CN106976883A - 一种原位燃烧合成制备b4c纳米粉体的方法 - Google Patents

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Abstract

一种原位燃烧合成制备B4C纳米粉体的方法，属于粉末冶金工艺中的制粉技术领域。该方法通过将氧化硼和镁粉按摩尔比混合，放入高能球磨机中进行机械活化处理；再和碳纳米粉按摩尔比混合均匀，放入模具中，在10～60MPa压制成块状坯料，置于自蔓延反应炉中引发进行自蔓延反应；将产物浸入稀盐酸中，置于密闭的反应釜中强化浸出，最后喷雾热分解获得高纯碳化硼纳米粉产品。该方法制备出高纯度、高活性、纳米B4C粉体。原料成本低，能耗低，操作简单，对工艺条件和仪器设备要求低，为工业化生产奠定了基础。采用高能球磨活化，改善传统镁热还原法的缺点；采用自蔓延制粉技术，产品具有纯度高、粒度分布可控、粉末活性高的优点。

Description

一种原位燃烧合成制备B4C纳米粉体的方法
技术领域
本发明属于粉末冶金工艺中的制粉技术领域，具体涉及一种原位燃烧合成制备B4C纳米粉体的方法。
背景技术
碳化硼微粉主要用于制作碳化硼陶瓷，碳化硼陶瓷具有密度小、硬度高、高模量、强耐磨性、高抗氧化性、较强耐酸腐蚀性以及优良的中子吸收性能等特点，具有广阔的应用前景，广泛应用于防弹材料、耐磨和自润滑材料、切割研磨工具、防辐射材料和原子反应堆控制和屏蔽材料等。
现有的碳化硼粉末的制备方法有电弧炉碳热还原法、碳管炉碳热还原法、中频感应炉碳热还原法、Sol-Gel法、气相沉积法及传统镁热还原法等，而国内能够实现碳化硼产业化制备的技术路线只有碳热还原法，其中以电弧炉碳热还原法的产能最高。其缺点为能量消耗大、生产能力低、高温下对炉体损坏严重、合成的原始粉末平均粒径在20μm～40μm之间，难以生产纳米级以及特定形貌的微粉，兵器需要经过破碎处理容易引入新的杂质。
基于传统以碳热还原法制备碳化硼的缺点，提出以机械活化、自蔓延合成、密闭强化浸出和酸液热解循环的新工艺路线制取碳化硼纳米粉，具有工艺流程短、无中间工序、成本低、产品性能好的优点，因此更易实现连续化，是最具发展潜力的碳化硼纳米粉制备工艺之一，符合降低原材料成本、节约能源的国民经济发展战略，这一技术的工业化经济效益和社会效益都十分可观。
发明内容
针对现有技术制备碳化硼的缺点，本发明提供一种原位燃烧合成制备B4C纳米粉体的方法，通过机械活化、自蔓延合成、密闭强化浸出和喷雾热分解获得高纯碳化硼纳米粉产品。该方法是一种高纯度、高活性、纳米B4C粉体的制备方法。本制备方法原料成本低，能耗低，操作简单，对工艺条件和仪器设备要求低，为工业化生产奠定了基础。采用高能球磨活化，改善传统镁热还原法原料利用率低，产物纯度低、反应进程和产品形貌难以控制的情况；采用自蔓延制粉技术，所得的产品具有纯度高，粒度分布可控，粉末活性高等优点。
本发明的一种原位燃烧合成制备B4C纳米粉体的方法，按以下步骤进行：
步骤1：机械活化
将氧化硼和镁粉按摩尔比混合，放入高能球磨机中进行机械活化处理，得到含硼的前驱体混合物；
其中，按摩尔比，B2O3：Mg＝1：(2～4)；
步骤2：自蔓延合成
将含硼的前驱体混合物和碳纳米粉按摩尔比混合均匀，放入模具中，在10～60MPa压制成块状坯料，置于自蔓延反应炉中引发进行自蔓延反应，得到反应物料，反应物料冷却后，得到纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物；
其中，按摩尔比，B2O3：Mg：C＝1：(2～4)：(0.5～0.6)；
步骤3：密闭强化浸出
将纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物浸入稀盐酸中，置于密闭的反应釜中强化浸出，除杂，过滤，得到浸出液和滤渣，将浸出液采用喷雾热分解技术回收酸液循环利用，将滤渣洗涤，真空干燥，制得B4C纳米粉；
步骤4：喷雾热分解
将浸出液进行雾化，喷吹到高温热解炉中，进行热解，得到纳米级氧化镁和热解尾气；其中，热解尾气中的氯化氢经吸收后形成盐酸，返回密封强化浸出过程循环使用；在高温热解炉中的热解温度为200～700℃，热解时间为0.5～60min。
所述的步骤1中，所述的高能球磨机的工艺参数为：料球质量比为1：(5～30)，球磨转速为150～450rpm，球磨时间为15～150min。
所述的步骤2中，所述的反应物料冷却的方式为水冷或随炉冷却。
所述的步骤2中，所述的自蔓延反应的引发方式为局部点火法或整体加热法；其中，局部点火法是指在自蔓延反应炉中用电热丝加热反应块状坯料局部，引发自蔓延反应；整体加热法是指在自蔓延反应炉中将块状坯料整体升温，直至自蔓延反应发生为止，温度控制在500～800℃。
所述的步骤3中，所述的稀盐酸的摩尔浓度为1～12mol/L。
所述的步骤3中，所述的将纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物浸入稀盐酸中，盐酸与纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物的加入量，根据反应化学方程式的摩尔比，加入盐酸的量比理论量多10～40％，反应所依据的化学方程式为MgO+2H+＝Mg2++H2O。
所述的步骤3中，所述的强化浸出的工艺参数为：浸出温度为20～80℃，浸出时间为60～360min。
所述的步骤3中，所述的将滤渣洗涤，真空干燥的具体操作步骤为：将去除浸出液的滤渣用水洗涤至洗液为中性，然后在真空烘箱中在真空条件下烘干，烘干温度为50～120℃，时间至少为4h。
所述的步骤3中，所述的B4C纳米粉，其纯度≥99.5wt％，Mg杂质含量≤0.5wt％，粒度≤300nm。
所述的步骤4中，所述的浸出液进行雾化喷吹的方式为：在0.13～0.6MPa的压力下，通过雾化喷嘴将浸出液进行雾化喷吹到高温热解炉中。
所述的步骤4中，所述的浸出液中氯化镁的质量浓度为50～300g/L。
所述的步骤4中，所述的纳米级氧化镁的粒度为80～400nm。
所述的步骤4中，所述的氯化氢经吸收后形成的盐酸的摩尔浓度为1～8mol/L。
本发明的一种原位燃烧合成制备B4C纳米粉体的方法，相比于现有技术，其原理和有益效果在于：
1.通过高能球磨处理使氧化硼和镁粉粉末经受反复的变形、冷焊、破碎，从而达到元素间原子水平合金化的水平；在球磨初期，物料被反复地挤压变形，经过破碎、焊合、再挤压，形成层状的复合颗粒，复合颗粒在球磨机械力的不断作用下，产生新生原子面，层状结构不断细化；在球磨过程中，层状结构的形成，层片间距的减小缩短了固态原子间的扩散路径，使元素间合金化过程加速，粉末晶粒度明显变小；同时球磨过程中大量的碰撞现象发生在球-粉末球之间，被捕获的粉末在碰撞作用下发生严重的塑性变形，使粉末受到两个碰撞球的“微型”锻造作用；球磨产生的高密度缺陷和纳米界面会在后续的自蔓延反应过程中大大促进了自蔓延反应的进行，保证了反应的转化率和产物收率；同时经过高能球磨处理后获得的高活性态的反应物料具有更高的自蔓延反应速度和温度梯度，因此保证了反应产物的纳米晶尺寸和颗粒发育程度。
本发明的B2O3和Mg首先进行机械活化预处理，可以得到B2O3与Mg高度细化并且充分弥散结合的高活性的前驱体；将该前驱体与纳米碳粉颗粒均匀混合在一起进行自蔓延反应时，前驱体会自身首先发生强烈的放热反应生成超细的高活性B单质；由于超高的放热量会立即引发新生成的B与纳米颗粒状的C进行化合反应，生成纳米颗粒状的B4C产物。
高能球磨处理，得到含硼的活性前驱体，保证了反应的进行程度，提高了反应物的转化率；同时采用自蔓延反应模式，充分利用了反应自身的反应热，降低了能耗；操作简单，对工艺条件要求低，所得的B4C粉末具有纯度高，粒度小，粉末活性高等优点。
2.本发明的浸出过程在密闭高压釜进行，保证了B4C产品的纯度和浸出效率；自蔓延反应过程中生成的MgO杂质疏松，产物易于破碎，MgO杂质反应活性高，MgO杂质包裹在B4C表面，利于盐酸的浸出。由于酸浸过程是在密闭高压釜中进行，浸出液湍动程度得到极大提高，其中扩散传质过程亦得到极大强化，从而保证了MgO的彻底去除，保证了B4C产品的高纯度。在浸出过程中为保证MgO完全去除，需将盐酸过量，同时为保证洗涤效果，在洗涤过程中采用动态循环洗涤，即洗涤过程中洗涤槽中洗液保持恒定水位，有多少洗液排出就有多少新鲜水补充，洗涤至中性。
3.本发明的有益效果在于采用喷雾热分解的方式处理氯化镁溶液，反应效率高，可获得纳米级氧化镁产品，提高了产品附加值，同时生产过程产生的酸和水通过热分解过程可实现循环利用，实现了全流程无废清洁生产。
4.上述的自蔓延反应通方程式如下：2B2O3+6Mg+C＝B4C+6MgO+△H，其中△H代表自蔓延反应发生过程反应释放的反应热；
上述方法中浸出过程反应如下：MgO+2HCl＝MgCl2+H2O；
上述方法中热分解过程的反应如下：MgCl2+H2O＝MgO+2HCl。
5.本发明的自蔓延反应可以采用局部点火法引发，具有反应操作简便，节能的优点。
6.本工艺高效、节能、流程短、对设备要求低，是清洁高效安全的生产工艺，易于工业推广。该方法同样可以用来制备SiC以及TiC、VC、WC、TaC等过渡金属碳化物陶瓷粉体。
附图说明
图1为采用本发明的方法生产B4C纳米粉体的工艺流程图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的详细说明。
以下实施例中采用的氧化硼、镁粉、碳粉、盐酸均为工业级产品。氧化硼、镁粉、碳粉的粒度均小于0.5mm。
以下实施例中采用的自蔓延反应炉为专利“ZL200510047308.2”公开的自蔓延反应炉，该反应炉由反应容器、加热器、窥视镜、变压器、函数记录仪、热电偶、通气阀门构成。
以下实施例中高能球磨处理采用的行星式高能球磨机的型号是Pulveristte4，球磨转速为100～450rpm。
以下实施例中自蔓延反应的时间为5～90s。
以下实施例中烘干时间为至少4h。
以下实施例中采用的喷雾热解装置为专利“CN 103771344 A”公开的金属氯化物溶液射流喷吹快速热解装置。该装置包括射流热解***、旋风分离***、尾气吸收***。
实施例1
一种原位燃烧合成制备B4C纳米粉体的方法，其工艺流程图见图1，具体按以下步骤进行：
步骤1：机械活化
将氧化硼和镁粉按摩尔比混合，放入高能球磨机中进行机械活化处理，得到含硼的前驱体混合物；其中，按摩尔比，B2O3：Mg＝1：3；高能球磨机的工艺参数为：料球质量比为1：10，球磨转速为300rpm，球磨时间为30min。
步骤2：自蔓延合成
将含硼的前驱体混合物和碳纳米粉按摩尔比混合均匀，放入模具中，在10MPa压制成块状坯料，置于自蔓延反应炉中采用局部点火法的方式引发进行自蔓延反应，温度控制在500℃，得到反应物料，反应物料随炉冷却后，得到纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物；
其中，按摩尔比，B2O3：Mg：C＝1：3：0.5；
步骤3：密闭强化浸出
将纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物浸入摩尔浓度为5mol/L稀盐酸中，置于密闭的反应釜中，在80℃强化浸出120min，除杂，过滤，得到浸出液和滤渣，将浸出液采用喷雾热分解技术回收酸液循环利用，将滤渣用水洗涤至洗液为中性，然后在真空烘箱中在真空条件下烘干，烘干温度为50℃，时间为24h，制得B4C纳米粉，其中，B4C纳米粉纯度为99.7wt％，Mg杂质含量为0.3wt％，粒度为125nm。
其中，将纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物浸入稀盐酸中，盐酸与纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物的加入量，根据反应化学方程式的摩尔比，加入盐酸的量比理论量多10％，反应所依据的化学方程式为MgO+2H+＝Mg2++H2O。
其中，浸出液中氯化镁的质量浓度为260g/L。
步骤4：喷雾热分解
在0.2MPa的压力下，通过雾化喷嘴将浸出液进行雾化喷吹到高温热解炉中，进行热解，得到粒度为80nm的纳米级氧化镁和热解尾气；其中，热解尾气中的氯化氢经吸收后形成摩尔浓度为6mol/L的盐酸，返回密封强化浸出过程循环使用；在高温热解炉中的热解温度为400℃，热解时间为10min。
实施例2
一种原位燃烧合成制备B4C纳米粉体的方法，按以下步骤进行：
步骤1：机械活化
将氧化硼和镁粉按摩尔比混合，放入高能球磨机中进行机械活化处理，得到含硼的前驱体混合物；其中，按摩尔比，B2O3：Mg＝1：2.5；高能球磨机的工艺参数为：料球质量比为1：15，球磨转速为200rpm，球磨时间为60min。
步骤2：自蔓延合成
将含硼的前驱体混合物和碳纳米粉按摩尔比混合均匀，放入模具中，在20MPa压制成块状坯料，置于自蔓延反应炉中采用局部点火法的方式引发进行自蔓延反应，温度控制在800℃，得到反应物料，反应物料随炉冷却后，得到纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物；
其中，按摩尔比，B2O3：Mg：C＝1：2.5：0.5；
步骤3：密闭强化浸出
将纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物浸入摩尔浓度为8mol/L稀盐酸中，置于密闭的反应釜中，在80℃强化浸出100min，除杂，过滤，得到浸出液和滤渣，将浸出液采用喷雾热分解技术回收酸液循环利用，将滤渣用水洗涤至洗液为中性，然后在真空烘箱中在真空条件下烘干，烘干温度为50℃，时间为24h，制得B4C纳米粉，其中，B4C纳米粉纯度为99.5wt％，Mg杂质含量为0.5wt％，粒度为85nm。
其中，将纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物浸入稀盐酸中，盐酸与纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物的加入量，根据反应化学方程式的摩尔比，加入盐酸的量比理论量多20％，反应所依据的化学方程式为MgO+2H+＝Mg2++H2O。
其中，浸出液中氯化镁的质量浓度为50g/L。
步骤4：喷雾热分解
在0.3MPa的压力下，通过雾化喷嘴将浸出液进行雾化喷吹到高温热解炉中，进行热解，得到粒度为120nm的纳米级氧化镁和热解尾气；其中，热解尾气中的氯化氢经吸收后形成摩尔浓度为3mol/L的盐酸，返回密封强化浸出过程循环使用；在高温热解炉中的热解温度为500℃，热解时间为20min。
实施例3
一种原位燃烧合成制备B4C纳米粉体的方法，按以下步骤进行：
步骤1：机械活化
将氧化硼和镁粉按摩尔比混合，放入高能球磨机中进行机械活化处理，得到含硼的前驱体混合物；其中，按摩尔比，B2O3：Mg＝1：3；高能球磨机的工艺参数为：料球质量比为1：20，球磨转速为400rpm，球磨时间为100min。
步骤2：自蔓延合成
将含硼的前驱体混合物和碳纳米粉按摩尔比混合均匀，放入模具中，在40MPa压制成块状坯料，置于自蔓延反应炉中采用局部点火法的方式引发进行自蔓延反应，温度控制在800℃，得到反应物料，反应物料随炉冷却后，得到纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物；
其中，按摩尔比，B2O3：Mg：C＝1：3：0.6；
步骤3：密闭强化浸出
将纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物浸入摩尔浓度为10mol/L稀盐酸中，置于密闭的反应釜中，在60℃强化浸出120min，除杂，过滤，得到浸出液和滤渣，将浸出液采用喷雾热分解技术回收酸液循环利用，将滤渣用水洗涤至洗液为中性，然后在真空烘箱中在真空条件下烘干，烘干温度为120℃，时间为4h，制得B4C纳米粉，其中，B4C纳米粉纯度为99.6wt％，Mg杂质含量为0.4wt％，粒度为107nm。
其中，将纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物浸入稀盐酸中，盐酸与纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物的加入量，根据反应化学方程式的摩尔比，加入盐酸的量比理论量多30％，反应所依据的化学方程式为MgO+2H+＝Mg2++H2O。
其中，浸出液中氯化镁的质量浓度为300g/L。
步骤4：喷雾热分解
在0.4MPa的压力下，通过雾化喷嘴将浸出液进行雾化喷吹到高温热解炉中，进行热解，得到粒度为400nm的纳米级氧化镁和热解尾气；其中，热解尾气中的氯化氢经吸收后形成摩尔浓度为3mol/L的盐酸，返回密封强化浸出过程循环使用；在高温热解炉中的热解温度为300℃，热解时间为15min。
实施例4
一种原位燃烧合成制备B4C纳米粉体的方法，按以下步骤进行：
步骤1：机械活化
将氧化硼和镁粉按摩尔比混合，放入高能球磨机中进行机械活化处理，得到含硼的前驱体混合物；其中，按摩尔比，B2O3：Mg＝1：2.7；高能球磨机的工艺参数为：料球质量比为1：8，球磨转速为250rpm，球磨时间为40min。
步骤2：自蔓延合成
将含硼的前驱体混合物和碳纳米粉按摩尔比混合均匀，放入模具中，在40MPa压制成块状坯料，置于自蔓延反应炉中采用局部点火法的方式引发进行自蔓延反应，温度控制在600℃，得到反应物料，反应物料随炉冷却后，得到纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物；
其中，按摩尔比，B2O3：Mg：C＝1：2.7：0.5；
步骤3：密闭强化浸出
将纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物浸入摩尔浓度为2mol/L稀盐酸中，置于密闭的反应釜中，在50℃强化浸出180min，除杂，过滤，得到浸出液和滤渣，将浸出液采用喷雾热分解技术回收酸液循环利用，将滤渣用水洗涤至洗液为中性，然后在真空烘箱中在真空条件下烘干，烘干温度为120℃，时间为4h，制得B4C纳米粉，其中，B4C纳米粉纯度为99.5wt％，Mg杂质含量为0.5wt％，粒度为72nm。
其中，将纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物浸入稀盐酸中，盐酸与纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物的加入量，根据反应化学方程式的摩尔比，加入盐酸的量比理论量多40％，反应所依据的化学方程式为MgO+2H+＝Mg2++H2O。
其中，浸出液中氯化镁的质量浓度为160g/L。
步骤4：喷雾热分解
在0.2MPa的压力下，通过雾化喷嘴将浸出液进行雾化喷吹到高温热解炉中，进行热解，得到粒度为400nm的纳米级氧化镁和热解尾气；其中，热解尾气中的氯化氢经吸收后形成摩尔浓度为6mol/L的盐酸，返回密封强化浸出过程循环使用；在高温热解炉中的热解温度为600℃，热解时间为30min。
实施例5
一种原位燃烧合成制备B4C纳米粉体的方法，按以下步骤进行：
步骤1：机械活化
将氧化硼和镁粉按摩尔比混合，放入高能球磨机中进行机械活化处理，得到含硼的前驱体混合物；其中，按摩尔比，B2O3：Mg＝1：4；高能球磨机的工艺参数为：料球质量比为1：30，球磨转速为200rpm，球磨时间为30min。
步骤2：自蔓延合成
将含硼的前驱体混合物和碳纳米粉按摩尔比混合均匀，放入模具中，在30MPa压制成块状坯料，置于自蔓延反应炉中采用整体加热法的方式引发进行自蔓延反应，温度控制在600℃，得到反应物料，反应物料采用冷水冷却后，得到纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物；
其中，按摩尔比，B2O3：Mg：C＝1：4：0.6；
步骤3：密闭强化浸出
将纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物浸入摩尔浓度为10mol/L稀盐酸中，置于密闭的反应釜中，在40℃强化浸出120min，除杂，过滤，得到浸出液和滤渣，将浸出液采用喷雾热分解技术回收酸液循环利用，将滤渣用水洗涤至洗液为中性，然后在真空烘箱中在真空条件下烘干，烘干温度为120℃，时间为4h，制得B4C纳米粉，其中，B4C纳米粉纯度为99.6wt％，Mg杂质含量为0.4wt％，粒度为87nm。
其中，将纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物浸入稀盐酸中，盐酸与纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物的加入量，根据反应化学方程式的摩尔比，加入盐酸的量比理论量多40％，反应所依据的化学方程式为MgO+2H+＝Mg2++H2O。
其中，浸出液中氯化镁的质量浓度为255g/L。
步骤4：喷雾热分解
在0.5MPa的压力下，通过雾化喷嘴将浸出液进行雾化喷吹到高温热解炉中，进行热解，得到粒度为320nm的纳米级氧化镁和热解尾气；其中，热解尾气中的氯化氢经吸收后形成摩尔浓度为5mol/L的盐酸，返回密封强化浸出过程循环使用；在高温热解炉中的热解温度为600℃，热解时间为15min。
实施例6
一种原位燃烧合成制备B4C纳米粉体的方法，按以下步骤进行：
步骤1：机械活化
将氧化硼和镁粉按摩尔比混合，放入高能球磨机中进行机械活化处理，得到含硼的前驱体混合物；其中，按摩尔比，B2O3：Mg＝1：4；高能球磨机的工艺参数为：料球质量比为1：30，球磨转速为450rpm，球磨时间为15min。
步骤2：自蔓延合成
将含硼的前驱体混合物和碳纳米粉按摩尔比混合均匀，放入模具中，在50MPa压制成块状坯料，置于自蔓延反应炉中采用整体加热法的方式引发进行自蔓延反应，温度控制在600℃，得到反应物料，反应物料自然冷却后，得到纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物；
其中，按摩尔比，B2O3：Mg：C＝1：2：0.5；
步骤3：密闭强化浸出
将纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物浸入摩尔浓度为1mol/L稀盐酸中，置于密闭的反应釜中，在20℃强化浸出360min，除杂，过滤，得到浸出液和滤渣，将浸出液采用喷雾热分解技术回收酸液循环利用，将滤渣用水洗涤至洗液为中性，然后在真空烘箱中在真空条件下烘干，烘干温度为50℃，时间为12h，制得B4C纳米粉，其中，B4C纳米粉纯度为99.6wt％，Mg杂质含量为0.4wt％，粒度为87nm。
其中，将纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物浸入稀盐酸中，盐酸与纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物的加入量，根据反应化学方程式的摩尔比，加入盐酸的量比理论量多10％，反应所依据的化学方程式为MgO+2H+＝Mg2++H2O。
其中，浸出液中氯化镁的质量浓度为300g/L。
步骤4：喷雾热分解
在0.13MPa的压力下，通过雾化喷嘴将浸出液进行雾化喷吹到高温热解炉中，进行热解，得到粒度为400nm的纳米级氧化镁和热解尾气；其中，热解尾气中的氯化氢经吸收后形成摩尔浓度为1mol/L的盐酸，返回密封强化浸出过程循环使用；在高温热解炉中的热解温度为700℃，热解时间为0.5min。
实施例7
一种原位燃烧合成制备B4C纳米粉体的方法，按以下步骤进行：
步骤1：机械活化
将氧化硼和镁粉按摩尔比混合，放入高能球磨机中进行机械活化处理，得到含硼的前驱体混合物；其中，按摩尔比，B2O3：Mg＝1：2；高能球磨机的工艺参数为：料球质量比为1：5，球磨转速为150rpm，球磨时间为150min。
步骤2：自蔓延合成
将含硼的前驱体混合物和碳纳米粉按摩尔比混合均匀，放入模具中，在60MPa压制成块状坯料，置于自蔓延反应炉中采用整体加热法的方式引发进行自蔓延反应，温度控制在600℃，得到反应物料，反应物料采用冷水冷却后，得到纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物；
其中，按摩尔比，B2O3：Mg：C＝1：4：0.6；
步骤3：密闭强化浸出
将纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物浸入摩尔浓度为12mol/L稀盐酸中，置于密闭的反应釜中，在80℃强化浸出60min，除杂，过滤，得到浸出液和滤渣，将浸出液采用喷雾热分解技术回收酸液循环利用，将滤渣用水洗涤至洗液为中性，然后在真空烘箱中在真空条件下烘干，烘干温度为120℃，时间为4h，制得B4C纳米粉，其中，B4C纳米粉纯度为99.6wt％，Mg杂质含量为0.4wt％，粒度为87nm。
其中，将纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物浸入稀盐酸中，盐酸与纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物的加入量，根据反应化学方程式的摩尔比，加入盐酸的量比理论量多40％，反应所依据的化学方程式为MgO+2H+＝Mg2++H2O。
其中，浸出液中氯化镁的质量浓度为50g/L。
步骤4：喷雾热分解
在0.6MPa的压力下，通过雾化喷嘴将浸出液进行雾化喷吹到高温热解炉中，进行热解，得到粒度为80nm的纳米级氧化镁和热解尾气；其中，热解尾气中的氯化氢经吸收后形成摩尔浓度为8mol/L的盐酸，返回密封强化浸出过程循环使用；在高温热解炉中的热解温度为200℃，热解时间为60min。

Claims (10)

1.一种原位燃烧合成制备B4C纳米粉体的方法，其特征在于，按以下步骤进行：
步骤1：机械活化
将氧化硼和镁粉按摩尔比混合，放入高能球磨机中进行机械活化处理，得到含硼的前驱体混合物；
其中，按摩尔比，B2O3：Mg＝1：(2～4)；
步骤2：自蔓延合成
将含硼的前驱体混合物和碳纳米粉按摩尔比混合均匀，放入模具中，在10～60MPa压制成块状坯料，置于自蔓延反应炉中引发进行自蔓延反应，得到反应物料，反应物料冷却后，得到纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物；
其中，按摩尔比，B2O3：Mg：C＝1：(2～4)：(0.5～0.6)；
步骤3：密闭强化浸出
将纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物浸入稀盐酸中，置于密闭的反应釜中强化浸出，除杂，过滤，得到浸出液和滤渣，将浸出液采用喷雾热分解技术回收酸液循环利用，将滤渣洗涤，真空干燥，制得B4C纳米粉；
步骤4：喷雾热分解
将浸出液进行雾化，喷吹到高温热解炉中，进行热解，得到纳米级氧化镁和热解尾气；其中，热解尾气中的氯化氢经吸收后形成盐酸，返回密封强化浸出过程循环使用；在高温热解炉中的热解温度为200～700℃，热解时间为0.5～60min。
2.如权利要求1所述的原位燃烧合成制备B4C纳米粉体的方法，其特征在于，所述的步骤1中，所述的高能球磨机的工艺参数为：料球质量比为1：(5～30)，球磨转速为150～450rpm，球磨时间为15～150min。
3.如权利要求1所述的原位燃烧合成制备B4C纳米粉体的方法，其特征在于，所述的步骤2中，所述的反应物料冷却的方式为水冷或随炉冷却；
所述的步骤2中，所述的自蔓延反应的引发方式为局部点火法或整体加热法；其中，局部点火法是指在自蔓延反应炉中用电热丝加热反应块状坯料局部，引发自蔓延反应；整体加热法是指在自蔓延反应炉中将块状坯料整体升温，直至自蔓延反应发生为止，温度控制在500～800℃。
4.如权利要求1所述的原位燃烧合成制备B4C纳米粉体的方法，其特征在于，所述的步骤3中，所述的稀盐酸的摩尔浓度为1～12mol/L。
5.如权利要求1所述的原位燃烧合成制备B4C纳米粉体的方法，其特征在于，所述的步骤3中，所述的将纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物浸入稀盐酸中，盐酸与纳米B4C粉体产物弥散分布在MgO基体中的燃烧产物的加入量，根据反应化学方程式的摩尔比，加入盐酸的量比理论量多10～40％，反应所依据的化学方程式为MgO+2H+＝Mg2++H2O；
所述的步骤3中，所述的强化浸出的工艺参数为：浸出温度为20～80℃，浸出时间为60～360min。
6.如权利要求1所述的原位燃烧合成制备B4C纳米粉体的方法，其特征在于，所述的步骤3中，所述的将滤渣洗涤，真空干燥的具体操作步骤为：将去除浸出液的滤渣用水洗涤至洗液为中性，然后在真空烘箱中在真空条件下烘干，烘干温度为50～120℃，时间至少为4h。
7.如权利要求1所述的原位燃烧合成制备B4C纳米粉体的方法，其特征在于，所述的步骤3中，所述的B4C纳米粉，其纯度≥99.5wt％，Mg杂质含量≤0.5wt％，粒度≤300nm。
8.如权利要求1所述的原位燃烧合成制备B4C纳米粉体的方法，其特征在于，所述的步骤4中，所述的浸出液进行雾化喷吹的方式为：在0.13～0.6MPa的压力下，通过雾化喷嘴将浸出液进行雾化喷吹到高温热解炉中；
所述的步骤4中，所述的浸出液中氯化镁的质量浓度为50～300g/L。
9.如权利要求1所述的原位燃烧合成制备B4C纳米粉体的方法，其特征在于，所述的步骤4中，所述的纳米级氧化镁的粒度为80～400nm。
10.如权利要求1所述的原位燃烧合成制备B4C纳米粉体的方法，其特征在于，所述的步骤4中，所述的氯化氢经吸收后形成的盐酸的摩尔浓度为1～8mol/L。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111377449A (zh) * 2018-12-28 2020-07-07 内蒙古元瓷新材料科技有限公司 一种碳化硼纳米颗粒的制备方法
CN112573520A (zh) * 2020-12-29 2021-03-30 黑龙江冠瓷科技有限公司 一种碳化硼纳米粒子的制备方法
CN114873596A (zh) * 2022-04-29 2022-08-09 淄博晟钛复合材料科技有限公司 稀释自蔓延法制备碳化硼粉体的方法
CN114940498A (zh) * 2022-05-20 2022-08-26 西安建筑科技大学 一种超细b4c粉末、制备方法及用于制备微波吸收剂的应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1408639A (zh) * 2002-09-23 2003-04-09 中国科学院长春应用化学研究所 碳化硼粉末的制备方法
CN103466648A (zh) * 2013-08-28 2013-12-25 东北大学 一种自蔓延冶金法制备超细粉体的清洁生产方法
US20140377160A1 (en) * 2013-05-31 2014-12-25 University Of Notre Dame Du Lac Combustion synthesis of graphene and carbonous nanomaterials
CN106082230A (zh) * 2016-06-20 2016-11-09 北京光科博冶科技有限责任公司 一种亚微米级碳化硼粉体及其制备方法和用途

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1408639A (zh) * 2002-09-23 2003-04-09 中国科学院长春应用化学研究所 碳化硼粉末的制备方法
US20140377160A1 (en) * 2013-05-31 2014-12-25 University Of Notre Dame Du Lac Combustion synthesis of graphene and carbonous nanomaterials
CN103466648A (zh) * 2013-08-28 2013-12-25 东北大学 一种自蔓延冶金法制备超细粉体的清洁生产方法
CN106082230A (zh) * 2016-06-20 2016-11-09 北京光科博冶科技有限责任公司 一种亚微米级碳化硼粉体及其制备方法和用途

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111377449A (zh) * 2018-12-28 2020-07-07 内蒙古元瓷新材料科技有限公司 一种碳化硼纳米颗粒的制备方法
CN112573520A (zh) * 2020-12-29 2021-03-30 黑龙江冠瓷科技有限公司 一种碳化硼纳米粒子的制备方法
CN112573520B (zh) * 2020-12-29 2021-09-07 黑龙江冠瓷科技有限公司 一种碳化硼纳米粒子的制备方法
CN114873596A (zh) * 2022-04-29 2022-08-09 淄博晟钛复合材料科技有限公司 稀释自蔓延法制备碳化硼粉体的方法
CN114940498A (zh) * 2022-05-20 2022-08-26 西安建筑科技大学 一种超细b4c粉末、制备方法及用于制备微波吸收剂的应用

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