CN107026108B - 基板处理装置以及半导体器件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种使基板处理装置小型化的基板处理装置以及半导体器件的制造方法，该基板处理装置具备：移载室，其将基板移载到基板保持件上；上部气体供给机构，其从第1气体供给口向移载室内的上部区域供给气体；和下部气体供给机构，其与上部气体供给机构的下方相邻地设置，并从第2气体供给口向移载室内的下部区域供给气体，上部气体供给机构具有：第1缓冲室，其形成在第1气体供给口的背面；第1管道，其在第1缓冲室的两侧面形成有一对；和第1送风部，其设置在第1管道的下端，下部气体供给机构具有：第2缓冲室，其形成在第2气体供给口的背面；第2管道，其形成在第2缓冲室的下表面；和第2送风部，其设置在第2管道的下端。

Description

基板处理装置以及半导体器件的制造方法
技术领域
本发明涉及基板处理装置以及半导体器件的制造方法。
背景技术
通常，半导体器件的制造工序中使用的立式基板处理装置会在处理晶圆的处理室的下方配置用于进行晶圆向基板保持件的装填及取出的移载室。在移载室内，沿着一侧的侧壁设置有清洁单元。通过从清洁单元向移载室内吹出清洁空气，而在移载室内形成气流(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献1：日本特开2002-175999号公报
然而，在基于上述以往技术的移载室的结构中，存在难以使基板处理装置小型化的情况。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够使基板处理装置小型化的技术。
根据本发明的一个方式，提供一种基板处理装置，其具备：
移载室，其将基板移载到基板保持件上；
上部气体供给机构，其从第1气体供给口向所述移载室内的上部区域供给气体；和
下部气体供给机构，其与所述上部气体供给机构的下方相邻地设置，并从第2气体供给口向所述移载室内的下部区域供给气体，
所述上部气体供给机构具有：
第1缓冲室，其形成在第1气体供给口的背面；
第1管道，其在所述第1缓冲室的两侧面形成有一对；和
第1送风部，其设置在所述第1管道的下端，
所述下部气体供给机构具有：
第2缓冲室，其形成在第2气体供给口的背面；
第2管道，其形成在所述第2缓冲室的下表面；和
第2送风部，其设置在所述第2管道的下端。
根据本发明的另一个方式，提供一种半导体器件的制造方法，其具有：
在移载室内将基板移载至基板保持件上的工序；和
在处理室内处理所述基板保持件上所保持的所述基板的工序，
在所述移载的工序中，从上部气体供给机构向所述移载室内的上部区域供给气体，并从下部气体供给机构向所述移载室内的下部区域供给气体，其中，所述上部气体供给机构具有：形成在第1气体供给口的背面的第1缓冲室；在所述第1缓冲室的两侧面形成有一对的第1管道；和在所述第1管道的下端设置有一对的第1送风部，所述下部气体供给机构具有：形成在第2气体供给口的背面的第2缓冲室；形成在所述第2缓冲室的下表面的第2管道；和设置在所述第2管道的下端的第2送风部，并与所述上部气体供给机构的下方相邻地设置。
发明效果
根据本发明，能够使基板处理装置小型化。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式中适用的基板处理装置的概要结构例的立体透视图。
图2是表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中使用的处理炉的结构例的纵剖视图。
图3是表示本发明的第1实施方式中适用的基板处理装置的移载室的结构例和气流的纵剖视图。
图4中，(a)是表示本发明的第1实施方式中适用的基板处理装置的移载室的气体供给机构的结构例的俯视图，(b)是表示气体供给机构的结构例的侧视图。
图5是图3的a-a剖视概要图。
图6是图3的c-c剖视概要图。
图7是本发明的第1实施方式中适用的清洁单元的立体图。
图8中，(a)是用于说明第1清洁单元的气流的概要图，(b)是用于说明第2清洁单元的气流的概要图。
图9是用于说明风向板的图。
图10是在清洁单元上设置有风向板的图。
图11是用于说明以往结构的图。
附图标记说明
10 基板处理装置
14 晶圆(基板)
30 舟皿(基板保持件)
50 移载室
52a 上部清洁单元
52b 下部清洁单元
56a、56b 送风机
90a、90b、90c、90d、90f 管道
具体实施方式
<本发明的一个实施方式>
以下，主要使用图1～2对本发明的一个实施方式进行说明。
(1)基板处理装置的结构
如图1所示，基板处理装置10具备在内部配置有处理炉40等主要部分的箱体12。在箱体12的正面侧配置有容器台(pod stage)18。容器台18在与未图示的外部输送装置之间进行作为收纳晶圆(基板)14的基板收纳用具的晶片盒(容器)16的交接。
在箱体12内的正面侧且与容器台18相对的位置上，配置有容器输送装置20、容器架22、和容器开启器24。容器输送装置20以在容器台18、容器架22和容器开启器24之间输送容器16的方式构成。容器架22具有多层架板，并将容器16以载置有多个的状态进行保持。
在与容器开启器24相比靠箱体12内的背面侧，相邻地形成有基板输送室80与移载室50。关于移载室50详见后述。
在基板输送室80内配置有作为基板输送机构的基板移载机28。在移载室50内配置有作为基板保持件的舟皿30。
基板移载机28具有能够取出晶圆14的臂(镊子)32，并以通过使臂32上下旋转地动作，而在载置于容器开启器24上的容器16与舟皿30之间输送晶圆14的方式构成。
舟皿30以将多枚(例如25枚～150枚左右)晶圆14以水平姿势在纵向上保持多层的方式构成。在舟皿30的下方设有绝热部75。绝热部75由例如石英或SiC等具有绝热效果的耐热性材料形成，例如通过绝热板74构成。此外，还可以不设置绝热板74，而是将构成为筒状部件的绝热筒设为绝热部75。舟皿30及绝热板75以通过作为升降机构的舟皿升降机34来升降的方式构成。
在箱体12内的背面侧上部、即移载室50的上方侧配置有处理炉40。舟皿30从下方被送入至处理炉40内。
在移载室50的顶部，以舟皿30能够通过的形状及大小设有与后述的处理室42内连通的晶圆输送出入口51。
(处理炉)
如图2所示，处理炉40具备大致圆筒形状的反应管41。反应管41由例如石英(SiO2)或碳化硅(SiC)等具有耐热性的非金属材料构成，并构成为上端部封闭且下端部开放的形状。
在反应管41的内部形成有处理室42。收容在处理室42内的舟皿30通过由旋转机构43使旋转轴44旋转，而能够在搭载有多个晶圆14的状态下旋转。
在反应管41的下方，与该反应管41呈同心圆状地配置有歧管45。歧管45是由例如不锈钢等金属材料构成的圆筒形状。通过该歧管45，将反应管41从下端部侧在纵向上进行支承。歧管45的下端部以通过密封盖46或挡板64被气密式密封的方式构成。在密封盖46及挡板64的上表面，设有将处理室42内气密地密封的O型圈等密封部件46a。在歧管45上，分别连接有用于向处理室42内导入处理气体或吹扫气体等的气体导入管47、和用于将处理室42内的气体排出的排气管48。
在气体导入管47上，从上游方向起依次设有对处理气体的流量进行控制的流量控制器(流量控制部)即质量流量控制器(MFC)以及开闭阀即阀门。在气体导入管47的前端连接有喷嘴，经由MFC、阀门、喷嘴向处理室42内供给处理气体。
排气管48经由作为检测处理室42内压力的压力检测器(压力检测部)的压力传感器、以及作为压力调节器(压力调节部)的APC(Auto Pressure Controller、自动压力控制器)阀，而与作为真空排气装置的真空泵连接。
在反应管41的外周，与反应管41呈同心圆状地配置有作为加热设备(加热机构)的加热单元49。
在反应管41内设置有作为温度检测器的温度传感器。通过基于由温度传感器检测到的温度信息来调整向加热单元49的通电情况，而使处理室42内的温度变成所要求的温度分布。
在旋转机构43、舟皿升降机34、MFC、阀门、APC阀以及气体供给机构上，连接有对其进行控制的控制器121。控制器121例如由具备CPU的微处理器(计算机)构成，并对基板处理装置10的动作进行控制。在控制器121上，连接有例如构成为触摸面板等的输入输出装置122。
在控制器121上连接有作为记录介质的存储部123。在存储部123内，以能够读取的方式储存有对基板处理装置10的动作进行控制的控制程序、和用于根据处理条件使基板处理装置10的各构成部执行处理的程序(也称为工艺)。
存储部123还可以是内置于控制器121中的存储装置(硬盘和闪存)，也可以是移动式的外部记录装置(磁带、软盘和硬盘等磁盘、CD和DVD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器和存储卡等半导体存储器)。另外，对电脑的程序提供还可以使用互联网和专用线路等通信设备来进行。根据需要以来自输入输出装置122的指示等从存储部123中读取程序，控制器121依照所读取的工艺执行处理，由此，基板处理装置10在控制器121的控制下执行所要求的处理。
(2)基板处理工序
接着，对作为半导体设备制造的一道工序的、使用本实施方式的基板处理装置10在基板上形成膜的处理(成膜处理)进行说明。在此，就通过对晶圆14供给作为原料气体的DCS(SiH2Cl2：二氯二氢硅)气体、和作为反应气体的O2(氧)气体，而在晶圆14上形成氧化硅(SiO2)膜的例子进行说明。此外，在以下的说明中，构成基板处理装置10的各部分的动作由控制器121来控制。
基板移载机28将晶圆14从容器16中取出并移载到舟皿30内(晶圆装填)。这时，从后述的气体供给机构向移载室50内供给气体。
(送入工序)
接着，使将处理室42下部的晶圆输送出入口51封闭了的挡板64向收纳挡板64的收纳部65退回，从而打开处理室42的晶圆输送出入口51。接着，通过舟皿升降机使舟皿30上升，并将其从移载室50内向处理室42内送入(舟皿装载)。由此，密封盖46变成经由密封部件46a密封了歧管45的下端的状态。
(处理工序)
使用排气管48进行处理室42内的排气，从而使处理室42内变成所要求的压力(真空度)。然后，使用加热单元49进行对处理室42内的加热，并使旋转机构43动作来使舟皿30旋转。进一步地，通过气体导入管47向处理室42内供给DCS气体和O2气体。由此，在晶圆14的表面上形成SiO2膜。
在成膜处理后向处理室42内供给非活性气体，从而将处理室42内由非活性气体进行置换，并使处理室42内的压力恢复成常压。
(送出工序)
通过舟皿升降机34使密封盖46下降来使歧管45的下端开口，并将舟皿30从歧管45的下端向处理室42外送出(舟皿卸载)。之后，将处理室42的晶圆输送出入口51用挡板64进行封闭。从气体供给机构向移载室50内供给气体，直到由舟皿30支承的晶圆14冷却为止都使舟皿30在移载室50内的规定位置上待机。
(移载工序)
当待机的舟皿30的晶圆14被冷却至规定温度(例如室温左右)时，通过基板移载机28将晶圆14从舟皿30中取出并向容器16内移载(晶圆取出)。这时，持续进行基于气体供给机构的气体向移载室50内的供给。
这样，由本实施方式的基板处理装置10进行的基板处理工序的一系列处理动作结束。
(3)移载室的结构
接着，使用图3～6来说明本实施方式的移载室50的结构。
(移载室)
如图3所示，移载室50通过顶部、底部以及包围四周的侧壁而构成为平面四边形。但是，并不一定限定为平面四边形，只要构成为平面多边形(例如平面三角形、平面五边形等)即可。另外，移载室50内无需构成负载锁定室和氮气吹扫箱等，可以是大气环境。
在舟皿30于移载室50内待机的状态下，将晶圆14(舟皿30)所处的基板区域作为上部区域60，并将绝热部75所处的绝热部区域作为下部区域61。
(气体供给机构)
在移载室50的一个侧面上设置有清洁单元(气体供给机构)。清洁单元在其内部上下划分为上部清洁单元(上部气体供给机构)52a及下部清洁单元(下部气体供给机构)52b。上部清洁单元52a与下部清洁单元52b以上下相邻的方式配置。另外，在位于移载室50周围的空间内，形成有后述的第1循环路径81及第2循环路径82。
上部清洁单元52a以向该移载室50内的上部空间即上部区域60供给气体的方式构成。下部清洁单元52b以向该移载室50内的下部空间即下部区域61供给气体的方式构成。
在本实施方式中，将非活性气体用作了作为清洁空气的气体，但也可以将外部环境气体作为气体来使用。即使使用了外部环境气体，但通过使外部环境气体从后述的过滤器59a、59b中通过也能成为洁净的气氛(清洁空气)。此外，本说明书中使用气体供给机构这个词的情况有仅包括上部清洁单元52a的情况、仅包括下部清洁单元52b的情况、或者两者都包括的情况。
(上部清洁单元)
如图4的(a)所示，上部清洁单元52a由如下部件构成，从上游侧起依次为：送风部即作为第1送风机的送风机56a；气体路径的一部分即作为第1管道的管道90c；气体的扩散空间即作为第1缓冲室的缓冲区58a；过滤部59a；和气体供给口67a。在此，送风机56a设置有多个、例如两个。管道90c是使从送风机56a吹送来的气体从缓冲区58a的侧面流向缓冲区58a内的气体路径。在此，以与一对送风机56a对应的方式形成有两条管道90c。缓冲区58a是与管道90c连通、且用于向上部区域60均匀地供给气体的扩散空间。过滤部59a以清除气体中包含的颗粒的方式构成。
如图4的(a)、(b)所示，管道90c构成为沿着缓冲区58a的左右两侧面在上下方向上延伸至上部清洁单元52a的上端为止的空间，从缓冲区58a的左右两侧向缓冲区58a内供给气体。这样，通过从缓冲区58a的两侧面供给气体，能够防止缓冲区58a内的气体的供给不均匀。此外，送风机56a设置在上部清洁单元52a的下端部。另外，管道90c以截面积随着朝向上方而逐渐变小，且从规定位置(缓冲区58a与缓冲区58b的边界位置)起在上方使截面积成为固定的方式构成。通过这种结构，能够在截面积固定的部分(缓冲区58a的侧方部分)提高气体的流速，并且由于能够将气体送出直到缓冲区58a(第1管道90c的上端)，所以能够供给充足的气体量至上部。
(下部清洁单元)
下部清洁单元52b由如下部件构成，从上游侧起依次为：吹送气体的送风部即作为第2送风机的送风机56b；使从送风机56b吹送来的气体流向作为第2缓冲室的缓冲区58b的气体路径即作为第2管道的管道90e；与管道90e连通、且用于向下部区域61均匀地供给气体的扩散空间即缓冲区58b；清除气体中包含的颗粒的过滤器部59b；和将经由了过滤部59b的气体向下部区域61吹出的气体供给口67b。管道90e是形成在缓冲区58b下表面的空间，且构成为从缓冲区58b的下表面侧向缓冲区58b内供给气体。第2管道90e在纵剖视的角度下形成为漏斗状。即，以随着从送风机56b方向靠近第2缓冲室58b的底面(连通部)而截面积逐渐变大的方式形成。送风机56b在下部清洁单元52b的下端部以与上部清洁单元52a的两个送风机56a相邻且被夹着的方式设置。换言之，上部清洁单元52a的两个送风机56a在下部清洁单元52b的送风机56b的两侧各设置一个。
这样，以将气体供给机构在上部区域60与下部区域61的边界部分上下划分，并分别具有独立的气体路径的方式构成气体供给机构。另外，第1缓冲室即缓冲区58a与第2缓冲室即缓冲区58b相比构成得大。通过该结构，能够在上部区域60和下部区域61形成各不相同的气流，或者以各不相同的流量和流速来供给气体。在此，过滤部59a、59b例如由化学制品(chemical)和PTFE两层构成。
(排气部)
如图3所示，在上部清洁单元52a的相对侧设有侧面排气部。侧面排气部主要由后述的作为第1排气口的上部排气口53a、和作为第2排气口的下部排气口53b构成。此外，还可以考虑在侧面排气部内包括排气管道90a、第1散热器100a、排气管道90b、第2散热器100b。从上部清洁单元52a向上部区域60供给的气体对上部区域60内进行冷却、吹扫，并从排气口53a、53b排出。
排气口53a在与上部清洁单元52a隔着舟皿30相对的一个侧面中设置在上部区域60的上方。在本实施方式中，舟皿升降机34在设置排气口53a的一个侧面上沿着上下方向延伸设置。从第1排气口53a排出的气体流过管道90a。在第2排气口53b的位置上管道90a缩窄。在管道90a内，气体从散热器100a中通过而被冷却，并从第2排气口53b的侧部通过而被送往移载室50的下部。
排气口53b在与上部清洁单元52a隔着舟皿30相对的一个侧面中设置在上部区域60的下方。从排气口53b排出的气体流过管道90b。在管道90b内，气体从散热器100b中通过而被冷却，并在移载室50的下部与从管道90a排出的气体汇合。汇合后的气体进一步与后述的从下部区域61排出的气体汇合。这样，通过在上部区域60设置两个排气口53a、53b，能够将供给至上部区域60的气体快速排出。
接着，说明下部区域61的排气。如图6所示，在俯视下，在舟皿30的前后的底面上设有底面排气部68。底面排气部68主要由前侧排气口(第3排气口)68a、和后侧排气口(第4排气口)68b构成。排气口68a、68b沿着移载室的底面角部形成为长方形。从下部清洁单元52b向下部区域61供给的气体对下部区域61内进行冷却、吹扫，并从排气部68排出。从排气部68排出的气体流过管道90f，由设置在管道90f内、即前侧排气口68a及后侧排气口68b的下部的第3散热器100c和第4散热器100d冷却，并向移载室50的下部排出。从下部区域61排出的气体在移载室50的下部与前述的从上部区域60排出的通过管道90a、90b后的气体汇合。汇合后的气体由第5散热器100e再次冷却。之后，气体被送往上部清洁单元52a、下部清洁单元52b，并被再次供给至上部区域60、下部区域61。
(循环路径)
从移载室50内排出的气体经由实线箭头所示的第1循环路径81及虚线箭头所示的第2循环路径82而被再次供给至移载室50内。第1循环路径81是将通过排气口53a及排气口53b从上部区域60排出的气体从上部清洁单元52a再次向上部区域60供给的气体路径。第2循环路径82是将通过前侧排气口68a及后侧排气口68b从下部区域61排出的气体从下部清洁单元52b再次向下部区域61供给的气体路径。本说明书中使用循环路径这个词的情况有仅包括第1循环路径81的情况、仅包括第2循环路径82的情况、或者两者都包括的情况。
第1循环路径81主要由管道90a、90b、90c、90d构成。管道90a是将排气口53a与管道90d连通的路径，在内部设有散热器100a。管道90b是将排气口53b与管道90d连通的路径，在内部设有散热器100b。此外，还可以考虑在第1循环路径81内包括上部清洁单元52a及侧面排气部。
第2循环路径82主要由管道90f、90e构成。管道90f是将排气口68a、68b与管道90d连通的路径，在内部设有散热器100c、100d。管道90d是在移载室50下表面的下侧形成的空间。此外，还可以考虑在第2循环路径82内加入下部清洁单元52b及底面排气部68。
在管道90d内，第1循环路径81与第2循环路径82暂时汇合。即，在各个路径的途中，以其一部分占用同一路径(汇合路径)的方式构成。也就是说，管道90d以将管道90a、管道90b与清洁单元52a及清洁单元52b连通的方式构成。第2循环路径82在管道90d以外的部分形成有独立于第1循环路径81的气体路径。第2循环路径82的总路径长度比第1循环路径81的总路径长度短。
如图3所示，在管道90d内配置有冷却气体的冷却单元即散热器100e。另外，在管道90d与清洁单元52a、52b的连通部分、即管道90d的端部且是清洁单元52a、52b的下端部，并列设置有两个送风机56a和送风机56b。通过调节送风机56a、56b的输出，能够调节向各清洁单元供给的气体的流量和流速。
在第1循环路径81和第2循环路径82的气体路径中设有未图示的气体调节风门。气体调节风门能够调整从第1循环路径81和第2循环路径82中流过的气体的流量。例如，气体调节风门利用蝶阀和滚针机构等公知的流量调节机构来构成。气体调节风门优选具有能够自动控制流量调节的功能，且能够实现与送风机56a、56b的联动控制。
(比较例)
在此，使用图11来说明作为比较例的以往的移载室结构。
以往的通常的清洁单元的结构在过滤器201的背面设置有送风机200。以往的通常的移载室是将这种清洁单元配置在移载室侧面上，并在移载室下部配置循环路径的结构。这种结构的情况下，为了配置清洁单元，有时会在移载室的侧面上占用很大的地方。因此，有时会妨碍装置的小型化。另外，由于送风机的吸入方向朝向壁部，所以有时会产生压力损失变高、清洁单元的性能降低的情况。
与此相对地，本发明的清洁单元是在上部配置有过滤器、且在下部配置有送风机的结构。由此，能够与以往相比节省空间地在移载室侧面上配置清洁单元。另外，通过使送风机的吸入方向与吹出方向正交，能够抑制压力损失，并使清洁单元的性能提高。
(气流)
接着，使用图3对本实施方式中的气流进行详述。图中，实线箭头表示上部区域60的气流，虚线箭头表示基于下部区域61的气流。
首先，对第1循环路径81即上部区域60的气流进行说明。从清洁单元52a的供给口67a向上部区域60供给的气体在与基板为水平(平行)的方向上流动。对晶圆14进行冷却后的气体从排气口53a、53b排出，并在管道90a、90b内向下流动。其次，在管道90a、90b与管道90d的连通部分，从向下变成向水平方向流动的方向，在管道90d内朝着设置有清洁单元52a的送风机56a的方向水平流动。之后，气体由送风机56a在两条管道90c内向上吹送，从而在管道90c内沿垂直方向向上流动。之后，气体从缓冲区58a的两侧面向缓冲区58a内扩散，并被再次向上部区域60供给。
接着，对第2循环路径82即下部区域61的气流进行说明。从清洁单元52b的供给口57b向下部区域61供给的气体在绝热部75与移载室侧面之间的空间内向下流动。对绝热部75进行冷却后的气体从排气口68a、68b向下排出，并在管道90f内向下流动而与从第1循环路径流过的气体汇合。之后，气体由送风机56b在管道90e内向上吹送，从而在管道90e内沿垂直方向向上流动。之后，气体从管道90e和缓冲区58b的下表面向缓冲区58b内扩散，并被再次向下部区域61供给。
(挡板排气部)
如图5所示，在收纳部65的侧面上，设置有将供给至收纳部65的气体排出的排气口76，并且形成有相对于收纳部65的第3循环路径83。第3循环路径83以将供给至晶圆输送出入口51附近及收纳部65内的气体从排气口76排出的方式构成，形成从与上部区域60相比更上方的区域通过的气流。在此，第3循环路径83使用第1循环路径的路径即实线箭头的一部分。也就是说，第3循环路径83从第1循环路径中分支形成。
收纳部65以通过将供给至上部区域的气体从排气口76抽出，而对晶圆输送出入口51的周边及收纳部65内进行吹扫的方式构成。收纳部65在上述移载室50的侧面的上端向上述移载室50的外侧突出形成。在本实施例中，收纳部65在俯视下为多边形(长方形)中的一个角弯曲了的形状，在收纳部65的一个侧面中构成有直线部和弯曲部。排气口76通过以沿着直线部和弯曲部的方式形成的多个排气口16来构成。多个排气口76在直线部及弯曲部形成有相同的数量，分别形成有两个。另外，弯曲部的排气口76偏向与直线部连结的方向而形成。即，在弯曲部中以在远离排气口53a的位置上设置排气口76的方式构成。
进行收纳部65的循环排气的循环路径83由管道90a、90c、90g构成。管道90g是与管道90a连通、且形成在排气口76背面的空间。在与管道90a相比靠下游，从与第1循环路径相同的路径通过。
基于上部清洁单元52a和下部清洁单元52b的风量与从各排气口53a、53b和散热器100c、100e通过的气体的总风量之间的风量平衡虽然优选为分别等同，但是由于晶圆温度也会根据处理室42内的处理内容而变化，所以只要适当地决定即可。
(本实施方式的效果)
根据本实施方式，取得以下列举的一个或多个效果。
(a)没有将送风部设置在过滤器背面，而与过滤器相比设置在下方(气体供给机构的下端部)，由此能够缩小气体供给机构的箱体，因此，能够节省基板处理装置整体的占用空间。
(b)通过将送风部设置在清洁单元的下端，能够使送风部的吸入方向朝向移载室内侧，因此，能够减少循环路径内的气流的压力损失和停滞。另外，由于能够使送风部避开移载室内的热量，所以能够延长送风部的寿命。另外，能够从清洁单元的正面侧来维护送风部和过滤器。由此，由于维护变得容易，且能缩短维护花费的时间，所以能够使生产性提高。
(c)通过在各循环路径的排气口附近设置散热器，能够将在移载室内变热的气体快速冷却，因此，能够顺利地形成循环路径内的气流，并能抑制气体停滞的产生。
(d)由于通过任一循环路径的气体均分别从两个散热器通过，所以能够将在移载室内变热的气体充分地冷却。由此，能够缩小基于循环路径的气体温度的差。另外，还能抑制向移载室内再次供给时的气体的温度不均匀，从而能够将移载室内均匀地冷却。
(e)通过将上部区域的排气部在上下形成两处，能够高效率地吹扫上部区域。通过在上部区域的上部形成的排气部，能够将因冷却基板后变热的气体而产生的上升气流的热风和来自炉口部的颗粒快速排出。另外，通过在上部区域的下部形成的排气部，能够将冷却基板后变热的气体和来自舟皿升降机的驱动部的颗粒快速排出。
(f)通过将下部区域的排气部在前后形成两处，能够将与上部区域相比变成高温环境气体的下部区域的环境气体向下方强制地排出，并能抑制来自下部区域的上升气流的产生。另外，能够抑制热容量高的绝热部的热量流向基板区域，并实现基板冷却时间的缩短。进一步地，由于还能抑制因热的上升气流造成的颗粒卷扬，所以还能抑制颗粒向基板上附着。进一步地，通过将排气部沿着易发生气体停滞的底面角部形成为长方形(横长)，能够对底面角部快速进行排气。
(g)上部区域的排气部形成在与气体供给机构相对的侧面上，下部区域的排气部设置在移载室的底部，由此，能够在上部区域形成侧向流，并在下部区域形成直流。
(h)通过使下部区域的循环路径以与上部区域的循环路径相比总路径变短的方式形成，能够缩短向下部区域供给的气体的循环周期，并使绝热部的冷却效率提高。
(i)通过设为基于各排气部的总排出风量与基于气体供给机构的总供给风量同等的风量平衡，能够平衡良好地形成气流。
(j)通过对上部清洁单元的送风机和下部清洁单元的送风机的输出进行调节，能够调节从各气体供给机构供给来的气体的流量。
(第2实施方式)
接着，对第2实施方式进行说明。
如图9、10所示，通过将风向部57设置在清洁单元52的前侧，与第1实施方式(图7、8)相比能够扩大气体的供给范围。风向部57在内部由第3缓冲区即缓冲区58c、与清洁单元52连通的连通部69、作为气体供给口的面板即中央面板57a和侧面板57c构成。中央面板57a具有与上部清洁单元52a的供给口67a大致相同的高度、和与移载室50大致相同的宽度。侧面板57c以夹着中央面板57a的两侧的方式设置。在此，中央面板57a的宽度是与供给口67a大致相同的宽度，侧面板57c的宽度是与管道90c大致相同的宽度。在中央面板57a及侧面板57c上分别形成有多个开孔，例如由冲孔面板构成。从清洁单元供给来的气体在缓冲区58c内扩散，并经由多个开孔向移载室50内供给。
朝向中央面板57a从清洁单元52的供给口直接供给气体。于是，通过调节中央面板57a的开孔率，能够将从中央面板57a供给来的气体量调节成比从清洁单元52的供给口供给来的气体量少。由此，能够使气体容易地向缓冲区58c内扩散。另外，关于风向部57的多个开孔的开孔率，与中央面板57a的开孔率相比侧面板57b的开孔率更高，由此能够促进缓冲区58c内的向侧面板57b方向的气体扩散。进一步地，能够使来自风向部57的气体供给风量在整个供给口内都是均匀的。
在以上的说明中，虽然构成为在上部清洁单元52a及下部清洁单元52b两者的前方设置风向部57，但也可以构成为在上部清洁单元52a或下部清洁单元52b中的至少一个上设置风向部57。另外，风向部57只要是至少比清洁单元52的过滤器面大的表面积(优选为与晶圆14相同的宽度，更优选为与移载室50大致相同的宽度)即可。另外，设置在上部清洁单元52a上的风向部的面板的开孔率与设置在下部清洁单元上的风向部的面板的开孔率也可以不同。另外，设置在上部清洁单元52a上的风向部的面板的宽度与设置在下部清洁单元上的面板57的宽度也可以不同。进一步地，设置在上部清洁单元52a上的风向部的中央面板57a的面积也可以比设置在下部清洁单元52b上的风向部的中央面板57b的面积小。
本实施方式的效果
根据本实施方式，取得以下列举的一个或多个效果。
(a)通过设置风向部，能够扩展气体供给口的面积(气体吹出面积)，从而能够容易地将气体供给至移载室内的各个角落。
(b)通过在风向部内形成缓冲室，即使风向部的气体供给口是比气体供给机构的气体供给口大的面积，但由于能够在缓冲室内扩散一次气体，所以也能从风向部的整个气体供给口来供给气体。
(c)通过将气体供给口用冲孔面板来形成，并在与气体供给机构的气体供给口相对的部分和其它部分(扩展部分)上改变开孔率，即使在扩展部分上也能确保供给流量(风量)，并能从整个气体供给口以同一流量(风量)来供给气体。
<本发明的其它实施方式>
接着，对本发明的其它实施方式进行说明。
除了上述的各实施方式以外，本发明当然还可以在不脱离其要旨的范围内进行各种各样的变形而实施。

Claims (13)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
移载室，其将基板移载到基板保持件上；
上部气体供给机构，其从第1气体供给口向所述移载室的上部区域供给气体；和
下部气体供给机构，其与所述上部气体供给机构相邻地设置在所述上部气体供给机构的下方，并从第2气体供给口向所述移载室的下部区域供给气体，
在所述基板保持件上所保持的所述基板的下方设有绝热部，所述移载室的上部区域是与所述基板保持件的所述基板所处的基板区域对应的区域，所述移载室的下部区域是与所述基板保持件的所述绝热部所处的绝热部区域对应的区域，
所述上部气体供给机构具有：
第1缓冲室，其形成在第1气体供给口的背面；
第1管道，其在所述第1缓冲室的两侧面形成有一对；和
第1送风部，其设置在所述第1管道的下端，
所述下部气体供给机构具有：
第2缓冲室，其形成在第2气体供给口的背面；
第2管道，其形成在所述第2缓冲室的下表面；和
第2送风部，其设置在所述第2管道的下端。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述第1送风部以与一对所述第1管道对应的方式在所述第1管道的下端设置有两个，
所述第2送风部设置在两个所述第1送风部之间。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述第1缓冲室比所述第2缓冲室大。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述第1管道从所述第1缓冲室的上端沿着所述第2缓冲室的两侧面延伸至所述第2管道的下端的位置。
5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述第2管道在主视下形成为漏斗状。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，所述第1管道以朝向上方而截面积逐渐变小的方式形成。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在所述第1气体供给口以及所述第2气体供给口中的至少一个气体供给口上设置有风向部。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述风向部具有：
第3气体供给口，其在所述风向部的整个面上形成；和
第3缓冲室，其形成在所述第3气体供给口的背面。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，所述第3气体供给口比所述第1气体供给口大。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，所述第3气体供给口通过具有多个开口的冲孔部件形成，
在所述第3气体供给口的中央部和所述中央部的两侧部具有不同的开口率。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，所述中央部的开口率比所述两侧部的开口率高。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，所述中央部的面积为与所述第1供给口相同的面积。
13.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有：
在移载室将基板移载至基板保持件上的工序；和
在处理室处理所述基板保持件上所保持的所述基板的工序，
从上部气体供给机构向所述移载室的上部区域供给气体，并从下部气体供给机构向所述移载室的下部区域供给气体，其中，所述上部气体供给机构具有：形成在第1气体供给口的背面的第1缓冲室；在所述第1缓冲室的两侧面形成有一对的第1管道；和在所述第1管道的下端设置有一对的第1送风部，所述下部气体供给机构具有：形成在第2气体供给口的背面的第2缓冲室；形成在所述第2缓冲室的下表面的第2管道；和设置在所述第2管道的下端的第2送风部，并与所述上部气体供给机构相邻地设置在所述上部气体供给机构的下方，所述移载室的上部区域是与所述基板保持件的所述基板所处的基板区域对应的区域，所述移载室的下部区域是与设于所述基板保持件的下方的绝热部所处的绝热部区域对应的区域。
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