频信号的多载波射频信号为例。比如，天线24接收到包括属于高频频段的band41信号和属于低频频段的band8信号的多载波射频信号，该多载波射频信号经过分频器233之后，分为band41信号和band8信号。

例如，第一开关231中与band41信号对应的子输出端口为c4，那么第一开关231会闭合于c4端口，因此band41信号经过c4端口后会被传送到滤波器224进行滤波处理。经过滤波处理之后，band41信号被传送到射频接收器21的b4端口。

例如，第二开关232中与band8信号对应的子输出端口为c7，那么第二开关232会闭合于c7端口，因此band8信号经过c7端口后会被传送到滤波器227进行滤波处理。经过滤波处理之后，band8信号被传送到射频接收器21的b7端口。

通过b4和b7端口，射频接收器21就可以接收到band41和band8的信号。

因此，射频电路开关芯片23能够对电子设备接收到的包括不同频段信号的多载波信号进行分频处理，从而可以提高电子设备对多载波信号进行处理的多样性。

请参阅图13，在另一种实施方式中，射频电路开关芯片23可以包括第一开关231、第二开关232、分频器233以及开关组件235。

其中，第一开关231可以为双刀多掷开关，第二开关232可以为单刀多掷开关。例如，第一开关231包括第一输入端口2311与第二输入端口2312，第一开关231包括3个第一信号类型的子输出端口c1、c2、c3，还包括3个第二信号类型的子输出端口c4、c5、c6。第二开关232包括3个第三信号类型的子输出端口c7、c8、c9。

开关组件235具有输入端口Q1和输出端口P1。输入端口Q1与分频器233的第一输出端连接。输出端口P1与第一开关231中的第一输入端口2311连接。

在一种实施方式中，开关组件235还可以预先设置输入端口Q2、Q3，输出端口P2、P3，以及开关K1、K2、K3。其中，输入端口Q2可空置，输出端口P2可与第二输入端口2312连接，输入端口Q3可与分频器233的第三输出端连接，输出端口P3可空置。开关K1、K2、K3可以均为单刀单掷开关。

其中，单刀单掷开关K1的两端分别与开关组件235的第二输入端口Q2和第二输出端口P2连接，单刀单掷开关K1可选择性连通第二输入端口Q2与第二输出端口P2。

单刀单掷开关K2的两端分别与开关组件235的第三输入端口Q3和第二输出端口P2连接，单刀单掷开关K2可选择性连通第三输入端口Q3和第二输出端口P2。

单刀单掷开关K3的两端分别与开关组件235的第三输入端口Q3和第三输出端口P3连接，单刀单掷开关K3可选择性连通第三输入端口Q3与第三输出端口P3。

也就是说，在一种实施方式中，开关组件235除了利用Q1和P1来接通分频器233和第一开关231的第一输入端口2311之外，还可以设置输入端口Q2、Q3，输出端口P2、P3，以及开关K1、K2、K3。但是，输入端口Q2、Q3，输出端口P2、P3，以及开关K1、K2、K3可以暂时空置起来。

由图13可知，在射频电路开关芯片23中，当第一输入端口2311闭合于c1、c2、c3中的任意一个端口，且第二开关232闭合于c7、c8、c9中的任意一个端口时，射频电路可以实现对包括中频信号和低频信号的多载波信号的分频处理。而当第一输入端口2311闭合于c4、c5、c6中的任意一个端口，且第二开关232闭合于c7、c8、c9中的任意一个端口时，射频电路可以实现对包括高频信号和低频信号的多载波信号的分频处理。

请参阅图14，在一种实施方式中，当需要对分集模组进行改造升级，以使分集天线不仅可以实现对包括中频信号和低频信号的多载波信号的分频处理，或者实现对包括高频信号和低频信号的多载波信号的分频处理，而且还可以实现对包括高频信号、中频信号和低频信号的多载波信号，或者对包括高频信号和中频信号的多载波信号的分频处理时，可以对图13中的射频电路开关芯片进行扩展，从而达到改造升级的目的。

例如，可以在图13所示的射频电路开关芯片的基础上，增加分频器236。其中，分频器236的输入端与开关组件235的输出端口P3连接，分频器的第一输出端口和输入端口Q1连接，第二输出端口和输入端口Q2连接。

在一些实施例中，子输出端口c1、c2、c3可以分别与射频接收器21中的中频端口连接，子输出端口c4、c5、c6可以分别与射频接收器21中的高频端口连接，子输出端口c7、c8、c9可以分别与射频接收器21中的低频端口连接。

当天线24接收到包括中频信号和低频信号的多载波信号时，开关K3接通Q3和P3，第一开关231的第一输入端口2311可以闭合于c1、c2、c3中的相应一路，第二开关232可以闭合于c7、c8、c9中的相应一路，从而实现对包括中频信号和低频信号的多载波信号的分频处理。

当天线24接收到包括高频信号和低频信号的多载波信号时，开关K2接通Q3和P2，第一开关231的第二输入端口2312可以闭合于c4、c5、c6中的相应一路，第二开关232可以闭合于c7、c8、c9中的相应一路，从而实现对包括高频信号和低频信号的多载波信号的分频处理。

当天线24接收到包括高频信号与中频信号的多载波信号时，开关K3接通Q3和P3，开关K1接通Q2和P2，第一开关231的第一输入端口2311可以闭合于c1、c2、c3中的相应一路，第二输入端口2312可以闭合于c4、c5、c6中的相应一路，从而实现对包括高频信号与中频信号的多载波信号的分频处理。

当天线24接收到包括高频信号、中频信号和低频信号的多载波信号时，开关K3接通Q3和P3，开关K1接通Q2和P2，第一开关231的第一输入端口2311可以闭合于c1、c2、c3中的相应一路，第二输入端口2312可以闭合于c4、c5、c6中的相应一路，第二开关232可以闭合于c7、c8、c9中的相应一路，从而实现对包括高频信号、中频信号和低频信号的多载波信号的分频处理。

例如，子输出端口c2可以与射频接收器21中的中频频段Band3接收端口连接，子输出端口c5可以与射频接收器21中的高频频段Band40接收端口连接，子输出端口c8可以与射频接收器21中的低频频段Band8接收端口连接。

当开关K3接通Q3和P3，第一开关231的第一输入端口2311可以闭合于c2，第二开关232可以闭合于c8时，即可实现对包括Band3与Band8的多载波信号的分频处理。

当开关K2接通Q3和P2，第一开关231的第二输入端口2312可以闭合于c5，第二开关232闭合于c8时即可实现对包括Band40与Band8的多载波信号的分频处理。

当开关K3接通Q3和P3，开关K1接通Q2和P2，第一开关231的第一输入端口2311可以闭合于c2，第二输入端口2312闭合于c5时，即可实现对包括Band40与Band3的多载波信号的分频处理。

当开关K3接通Q3和P3，开关K1接通Q2和P2，第一开关231的第一输入端口2311可以闭合于c2，第二输入端口2312可以闭合于c5，第二开关232闭合于c8时，即可实现对包括Band40、Band3与Band8的多载波信号的分频处理。

请参阅图15，图15即为扩展后的射频电路的结构示意图。

可以理解的是，由图13中的射频电路开关芯片的结构经过改造升级之后即可实现对包括多种频段的多载波信号的分频处理，因此图13所示的射频电路开关芯片的可扩展性强。

请参阅图16，在另一种实施方式中，开关组件235可以包括开关K1、K2。其中，开关K1为单刀双掷开关，K2为单刀单掷开关。

单刀双掷开关K1的固定端与开关组件235的第二输出端口P2连接，单刀双掷开关K1的选通端分别与开关组件235的第二输入端口Q2和第三输入端口Q3连接；单刀双掷开关K1可以选择性接通第二输出端口P2与第二输入端口Q2或第三输入端口Q3。

单刀单掷开关K2的两端分别与开关组件235的第三输入端口Q3和第三输出端口P3连接；单刀单掷开关K2可选择性接通第三输入端口Q3与第三输出端口P3。

在一些实施例中，子输出端口c1、c2、c3可以分别与射频接收器21中的中频接收端口连接，子输出端口c4、c5、c6可以分别与射频接收器21中的高频接收端口连接，子输出端口c7、c8、c9可以分别与射频接收器21中的低频接收端口连接。

当天线24接收到包括中频信号和低频信号的多载波信号时，开关K2接通Q3和P3，第一输入端口2311闭合于c1、c2、c3中对应的一路，第二开关232闭合于c7、c8、c9中对应的一路，从而实现对包括中频信号和低频信号的多载波信号的分频处理。

当天线24接收到包括高频信号和低频信号的多载波信号时，开关K1接通Q3和P2，第二输入端口2312闭合于c4、c5、c6中对应的一路，第二开关232闭合于c7、c8、c9中对应的一路，从而实现对包括高频信号和低频信号的多载波信号的分频处理。

当天线24接收到包括高频信号和中频信号的多载波信号时，开关K2接通P3和Q3，开关K1接通Q2和P2，第一输入端口2311闭合于c1、c2、c3中对应的一路，第二输入端口2312闭合于c4、c5、c6中对应的一路，从而实现对包括高频信号和中频信号的多载波信号的分频处理。

当天线24接收到包括高频信号、中频信号和低频信号的多载波信号时，开关K2接通P3和Q3，开关K1接通Q2和P2，第一输入端口2311闭合于c1、c2、c3中对应的一路，第二输入端口2312闭合于c4、c5、c6中对应的一路，第二开关232闭合于c7、c8、c9中对应的一路，从而实现对包括高频信号、中频信号的和低频信号的多载波信号的分频处理。

请参阅图17，在又一种实施方式中，开关组件235可以包括开关K1、K2。其中，开关K1为单刀单掷开关，K2为单刀双掷开关。

单刀单掷开关K1的两端分别与开关组件235的第二输入端口Q2和第二输出端口P2连接；单刀单掷开关K1可选择性连通第二输入端口Q2与第二输出端口P2。

单刀双掷开关K2的固定端与开关组件235的第三输入端口Q3连接，单刀双掷开关K2的选通端分别与开关组件235的第二输出端口P2、第三输出端口P3连接；单刀双掷开关K2可选择性连通第三输入端口Q3与第二输出端口P2或第三输出端口P3。

在一些实施例中，子输出端口c1、c2、c3可以分别与射频接收器21中的中频接收端口连接，子输出端口c4、c5、c6可以分别与射频接收器21中的高频接收端口连接，子输出端口c7、c8、c9可以分别与射频接收器21中的低频接收端口连接。

当天线24接收到包括中频信号和低频信号的多载波信号时，开关K2接通Q3和P3，第一输入端口2311闭合于c1、c2、c3中对应的一路，第二开关232闭合于c7、c8、c9中对应的一路，从而实现对包括中频信号和低频信号的多载波信号的分频处理。

当天线24接收到包括高频信号和低频信号的多载波信号时，开关K2接通Q3和P2，第二输入端口2312闭合于c4、c5、c6中对应的一路，第二开关232闭合于c7、c8、c9中对应的一路，从而实现对包括高频信号和低频信号的多载波信号的分频处理。

当天线24接收到包括高频信号和中频信号的多载波信号时，开关K2接通P3和Q3，开关K1接通Q2和P2，第一输入端口2311闭合于c1、c2、c3中对应的一路，第二输入端口2312闭合于c4、c5、c6中对应的一路，从而实现对包括高频信号和中频信号的多载波信号的分频处理。

当天线24接收到包括高频信号、中频信号和低频信号的多载波信号时，开关K2接通P3和Q3，开关K1接通Q2和P2，第一输入端口2311闭合于c1、c2、c3中对应的一路，第二输入端口2312闭合于c4、c5、c6中对应的一路，第二开关232闭合于c7、c8、c9中对应的一路，从而实现对包括高频信号、中频信号的和低频信号的多载波信号的分频处理。

请继续参阅图1和图2。其中，电池104可以安装在壳体105内部。电池104用于为电子设备100提供电能。

壳体105用于形成电子设备100的外部轮廓。壳体105的材质可以为塑料或金属。壳体105可以一体成型。

请参阅图18，图18为本发明实施例提供的电子设备100的另一结构示意图。电子设备100包括天线装置10、存储器20、显示单元30、电源40以及处理器50。本领域技术人员可以理解，图18中示出的电子设备100的结构并不构成对电子设备100的限定。电子设备100可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。

其中，天线装置10包括上述任一实施例中所描述的射频电路200。天线装置10可以通过无线网络与网络设备(例如，服务器)或其他电子设备(例如，智能手机)通信，完成与网络设备或其他电子设备之间的信息收发。

存储器20可用于存储应用程序和数据。存储器20存储的应用程序中包含有可执行程序代码。应用程序可以实现各种功能。处理器50通过运行存储在存储器20的应用程序，从而执行各种功能应用以及数据处理。在一种实施方式中，存储器20可以包括只读存储器和随机存取存储器。

显示单元30可用于显示由用户输入到电子设备100的信息或提供给用户的信息以及电子设备100的各种图形用户接口。这些图形用户接口可以由图形、文本、图标、视频和其任意组合来构成。显示单元30可包括显示面板。

电源40用于给电子设备100的各个部件供电。在一些实施例中，电源40可以通过电源管理***与处理器50逻辑相连，从而通过电源管理***实现管理充电、放电、以及功耗管理等功能。

处理器50是电子设备100的控制中心。处理器50利用各种接口和线路连接整个电子设备100的各个部分，通过运行或执行存储在存储器20内的应用程序，以及调用存储在存储器20内的数据，执行电子设备100的各种功能和处理数据，从而对电子设备100进行整体监控。

此外，电子设备100还可以包括近场通信模块、无线保真模块、摄像头模块、蓝牙模块、传感器模块、输入输出模块、全球定位***等，在此不再赘述。

以上对本发明实施例提供的射频电路开关芯片、射频电路、天线装置及电子设备进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明。同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (8)

1.一种射频电路开关芯片，其特征在于，包括分频器、第一开关以及第二开关和开关组件；其中

所述第一开关的输出端包括高频端口和中频端口，所述第一开关为双刀多掷开关，所述第一开关包括第一输入端口与第二输入端口；

所述第二开关的输出端包括低频端口；

所述第一开关和所述第二开关封装形成芯片；

所述开关组件具有输入端口Q1和输出端口P1，输入端口Q1与所述分频器的输出端连接，输出端口P1与第一开关的第一输入端口连接，所述输入端口Q1和输出端口P1连接；

当所述第一开关闭合于高频端口，且所述第二开关闭合于低频端口时，实现对包括高频信号与低频信号的多载波信号的分频处理；

当所述第一开关闭合于中频端口，且所述第二开关闭合于低频端口时，实现对包括中频信号和低频信号的多载波信号的分频处理；

所述开关组件还设有输入端口Q2、Q3，以及输出端口P2、P3，其中，输入端口Q2空置，输出端口P2与第一开关的第二输入端口连接，输入端口Q3与所述分频器的输出端连接，输出端口P3空置；

其中，当对所述射频电路开关芯片进行扩展时，增加另一分频器，新增的分频器的输入端与所述开关组件的输出端口P3连接，所述新增的分频器的第一输出端口和输入端口Q1连接，第二输出端口和输入端口Q2连接；所述开关组件还包括开关K1、K2、K3，其中，开关K1、K2、K3均为单刀单掷开关；开关K1用于接通P2和Q2，开关K2用于接通P2和Q3，开关K3用于接通P3和Q3；当开关K3接通Q3和P3，所述第一开关的第一输入端口闭合于中频端口，所述第二开关闭合于低频端口时，实现对包括中频信号和低频信号的多载波信号的分频处理；当开关K2接通Q3和P2，第一开关的第二输入端口闭合于高频端口，第二开关闭合于低频端口时，实现对包括高频信号和低频信号的多载波信号的分频处理；当开关K3接通Q3和P3，开关K1接通Q2和P2，第一开关的第一输入端口闭合于中频端口，第二输入端口闭合高频端口时，实现对包括高频信号与中频信号的多载波信号的分频处理；当开关K3接通Q3和P3，开关K1接通Q2和P2，第一开关的第一输入端口闭合于中频端口，第二输入端口闭合于高频端口，第二开关闭合于低频端口时，实现对包括高频信号、中频信号和低频信号的多载波信号的分频处理；

或者，当对所述射频电路开关芯片进行扩展时，增加另一分频器，新增的分频器的输入端与所述开关组件的输出端口P3连接，所述新增的分频器的第一输出端口和输入端口Q1连接，第二输出端口和输入端口Q2连接；所述开关组件还包括开关K1、K2，其中开关K1为单刀双掷开关，K2为单刀单掷开关；开关K1的固定端与开关组件的第二输出端口P2连接，开关K1的选通端分别与开关组件的输入端口Q2和Q3连接，开关K1选择性接通P2与Q2或Q3；开关K2用于接通Q3和P3；当开关K2接通Q3和P3，第一输入端口闭合于中频端口，第二开关闭合于低频端口时，实现对包括中频信号和低频信号的多载波信号的分频处理；当开关K1接通Q3和P2，第二输入端口闭合于高频端口，第二开关闭合于低频端口时，实现对包括高频信号和低频信号的多载波信号的分频处理；当开关K2接通P3和Q3，开关K1接通Q2和P2，第一输入端口闭合于中频端口，第二输入端口闭合于高频端口时，实现对包括高频信号和中频信号的多载波信号的分频处理；当开关K2接通P3和Q3，开关K1接通Q2和P2，第一输入端口闭合于中频端口，第二输入端口闭合于高频端口，第二开关闭合于低频端口时，实现对包括高频信号、中频信号的和低频信号的多载波信号的分频处理；

又或者，当对所述射频电路开关芯片进行扩展时，增加另一分频器，新增的分频器的输入端与所述开关组件的输出端口P3连接，所述新增的分频器的第一输出端口和输入端口Q1连接，第二输出端口和输入端口Q2连接；开关组件235还包括开关K1、K2，其中开关K1为单刀单掷开关，K2为单刀双掷开关；开关K1用于接通端口Q2与P2；开关K2的固定端与端口Q3连接，开关K2的选通端分别与端口P2、P3连接，开关K2用于选择性连通Q3与P2或P3；当开关K2接通Q3和P3，第一输入端口闭合于中频端口，第二开关闭合于低频端口时，实现对包括中频信号和低频信号的多载波信号的分频处理；当开关K2接通Q3和P2，第二输入端口闭合于高频端口，第二开关闭合于低频端口时，实现对包括高频信号和低频信号的多载波信号的分频处理；当开关K2接通P3和Q3，开关K1接通Q2和P2，第一输入端口闭合于中频端口，第二输入端口闭合于高频端口时，实现对包括高频信号和中频信号的多载波信号的分频处理；当开关K2接通P3和Q3，开关K1接通Q2和P2，第一输入端口闭合于中频端口，第二输入端口闭合于高频端口，第二开关闭合于低频端口时，实现对包括高频信号、中频信号的和低频信号的多载波信号的分频处理。

2.根据权利要求1所述的射频电路开关芯片，其特征在于，所述第二开关为单刀多掷开关。

3.一种射频电路，其特征在于，包括射频接收器、射频电路开关芯片以及天线，所述射频接收器、所述射频电路开关芯片以及所述天线依次连接；

所述射频电路开关芯片包括分频器、第一开关以及第二开关和开关组件；其中

所述第一开关的输出端包括高频端口和中频端口，所述第一开关为双刀多掷开关，所述第一开关包括第一输入端口与第二输入端口；

所述第二开关的输出端包括低频端口；

所述第一开关和所述第二开关封装形成芯片；

所述开关组件具有输入端口Q1和输出端口P1，输入端口Q1与所述分频器的第一输出端连接，输出端口P1与第一开关的第一输入端口连接，所述输入端口Q1和输出端口P1连接；

当所述第一开关闭合于高频端口，且所述第二开关闭合于低频端口时，实现对包括高频信号与低频信号的多载波信号的分频处理；

当所述第一开关闭合于中频端口，且所述第二开关闭合于低频端口时，实现对包括中频信号和低频信号的多载波信号的分频处理；

所述开关组件还设有输入端口Q2、Q3，以及输出端口P2、P3，其中，输入端口Q2空置，输出端口P2与第一开关的第二输入端口连接，输入端口Q3与所述分频器的输出端连接，输出端口P3空置；

其中，当对所述射频电路开关芯片进行扩展时，增加另一分频器，新增的分频器的输入端与所述开关组件的输出端口P3连接，所述新增的分频器的第一输出端口和输入端口Q1连接，第二输出端口和输入端口Q2连接；所述开关组件还包括开关K1、K2、K3，其中，开关K1、K2、K3均为单刀单掷开关；开关K1用于接通P2和Q2，开关K2用于接通P2和Q3，开关K3用于接通P3和Q3；当开关K3接通Q3和P3，所述第一开关的第一输入端口闭合于中频端口，所述第二开关闭合于低频端口时，实现对包括中频信号和低频信号的多载波信号的分频处理；当开关K2接通Q3和P2，第一开关的第二输入端口闭合于高频端口，第二开关闭合于低频端口时，实现对包括高频信号和低频信号的多载波信号的分频处理；当开关K3接通Q3和P3，开关K1接通Q2和P2，第一开关的第一输入端口闭合于中频端口，第二输入端口闭合高频端口时，实现对包括高频信号与中频信号的多载波信号的分频处理；当开关K3接通Q3和P3，开关K1接通Q2和P2，第一开关的第一输入端口闭合于中频端口，第二输入端口闭合于高频端口，第二开关闭合于低频端口时，实现对包括高频信号、中频信号和低频信号的多载波信号的分频处理；

或者，当对所述射频电路开关芯片进行扩展时，增加另一分频器，新增的分频器的输入端与所述开关组件的输出端口P3连接，所述新增的分频器的第一输出端口和输入端口Q1连接，第二输出端口和输入端口Q2连接；所述开关组件还包括开关K1、K2，其中开关K1为单刀双掷开关，K2为单刀单掷开关；开关K1的固定端与开关组件的第二输出端口P2连接，开关K1的选通端分别与开关组件的输入端口Q2和Q3连接，开关K1选择性接通P2与Q2或Q3；开关K2用于接通Q3和P3；当开关K2接通Q3和P3，第一输入端口闭合于中频端口，第二开关闭合于低频端口时，实现对包括中频信号和低频信号的多载波信号的分频处理；当开关K1接通Q3和P2，第二输入端口闭合于高频端口，第二开关闭合于低频端口时，实现对包括高频信号和低频信号的多载波信号的分频处理；当开关K2接通P3和Q3，开关K1接通Q2和P2，第一输入端口闭合于中频端口，第二输入端口闭合于高频端口时，实现对包括高频信号和中频信号的多载波信号的分频处理；当开关K2接通P3和Q3，开关K1接通Q2和P2，第一输入端口闭合于中频端口，第二输入端口闭合于高频端口，第二开关闭合于低频端口时，实现对包括高频信号、中频信号的和低频信号的多载波信号的分频处理；

又或者，当对所述射频电路开关芯片进行扩展时，增加另一分频器，新增的分频器的输入端与所述开关组件的输出端口P3连接，所述新增的分频器的第一输出端口和输入端口Q1连接，第二输出端口和输入端口Q2连接；开关组件235还包括开关K1、K2，其中开关K1为单刀单掷开关，K2为单刀双掷开关；开关K1用于接通端口Q2与P2；开关K2的固定端与端口Q3连接，开关K2的选通端分别与端口P2、P3连接，开关K2用于选择性连通Q3与P2或P3；当开关K2接通Q3和P3，第一输入端口闭合于中频端口，第二开关闭合于低频端口时，实现对包括中频信号和低频信号的多载波信号的分频处理；当开关K2接通Q3和P2，第二输入端口闭合于高频端口，第二开关闭合于低频端口时，实现对包括高频信号和低频信号的多载波信号的分频处理；当开关K2接通P3和Q3，开关K1接通Q2和P2，第一输入端口闭合于中频端口，第二输入端口闭合于高频端口时，实现对包括高频信号和中频信号的多载波信号的分频处理；当开关K2接通P3和Q3，开关K1接通Q2和P2，第一输入端口闭合于中频端口，第二输入端口闭合于高频端口，第二开关闭合于低频端口时，实现对包括高频信号、中频信号的和低频信号的多载波信号的分频处理。

4.根据权利要求3所述的射频电路，其特征在于，所述射频接收器包括高频端口、中频端口以及低频端口，所述射频接收器的高频端口和中频端口与所述第一开关的输出端连接，所述射频接收器的低频端口与所述第二开关的输出端连接。

5.根据权利要求4所述的射频电路，其特征在于，在所述射频接收器和所述射频电路开关芯片之间还连接有多个滤波器。

6.根据权利要求5所述的射频电路，其特征在于，所述分频器的输入端与所述天线连接。

7.一种天线装置，其特征在于，包括如权利要求3至6中任一所述的射频电路。

8.一种电子设备，其特征在于，包括壳体和电路板，所述电路板安装在所述壳体内部，所述电路板上设置有射频电路，所述射频电路为权利要求3至6中任一所述的射频电路。

Images