CN107068181B - 光模块中驱动芯片的数据写入方法及装置 - Google Patents
光模块中驱动芯片的数据写入方法及装置 Download PDFInfo
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Abstract
本公开揭示了一种光模块中驱动芯片的数据写入方法及装置,属于计算机技术领域。所述方法包括:读取光模块中非易失性存储器的预存储数据,检测所述预存储数据与驱动芯片中相应的数据是否一致,若为否,则将所述预存储数据重新写入所述驱动芯片中。此外,还提供了一种与该方法匹配的光模块中驱动芯片的数据写入装置。上述光模块中驱动芯片的数据写入方法及装置能够在光模块中非易失性存储器的预存储数据与驱动芯片中相应的数据不一致时,迅速对驱动芯片进行数据恢复,避免驱动芯片长时间出现异常,保证了驱动芯片的数据准确性,从而保证光模块的正常工作。
Description
技术领域
本公开涉及计算机应用技术领域,特别涉及一种光模块中驱动芯片的数据写入方法及装置。
背景技术
光模块是整个光网络架构中重要的一环,负责光信号和电信号的相互转换,保证整个光网络的畅通。
现在主流的光模块主要采用MCU(Microcontroller Unit,微控制单元)配合驱动芯片的硬件电路架构,通过MCU发送正确的配置数据给驱动芯片,从而控制激光器发射光功率和消光比符合***要求的光序列。因此,驱动芯片的配置数据是保证激光器正常工作的关键。
例如,图1是根据一示例性实施例示出的光模块结构示意图。光模块包括驱动芯片和配合驱动芯片的控制器。光模块上电时,控制器通过I2C总线将数据写入驱动芯片中,从而使激光器正常工作。
然而,由于一些外部条件,比如电源波动,静电等影响,可能使正在运行的驱动芯片内部配置数据被改写,导致激光器工作异常。而工作异常的激光器若长时间处于异常工作状态,将可能被烧毁,导致光模块的物理损坏。
发明内容
为了解决相关技术中光模块中配置数据被改写导致光模块工作异常的技术问题,本公开提供了一种光模块中驱动芯片的数据写入方法及装置。
一种光模块中驱动芯片的数据写入方法,包括:
读取光模块中非易失性存储器的预存储数据;
检测所述预存储数据与驱动芯片中相应的数据是否一致,若为否,则
将所述预存储数据重新写入所述驱动芯片中。
一种光模块中驱动芯片的数据写入装置,包括:
数据读取模块,用于读取光模块中非易失性存储器的预存储数据;
数据检测模块,用于检测所述预存储数据是否与驱动芯片中相应的数据是否一致;
数据写入模块,用于在预存储数据与驱动芯片中相应的数据不一致时,将所述预存储数据重新写入所述驱动芯片中。
本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果:
工作状态的光模块中,读取光模块中非易失性存储器的预存储数据,并检测这些预存储数据与驱动芯片中相应的数据是否一致,若不一致,则将预存储数据重新写入驱动芯片中,由此使驱动芯片中的数据与对应的预存储数据不一致时能够迅速恢复,避免驱动芯片长时间出现异常,保证了驱动芯片的数据准确性,从而保证了光模块的正常工作。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的,并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本发明的实施例,并于说明书一起用于解释本发明的原理。
图1是根据一示例性实施例示出的光模块结构示意图;
图2是根据一示例性实施例示出的一种光模块中驱动芯片的数据写入方法流程图;
图3是根据一示例性实施例示出的一种光模块中驱动芯片的数据写入方法中步骤S210的一种具体实现流程图;
图4是图2对应实施例示出的光模块中驱动芯片的数据写入方法中步骤S130的一种具体实现流程图;
图5是图4对应实施例示出的光模块中驱动芯片的数据写入方法中步骤S132的一种具体实现流程图;
图6是根据一示例性实施例示出的一种光模块中驱动芯片的数据写入具体应用场景示意图;
图7是根据一示例性实施例示出的一种光模块中驱动芯片的数据写入装置的框图;
图8是根据一示例性实施例示出的初始化配置模块210的框图;
图9是图6对应实施例示出的光模块中驱动芯片的数据写入装置中数据异常检测模块130的一种框图;
图10是图9对应实施例示出的光模块中驱动芯片的数据写入装置中数据写入模块132的一种框图。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例执行说明,其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时,除非另有表示,不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本发明相一致的所有实施方式。相反,它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本发明的一些方面相一致的装置和方法的例子。
在一个实施例中,本公开涉及的实施环境包括:光模块和装设在光模块中的数据写入模组。其中,光模块具有独立运行空间,可以安装软件以及第三方服务商提供的软件。数据写入模组是能够对光模块中驱动芯片的配置数据进行写入的硬件模块。
图2是根据一示例性实施例示出的一种光模块中驱动芯片的数据写入方法流程图。如图2所示,该光模块中驱动芯片的数据写入方法可以包括以下步骤。
在步骤S110中,读取光模块中非易失性存储器的预存储数据。
光模块是整个光网络架构中重要的一环,实现光信号和电信号的相互转换,保证整个光网络的畅通。
光模块包括驱动芯片和配合驱动芯片的控制器,驱动芯片内部集成有寄存器。
驱动芯片中,集成有多种不同功能的寄存器。部分寄存器存在一定的变化频率,因此需通过控制器对这些寄存器进行实时控制;而部分寄存器在上电写入配置数据后,整个工作过程中其配置数据保持不变,这部分寄存器即为非易失性寄存器。
例如,DAC寄存器等需按需进行写入或者读取其配置数据;而ADC寄存器的配置数据经常变化,也需按需进行读取;对于部分控制基本功能的寄存器,在初次上电写入配置数据后,整个工作过程中其配置数据保持不变。
预存储数据是预先为驱动芯片保存的数据,存储于非易失性存储器中。
非易失性存储器中的预存储数据在光模块初次上电时进行配置写入,在光模块的后期工作过程中将保持不变。
光模块中的非易失性存储器可以为控制器中的flash存储器,也可以为光模块中的EEPROM,还可以为光模块中的其它非易失性存储器。
相应的,预存储数据可以存储于控制器中的flash存储器,也可以存储于光模块中的EEPROM,还可以存储于光模块的其它非易失性存储器中,在此不对的预存储数据的存储位置进行限定。
在步骤S120中,检测预存储数据是否与驱动芯片中相应的数据是否一致,若为是(N),则执行步骤S130,若为是,则不作处理。
需要说明的是,预存储数据是与驱动芯片中的数据相对应的。
在一具体的示例性实施例中,通过读取驱动芯片中寄存器的配置数据,从而获取驱动芯片中与预存储数据相应的数据。
导致预存储数据与驱动芯片中相应的数据不一致的原因有很多,例如电源波动、静电等原因使驱动芯片中的数据被改写。
在一具体的实例性实施例中,正常工作时电源电压典型值为3.3V,当因电压波动等原因导致短时间电源电压为2.8V时,由于驱动芯片处于供电下限,驱动芯片复位,驱动芯片内寄存器的配置数据全部改为默认值,使激光器工作异常。
通过将各预存储数据与驱动芯片中相应的数据一一对比,检测是否完全一致。若各预存储数据与驱动芯片中相应的数据并非完全一致,则驱动芯片中相应的数据存在部分或全部数据被改动。
检测驱动芯片中相应的数据是否与预存储数据一致时,可以通过预设一定的检测周期,进而在每个检测周期对预存储数据与驱动芯片中相应的数据进行一致性检测。
在步骤S130中,将预存储数据重新写入驱动芯片中。
在将预存储数据重新写入驱动芯片时,可以通过在驱动芯片的数据中查找与对应的预存储数据不一致的数据,进而将预存储数据重新写入驱动芯片,重新改写驱动芯片中与对应的预存储数据不一致的数据;也可以在检测到预存储数据与驱动芯片中相应的数据不一致后,对驱动芯片中与预存储数据对应的所有数据进行预存储数据的写入。
利用如上所述的方法,通过读取光模块中非易失性存储器的预存储数据,在预存储数据与驱动芯片中相应的数据不一致时,将预存储数据重新写入驱动芯片中,使驱动芯片中的数据与对应的预存储数据不一致时能够迅速恢复,避免驱动芯片长时间出现异常,保证了驱动芯片的数据准确性,从而保证光模块的正常工作。
根据图2中示出的光模块中驱动芯片的数据写入方法流程图,步骤S110之前,该光模块中驱动芯片的数据写入方法还可以包括以下步骤。
在步骤S210中,光模块上电初始化中,对驱动芯片进行数据的写入,完成初始化配置。
可以理解的是,光模块上电初始化时,对驱动芯片进行初始化配置,使光模块进入工作模式,激光器进入正常工作状态。
在光模块上电初始化时,对驱动芯片进行数据写入,以在初始数据控制下,光模块进入工作模式。
利用如上的方法,在光模块上电初始化中,控制器进行驱动芯片中进行数据的写入,完成初始化配置,使光模块进入工作模式,使光模块在控制器预存储数据控制下进行工作,保证了光模块的正常工作。
图3是根据一示例性实施例示出的对步骤S210的细节的描述。该步骤S210可以包括以下步骤。
在步骤S211中,光模块上电时,判断驱动芯片的供电电压是否达到驱动芯片工作电压,若为是(Y),则执行步骤S212,若为否(N),则执行步骤S213。
光模块上电是将光模块的供电电压从0提升到正常工作电压。
可以理解的是,光模块中驱动芯片存在一定的工作电压范围,供电电压在此工作电压范围内,驱动芯片进行正常工作。例如驱动芯片的工作电压范围为2.8-3.6V,供电电压在2.8-3.6V内驱动芯片正常工作。
光模块上电时,供电电压从0提升到正常工作电压需要一定的时间。因此,在供电电压未提升到正常工作电压时,若对驱动芯片进行数据的写入,将使驱动芯片进入非稳定状态,导致驱动芯片出现异常。因此,上电时若供电电压未达到驱动芯片的工作电压,则不对驱动芯片进行数据写入,避免驱动芯片工作异常。在供电电压达到驱动芯片的工作电压时,再对驱动芯片进行数据的写入。
在步骤S212中,将预存储数据写入驱动芯片中。
在步骤S213中,继续进行上电操作。
通过如上所述的方法,在光模块上电中,在供电电压达到驱动芯片的工作电压时再对驱动芯片进行数据的写入,避免驱动芯片进入异常工作状态。
图4是根据一示例性实施例示出的对步骤S130的细节的描述。该步骤S130可以包括以下步骤。
在步骤S131中,在驱动芯片中,确定与对应的预存储数据不同的异常数据。
异常数据是与对应的预存储数据不一致的数据。
可以理解的是,当预存储数据与驱动芯片中相应的数据不一致时,可能是所有预存储数据与驱动芯片中相应的数据均不同,也有可能只是部分预存储数据与驱动芯片中相应的数据不同。
因此,在驱动芯片中与所有预存储数据对应的数据中,通过一一对比查找与对应的预存储数据中不同的异常数据。
在步骤S132中,将与异常数据对应的预存储数据重新写入驱动芯片中。
利用如上所述的方法,在预存储数据和驱动芯片中相应的数据不一致时,确定驱动芯片中与对应的预存储数据不同的异常数据,进而将这些异常数据对应的预存储数据重新写入驱动芯片中,保证驱动芯片中数据的准确性,而且由于无需对驱动芯片中的所有数据进行改写,大大提高了数据写入的效率。
图5是根据一示例性实施例示出的对图5中步骤S132的细节的描述。图6中,预存储数据存储于控制器,该步骤S132可以包括以下步骤。
在步骤S1321中,从控制器的预存储数据中选取与异常非易失性寄存器对应的预存储数据。
如前所述的,预存储数据可以存储于控制器中的非易失性存储器等位置,例如,控制器中的flash存储器。
当预存储数据存储于控制器时,在确定驱动芯片中与预存储数据对应的异常数据后,从控制器的预存储数据中选取与异常数据对应的预存储数据,从而方便对驱动芯片进行预存储数据的写入。
在步骤S1322中,将选取的预存储数据重新写入驱动芯片中。
利用如上所述的方法,预存储数据存储于控制器时,从控制器的预存储数据中选取与异常非易失性寄存器对应的预存储数据,进而对异常非易失性寄存器重新进行数据的写入,保证非易失性寄存器中数据的准确性,而且由于无需对所有非易失性寄存器进行配置数据的写入,大大提高了数据写入的效率。
下面结合一个具体的应用场景来详细阐述如上的光模块中驱动芯片的数据写入方法。光模块中驱动芯片的数据写入方法运行于一光模块中。具体的,如图6所示。
光模块上电时,判断自身的供电电压是否达到驱动芯片的工作电压。
若供电电压达到驱动芯片的工作电压(Y),则触发光模块将配置数据写入驱动芯片中的寄存器。
若供电电压未达到驱动芯片的工作电压(N),则继续进行上电操作。
通过控制器读取光模块中非易失性存储器的预存储数据。
将预存储数据与驱动芯片中相应寄存器的配置数据进行对比。判断预存储数据是否和驱动芯片中相应寄存器的配置数据一致。
如果预存储数据和驱动芯片中相应寄存器的配置数据不一致(N),则将预存储数据重新写入驱动芯片的相应寄存器中。
如果预存储数据和驱动芯片中相应寄存器的配置数据相一致(Y),则不对驱动芯片中寄存器的配置数据进行处理。
下述为本公开装置实施例,可以用于执行本上述光模块中驱动芯片的数据写入方法实施例。对于本公开装置实施例中未披露的细节,请参照本公开光模块中驱动芯片的数据写入方法实施例。
图7是根据一示例性实施例示出的一种光模块中驱动芯片的数据写入装置的框图,该装置包括但不限于:数据读取模块110、数据异常检测模块120及数据写入模块130。
数据读取模块110,用于读取光模块中非易失性存储器的预存储数据;
数据检测模块120,用于检测预存储是否与驱动芯片中相应的数据是否一致;
数据写入模块130,用于在预存储数据与驱动芯片中相应的数据不一致时,将预存储数据重新写入驱动芯片中。
上述装置中各个模块的功能和作用的实现过程具体详见上述光模块中驱动芯片的数据写入方法中对应步骤的实现过程,在此不再赘述。
可选的,根据图7中示出的光模块中驱动芯片的数据写入装置框图,该装置还包括但不限于:初始化配置模块210。
初始化配置模块210,用于光模块上电初始化中,对驱动芯片进行数据的写入,完成初始化配置。
可选的,如图8所示,初始化配置模块210包括但不限于:电压判断单元211和数据写入单元212。
电压判断单元211,用于光模块上电时,判断驱动芯片的供电电压是否达到驱动芯片工作电压;
数据写入单元212,用于在供电电压达到工作电压时,将预存储数据写入驱动芯片中。
可选的,如图9所示,图7中所示的数据写入模块130包括但不限于:异常寄存器确定单元131和数据写入单元132。
异常数据确定单元131,用于在驱动芯片中,确定与对应的预存储数据不同的异常数据;
数据写入单元132,用于将与异常数据对应的预存储数据重新写入驱动芯片中。
可选的,如图10所示,图9中所示的数据写入模块132包括但不限于:预存储数据选取子单元1321和数据写入子单元1322。
预存储数据选取子单元1321,用于从控制器的预存储数据中选取与异常数据对应的预存储数据;
数据写入子单元1322,用于将选取的预存储数据重新写入驱动芯片中。
应当理解的是,本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构,并且可以在不脱离其范围执行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。
Claims (10)
1.一种光模块中驱动芯片的数据写入方法,其特征在于,所述方法包括:
读取光模块中非易失性存储器的预存储数据;
检测所述预存储数据与驱动芯片中相应的数据是否一致,若为否,则
将所述预存储数据重新写入所述驱动芯片中。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述读取光模块中非易失性存储器的预存储数据的步骤之前,所述方法还包括:
所述光模块上电初始化中,对驱动芯片进行数据的写入,完成初始化配置。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述光模块上电初始化中,对驱动芯片进行预存储数据的写入,完成初始化配置的步骤包括:
所述光模块上电时,判断驱动芯片的供电电压是否达到所述驱动芯片工作电压,若为是,则
将所述预存储数据写入所述驱动芯片中。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将所述预存储数据重新写入所述驱动芯片中的步骤包括:
在所述驱动芯片中,确定与对应的预存储数据不同的异常数据;
将与所述异常数据对应的所述预存储数据重新写入所述驱动芯片中。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述光模块包括控制器,所述非易失性存储器为所述控制器中的flash存储器,所述将与所述异常数据对应的所述预存储数据重新写入所述驱动芯片中的步骤包括:
从所述控制器的预存储数据中选取与所述异常数据对应的预存储数据;
将选取的所述预存储数据重新写入所述驱动芯片中。
6.一种光模块中驱动芯片的数据写入装置,其特征在于,所述装置包括:
数据读取模块,用于读取光模块中非易失性存储器的预存储数据;
数据检测模块,用于检测所述预存储数据是否与驱动芯片中相应的数据是否一致;
数据写入模块,用于在预存储数据与驱动芯片中相应的数据不一致时,将所述预存储数据重新写入所述驱动芯片中。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:
初始化配置模块,用于所述光模块上电初始化中,对驱动芯片进行数据的写入,完成初始化配置。
8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述初始化配置模块包括:
电压判断单元,用于所述光模块上电时,判断驱动芯片的供电电压是否达到所述驱动芯片工作电压;
数据写入单元,用于在所述供电电压达到所述工作电压时,将所述预存储数据写入所述驱动芯片中。
9.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述数据写入模块包括:
异常数据确定单元,用于在所述驱动芯片中,确定与对应的预存储数据不同的异常数据;
数据写入单元,用于将与所述异常数据对应的所述预存储数据重新写入所述驱动芯片中。
10.根据权利要求9所述的装置,其特征在于,所述光模块包括控制器,所述非易失性存储器为所述控制器中的flash存储器,所述数据写入单元包括:
预存储数据选取子单元,用于从所述控制器的预存储数据中选取与所述异常数据对应的预存储数据;
数据写入子单元,用于将选取的所述预存储数据重新写入所述驱动芯片中。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710216866.XA CN107068181B (zh) | 2017-04-05 | 2017-04-05 | 光模块中驱动芯片的数据写入方法及装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710216866.XA CN107068181B (zh) | 2017-04-05 | 2017-04-05 | 光模块中驱动芯片的数据写入方法及装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107068181A CN107068181A (zh) | 2017-08-18 |
CN107068181B true CN107068181B (zh) | 2020-09-29 |
Family
ID=59602530
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710216866.XA Active CN107068181B (zh) | 2017-04-05 | 2017-04-05 | 光模块中驱动芯片的数据写入方法及装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN107068181B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110535674A (zh) * | 2018-05-25 | 2019-12-03 | 中兴通讯股份有限公司 | 网络设备的光模块门限调整方法、装置、设备及存储介质 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103793109A (zh) * | 2012-10-31 | 2014-05-14 | 乐金显示有限公司 | 触摸显示装置及其光传感器模块恢复方法 |
CN103825649A (zh) * | 2012-11-16 | 2014-05-28 | 华为技术有限公司 | 光模块信息的修复方法和装置 |
CN104240768A (zh) * | 2013-06-13 | 2014-12-24 | 英飞凌科技股份有限公司 | 用于测试存储器的方法和存储器*** |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7608806B2 (en) * | 2004-11-19 | 2009-10-27 | Mindspeed Technologies, Inc. | Multiple parameter laser power control with automatic compensation |
US9078054B2 (en) * | 2012-10-15 | 2015-07-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical module used in optical communication systems, method of updating firmware of optical module used in optical communication systems, and trouble tracing system |
CN103929170B (zh) * | 2014-04-09 | 2017-06-06 | 中航海信光电技术有限公司 | 一种多通道并行光模块启动方法 |
-
2017
- 2017-04-05 CN CN201710216866.XA patent/CN107068181B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103793109A (zh) * | 2012-10-31 | 2014-05-14 | 乐金显示有限公司 | 触摸显示装置及其光传感器模块恢复方法 |
CN103825649A (zh) * | 2012-11-16 | 2014-05-28 | 华为技术有限公司 | 光模块信息的修复方法和装置 |
CN104240768A (zh) * | 2013-06-13 | 2014-12-24 | 英飞凌科技股份有限公司 | 用于测试存储器的方法和存储器*** |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107068181A (zh) | 2017-08-18 |
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