CN107109618B - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

基板处理装置，具备：阳极单元(17)，包含第一板(23)和第二板(24)。第一板(23)包含多个第一贯穿孔(23a)，通过使气体穿过第一贯穿孔流动，从而使气体往第一板(23)的面方向扩散。第二板(24)包含比第一贯穿孔(23a)大的多个第二贯穿孔(24a)。第二板(24)使穿过第一贯穿孔(23a)的气体穿过多个第二贯穿孔(24a)，从而在第二板(24)与阴极载台之间流动。第二贯穿孔(24a)具有使各第二贯穿孔的内部的等离子发光强度高于在第二板(24)与阴极载台之间产生的等离子的发光强度的形状。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种进行溅射基板表面的处理的基板处理装置。
背景技术
已知对薄型树脂基板进行各种处理的基板处理装置。基板处理装置例如具备：清洗基板表面的清洗部；以及在已清洗的基板表面形成金属膜的成膜部。清洗部为例如通过溅射基板表面来除去在基板表面的附着物。并且，基板处理装置在清洗部与成膜部之间具备搬送基板的搬送部，搬送部在沿着大致铅直方向站立的状态下搬送基板。
清洗部具备接地的真空槽。在真空槽的内部，在被搬送部支承的基板与载台接触的状态下对载台施加高频电压。藉此，包含基板的载台作为阴极发挥作用，真空槽中的与阴极对面的部分作为阳极发挥作用。然后，从供给至腔内的气体在基板的周围产生等离子，由等离子中的正离子溅射基板表面。藉此清洗基板表面(例如参照专利文献1)。
【现有技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】特开2014-148736号公报
发明内容
【发明所要解决的课题】
然而，溅射基板时，搬送部与具有接地电位的真空槽的一部分接触。因此，具有接地电位的搬送部与被施加了高频电压的载台进行电容耦合的结果，高频电压的一部分不贡献于等离子的产生而被消耗。因此，在上述基板处理装置中，每单位电力的等离子密度难以提高，其结果，除去附着物的速度也难以提高。
另外，不限于由上述搬送部支承基板的基板处理装置，即使在具备在大致水平状态下支承基板的支承部的结构，也与具备搬送部的基板处理装置一样，被施加于载台的高频电压的一部分，不贡献于等离子产生而被消耗。而且，施加于载台的电压即使是高频电压以外的电压，例如直流电压等，也与施加高频电压的情况一样，电压的一部分不贡献于等离子产生而被消耗。
本发明的目的在于提供一种可提高每单位消耗电力的溅射效率的基板处理装置。
【用于解决问题的手段】
一种基板处理装置，具备：接地的框体；阴极载台，构成为位于所述框体内并支承基板，所述阴极载台被施加用于产生等离子的电压；阳极单元，被固定于所述框体。所述阳极单元包含第一板和第二板，所述第一板位于所述框体内并包含多个第一贯穿孔，所述第二板位于所述第一板与所述阴极载台之间，并包含比所述第一贯穿孔大的多个第二贯穿孔。基板处理装置还具备气体供给部，向所述第一板供给气体。所述第一板构成为使所述气体穿过所述多个第一贯穿孔流动，从而使所述气体向所述第一板的面方向扩散。所述第二板构成为使穿过所述第一贯穿孔的所述气体穿过所述多个第二贯穿孔从而在所述第二板与所述阴极载台之间流动。所述多个第二贯穿孔具有使各第二贯穿孔内部的等离子的发光强度高于所述第二板与所述阴极载台之间产生的等离子的发光强度的形状。根据上述基板处理装置，在经由第一板供给气体到第二板的状态下施加电压至阴极载台时，除了阳极单元与阴极载台之间产生的等离子，也可以在形成于第二板的各第二贯穿孔的内部产生等离子。藉此，在框体内的等离子密度提高，向着基板飞行的带电粒子的密度也会提高。其结果，每单位消耗电力的溅射速度提高。
在一实施方式，所述第二板被配置于与所述第一板面对的位置。在此情况下，上述基板处理装置优选为还具备闭塞部，该闭塞部遍及所述第一板的整个周向将所述第一板与所述第二板之间的空间区域封闭。
通过此结构，第一板与第二板之间的空间区域的周围被闭塞部封闭，所以能够容易地提高各第二贯穿孔的内部的压力。
在一实施方式，上述基板处理装置优选为还具备划分部，其遍及所述第一板的整个周向，从所述阳极单元的外部划分所述第一板与所述阳极单元内的所述框体的内壁之间的空间区域。
根据此结构，第一板与框体内壁之间的空间区域的周围被划分部划分，所以向第一板供给的气体容易穿过第一贯穿孔流入第一板与第二板之间的空间。此外，能够容易提高第二贯穿孔内部的压力。
在一实施方式，优选所述多个第二贯穿孔分别形成为圆形孔状，具有3mm以上且20mm以下的直径。
根据此结构，在第二贯穿孔的内部，容易产生高密度的等离子。
在一实施方式，优选所述多个第一贯穿孔分别形成为圆形孔状，具有0.5mm以上且5mm以下的直径。
根据此结构，能够抑制进入第二贯穿孔的等离子进入第一贯穿孔，所以也可以减轻第一板所需要的等离子耐性。
附图说明
图1是表示一实施方式的基板处理装置的概要结构的俯视图。
图2是表示图1的基板处理装置所具备的清洗腔的概要结构的侧视图。
图3是表示图2的清洗腔所具备的阳极单元的放大剖视图。
图4是表示图3的阳极单元所具备的第一板的一部分的放大俯视图。
图5是表示图3的阳极单元所具备的第二板的一部分的放大俯视图。
图6是图4所示的第一板的局部放大剖面图。
图7是图5所示的第二板的局部放大剖面图。
图8是用于说明基板处理装置的作用的清洗腔的侧视图。
图9是用于说明基板处理装置的作用的阳极单元的剖视图。
图10是表示在变形例中的各板的贯穿孔的形状的俯视图。
图11是表示另一变形例的各板的贯穿孔的形状的俯视图。
具体实施方式
参照图1～9来说明基板处理装置的一实施方式。在以下依序说明基板处理装置的结构、基板处理装置所具备的清洗腔的结构、清洗腔的作用以及实施例。
[基板处理装置的结构]
参照图1来说明基板处理装置的结构。
如图1所示，基板处理装置10具备：搬入搬出腔11、清洗腔12以及溅射腔13，搬入搬出腔11、清洗腔12以及溅射腔13沿着一方向(连接方向)依次排列。
在连结方向上，在搬入搬出腔11与清洗腔12之间以及清洗腔12与溅射腔13之间具有闸阀14。各闸阀14在连结方向上被连接于夹着该闸阀14的两个腔。通过打开闸阀14，在连结方向上相邻的两个腔形成一个内部空间，通过关闭闸阀14，在连结方向上相邻的两个腔分别形成独立的内部空间。
各腔具备排气部15，排气部15将对应的腔的内部空间减压。例如排气部15将对应的腔的内部空间设为真空。基板处理装置10具备搬送部16，其沿着连结方向从搬入搬出腔11延伸至溅射腔13。搬送部16搬送托盘T，托盘T支承作为基板处理装置10的处理对象的基板S。并且，搬送部16还能够在连接方向的预定位置将托盘T固定。
搬入搬出腔11将支承着处理前的基板S的托盘T，从基板处理装置10的外部搬入，并搬出至清洗腔11。并且，搬入搬出腔11将支承着处理后的基板S的托盘T，从清洗腔12搬入，并搬出至基板处理装置10的外部。
清洗腔12具备：阳极单元17，其固定于基板处理装置10的一个内侧面；以及阴极载台18，其与阳极单元17相对。清洗腔12清洗处理前的基板S来除去附着于基板S的面的附着物。
溅射腔13具备阴极单元19，阴极单元19具备由预定材料形成的标靶。溅射腔13通过标靶的溅射，在清洗处理后的基板S的面形成预定膜。
而且，基板处理装置10也可以具备进行上述三个腔11～13所进行的处理以外的处理的腔，也可以具备多个溅射腔13。并且，基板处理装置10也可以至少具备清洗腔12，也可以不具备溅射腔13与搬入搬出腔11的至少一方。
[清洗腔的结构]
参照图2～7来说明清洗腔12的结构。
如图2所示，清洗腔12具备接地的框体21以及气体供给部22。阴极载台18以及阳极单元17被配置于框体21内。阴极载台18被构成为支承基板S，对阴极载台18施加用于产生等离子的电压。
阳极单元17包含第一板23及第二板24，被固定于框体21。在第一板23形成有多个第一贯穿孔23a(参照图4)。气体供给部22向第一板23流动气体。第一板23通过气体穿过第一贯穿孔23a而流动，从而使气体向第一板23的面方向扩散。
第二板24位于第一板23与阴极载台18之间，在第二板24形成有比第一贯穿孔23a更大的多个第二贯穿孔24a(参照图5)。第二板24使穿过了第一贯穿孔23a的气体穿过第二贯穿孔24a而在第二板24与阴极载台18之间流动。各第二贯穿孔24a具有使各第二贯穿孔24a的内部的等离子发光强度提升为比在第二板24与阴极载台18之间产生的等离子的发光强度更高的形状。并且，在第二板24与阴极载台18之间产生的等离子是指在阳极单元17与阴极载台18之间产生的等离子，即、在阳极单元17的外侧(因此，各贯穿孔24a的外侧)产生的等离子。
根据清洗腔12，若在经由第一板23供给气体至第二板24的状态下施加电压于阴极载台18，则在阳极单元17与阴极载台18之间产生等离子。再者，形成于第二板24的各第二贯穿孔24a的内部也能够产生等离子。
藉此，在阳极单元17的第二板24的周围的等离子密度提高，向基板S飞行的粒子密度也提高。其结果，除去附着于基板S的附着物的速度提高。
阴极载台18具备导电部18a和绝缘部18b，导电部18a具有与基板S接触的接触面，绝缘部18b覆盖导电部18a中的接触面以外的部分。在导电部18a连接有对阴极载台18施加电压的电源25。电源25为例如高频电源，但也可以是其他电源，例如直流电源等。
阳极单元17与阴极载台18相面对的方向是对向方向，在对向方向上，搬送部16位于阳极单元17与阴极载台18之间。
阴极载台18构成为能够在对向方向上位于第一位置和第二位置。第一位置是阴极载台18的导电部18a的接触面与基板S的位置(图2中用双点划线表示)接触的位置。第二位置是阴极载台18不与搬送部16或被搬送部16所支承的托盘T接触(不干涉)的位置。
在框体21形成有供给口21a，在供给口21a连接有气体供给部22。气体供给部22从供给口21a供给气体至阳极单元17的内部。气体供给部22是例如与配置于基板处理装置10的外部的气缸连接的质量流控制器。作为用于在框体21内部产生等离子的气体，气体供给部22供给例如氩气等稀有气体。
参照图3～图7来更详细地说明阳极单元17的结构。
如图3所示，阳极单元17具备沿着对向方向排列的第一板23和第二板24。在对向方向上，形成于框体21的供给口21a、第一板23以及第二板24依次排列，第一板23位于供给口21a与第二板24之间。在对向方向上，第一板23与第二板24之间的距离优选为例如10mm以上且50mm以下。
第一板23的各第一贯穿孔23a在对向方向贯穿第一板23。第二板24的各第二贯穿孔24a在对向方向贯穿第二板24。
当气体供给部22从供给口21a供给气体至阳极单元17，第一板23使气体穿过多个第一贯穿孔23a而扩散至第一板23的面方向，并且向第二板24流动气体。然后，第二板24使穿过第一贯穿孔23a的气体穿过多个第二贯穿孔24a，在第二板24与阴极载台18之间流动。
第二板24的多个第二贯穿孔24a具有使在第二板24的与阴极载台18面对的面产生的等离子进入各第二贯穿孔24a的形状。
在阳极单元17的外部产生的等离子进入到第二贯穿孔24a，所以第二贯穿孔24a内的等离子与在第二贯穿孔24a流动的气体接触。因此，第二板24的内部也产生新的等离子。
在从对向方向来看第二板24时的俯视中，各第二贯穿孔24a与多个第一贯穿孔23a中的至少一个重叠。
根据这样的阳极单元17，容易对各第二贯穿孔24a供给气体，所以以多个第二贯穿孔24a全部或几乎全部，可以在各第二贯穿孔24a的内部产生等离子。
阳极单元17具备支承部17a，其具有在对向方向延伸的筒形状。支承部17a是闭塞部及划分部的一例，具有第一筒端17a1和第二筒端17a2，第一筒端17a1被固定于框体21。支承部17a支承第一板23和第二板24，支承部17a的第二筒端17a2的开口被第二板24封闭。
第一板23位于由支承部17a和第二板24和框体21的内壁所包围的阳极单元17的内部空间。第一板23与第二板24之间的空间区域，遍及第一板23的整个周向，被支承部17a封闭。再者，在第一板23与阳极单元17内的框体21的内壁(供给口21a所位在的内壁)之间的空间区域也遍及第一板23的整个周向，被支承部17a封闭。
如此，通过支承部17a作为将第一板23与第二板24之间的空间区域的周围封闭的闭塞部发挥作用，从而能够容易地提高在第二贯穿孔24a的内部的压力。并且，支承部17a作为将第一板23与阳极单元17内的框体21的内部之间的空间区域从阳极单元17的外部划分的划分部发挥作用。因此，向第一板23供给的气体容易穿过第一贯穿孔23a而向第一板23与第二板24之间的空间区域流动。此外，能够容易提高在第二贯穿孔24a的内部的压力。
在阳极单元17，第一板23、第二板24以及支承部17a的形成材料为金属。然后，因为阳极单元17的支承部17a的第一筒端17a1被固定于框体21，所以阳极单元17的电位也是接地电位。
如图4所示，在从对向方向来看第一板23时的俯视中，多个第一贯穿孔23a在第一板23的面内规则地排列。并且，多个第一贯穿孔23a在第一板23的面内在俯视中也可以不规则地排列。
例如，多个第一贯穿孔23a在第一板23的面内，分别沿着X方向和垂直于X方向的Y方向规则地排列。多个第一贯穿孔23a分别沿着X方向及Y方向以预定的第一周期P1排列。第一周期P1优选为例如5mm以上且15mm以下。
各第一贯穿孔23a具有圆孔形状，各第一贯穿孔23a的直径为第一径Dial，第一径Dial优选为例如0.5mm以上且5mm以下。
第一径Dial若为0.5mm以上且5mm以下，则能够抑制进入第二贯穿孔24a的等离子P进入到第一贯穿孔23a，所以可减轻在第一板23所需的等离子耐性。
在第一板23的面内，第一贯穿孔23a面积的总和相对于第一板23面积的百分率为第一开口率(％)，第一开口率优选为5％以上且50％以下。
如图5所示，在从对向方向来看第二板24时的俯视中，多个第二贯穿孔24a在第二板24的面内规则地排列。并且，多个第二贯穿孔24a在第二板24的面内在俯视中也可以不规则地排列。
例如，多个第二贯穿孔24a在第二板24的面内，分别沿着X方向和Y方向规则地排列。多个第二贯穿孔24a分别沿着X方向及Y方向以预定的第二周期P2排列。第二周期P2优选为例如9mm以上且60mm以下。
各第二贯穿孔24a具有圆孔形状，各第二贯穿孔24a的直径为第二径Dia2，第二径Dia2比第一径Dial大，优选为例如3mm以上且20mm以下。
第二径Dia2若为3mm以上且20mm以下，则在第二贯穿孔24a的内部，气体的电离效率提高，所以能够在第二板24的周围(各第二贯穿孔24a的周围)产生密度高的等离子P。
在第二板24的面内，第二贯穿孔24a面积的总和相对于第二板24面积的百分率为第二开口率(％)，第二开口率优选为20％以上且99％以下。
如图6所示，在第一贯穿孔23a中，沿着对向方向的长度为第一深度Dep1，在第一贯穿孔23a中，第一径Dial与第一深度Dep1之比为第一宽高比(aspect ratio)AR1。第一宽高比AR1优选为例如0.1以上且5以下。
如图7所示，在第二贯穿孔24a，沿着对向方向的长度为第二深度Dep2，在第二贯穿孔24a，第二径Dia2与第二深度Dep2之比为第二宽高比(aspect ratio)AR2。第二宽高比AR2优选为例如0.5以上且15以下。
[清洗腔的作用]
参照图8及图9来说明清洗腔12的作用。
如图8所示，在清洗腔12进行基板S的清洗处理时，首先，搬送部16将从搬入搬出腔11搬入至清洗腔12的托盘T搬送到与阳极单元17面对的处理位置为止，在处理位置固定托盘T的位置。并且，托盘T被搬入清洗腔12内时，框体21的内部被排气部15减压至预定压力为止。
接下来，阴极载台18从第二位置移动到第一位置(图8的位置)，导电部18a的接触面与基板S的面接触。然后，气体供给部22供给氩气，使框体21的内部压力变成预定压力。而且，通过气体供给部22供给氩气，可以在阴极载台18的移动之前进行，也可以与阴极载台18的移动大致同时开始。
之后，通过电源25施加电压于阴极载台18，在框体21的内部产生等离子P。然后，等离子P所包含的正离子向基板飞行，与基板S中的面向阳极单元17的面冲突。藉此，基板S中的面向阳极单元17的面所附着的附着物从基板S被除去。
此时，框体21的内部压力优选为例如0.1Pa以上且30Pa以下，供给至阴极载台18的电力优选为0.04W/cm2以上且4W/cm2以下。而且，电源25供给的电力的频率优选为1MHz以上且40MHz以下。而且，相对于具有1MHz以上且40MHz以下的频率的电力，也可以重叠具有100Hz以上且2MHz以下的频率的电力，在此情况下，具有100Hz以上且2MHz以下的频率的电力优选为0.02W/cm2以上且0.8W/cm2以下。
如图9所示，当从供给口21a供给氩气G至阳极单元17内，则氩气G穿过形成于第一板23的多个第一贯穿孔23a，从而沿着第一板23的面方向扩散。
因为各第二贯穿孔24a的内部压力比阳极单元17的外部压力高，所以在阳极单元17的外部(阳极单元17与阴极载台18之间)产生并进入第二贯穿孔24a内的等离子P，容易与第二贯穿孔24a内流动的气体接触，其结果，即使在第二贯穿孔24a内也产生新的等离子。
并且，在框体21的内部，在阳极单元17与阴极载台18之间的空间，在远离第二板24的部位也产生等离子。在此情况下，通过在各贯穿孔24a内产生新的等离子，从而包含多个第二贯穿孔24a的第二板24的周围所形成的等离子的发光强度，变得比第二板24与阴极载台18之间产生的等离子的发光强度高。
对此，代替上述阳极单元17，框体21的一部分作为阳极发挥作用的结构，或是在面对阴极载台18的位置具备金属制的板作为阳极的结构，在框体21的内部产生等离子。但是，相较于具备阳极单元17的基板处理装置10，因为在框体21的内部，不会产生用于产生等离子的气体的压力被提高的部分，所以也不会产生等离子的发光强度被提高的部分。
如此，根据具备上述阳极单元17的结构，在包含贯穿孔24a的第二板24的周围所形成的等离子的发光强度，比在第二板24与阴极载台18之间产生的等离子的发光强度高。因此，通过搬送部16与阴极载台18的电容耦合，即使高频电压的一部分被消耗，框体21内的等离子密度提高。其结果，可提高每单位消耗电力的溅射效率。
[实施例及比较例]
以下，说明实施例与各种比较例。以下，为了容易理解，对与上述实施方式的结构类似的结构赋予同样的符号来说明。
[实施例1]
准备在成为清洗处理对象的处理面形成有SiO2膜的基板S，用上述清洗腔12来清洗处理面。清洗处理采用以下条件进行。并且，使用氩气作为在框体21内用于产生等离子的气体。
·框体内压力 1.0Pa
·电力 0.6W/cm2(13.56MHz)
阳极单元17构成为具备：第一板23，具有第一径Dial为2mm的多个第一贯穿孔23a；以及第二板24，具有第二径Dia2为9mm的多个第二贯穿孔24a。氩气是从形成于框体的供给端口21a向阳极单元17的第一板23来供给。
[比较例1]
将配置于与阴极载台18面对的位置的金属板，代替上述实施例1的阳极单元17，作为阳极来使用，使用这种清洗腔来进行基板S的清洗处理，除此之外，在与实施例1同样的条件下，进行基板S的清洗处理。并且，氩气供给至框体21的内部。
[比较例2]
在上述实施例1的阳极单元17，除了第二板24的各第二贯穿孔24a的第二深度Dep2为2mm以外，在与实施例1相同的条件下进行基板S的清洗处理。
[比较例3]
在阳极单元17的外部的位置供给氩气至框体21的内部，除此以外，在与实施例1相同的条件下进行基板S的清洗。
[基板蚀刻速度]
关于实施例1及各比较例1～3，算出SiO2膜的蚀刻速度来作为基板S表面所附着的附着物的除去速度。测量蚀刻前的SiO2膜的厚度和蚀刻后的SiO2膜的厚度，通过从蚀刻前的SiO2膜的厚度减掉蚀刻后的SiO2膜的厚度的值，除以处理时间，由此算出蚀刻速度。蚀刻速度的算出结果表示在以下的表1。
表1
如表1所示，在实施例1的蚀刻速度为5.8mm/分钟。对此，在比较例1的蚀刻速度为3.2mm/分钟，在比较例2的蚀刻速度为2.6mm/分钟，在比较例3的蚀刻速度为3.0mm/分钟。
如此，确认到了，通过使用在第二板24的第二径Dia2比在第一板23的第一径Dial大的阳极单元17，对第一板23供给用于产生等离子的气体，从而基板S的蚀刻速度、即除去基板S表面所附着的附着物的速度提高。
如以上说明，根据基板处理装置10的一实施方式，可获得以下列举的效果。
(1)在经由第一板23供给气体至第二板24的状态下，施加电压至阴极载台18，则除了阳极单元17与阴极载台18之间产生的等离子P之外，在形成于第二板24的各第二贯穿孔24a的内部也能够产生等离子P。藉此，在框体21内的等离子P的密度提高，向基板S被吸引的带电粒子的密度也提高。其结果，除去附着于基板S的附着物的速度提高。
(2)因为第一板23与第二板24之间的空间区域的周围被支承部17a封闭，所以能够提高在第二贯穿孔24a的内部的压力，促进在第二贯穿孔24a内部的等离子的产生。
(3)第一板23与阳极单元17内的框体21的内壁之间的空间区域的周围被支承部17a从阳极单元17的外部划分。因此，向第一板23供给的气体，容易穿过第一贯穿孔23a而流到第一板23与第二板24之间的空间区域。此外，能够容易地提高在第二贯穿孔24a的内部的压力。
(4)因为第二径Dia2为3mm以上且20mm以下，所以在第二贯穿孔24a的内部，气体的电离效率提高，能够在第二板24周围产生密度高的等离子P。
(5)因为第一径Dia1为0.5mm以上且50mm以下，所以能够抑制进入到第二贯穿孔24a的等离子P进入第一贯穿孔23a。因此，可减轻在第一板23所需要的等离子耐性。
再者，上述的实施方式，也可以如以下适当变更来实施。
·各第一贯穿孔23a及各第二贯穿孔24a不为圆形孔狀，也可以具有其他形狀。
例如，如图10所示，在各板23、24的俯视中，各贯穿孔23a、24a也可以具有正方形形状。在如此结构，在各板23、24的俯视中，作为各贯穿孔23a、24a的最大长度的流路宽L，即各贯穿孔23a、24a的对角线的长度，若为第一贯穿孔23a，也可以是包含在上述第一径Dial的范围的大小，若为第二贯穿孔24a，也可以是包含在上述第二径Dia2的范围的大小。藉此，可获得根据上述(4)或(5)的效果。
并且，在各板23、24的俯视中，各贯穿孔23a、24a也可以具有正方形形状以外的四角形形状，也可以具有四角形形状以外的多角形形状，例如五角形形状或六角形形状等。
而且，如图11所示，各贯穿孔23a、24a在各板23、24的俯视中也可以具有椭圆形状。即使是如此结构，对于贯穿孔23a、24a的流路宽L，若为第一贯穿孔23a，也可以是包含在上述第一径Dial的范围的大小，若为第二贯穿孔24a，也可以是包含在上述第二径Dia2的范围的大小。藉此，可获得根据上述(4)或(5)的效果。
·若各第一贯穿孔23a的第一径Dial为包含在上述范围的大小，且比各第二贯穿孔24a的第二径Dia2更小，则各第一贯穿孔23a的第一径Dial的大小也可以彼此不同。
·若各第二贯穿孔24a的第二径Dia2为包含在上述范围的大小，则各第二贯穿孔24aa的第二径Dia2的大小也可以彼此不同。
·若各第一贯穿孔23a的第一径Dial为气体可沿着第一板23的面方向扩散，且比各第二贯穿孔24a的第二径Dia2小，则可以比0.5mm小，也可以比5mm大。
·若各第二贯穿孔24a的第二径Dia2在第二贯穿孔24a的内部的等离子的发光强度比第二板24与阴极载台18之间产生的等离子的发光强度高，且比各第一贯穿孔23a的第一径Dial大，则可以比3mm小，也可以比20mm大。
·在第二板24的俯视中，多个第二贯穿孔24a中的至少一部分，也可以与任何贯穿孔23a不重叠。
·第二贯穿孔24a也可以不是在第二板24与阴极载台18之间形成的等离子进入第二贯穿孔24a内部的形狀。即使是如此结构，若第二贯穿孔24a具有在第二贯穿孔24a的内部的等离子的发光强度比在第二板24与阴极载台18之间产生等离子的发光强度更高的形状，则可获得根据上述(1)的效果。
·在上述实施方式，虽然闭塞部及划分部双方是由同一部件(支承部17a)所形成，但闭塞部及划分部也可以分别由独立部件所构成。例如，支承部17a也可以由两个部件所构成。
·第一板23与第二板24之间的空间区域的周围也可以不被闭塞部(支承部17a)所闭塞而开放。即使是如此结构，只要是穿过第一板23的第一贯穿孔23a供给的气体，穿过第二板24的第二贯穿孔24a向阴极载台18流动，则可以使第二贯穿孔24a的内部的压力高于第二板24与阴极载台18之间的压力。因此，可提高每单位消耗电力的溅射效率。
·第一板23与阳极单元17内的框体21的内壁之间的空间区域的周围也可以不被划分部(支承部17a)所划分而开放。即使是如此结构，只要是穿过第一板23的第一贯穿孔23a供给的气体，穿过第二板24的第二贯穿孔24a向阴极载台18流动，则可以使第二贯穿孔24a的内部的压力高于第二板24与阴极载台18之间的压力。因此，可提高每单位消耗电力的溅射效率。
·阴极载台18若不干涉托盘T的搬送，则也可以被固定在框体21内的预定位置。
·在框体21内的阴极载台18的位置被固定，且搬送部16沿着阳极单元17与阴极载台18相面对的对向方向移动，从而可以使托盘T的位置在第一位置与第二位置之间改变。在此情况下，第一位置和第二位置是在对向方向彼此不同的位置。其中，第一位置是托盘T与阴极载台18不干涉，搬送部16可搬送托盘T的位置，第二位置是阴极载台18与基板S接触的位置。
·虽然阴极载台18被形成为导电部18a之中的与基板S接触的部分从绝缘部18b露出，但若能够施加电压于基板S，则整个导电部18a也可以被绝缘部18b覆盖。
·基板处理装置10也可以是在沿着大致水平方向配置托盘T的状态下对基板S进行清洗处理的装置。例如，如上述实施方式，基板处理装置10若为具备多个腔11～13的结构，则搬送部16也可以是例如在遍及多个腔11～13沿着大致水平方向配置托盘T的状态下搬送。或者是，基板处理装置10若为仅具备搬入搬出腔11和清洗腔12的结构，则搬入搬出腔11也可以具备搬送机器人，从搬入搬出腔11的外部接受托盘T，搬送该托盘T至清洗腔12。
·若即使不通过托盘T来支承基板S，也能够搬送基板S及处理基板S的话，则也可以省略托盘T。
附图标记说明
10基板处理装置；11搬入搬出腔；12清洗腔；13溅射腔；14闸阀；15排气部；16搬送部；17阳极单元；17a支承部；17a1第一筒端；17a2第二筒端；18阴极载台；18a导电部；18b绝缘部；19阴极单元；21框体；21a供给口；22气体供给部；23第一板；23a第一贯穿孔；24第二板；24a第二贯穿孔；25电源；S基板；T托盘。

Claims (8)

1.一种基板处理装置，具备：
接地的框体；
阴极载台，构成为位于所述框体内并支承基板，所述阴极载台被施加用于产生等离子的电压；
阳极单元，被固定于所述框体，包含第一板和第二板，所述第一板位于所述框体内并包含多个第一贯穿孔，所述第二板位于所述第一板与所述阴极载台之间，并包含比所述第一贯穿孔大的多个第二贯穿孔；以及
气体供给部，向所述第一板供给气体，
其中，所述第一板构成为使所述气体穿过所述多个第一贯穿孔流动，从而使所述气体向所述第一板的面方向扩散；
所述第二板构成为使穿过所述第一贯穿孔的所述气体穿过所述多个第二贯穿孔从而在所述第二板与所述阴极载台之间流动；并且
所述第一板与第二板之间的距离为10mm以上且50mm以下，
所述第一板和所述第二板均被设为接地电位。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述第二板被配置于与所述第一板面对的位置；
所述基板处理装置还具备闭塞部，该闭塞部遍及所述第一板的整个周向将所述第一板与所述第二板之间的空间区域封闭，
所述第二板和所述闭塞部为金属且被固定于所述框体，均为接地电位。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，还具备划分部，其遍及所述第一板的整个周向，从所述阳极单元的外部划分所述第一板与所述阳极单元内的所述框体的内壁之间的空间区域，
所述第二板和所述划分部为金属且被固定于所述框体，均为接地电位。
4.根据权利要求1至3的任意一项所述的基板处理装置，其中，所述多个第二贯穿孔分别形成为圆形孔状，具有3mm以上且20mm以下的直径。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述多个第一贯穿孔分别形成为圆形孔状，具有0.5mm以上且5mm以下的直径。
6.一种使用根据权利要求1所述的基板处理装置处理基板的方法，所述方法包括：
在所述第二贯穿孔内产生等离子；并且
在所述第二板和所述阴极载台之间产生等离子，其中在各第二贯穿孔内的所述等离子的发光强度高于所述第二板与所述阴极载台之间产生的等离子的发光强度。
7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中：所述框体内部的压力为0.1Pa以上且30Pa以下；
供给至所述阴极载台的电力优选为0.04W/cm2以上且4W/cm2以下；并且
所述电力的频率为1MHz以上且40MHz以下。
8.根据权利要求7所述的基板处理方法，还包括：
在具有1MHz以上且40MHz以下的频率的所述电力上重叠具有100Hz以上且2MHz以下的频率的电力，其中具有100Hz以上且2MHz以下的频率的电力为0.02W/cm2以上且0.8W/cm2以下。
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