CN107064555B - 一种mems加速度计及其制造工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及传感器领域，尤其涉及一种MEMS加速度计，上盖板、器件层以及下盖板；所述器件层包括：锚点、质量块、解耦梁以及加速度检测结构；所述解耦梁用于连接所述锚点以及所述质量块，所述加速度检测结构轴对称设置在所述质量块中，所述加速度检测结构包括：谐振梁以及驱动电极；所述谐振梁的两侧形成有梳齿；所述谐振梁一侧的梳齿与所述驱动电极相叠加；另一侧的梳齿与所述质量块上的梳齿相叠加；所述驱动电极向所述谐振梁施加电驱动信号，所述加速度检测结构通过检测谐振梁的谐振频率来检测加速度。

Description

一种MEMS加速度计及其制造工艺
技术领域
本发明涉及一种MEMS传感器，特别是一种MEMS加速度计。
背景技术
现今，加速度计可适用于诸多应用，例如在测量地震的强度并收集数据、检测汽车碰撞时的撞击强度、以及在手机及游戏机中检测出倾斜的角度和方向。而在微电子机械***(MEMS)技术不断进步的情况下，许多纳米级的小型加速度测量仪已经被商业化广泛采用。
通常加速度计只能够测量X、Y、Z轴中一个平面方向上的加速度，如果需要测量三个维度的加速度的话则需要分别设置三个加速度计。为此，设计者也应需要设计出可以直接检测三个维度的加速度。例如公开号为CN102798734的中国发明专利申请，其使用了三个独立的质量块，并在每个质量块和支撑框体直接形成梳齿结构，每个质量块负责检测一个平面方向上的加速度。
虽然这种结构可以直接检测出三个方向上的加速度，但其需要设置三个独立的质量块，质量块和框架并不能重复利用，以至于整体的芯片面积非常的大。此外，在现实情况中，加速度经常是X、Y、Z轴三个向量的组合。在检测时，三个独立的质量块都会产生位移，质量块与质量块之间的串扰和噪音也会影响检测结果的精度。此外，通过检测质量块和框架之间梳齿的间距和/或重叠面积变化的方式的精度本身就比较低。而由于设置了三个不同的质量块，为了达到准确的检测结果，其对各个质量块以及弹性梁之间的一致性要求非常高，以至于其对整体的加工工艺上要求也会非常高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于克服上述现有技术之不足，提供一种具有较高的精度，并且检测误差小，性能稳定的MEMS加速度计。
一种MEMS加速度计，包括：上盖板、器件层以及下盖板；所述器件层包括：锚点、质量块、解耦梁以及加速度检测结构；所述锚点与所述上盖板以及下盖板相固定；所述解耦梁用于连接所述锚点以及所述质量块，所述加速度检测结构轴对称设置在所述质量块中，所述加速度检测结构包括：谐振梁以及驱动电极；所述谐振梁的两个末端分别与锚点相连接；所述谐振梁的两侧形成有梳齿；所述谐振梁一侧的梳齿与所述驱动电极相叠加；谐振梁另一侧的梳齿与所述质量块上的梳齿相叠加；所述驱动电极向所述谐振梁施加电驱动信号，使得所述谐振梁振动，所述加速度检测结构通过检测谐振梁的振动频率来检测加速度。
本发明还包括以下附属特征：
所述驱动电极的电驱动信号包括：正弦波、方波、三角波；所述电驱动信号的频率在：10赫兹至10兆赫兹之间。
所述质量块中分别设置有三组加速度检测结构组，每组加速度检测结构组中包括至少两个加速度检测结构，所述加速度检测结构组分别通过差分方式检测所述质量块在三个维度上的位移。
所述质量块上形成有凹陷区，位于所述凹陷区中的质量块侧壁上形成有梳齿，所述加速度结构设置在所述凹陷区域中。
所述谐振梁的梳齿高度与所述质量块侧壁上的梳齿高度相同。
所述谐振梁的梳齿高度不大于所述质量块侧壁上的梳齿高度，所述谐振梁的梳齿的一端与所述质量块侧壁上的梳齿相平齐。
所述谐振梁的梳齿高度为所述质量块侧壁上的梳齿高度的一半，所述谐振梁的梳齿的一端与所述质量块侧壁上的梳齿相平齐。
所述解耦梁包括解耦梁框架以及音叉型解耦梁；所述解耦梁框架与所述锚点相连接，所述质量块通过音叉型解耦梁与所述解耦梁框架相连接。
一种MEMS加速度计的制造工艺，所述制造工艺包括以下步骤：
第一步，利用高温生长或者化学淀积法，在绝缘体上硅片的顶面和底面上形成二氧化硅层；
第二步，通过光刻以及刻蚀，在所述绝缘体上硅片的顶面的二氧化硅层上刻蚀出一个深至上硅层的槽；
第三步，通过化学淀积法，在所述绝缘体上硅片的顶面上进一步淀积一层氮化硅层；
第四步，通过光刻以及刻蚀，对所述绝缘体上硅片的顶面上的氮化硅层和二氧化硅层进行刻蚀，形成多个深至上硅层的槽；
第五步，通过光刻以及刻蚀，对所述绝缘体上硅片的底面上的二氧化硅层进行刻蚀，形成多个深至下硅层的槽；
第六步，进一步对所述绝缘体上硅片的下硅层以及氧化埋层进行刻蚀，形成一定深度的凹陷区和深至所述上硅层的槽；
第七步，在所述深至上硅层的槽中淀积金属，引出电极；
第八步，通过光刻以及刻蚀，在所述绝缘体上硅片底面上的相应位置刻蚀出深至上硅层的图形，形成质量块、谐振梁以及梳齿结构；
第九步，将所述绝缘体上硅片底面上的二氧化硅层去除；
第十步，将所述绝缘体上硅片的底面与下盖板进行阳极键合；
第十一步，对所述绝缘体上硅片的顶面进行刻蚀，将暴露在外的上硅层去除，形成自由活动的质量块、谐振梁以及梳齿结构；
第十二步，将所述绝缘体上硅片顶面的氮化硅层去除，并进一步对暴露在外的上硅层进行刻蚀至一定深度；
第十三步，将所述绝缘体上硅片顶面的二氧化硅层去除；
第十四步，将所述绝缘体上硅片的顶面与上盖板进行键合，形成完整的加速度计。
对于所述下盖板的制造工艺还包括：
第一步，通过光刻和刻蚀，在所述下盖板的底面上刻蚀出多个孔；
第二步，在所述孔中淀积金属；
第三步，在所述下盖板的顶面进行刻蚀，形成键合凹陷区；
第四步，在所述键合凹陷区中淀积金属，在与所述孔中的金属相连接；
对于所述上盖板的制造工艺还包括：通过光刻和刻蚀在所述上盖板的底层形成键合凹陷区。
所述刻蚀的方法为以下方法中的一种或多种方法：干法刻蚀或湿法刻蚀，所述干法刻蚀包括：硅的深度反应离子、反应离子、以及气态的二氟化氙刻蚀和氧化硅的反应离子、等离子、以及气态的氟化氢刻蚀。
用于湿法刻蚀所述上硅层及下硅层的刻蚀剂为以下刻蚀剂中的一种或多种的组合：氢氧化钾、四甲基氢氧化铵、或乙二胺邻苯二酚腐蚀液。
所述用于湿法刻蚀所述二氧化硅层的刻蚀剂为以下刻蚀剂中的一种或多种的组合：氢氟酸以及缓冲氢氟酸。
相对于传统的加速度计，本发明的技术方案具有以下优点：首先，本发明采用了检测谐振梁的谐振频率变化来检测加速度。相对于传统技术中通过检测电容变化来检测加速度的方式精度更高，也减少了传统加速度计中机械耦合的问题。而且检测频率的方式也更容易转化为数字信号，对后期的信号处理以及对计算机的接口也更加容易。其次，本发明中采用了一整块质量块来检测X、Y、Z轴三个方向上的加速度，降低了使用多个质量块之间的串扰和噪音。此外，相对于三个单独的质量块来说，一个质量块的体积和质量都更大，使得本加速度计的检测灵敏度也更高，也减少了各个质量块之间的串扰。本加速度计通过差分来检测频率，一方面增加了检测精度，另一方面也减少了外界加速度变化而产生的非线性变化对谐振梁频率的影响。
附图说明
图1为加速度计的侧视图。
图2为本加速度计器件层的俯视图。
图3为加速度计中检测水平方向加速度的谐振梁的放大示意图。
图4为加速度计中检测垂直方向上加速度的谐振梁组示意图。
图5为加速度计中垂直方向上未出现和出现加速度时质量块和谐振梁的示意图。
图6为加速度计芯片制造工艺的初始状态以及第一步的示意图。
图7为加速度计芯片制造工艺的第二步、第三步示意图。
图8为加速度计芯片制造工艺的第四步、第五步示意图。
图9为加速度计芯片制造工艺的第六步、第七步示意图。
图10为加速度计芯片制造工艺的第八步、第九步示意图。
图11为加速度计芯片制造工艺的第十步、第十一步示意图。
图12为加速度计芯片制造工艺的第十二步、第十三步示意图。
图13为加速度计芯片制造工艺的第十四步示意图。
图14为加速度计芯片制造工艺的第十五步示意图。
图15为加速度计芯片制造工艺的第十六步示意图.
图16为加速度计芯片制造工艺的第十七步示意图。
图17为加速度计芯片制造工艺的第十八步示意图。
图18为加速度计芯片制造工艺的第十九步示意图。
图19为加速度计芯片制造工艺的第二十步示意图。
图20为加速度计芯片中盖板制造工艺的初始状态和第一步示意图。
图21为加速度计芯片中盖板制造工艺的第二步、第三步示意图。
图22为加速度计芯片中盖板制造工艺的第四步、第五步示意图。
上盖板1、器件层2、下盖板3、电极4、上硅层5、下硅层6、二氧化硅层7、氮化硅层8、锚点21、解耦梁22、质量块23、镂空部231、谐振梁24、梳齿结构25、
具体实施方式
下面将结合实施例以及附图对本发明加以详细说明，需要指出的是，所描述的实施例仅旨在便于对本发明的理解，而对其不起任何限定作用。
图1示出了本发明中MEMS加速度计的侧视图，其中包括上盖板1、器件层2以及下盖板3。优选地，所述器件层2由绝缘体上硅片(SOI硅片)制成，绝缘体上硅片包括：上硅层5和下硅层6，上硅层5和下硅层6之间设置有一层二氧化硅层7将上硅层5和下硅层6进行电隔离。这层二氧化硅层7也被称为氧化埋层。所述在图1中，所述下盖板3中淀积有金属电极4，但该电极也可以设置在上盖板1中，器件层2也可以做出相应的位置对调调整。
图2示出了本MEMS加速度器件层2，其中包括锚点21、与所述锚点21相连接的解耦梁22以及与所述解耦梁22相连接的质量块23。其中，解耦梁22与锚点21连接形成***框架，再通过Y型音叉式解耦梁与质量块22相连接。通过Y型音叉式解耦梁来连接质量块22的主要目的在于减弱X,Y,Z三个方向各个方向之间的正交耦合误差。首选Y型音叉式解耦梁22在于其在X,Y平面上的轴间耦合度小，并且能够卸除掉键合工艺时的残余应力。
参照图1至图4。在质量块22的四周分别对称设置有谐振梁24组，质量块中还形成有多个镂空部231，在镂空部231中也设置有谐振梁24。谐振梁24的两个末端由锚点21固定。谐振梁24与质量块23之间分别形成有梳齿结构25。在谐振梁24与质量块23相反的一端设置有电极4。所述电极4与谐振梁24之间也形成有梳齿结构25。在工作过程中，电极4会向谐振梁24施加一个电信号，驱动所述谐振梁24按照一定频率进行振动。其中，设置在质量块23四周的谐振梁24组是用于检测在X，Y水平平面中的加速度变化。当出现水平加速度时，质量块23会沿着加速度方向产生相应的位移，该位移会使得质量块23和谐振梁24之间的梳齿25的间距产生变化，以至于施加在谐振梁24上的静电力产生变化，进而改变了谐振梁24的谐振频率。从图2中可以看出，谐振梁24均是成对地对称设置在质量块的两端。在检测加速度的过程中，质量块一端的谐振梁24的静电力会变大，而相反一端谐振梁24上的静电力则会变小。通过差分式的检测方式，可以检测出两组谐振梁24的差分谐振频率，进而计算出加速度的方向和幅度。通过差分的检测方式有效地抑制了共模误差和干扰。
参照图1、图2以及图4，设置在质量块23的镂空部231中的谐振梁24组是用于检测Z轴方向上的加速度。在检测Z轴方向上的加速度时，本发明采用了将谐振梁24与质量块23之间梳齿25高度不同的方式来进行检测。其中，设置在谐振梁24上的梳齿24a高度小于设置在质量块23上的梳齿23a高度，谐振梁24上的梳齿24a高度也小于质量块23在Z轴垂直方向上的位移幅度。在一个优选实施例中，所述谐振梁24上的梳齿24a高度为质量块23上梳齿23a高度的一半。此外，在用于检测Z轴加速度的两组谐振梁24中，一组谐振梁24的梳齿24a底端与质量块23上梳齿23a的底端向齐平。另一组谐振梁24的梳齿24a顶端与质量块23上梳齿23a的顶端向齐平。进而根据质量块23在Z轴方向上位移的方向，两组谐振梁24所受到的静电力变化则会不同。例如，当质量块23因外界加速度向上位移时，与质量块23梳齿顶端向齐平的谐振梁24梳齿与质量块23梳齿则不会产生重叠面积的变化，以至于与质量块23梳齿顶端向齐平的谐振梁24不产生任何静电力的变化。与此同时，与质量块23梳齿底端向齐平的谐振梁24梳齿则会因为梳齿重叠面积变小而导致静电力的减少，进而产生谐振梁24的谐振频率变化。并根据这两组谐振梁24的频率变化差分得出Z轴上的加速度。
接下来，参照图6至图19对本加速度计的制造工艺进行进一步的描述。其中，本加速度计的器件层2采用了绝缘体上硅(SOI)结构，其包括上硅层5，下硅层6以及设置在上硅层5和下硅层6之间的二氧化硅层7。其中，二氧化硅层7也可被称为氧化埋层。其具体的加工步骤包括：
第一步，利用高温生长或者化学淀积法，在绝缘体上硅片的顶面和底面上形成二氧化硅层7。
第二步，在所述绝缘体上硅硅晶圆片的顶面上涂覆光刻胶，之后按照特定图案对所述底面进行曝光，并用显影剂将已曝光的光刻胶去除，及将未经曝光的光刻胶烘烤。这样被曝光的图案就会显现出来。再用反应离子或等离子干法刻蚀、或氢氟酸对SOI硅片顶面的二氧化硅层7进行刻蚀，将一部分上硅层5暴露出来。
第三步，通过等离子体化学汽相淀积(PECVD)的方法在SOI硅片的顶面上进一步淀积一层氮化硅层8。
第四步，在所述绝缘体上硅硅晶圆片的顶面上涂覆光刻胶，之后按照特定图案对所述底面进行曝光，并用显影剂将已曝光的光刻胶去除，及将未经曝光的光刻胶烘烤。这样被曝光的图案就会显现出来。再用反应离子或等离子干法刻蚀、或氢氟酸对SOI硅片顶面的氮化硅层8和二氧化硅层7进行刻蚀，形成多个深至上硅层5的槽。
第五步，在SOI硅片的底面上涂覆光刻胶，之后按照特定图案对所述底面进行曝光，并用显影剂将已曝光的光刻胶去除，及将未经曝光的光刻胶烘烤。再用反应离子或等离子干法刻蚀、或氢氟酸对SOI硅片底面的二氧化硅层7进行刻蚀，形成多个深至下硅层6的槽。
第六步，利用深度反应离子刻蚀、或氢氧化钾、或四甲基氢氧化氨、或乙二胺磷苯二酚，对第四步中形成的深至下硅层6的槽进一步刻蚀，形成凹陷区和多个深至氧化埋层7的槽。
第七步，用反应离子或等离子干法刻蚀、或氢氟酸进一步刻蚀暴露在外的氧化埋层7，使得槽深至上硅层5。
第八步，在所述槽中淀积金属，引出电极4。
第九步，重新在SOI硅片的底面上涂覆光刻胶，之后按照特定图案对所述底面进行曝光，并用显影剂将已曝光的光刻胶去除，及将未经曝光的光刻胶烘烤。再用反应离子或等离子干法刻蚀、或氢氟酸对SOI硅片底面的二氧化硅层7进行刻蚀，将下硅层6暴露出来。
第十步，利用深度反应离子刻蚀、或氢氧化钾、或四甲基氢氧化氨、或乙二胺磷苯二酚进一步刻蚀下硅层，直至所述凹陷区深至氧化埋层7。
第十一步，用反应离子或等离子干法刻蚀、或氢氟酸进一步刻蚀暴露在外的氧化埋层7，使得凹陷区深至上硅层5。
第十二步，再用反应离子或等离子干法刻蚀、或氢氟酸对SOI硅片暴露在外的上硅层5和下硅层6进行刻蚀至一定深度。
第十三步，用反应离子或等离子干法刻蚀、或氢氟酸进一步刻蚀暴露在外的氧化埋层7。
第十四步，用反应离子或等离子干法刻蚀、或氢氟酸将所述SOI硅片底面上的二氧化硅层7去除。
第十五步，使用阳极键合或者金属热压键合，将所述绝缘体上硅硅晶圆片的底面与预先制作的下盖板3键合在一起。
第十六步，利用深度反应离子刻蚀、或氢氧化钾、或四甲基氢氧化氨、或乙二胺磷苯二酚将暴露在外的上硅层5去除，形成自由活动的解耦梁22、质量块23以及谐振梁24。
第十七步，用反应离子或等离子干法刻蚀、或氢氟酸去除SOI硅片顶面上的氮化硅层8。
第十八步，利用深度反应离子刻蚀、或氢氧化钾、或四甲基氢氧化氨、或乙二胺磷苯二酚进一步对暴露在外的上硅层5进行刻蚀至一定深度，形成不同高度的梳齿结构25。
第十九步，用反应离子或等离子干法刻蚀、或氢氟酸去除SOI硅片顶面上的二氧化硅层7。
第二十步，使用阳极键合或者金属热压键合，将所述绝缘体上硅硅晶圆片的顶面与预先制作的上盖板1键合在一起，形成完整的加速度计结构。
参照图20至图22，其中，本发明中对于下盖板3的加工工艺还包括以下步骤：
第一步，在下盖板3的底面上涂覆光刻胶，之后按照特定图案对所述底面进行曝光，并用显影剂将已曝光的光刻胶去除，及将未经曝光的光刻胶烘烤。再对下盖板3的底面进行刻蚀，形成深孔。
第二步，在下盖板3的顶面上涂覆光刻胶，之后按照特定图案对所述底面进行曝光，并用显影剂将已曝光的光刻胶去除，及将未经曝光的光刻胶烘烤。再对下盖板3的顶面进行刻蚀形成键合凹陷区。
第三步，在下盖板3底面的深孔中淀积金属，引出电极4。
第四步，对下盖板3的顶面进行化学机械抛光(CMP)，使得电极4连通键合凹陷区。
第五步，在下盖板3的顶面的键合凹陷区内的相应位置淀积金属。
参照图6至图19，本发明中的上盖板1和下盖板3也可以由玻璃制成。使用玻璃制作盖板的优点在于：硅-玻璃键合温度低，不会影响之前的金属电极及引线。当上盖板1和下盖板3由玻璃制成时，上述制造工艺步骤中的第十五步以及第二十步则会采用硅-玻璃键合，将所述绝缘体上硅硅晶圆片与所述上盖板1和下盖板3相键合。
本发明中所述的深度刻蚀及所述刻蚀的方法为以下方法中的一种或多种方法：干法刻蚀或湿法刻蚀，所述干法刻蚀包括：硅的深度反应离子、反应离子、以及气态的二氟化氙刻蚀和氧化硅的反应离子、等离子、以及气态的氟化氢刻蚀。
用于湿法刻蚀所述上硅层及下硅层的刻蚀剂为以下刻蚀剂中的一种或多种的组合：氢氧化钾、四甲基氢氧化铵、或乙二胺邻苯二酚腐蚀液。
所述用于湿法刻蚀所述二氧化硅层的刻蚀剂为以下刻蚀剂中的一种或多种的组合：氢氟酸以及缓冲氢氟酸。
传统的MEMS加速度计通过检测梳齿之间电容变化来检测加速度，而本发明则采用了静电负刚度效应，并通过检测谐振梁上谐振频率的变化来检测加速度。相对于传统的加速度计来说，本发明有效地解决了传统带杠杆结构的谐振式加速度计中的机械耦合问题，而采用差分检测振动频率的方法也使得检测精度更高，***也更加稳定。而通过差分的检测方式也使得整个加速度计的检测灵敏度提高了两倍。而且，检测频率更容易转化为数字信号，更方便与计算机进行接口，也减少了外界加速度变化而产生的非线性变化对谐振梁频率的影响。。此外，本发明采用了一整块质量块，使得质量块自身的体积更大，一方面增加了加速度计整体的检测灵敏度。另一方面也减少了各个质量块之间的耦合和串扰。
而且由于刻蚀工艺和硅的键合工艺较为简单，也使得本产品的生产效率极高、成本也较低。为此本工艺所制造的MEMS加速度计具有灵敏度高、误差小、成本低等优点。
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。

Claims (9)

1.一种MEMS加速度计，包括：上盖板、器件层以及下盖板；所述器件层包括：第一锚点、质量块、解耦梁以及加速度检测结构；所述第一锚点与所述上盖板以及下盖板相固定；所述解耦梁用于连接所述第一锚点以及所述质量块，其特征在于，所述加速度检测结构轴对称设置在所述质量块中，所述加速度检测结构包括：谐振梁以及驱动电极；所述谐振梁的两个末端分别与第二锚点相连接；所述谐振梁的两侧形成有梳齿；所述谐振梁一侧的梳齿与所述驱动电极相叠加；谐振梁另一侧的梳齿与所述质量块上的梳齿相叠加；所述驱动电极向所述谐振梁施加电驱动信号，使得所述谐振梁振动，所述加速度检测结构通过检测谐振梁的振动频率来检测加速度；所述质量块中分别设置有三组加速度检测结构组，每组加速度检测结构组中包括至少两个加速度检测结构，所述加速度检测结构组分别通过差分方式检测所述质量块在三个维度上的加速度；所述质量块上形成有凹陷区，位于所述凹陷区中的质量块侧壁上形成有梳齿，所述加速度检测 结构设置在所述凹陷区域中；用于检测垂直加速度的谐振梁的梳齿高度为所述质量块侧壁上的梳齿高度的一半，所述检测垂直加速度的谐振梁的梳齿的一端与所述质量块侧壁上的梳齿末端相平齐。
2.根据权利要求1所述加速度计，其特征在于，所述驱动电极的电驱动信号包括：正弦波、方波、三角波；所述电驱动信号的频率在：10赫兹至10兆赫兹之间。
3.根据权利要求1所述的加速度计，其特征在于，所述解耦梁包括解耦梁框架以及音叉型解耦梁；所述解耦梁框架与所述第一锚点相连接，所述质量块通过音叉型解耦梁与所述解耦梁框架相连接。
4.一种MEMS加速度计的制造工艺，其特征在于：所述制造工艺包括以下步骤：
第一步，利用高温生长或者化学淀积法，在绝缘体上硅片的顶面和底面上形成二氧化硅层；
第二步，通过光刻以及刻蚀，在所述绝缘体上硅片的顶面的二氧化硅层上刻蚀出一个深至上硅层的槽；
第三步，通过化学淀积法，在所述绝缘体上硅片的顶面上进一步淀积一层氮化硅层；
第四步，通过光刻以及刻蚀，对所述绝缘体上硅片的顶面上的氮化硅层和二氧化硅层进行刻蚀，形成多个深至上硅层的槽；
第五步，通过光刻以及刻蚀，对所述绝缘体上硅片的底面上的二氧化硅层进行刻蚀，形成多个深至下硅层的槽；
第六步，进一步对所述绝缘体上硅片的下硅层以及氧化埋层进行刻蚀，形成一定深度的凹陷区和深至所述上硅层的槽；
第七步，在第六步中刻蚀出的所述深至上硅层的槽中淀积金属，引出电极；
第八步，通过光刻以及刻蚀，在所述绝缘体上硅片底面上的相应位置刻蚀出深至上硅层的图形，形成质量块、谐振梁以及梳齿结构；
第九步，将所述绝缘体上硅片底面上的二氧化硅层去除；
第十步，将所述绝缘体上硅片的底面与下盖板进行阳极键合；
第十一步，对所述绝缘体上硅片的顶面进行刻蚀，将暴露在外的上硅层去除，形成自由活动的质量块、谐振梁以及梳齿结构；
第十二步，将所述绝缘体上硅片顶面的氮化硅层去除，并进一步对暴露在外的上硅层进行刻蚀至一定深度；
第十三步，将所述绝缘体上硅片顶面的二氧化硅层去除；
第十四步，将所述绝缘体上硅片的顶面与上盖板进行键合，形成完整的加速度计。
5.根据权利要求4所述的MEMS加速度计的制造工艺，其特征在于：对于所述下盖板的制造工艺还包括：
第一步，通过光刻和刻蚀，在所述下盖板的底面上刻蚀出多个孔；
第二步，在所述孔中淀积金属；
第三步，在所述下盖板的顶面进行刻蚀，形成键合凹陷区；
第四步，在所述键合凹陷区中淀积金属，并将所述键合凹陷区中的金属与所述孔中的金属相连接。
6.根据权利要求4所述的MEMS加速度计的制造工艺，其特征在于，对于所述上盖板的制造工艺还包括：通过光刻和刻蚀在所述上盖板的底层形成键合凹陷区。
7.根据权利要求4至6任一权利要求所述的MEMS加速度计的制造工艺，其特征在于：所述刻蚀的方法为以下方法中的一种或多种方法：干法刻蚀或湿法刻蚀，所述干法刻蚀包括：硅的深度反应离子、气态的二氟化氙刻蚀和氧化硅的反应离子、等离子、以及气态的氟化氢刻蚀。
8.根据权利要求7所述的MEMS加速度计的制造工艺，其特征在于：用于湿法刻蚀所述上硅层及下硅层的刻蚀剂为以下刻蚀剂中的一种或多种的组合：氢氧化钾、四甲基氢氧化铵、乙二胺邻苯二酚腐蚀液。
9.根据权利要求7所述的MEMS加速度计的制造工艺，其特征在于：用于湿法刻蚀所述二氧化硅层的刻蚀剂为氢氟酸。
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