CN107103935A - 解决Nand闪存的数据保持发生错误的方法及其*** - Google Patents

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孙成思
孙日欣
李振华
赖永富
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Huizhou Baiwei Storage Technology Co ltd
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Huizhou Baiwei Storage Technology Co ltd
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    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/44—Indication or identification of errors, e.g. for repair

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Abstract

本发明公开了一种解决Nand闪存的数据保持发生错误的方法及其***，方法包括：当Nand闪存处于开机或者待机状态时，间隔预设时间依次对Nand闪存中的一块进行读取操作；根据所述读取操作判断所述一块中需要利用错误修正码进行修正的比特位是否大于预设值；若是，则将所述一块的数据存放至Nand闪存的一自由块中。将发生错误的比特位超过预设值的块中的数据转移至Nand闪存的其他的自由块中，可以保证Nand闪存中的数据的完整性和正确性。

Description

解决Nand闪存的数据保持发生错误的方法及其***
技术领域
本发明涉及存储技术领域，尤其涉及一种解决Nand闪存的数据保持发生错误的方法及其***。
背景技术
TLC(Triple-Level Cell)闪存为目前市面上应用较为普遍的一种Nand闪存，TLC利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个字节的信息，约500-1000次擦写寿命。随着时间的延长，TLC闪存会出现数据保持(Data Retention)发生错误的现象。数据保持发生错误主要是由两种原因造成的：一是栅氧化层的经时击穿导致低场漏电电流变得越来越大，漏电电流变大又导致单元保存阈值电压转移能力变弱，从而产生数据保持出错；二是擦除和写入操作也会导致氧化层收集电荷，会影响单元的阈值电压，当电荷脱阱时，阈值漂移，bit发生翻转。
ECC(Error Correcting Code，错误修正码)是将信息进行8比特位的编码，采用这种方式可以恢复1比特位的错误，ECC可以从逻辑上分离错误并且将错误更正，使***得以持续正常地操作。但当闪存中的块发生错误的比特位较多时，此时ECC不能对块的错误进行更正。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种有效的解决Nand闪存的数据保持发生错误的方法及其***。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：
一种解决Nand闪存的数据保持发生错误的方法，包括：
当Nand闪存处于开机或者待机状态时，间隔预设时间依次对Nand闪存中的一块进行读取操作；
根据所述读取操作判断所述一块中需要利用错误修正码进行修正的比特位是否大于预设值；
若是，则将所述一块的数据存放至Nand闪存的一自由块中。
本发明采用的另一技术方案为：
一种解决Nand闪存的数据保持发生错误的***，包括：
读取模块，用于当闪存处于开机或者待机状态时，间隔预设时间依次对Nand闪存中的一块进行读取操作；
判断模块，用于根据所述读取操作判断所述一块中需要利用错误修正码进行修正的比特位是否大于预设值；
存放模块，用于若是，则将所述一块的数据存放至Nand闪存的一自由块中。
本发明的有益效果在于：当Nand闪存处于待机或者开机状态时，间隔预设时间对闪存中的块进行读取操作，并且根据读取操作判断发生错误的比特位是否超过预设值，如果是，则将对应的块中的数据转移至Nand闪存的其他的自由块中，这样可以有效避免数据保持发生错误，保证Nand闪存中的数据的完整性和正确性，并且本发明方案成本低，易于实现。
附图说明
图1为本发明的解决Nand闪存数据保持发生错误的方法的流程图；
图2为本发明实施例一的解决Nand闪存数据保持发生错误的方法的流程图；
图3为本发明的解决Nand闪存数据保持发生错误的***的示意图；
图4为本发明实施例二的解决Nand闪存数据保持发生错误的***的示意图。
标号说明：
1、读取模块；2、判断模块；3、存放模块；4、擦除模块；5、写入模块。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
本发明最关键的构思在于：将发生错误的比特位超过预设值的块中的数据转移至Nand闪存的其他的自由块中，可以保证Nand闪存中的数据的完整性和正确性。
请参照图1，一种解决Nand闪存的数据保持发生错误的方法，包括：
当Nand闪存处于开机或者待机状态时，间隔预设时间依次对Nand闪存中的一块进行读取操作；
根据所述读取操作判断所述一块中需要利用错误修正码进行修正的比特位是否大于预设值；
若是，则将所述一块的数据存放至Nand闪存的一自由块中。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：当Nand闪存处于待机或者开机状态时，间隔预设时间对闪存中的块进行读取操作，并且根据读取操作判断发生错误的比特位是否超过预设值，如果是，则将对应的块中的数据转移至Nand闪存的其他的自由块中，这样可以有效避免数据保持发生错误，保证Nand闪存中的数据的完整性和正确性，并且本发明方案成本低，易于实现。预设值的大小可以根据需要具体进行设置。
进一步的，所述将所述一块的数据存放至Nand闪存的一自由块中之后还包括：
擦除所述一块中的数据；
在擦除数据后的所述一块中写入数据。
由上述描述可知，对转移了数据后的块擦除数据之后又可以写入数据，可以提高Nand闪存的使用率。
进一步的，所述间隔预设时间依次读取Nand闪存中的一块的数据具体为：间隔预设时间，根据映射表依次对Nand闪存中的一块进行读取操作。
进一步的，所述预设时间为5s。
请参照图3，本发明的另一技术方案为：
一种解决Nand闪存的数据保持发生错误的***，包括：
读取模块，用于当Nand闪存处于开机或者待机状态时，间隔预设时间依次对Nand闪存中的一块进行读取操作；
判断模块，用于根据所述读取操作判断所述一块中需要利用错误修正码进行修正的比特位是否大于预设值；
存放模块，用于若是，则将所述一块的数据存放至Nand闪存的一自由块中。
进一步的，还包括：
擦除模块，用于擦除所述一块中的数据；
写入模块，用于在擦除数据后的所述一块中写入数据。
进一步的，所述读取模块具体用于间隔预设时间，根据映射表依次对Nand闪存中的一块进行读取操作。
进一步的，所述预设时间为5s。
实施例一
请参照图2，本发明的实施例一为：
一种解决Nand闪存数据保持发生错误的方法，可以保证Nand闪存中的数据的完整性和正确性，包括：
S1、当Nand闪存处于开机或者待机状态时，间隔预设时间依次对Nand闪存中的一块进行读取操作。所述预设时间可以是5s，即每隔5s对Nand闪存中的一块进行读取操作，当然，也可以根据需要来设置预设时间的值。读取时，根据映射表中的映射关系进行读取。
S2、根据所述读取操作判断所述一块中需要利用错误修正码进行修正的比特位是否大于预设值；若是，则进行步骤S3，若否，则继续对下一块进行读取操作。本实施例中，预设值的大小可以根据需要进行设置。
S3、将所述一块的数据存放至Nand闪存的一自由块中。所述自由块即为擦除了数据的空白块。
S4、擦除所述一块中的数据。擦除数据相当于对块进行放电处理，擦除数据后的块可以作为自由块使用。
S5、在擦除数据后的所述一块中写入数据。
本实施例中，将发生错误的比特位超过预设值对应的块中的数据转移至Nand闪存的其他的自由块中，以保证Nand闪存中的数据的完整性和正确性。并且，转移了数据后的块进行擦除操作后还可以继续使用，可以提高Nand闪存中的块的使用率。
实施例二
请参照图4，本发明的实施例二为：一种解决Nand闪存的数据保持发生错误的***，包括：
读取模块1，用于当Nand闪存处于开机或者待机状态时，间隔预设时间依次对Nand闪存中的一块进行读取操作；
判断模块2，用于根据所述读取操作判断所述一块中需要利用错误修正码进行修正的比特位是否大于预设值；
存放模块3，用于若是，则将所述一块的数据存放至Nand闪存的一自由块中。
进一步的，还包括：
擦除模块4，用于擦除所述一块中的数据；
写入模块5，用于在擦除数据后的所述一块中写入数据。
进一步的，所述读取模块1具体用于间隔预设时间，根据映射表依次对Nand闪存中的一块进行读取操作。
进一步的，所述预设时间为5s。
综上所述，本发明提供的一种解决Nand闪存的数据保持发生错误的方法及其***，将发生错误的比特位超过预设值的块中的数据转移至Nand闪存的其他的自由块中，以保证Nand闪存中的数据的完整性和正确性。并且，转移了数据后的块进行擦除操作后还可以继续使用，可以提高Nand闪存中的块的使用率。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种解决Nand闪存的数据保持发生错误的方法，其特征在于，包括：
当Nand闪存处于开机或者待机状态时，间隔预设时间依次对Nand闪存中的一块进行读取操作；
根据所述读取操作判断所述一块中需要利用错误修正码进行修正的比特位是否大于预设值；
若是，则将所述一块的数据存放至Nand闪存的一自由块中。
2.根据权利要求1所述的解决Nand闪存的数据保持发生错误的方法，其特征在于，所述将所述一块的数据存放至Nand闪存的一自由块中之后还包括：
擦除所述一块中的数据；
在擦除数据后的所述一块中写入数据。
3.根据权利要求1所述的解决Nand闪存的数据保持发生错误的方法，其特征在于，所述间隔预设时间依次读取Nand闪存中的一块的数据具体为：间隔预设时间，根据映射表依次对Nand闪存中的一块进行读取操作。
4.根据权利要求1所述的解决Nand闪存的数据保持发生错误的方法，其特征在于，所述预设时间为5s。
5.一种解决Nand闪存的数据保持发生错误的***，其特征在于，包括：
读取模块，用于当Nand闪存处于开机或者待机状态时，间隔预设时间依次对Nand闪存中的一块进行读取操作；
判断模块，用于根据所述读取操作判断所述一块中需要利用错误修正码进行修正的比特位是否大于预设值；
存放模块，用于若是，则将所述一块的数据存放至Nand闪存的一自由块中。
6.根据权利要求5所述的解决Nand闪存的数据保持发生错误的***，其特征在于，还包括：
擦除模块，用于擦除所述一块中的数据；
写入模块，用于在擦除数据后的所述一块中写入数据。
7.根据权利要求5所述的解决Nand闪存的数据保持发生错误的***，其特征在于，所述读取模块具体用于间隔预设时间，根据映射表依次对Nand闪存中的一块进行读取操作。
8.根据权利要求5所述的解决Nand闪存的数据保持发生错误的***，其特征在于，所述预设时间为5s。
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