CN107003372A - 提高低温部件热反射率的***和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种装置。所述装置包括可在3.5到6开氏温度范围内操作的部件。所述装置进一步包括卷绕在所述部件的至少一部分上的热反射片,所述热反射片包括多个分层。所述装置还包括用于将所述热反射片连接至所述部件的所述至少一部分的连接装置。

Description

提高低温部件热反射率的***和方法
相关申请案的交叉引用
本申请案要求2014年11月18日提交的美国专利申请案序列号14/546,263的优先权,所述申请案的公开内容以引用的方式整体并入本发明。
背景技术
本发明大体涉及低温部件,确切地讲,涉及一种用于提高低温部件(例如,磁共振成像***中使用的磁体)热反射率的***和方法。
用于获得人体完整生物***图像的磁共振成像(MRI)***基本包括设为由管状支架所支撑的超导线圈的主超导磁体。所述主超导磁体封装在冷却至约4开氏温度的腔室中。真空容器用来为所述超导磁体提供隔热处理。
所述真空腔室膛管(bore tube)具有用以接收病人和容纳梯度线圈或脉冲线圈的大型内径,梯度线圈或脉冲线圈用于在相对于主磁场的三个正交方向上生成磁场梯度。由于所述梯度线圈的本质,所述主超导磁体和所述梯度线圈之间有必要进行基本的隔热处理,以便使所述主超导磁体既能与所述梯度线圈周围升高的环境温度隔离,又能与在这些线圈使用中生成的热量隔离。
在低温制冷磁体型MRI***中,磁体暴露在真空环境中。磁体的表面结构由不同材料制成,使其具有不同的表面光洁度和粗糙度。除所述磁体外,安装在所述线圈架上(coilformer)的部件也具有低热反射率空腔,造成套管的热负荷升高。
发明内容
根据一个实施例,本发明公开一种装置。所述装置包括可在3.5到6开氏温度范围内操作的部件。所述装置进一步包括卷绕所述部件至少一部分的热反射片,所述热反射片包括多个分层。所述装置还包括用于将所述热反射片连接到所述部件的所述至少一部分的连接装置。
根据另一个实施例,本发明公开一种磁共振成像***。所述磁共振成像***包括可在3.5到6开氏温度范围内操作的多个磁体。所述磁共振成像***进一步包括卷绕所述部件至少一部分的热反射片,所述热反射片包括多个分层。所述磁共振成像***还包括用于将所述热反射片连接至每个磁体的所述至少一部分的连接装置。
根据又一个实施例,本发明公开一种方法。所述方法涉及将包括多个分层的热反射片卷绕在所述部件的至少一部分上,所述部件的所述至少一部分可在3.5至6开氏温度范围内操作。所述方法进一步涉及通过连接装置将所述热反射片连接至所述部件的所述至少一部分。
附图说明
在参考附图阅读以下详细说明后,将更好地理解本发明的这些和其他特征、方面和优点,在附图中,类似的符号代表所有附图中类似的部分,其中:
图1是根据一个示例性实施例的一个示例性磁共振成像***的侧部示意图;
图2是根据本发明一个实施例的卷绕在超导主线圈上的示例性热反射片的剖面示意图;以及
图3是根据本发明另一个实施例的卷绕在超导主线圈上的示例性热反射片的剖面示意图。
具体实施方式
根据本发明特定实施例,公开一种装置。所述装置包括可在3.5到6开氏温度范围内操作的部件和包括多个分层的热反射片,所述热反射片缠绕在所述部件的至少一部分上。所述装置进一步包括用于将所述热反射片连接至所述部件的所述至少一部分的连接装置。根据另一个实施例,本发明公开一种磁共振成像***。所述磁共振成像***包括可在3.5到6开式温度范围内操作的磁体(magnets)和包括多个分层的热反射片,所述热反射片卷绕在每个磁体的至少一部分上。所述磁共振成像***进一步包括用于将所述热反射片连接至每个磁体的至少一部分的连接装置和可沿所述多个磁体之间的间隙移动的患者支撑装置。根据又一个实施例,一种方法涉及将包括多个分层的热反射片卷绕在所述部件的至少一部分上,所述部件的所述至少一部分可在3.5至6开氏温度范围内操作。所述方法进一步涉及通过连接装置将所述热反射片连接至所述部件的所述至少一部分。
参照图1,其中示出了根据一个示例性实施例的示例性磁共振成像***10的侧部示意图。磁共振成像***10具有如本发明详细所述的提供低温制冷器(cryorefrigeration)的低温制冷磁体布置。在所示实施例中,磁共振成像***10包括超导磁体***12,所述超导磁体***具有支撑在柱状管壳内的多个同心超导主线圈14和反磁线圈(bucking coils)16,所述柱状管壳即指高热传导率的线圈支撑壳体18和线圈支撑壳体20。超导磁体***12由低温制冷器22使用氦热虹吸(helium thermosiphon)***进行冷却。多个超导主线圈14和反磁线圈16之间设有径向间距。在一些实施例中,线圈支撑壳体18,20由金属形成。多个冷却管24热连接(例如,粘接)到线圈支撑壳体18的外表面。在一个实施例中,线圈支撑壳体18,20可具有限定孔的周向延伸的固态金属壁。
各种实施例中的超导主线圈14和反磁线圈16都使用环氧树脂注塑成型。然后可将超导主线圈14和反磁线圈16粘接到线圈支撑壳体18,20的外表面。超导主线圈14和反磁线圈16采用收缩配合并粘接在线圈支撑壳体18,20的内部,以提供良好的热接触。超导线圈14和反磁线圈16经过大小调整以限定用于对对象(例如患者)成像的孔26。例如,视场(FOV)28可以限定为对所述对象的特定部分成像。患者支撑装置27可沿孔26内部的空间移动。
在所示实施例中,氦热虹吸布置包括热连接到线圈支撑壳体18,20的多个冷却管24,热连接到低温制冷器22的再冷却器(recondenser)30和包括液态氦存储***32的氦存储容器以及包括在磁性真空容器36内的氦气存储***34。冷却管24与液态氦存储***32之间可以经由一个或多个流体通路38实现流体连通。低温制冷器22的电动机39设在真空容器36的外部。
冷却管24还与蒸汽回流歧管40流体连通,所述蒸汽回流歧管通过再冷却器30与氦气存储***34流体连通。再冷却器30与液态氦存储***32之间经由一个或多个通路42实现流体连通。
在所示实施例中,隔热板44设置成与氦气存储***34热接触。隔热板44热连接到多个冷却管46(例如预冷却管),在各种实施例中,所述多个冷却管不同于冷却管24,且不与其流体连通。例如,冷却管24使用氦气提供冷却,冷却管46可使用液态氮提供冷却。
在所示实施例中,热反射片48卷绕在超导主线圈24和反磁线圈16中的每个上,连接装置(图1未示出)用于将热反射片48连接到超导主线圈24和反磁线圈16中的每一个。热反射片48卷绕在超导主线圈24和反磁线圈16中每个的至少一部分上或全部卷绕在超导主线圈24和反磁线圈16中每个上。在一些其他实施例中,热反射片48卷绕在液态氦存储***32、流体通道38和蒸汽回流歧管40上。磁体***12暴露于真空中,且需要高热反射表面,以最小化热辐射产生的热负荷。热反射片14提供最小化磁体***12热负荷所需的低热辐射系数。下文将参照后续附图详细地解释磁体***12和热反射片48。
虽然讨论的是磁共振成像***10中的磁体***12,但热反射片可应用于工作温度在3.5到6开氏温度范围内的所有表面。应用范围可以是暴露于真空中的简易低温恒温器、低温容器和超导磁体表面等。对于低温恒温器和低温容器来说,无论线圈架或磁体的表面质量,示例性热反射片有助于减少液态氦的蒸发或磁体的热负荷。在一个实施例中,示例性热反射片可应用于G10型表面或不锈钢表面,以减少辐射系数。
参照图2,其中示出了根据本发明一个示例性实施例中卷绕在超导主线圈24上的示例性热反射片48的剖面示意图。在所示实施例中,热反射片48包括第一铝层50,所述第一铝层具有99.0%至99.99%范围内的纯度,且设置成与超导主线圈24接触。第一铝层50可卷绕超导主线圈24的全部或超导主线圈24的至少一部分。第一铝层50具有10微米到50微米范围内的厚度。网状层52设置在第一铝层50上。网状层52可为玻璃纤维网状层、聚乙烯网状层、聚四氟乙烯网状层等。网状层52具有0.02mm至0.1mm范围的厚度。网格层52的较小正方形部分限制并减少梯度转换期间的涡流加热效应。
连接装置54用于将热反射片48连接到超导主线圈24。在所示实施例中,连接装置54包括用于将热反射片48粘接到超导主线圈24的多个粘合带56。粘合带56的数量可根据应用的变化而变化。在其他实施例中,可使用其他类型的粘接或胶合或其他夹持机制(clamping mechanisms)将热反射片48连接到超导主线圈24。热反射片48具有10微米到100微米范围的厚度。具有单铝层50的热反射片48更易于操纵,用于卷绕在紧曲面(tightcurvature surfaces)上。虽然本发明公开了第一铝层50和网状层52的一个组,但在其他实施例中,热反射片48中的第一铝层50和网状层52的组数可变化。
参照图3,其中示出了根据本发明一个示例性实施例的卷绕在超导主线圈24上的示例性热反射片48的剖面示意图。在所示实施例中,热反射片48包括第一铝层50,所述第一铝层具有99.0%至99.99%范围的纯度,且设置成与超导主线圈24接触。网状层52设置在第一铝层50上。另外,热反射片48包括第二铝层58,所述第二铝层具有99.0%至99.99%范围的纯度。具体地,网状层52设置在第一铝层50和第二铝层58之间。网状层52的提供可确保与支架的金属配合面良好接触并减少涡流效应。
在所示实施例中,连接装置54包括用于将热反射片48与超导主线圈24黏合的多个粘合带56。在其他实施例中,可使用其他类型的黏合机制或胶接机制或其他夹紧机制,将热反射片48与超导主线圈24连接。虽然本发明公开了一组第一铝层50、第二铝层58和网状层52,但在其他实施例中,热反射片48中第一铝层50、第二铝层58和网状层52的组数可变化。
根据本发明的实施例所述,热反射片48可减少表面辐射且不会在被卷绕部件上时出现翻折、翘曲和撕裂。进一步地,该反射片表面不会在冷却时发生褶皱或收缩。热反射片48能轻易从部件的表面上移除,且能重新施加在部件的表面上。
根据本发明的实施例所述,所述示例性热反射片在用作开口的盖子时减少表面辐射。骤冷(quench)之后,在升温或降温过程中,所述热反射片不会在经受更高磁场(例如,高达3特斯拉的磁场)干扰时移动。进一步,配合表面上不需任何粘合剂。当使用粘合带时,其不会使热反射片发生撕裂。
尽管本说明书中已经说明和描述了本发明的某些特征,但所属领域的技术人员可以容易想到许多修改和变化。因此,应理解,所附权利要求书意图涵盖本发明真实精神范围内的所有此类修改和变化。

Claims (24)

1.一种装置,所述装置包括:
部件,所述部件可在3.5到6开氏温度范围内操作;
热反射片,所述热反射片卷绕在至少一部分所述部件上,且包括多个分层;以及
连接装置,所述连接装置用于将所述热反射片连接至所述部件的所述至少一部分。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述部件为磁共振成像磁体。
3.根据权利要求1所述的装置,其中,所述多个分层包括第一铝层,所述第一铝层具有99.0%至99.99%范围内的纯度,且设置成与所述部件的所述至少一部分接触。
4.根据权利要求3所述的装置,其中,所述第一铝层具有10微米至50微米范围内的厚度。
5.根据权利要求3所述的装置,其中,所述多个分层进一步包括设置在所述第一铝层上的网状层。
6.根据权利要求5所述的装置,其中,所述网状层具有0.02mm至0.1mm范围内的厚度。
7.根据权利要求5所述的装置,其中,所述多个分层进一步包括第二铝层,所述第二铝层具有99.0%至99.99%范围内的纯度,其中,所述网状层设置在所述第一铝层和所述第二铝层之间。
8.根据权利要求7所述的装置,其中,所述第二铝层具有10微米至50微米范围内的厚度。
9.根据权利要求1所述的装置,其中,所述热反射片具有10微米至100微米范围内的厚度。
10.根据权利要求1所述的装置,其中,所述连接装置包括粘合带。
11.一种磁共振成像***,所述磁共振成像***包括:
多个磁体,所述多个磁体可在3.5到6开式温度范围内操作;
热反射片,所述热反射片卷绕在至少一部分所述部件上,且包括多个分层;以及
连接装置,所述连接装置用于将所述热反射片连接到每个磁体的所述至少一部分。
12.根据权利要求11所述的磁共振成像***,其中,所述多个分层包括第一铝层,所述第一铝层具有99.0%至99.99%范围内的纯度,且设置成与所述部件的所述至少一部分接触。
13.根据权利要求12所述的磁共振成像***,其中,所述第一铝层具有10微米至50微米范围内的厚度。
14.根据权利要求12所述的磁共振成像***,其中,所述多个分层进一步包括设置在所述第一铝层上的网状层。
15.根据权利要求14所述的磁共振成像***,其中,所述网状层具有0.02mm至0.1mm范围内的厚度。
16.根据权利要求14所述的磁共振成像***,其中,所述多个分层进一步包括第二铝层,所述第二铝层具有99.0%至99.99%范围内的纯度,其中,所述网状层设置在所述第一铝层和所述第二铝层之间。
17.根据权利要求16所述的磁共振成像***,其中,所述第二铝层具有10微米至50微米范围内的厚度。
18.根据权利要求11所述的磁共振成像***,其中,所述热反射片具有10微米至100微米范围内的厚度。
19.根据权利要求11所述的磁共振成像***,其中,所述连接装置包括粘合带。
20.一种方法,所述方法包括:
将包括多个分层的热反射片卷绕在所述部件的至少一部分上,所述部件的所述至少一部分可在3.5至6开氏温度范围内操作;以及
通过连接装置将所述热反射片连接至所述部件的所述至少一部分。
21.根据权利要求20所述的方法,其中,所述部件为磁共振成像磁体。
22.根据权利要求20所述的方法,其中,卷绕反射片包括使纯度在99.0%至99.99%范围内的所述第一铝层与所述部件的所述至少一部分接触。
23.根据权利要求22所述的方法,其中,卷绕反射片进一步包括将网状层设置在所述第一铝层上。
24.根据权利要求23所述的方法,其中,卷绕反射片进一步包括将纯度在99.0%至99.99%范围内的第二铝层设置在所述网状层上,其中,所述网状层设置在所述第一铝层和所述第二铝层之间。
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