CN106876535B - 一种图像模板优化提速方法 - Google Patents
一种图像模板优化提速方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106876535B CN106876535B CN201710082970.4A CN201710082970A CN106876535B CN 106876535 B CN106876535 B CN 106876535B CN 201710082970 A CN201710082970 A CN 201710082970A CN 106876535 B CN106876535 B CN 106876535B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- template
- electrode
- face image
- cutting road
- face
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000005457 optimization Methods 0.000 title description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 42
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 claims description 4
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 claims 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 claims 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 claims 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 abstract 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000009172 bursting Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
本发明提供了一种图像模板优化提速方法,其包括以下步骤:选取大族隐形切割机台,建立2种芯片参数档,2种参数档的区别为第二面图像模板不同;参数档A为4电极2切割道模板,按原建立模板方法建立第二面图像模板;参数档B为2电极1切割道模板,按新模板建立方法,建立第二面图像模板;划片作业时,划片机台作业完芯片第一面,旋转至第二面,采用2电极1切割道模板法,快速准确的定位第二面图像,有效的缩短了划片作业时间。本发明采用激光切割机台2电极1切割道模板法,减少了模板匹配时间,增加匹配成功率。
Description
技术领域
本发明涉及到LED芯片技术领域,特别是一种图像模板优化提速方法。
背景技术
LED芯片的制造工艺流程:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试→分选→外观测试→打标入库。
外延片的生产制作过程是非常复杂的,在展完外延片后,下一步就开始对LED外延片做电极(P极,N极),接着就开始用激光机切割LED外延片(以前切割LED外延片主要用钻石刀),制造成芯片后。
1、主要对电压、波长、亮度进行测试,能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步的操作,如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片,就放在一边另外处理。
2、晶圆切割成芯片后,100%的目检(VI/VC),操作者要使用放大30倍数的显微镜下进行目测。
3、接着使用全自动分类机根据不同的电压,波长,亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分类。
4、最后对LED芯片进行检查(VC)和贴标签。芯片区域要在蓝膜的中心,蓝膜上最多有5000粒芯片,但必须保证每张蓝膜上芯片的数量不得少于1000粒,芯片类型、批号、数量和光电测量统计数据记录在标签上,附在蜡光纸的背面。蓝膜上的芯片将做最后的目检测试与第一次目检标准相同,确保芯片排列整齐和质量合格。这样就制成LED芯片(目前市场上统称方片)。
存在着下述缺陷:大族隐形切割机台图像模板是比对切割道附近,框住电极的矩形图像,根据图像中电极和电极外的图像灰阶来比对图型。但由于现在尺寸越来越大,电极离切割道相交中心越来越远;第一面切割完后,切割道上会有很大炸裂开来的裂纹,在比对第二面时,该区域会出现无法比对的情况。以上两种情况均会浪费很多时间不断寻找可以匹配的图像,甚至找了很长时间,仍没找到,最后报警,浪费时间,降低了产能。
大族隐形切割机台作业方式为,先进行图像模板比对,调整晶圆水平,并按切割道定位,进行第一面划片;旋转90°,进行第二面图像模板比对,调整晶圆水平,并按切割道定位,进行第二面划片。在第二面图像模板比对时,切割道炸痕不一,严重影响图像模板比对效率。为了提升第二面图像模板比对效率,在制作第二面图像模板时,避开第一面切割道炸裂影响。特此,将4电极2切割道模板,更改为2电极1切割道模板。成功避开第一面划裂切割道炸痕影响。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供了一种图像模板优化提速方法,其包括以下步骤:
选取隐形切割机台,建立两种芯片参数档,分别为参数档A与参数档B,两种参数档的区别为第二面图像模板不同;
其中参数档A为4电极2切割道模板,按所述4电极2切割道模板建立第二面图像模板;参数档B为2电极1切割道模板,按所述2电极1切割道模板建立第二面图像模板;
划片作业时,划片机台作业完芯片第一面,旋转至第二面,但由于部分切割道炸得很开,选用所述2电极1切割道模板建立第二面图像模板,避免由于第一面的裂纹过大造成的图像匹配失败;最终,通过第二面图像模板完成第二面图像的定位,划片机根据第二面图像模板完成划片。
本发明具有以下有益效果:
1.划片第二面作业速度慢的一种原因——炸痕宽导致图像模板无法匹配,并建立参数档B避开炸痕因素的干扰,成功快速匹配第二面模板工作;
2.B明显提升第二面划片速度,增加图形匹配成功率,同时,减少匹配不成功后,多次重新匹配,甚至报警待手动匹配的时间,有效的缩短作业时间。某芯片单片作业时间由原7分29秒降至至5分10秒(即449s→310s,提升33.84%);
3.目前已使用半年,暂未发现异常;
4.该方法还可有效缩减大族隐形切割机台作业中大型尺寸第一二面模板匹配时间。由于图像模板面积大,模板匹配时,CCD接收的图像无法次次包含图像模板,需要多次重新找模板;而建立电极模板时,图像较小,完整存在于CCD图像中的概率远高于原模板。
当然,实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了本发明提供了一种图像模板优化提速方法,一种图像模板优化提速方法,其包括以下步骤:
选取隐形切割机台,建立两种芯片参数档,分别为参数档A与参数档B,两种参数档的区别为第二面图像模板不同;
其中参数档A为4电极2切割道模板,按所述4电极2切割道模板建立第二面图像模板;参数档B为2电极1切割道模板,按所述2电极1切割道模板建立第二面图像模板;
划片作业时,划片机台作业完芯片第一面,旋转至第二面,但由于部分切割道炸得很开,选用所述2电极1切割道模板建立第二面图像模板,避免由于第一面的裂纹过大造成的图像匹配失败;最终,通过第二面图像模板完成第二面图像的定位,划片机根据第二面图像模板完成划片。
本发明具有以下有益效果:
1.划片第二面作业速度慢的一种原因——炸痕宽导致图像模板无法匹配,并建立参数档B避开炸痕因素的干扰,成功快速匹配第二面模板工作;
2.B明显提升第二面划片速度,增加图形匹配成功率,同时,减少匹配不成功后,多次重新匹配,甚至报警待手动匹配的时间,有效的缩短作业时间。某芯片单片作业时间由原7分29秒降至至5分10秒(即449s→310s,提升33.84%);
3.目前已使用半年,暂未发现异常;
4.该方法还可有效缩减大族隐形切割机台作业中大型尺寸第一二面模板匹配时间。由于图像模板面积大,模板匹配时,CCD接收的图像无法次次包含图像模板,需要多次重新找模板;而建立电极模板时,图像较小,完整存在于CCD图像中的概率远高于原模板。
以上公开的本发明优选实施例只是用于帮助阐述本发明。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节,也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然,根据本说明书的内容,可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例,是为了更好地解释本发明的原理和实际应用,从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
Claims (1)
1.一种图像模板优化提速方法,其特征在于,包括以下步骤:
选取隐形切割机台,建立两种芯片参数档,分别为参数档A与参数档B,两种参数档的区别为第二面图像模板不同;
其中参数档A为4电极2切割道模板,按所述4电极2切割道模板建立第二面图像模板;参数档B为2电极1切割道模板,按所述2电极1切割道模板建立第二面图像模板;
划片作业时,划片机台作业完芯片第一面,旋转至第二面,但由于部分切割道炸得很开,选用所述2电极1切割道模板建立第二面图像模板,避免由于第一面的裂纹过大造成的图像匹配失败;最终,通过第二面图像模板完成第二面图像的定位,划片机根据第二面图像模板完成划片。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710082970.4A CN106876535B (zh) | 2017-02-16 | 2017-02-16 | 一种图像模板优化提速方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710082970.4A CN106876535B (zh) | 2017-02-16 | 2017-02-16 | 一种图像模板优化提速方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106876535A CN106876535A (zh) | 2017-06-20 |
CN106876535B true CN106876535B (zh) | 2019-01-22 |
Family
ID=59167364
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710082970.4A Active CN106876535B (zh) | 2017-02-16 | 2017-02-16 | 一种图像模板优化提速方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106876535B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114022440B (zh) * | 2021-11-03 | 2022-07-26 | 江苏京创先进电子科技有限公司 | 一种避免晶圆重复切割的检测方法、检测装置及划片机 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003188193A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-07-04 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
CN104280992A (zh) * | 2013-07-12 | 2015-01-14 | 台达电子工业股份有限公司 | 投影***及适用于该投影***的激光光源模块 |
CN104393135A (zh) * | 2014-11-18 | 2015-03-04 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种led芯片及其制作方法 |
-
2017
- 2017-02-16 CN CN201710082970.4A patent/CN106876535B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003188193A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-07-04 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
CN104280992A (zh) * | 2013-07-12 | 2015-01-14 | 台达电子工业股份有限公司 | 投影***及适用于该投影***的激光光源模块 |
CN104393135A (zh) * | 2014-11-18 | 2015-03-04 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种led芯片及其制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106876535A (zh) | 2017-06-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6017771A (en) | Method and system for yield loss analysis by yield management system | |
Li et al. | Automatic saw-mark detection in multicrystalline solar wafer images | |
CN111681222B (zh) | 一种刀痕崩边自动检测判断方法及其应用的划片机 | |
CN106493094A (zh) | 一种led芯片的检测方法 | |
CN106876535B (zh) | 一种图像模板优化提速方法 | |
CN102737367A (zh) | 基于颜色特征的茶叶图像增强和分割方法 | |
CN108745921A (zh) | 一种金刚石线锯切割单、多晶硅片的分选检验方法 | |
CN107480904B (zh) | 一种化合物半导体致命缺陷分析***和分析方法 | |
CN110083636A (zh) | 面板缺陷的检测***及检测方法 | |
CN111883424A (zh) | 一种硅片晶圆划片工艺 | |
CN110010513B (zh) | 薄膜沉积层缺陷扫描程式的建立方法及扫描机台 | |
CN107144577B (zh) | 一种硅切片穿孔判定的方法 | |
CN102074454B (zh) | 刻蚀工艺的监控方法和监控*** | |
CN103926256A (zh) | 一种cmp划痕自动检测*** | |
CN206210758U (zh) | 一种侦测电镀洗边异常的装置 | |
CN109359703A (zh) | 一种基于决策树的瓷砖等级分类方法 | |
US20220139744A1 (en) | Wafer defect analysis method and system, device and medium | |
CN109991232A (zh) | 芯片崩边缺陷检测方法 | |
CN105979707B (zh) | 一种线路层无铜区域识别方法及*** | |
CN108931529A (zh) | 一种连续生产卷状材料的良率预估方法 | |
CN103237414B (zh) | 一种按键线路板生产方法 | |
CN103871939B (zh) | 用于生产蓝宝石图形衬底的分选方法 | |
CN116230576B (zh) | 快速建立暗场缺陷扫描检测体系的方法 | |
CN107306406B (zh) | 邻区自动优化方法及装置 | |
KR100472776B1 (ko) | 반도체 장치의 웨이퍼 결함 검사 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |