CN106773355B - 用于显示面板的像素结构与主动元件阵列基板 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用于显示面板的像素结构，包含第一基板、与第一基板相对设置的第二基板、设置于两者之间的显示介质与间隔物、以及设置于第一基板的开关元件、绝缘层与像素电极。绝缘层覆盖开关元件且包含开口，以对应开关元件的漏极。像素电极设置于绝缘层上且延伸至开口，以电性连接漏极，其中像素电极覆盖开口的侧壁的第一部分且未覆盖开口的侧壁的第二部分。绝缘层邻近第二基板的表面包含与间隔物对应的区域，侧壁的第二部分位于此区域与侧壁的第一部分之间。

Description

用于显示面板的像素结构与主动元件阵列基板

技术领域

本发明是关于一种用于显示面板的像素结构与主动元件阵列基板。

背景技术

液晶显示面板由于具有轻薄短小与节能等优点，因此已被广泛地应用于各式电子产品，如智慧手机、笔记型电脑、平板电脑与电视等。一般而言，液晶显示面板主要包括第一基板例如阵列基板、第二基板例如对向基板以及液晶层设置于第一基板与第二基板之间。此外，液晶显示面板还包括间隔物，其设置在第一基板与第二基板之间，用于保持阵列基板与对向基板贴合时的均匀平坦度，并提供液晶分布的固定液晶间隙。

然而，为了达到较细致的显示画面，显示面板所需解析度越来越高，第一基板上像素电极的配置面积比例越来越高，间隔物于垂直第一基板方向上会和像素电极重叠。在外力冲击下，间隔物可能会与第一基板上的配向膜摩擦，而使被配向膜覆盖的像素电极部分地剥离，进而造成微亮点。有鉴于此，如何设计一种可避免像素电极因间隔物摩擦而剥离的像素结构，以消除现有技术中的上述缺陷和不足，是业内相关技术人员极待解决的一项课题。

发明内容

本发明的多个实施方式中，在应用间隔物的显示面板中，通过整合间隔物与像素结构内部通孔(例如绝缘层的第一开口)的设计，可以在不牺牲额外空间的情况下，使间隔物与第一像素电极分隔，避免两者因摩擦而产生微亮点。此外，可以设计像素结构内部通孔与间隔物的投影关系，使第一像素电极尽可能地布设于较大的范围且同时维持间隔物的支持作用。

根据本发明的部分实施方式，一种用于显示面板的像素结构包含第一基板、第二基板、显示介质、第一开关元件、绝缘层、第一像素电极以及间隔物。第二基板与第一基板相对设置。显示介质设置于第一基板与第二基板之间。第一开关元件设置于第一基板，其中第一开关元件包含栅极、源极以及漏极。绝缘层覆盖第一开关元件，其中绝缘层具有一第一开口，以对应第一开关元件的漏极。第一像素电极设置于绝缘层上且延伸至第一开口内，以电性连接漏极，其中第一像素电极覆盖第一开口的侧壁的第一部分且未覆盖第一开口的侧壁的第二部分。间隔物设置于第一基板与第二基板之间，其中绝缘层邻近第二基板的表面包含与间隔物相对应的区域，侧壁的第二部分位于该区域与侧壁的第一部分之间。

于本发明的部分实施方式中，侧壁的第一部分连接于第一开口的底部，且侧壁的第一部分位于侧壁的第二部分与第一开口的底部之间。

于本发明的部分实施方式中，侧壁的第二部分与绝缘层的表面的区域相连。

于本发明的部分实施方式中，间隔物具有邻近该第二基板的一顶面以及邻近第一基板的底面，第一开口的侧壁的第二部分于第二基板的投影与间隔物的底面于第二基板的投影至少部分重叠，其中间隔物的顶面的面积大于间隔物的底面的面积。

于本发明的部分实施方式中，绝缘层包含垫块，邻近表面的区域，使得表面的区域较绝缘层的其他区域突出。

于本发明的部分实施方式中，侧壁的第一部分的高度为侧壁的高度的大约90％至大约95％。

于本发明的部分实施方式中，间隔物邻近第一基板的底面于方向的长度大于10微米。

于本发明的部分实施方式中，第一基板包含像素区域，以供第一开关元件以及第一像素电极设置，其中像素区域于方向的宽度为小于30微米。

于本发明的部分实施方式中，第一开口的底部于第二基板的投影与间隔物的顶面于第二基板的投影至少部分重叠。

于本发明的部分实施方式中，像素结构更包含第二开关元件以及第二像素电极。第二开关元件设置于第一基板，其中第二开关元件包含栅极、源极以及漏极，其中绝缘层包含第二开口，以露出第二开关元件的漏极。第二像素电极设置于绝缘层上且延伸至第二开口内，以电性连接第二开关元件的漏极，其中第二像素电极覆盖第二开口的侧壁的第一部分且未覆盖第二开口的侧壁的第二部分，其中第二开口的侧壁的第二部分位于该区域与第二开口的侧壁的第一部分之间。

于本发明的部分实施方式中，像素结构更包含数据线，电性连接第一开关元件的源极，其中第一开口的侧壁与第二开口的侧壁分别设置于数据线的相对两侧。

于本发明的部分实施方式中，数据线于第二基板的投影与间隔物于第二基板的投影部分重叠。

于本发明的部分实施方式中，绝缘层包含平坦层与介电层，介电层设置于平坦层上。

根据本发明的部分实施方式，一种主动元件阵列基板包含基板、至少一数据线与至少一扫描线、至少一开关元件、绝缘层以及至少一第一像素电极设置于该基板上。数据线与扫描线交错以定义至少一像素区域。开关元件设置于基板的像素区域上，其中开关元件包含栅极、源极以及漏极。绝缘层覆盖开关元件，其中绝缘层包含至少一开口，以对应开关元件的漏极。像素电极设置于绝缘层的表面上且位于像素区域内，其中像素电极延伸至开口内，以电性连接漏极，其中像素电极覆盖开口的侧壁的第一部分且未覆盖开口的侧壁的第二部分，其中侧壁的第一部分邻近于开口的底部且远离绝缘层的表面，且侧壁的第二部分邻近于绝缘层的表面且远离开口的底部。

于本发明的部分实施方式中，侧壁的第一部分的高度为侧壁的高度的大约90％至大约95％。

于本发明的部分实施方式中，绝缘层包含平坦层与介电层，介电层设置于平坦层上，第二部分由平坦层的部分侧壁与介电层的一侧壁共同形成。

于本发明的部分实施方式中，绝缘层包含平坦层与介电层，介电层设置于平坦层上，为该介电层的一侧壁。

附图说明

图1A为根据本发明的一实施方式的像素结构的上视示意图。

图1B为沿图1A的线1B-1B的剖面示意图。

图1C为图1B的像素结构的局部放大图。

图2为根据本发明的另一实施方式的像素结构的剖面示意图。

图3A为根据本发明的再一实施方式的像素结构的上视示意图。

图3B为沿图3A的线3B-3B的剖面示意图。

图3C为图3B的像素结构的局部放大图。

图4为根据本发明的另一实施方式的像素结构的剖面示意图。

其中，附图标记：

100：像素结构 172：顶面

110：第一基板 174：底面

120：第二基板 180：第二开关元件

130：显示介质 184：源极

140：第一开关元件 186：漏极

144：源极 190：第二像素电极

146：漏极 P1：第一部分

150：绝缘层 P2：第二部分

151：第一开口 D1：方向

151a：侧壁 PA：像素区域

151b：底部 DL：数据线

153：表面 BM：黑色矩阵

153a：区域 SE：半导体层

154：第二开口 HA：高度

154a：侧壁 H1：高度

156：平坦层 H2：高度

157：介电层 1B-1B：线

158：垫块 3B-3B：线

160：第一像素电极 L1：长度

170：间隔物 GI：栅极介电层

具体实施方式

以下将以图式揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些现有惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式为之。

图1A为根据本发明的一实施方式的像素结构100的上视示意图。图1B为沿图1A的线1B-1B的剖面示意图。同时参照图1A与图1B。本发明的部分实施方式提供一种用于显示面板的像素结构100，包含第一基板110、第二基板120、显示介质130、第一开关元件140、绝缘层150、第一像素电极160以及间隔物170。第一基板110与第二基板120相对设置。显示介质130与间隔物170设置于第一基板110与第二基板120之间。第一开关元件140设置于第一基板110。绝缘层150覆盖第一开关元件140且具有第一开口151，以露出第一开关元件140的漏极146。第一像素电极160设置于绝缘层150上且延伸至第一开口151内，以电性连接漏极146。绝缘层150面向第二基板120的表面153具有与间隔物170对应的区域153a，第一开口151具有邻近区域153a的侧壁151a，其包含第一部分P1与第二部分P2，第二部分P2将区域153a与侧壁151a的第一部分P1分隔开来，其中第一像素电极160仅覆盖侧壁151a的第一部分P1且未覆盖侧壁151a的第二部分P2，此外，在第一像素电极160和未被第一像素电极160覆盖的绝缘层150上，可能更具一配向膜(未绘示)。

图1C为图1B的像素结构的局部放大图。同时参考图1B与图1C。于本发明的部分实施方式中，可以设计使第一像素电极160覆盖侧壁151a的大约90％至大约95％，即侧壁151a的第一部分P1的高度H1约占侧壁151a的总高度HA的大约90％至大约95％。换句话说，侧壁151a未被第一像素电极160覆盖的第二部分P2的高度H2为侧壁151a的总高度HA的大约5％至大约10％。在此高度范围内，可以使第一像素电极160尽可能地布设于较大的范围。

于此，为了便于说明，本文全文叙述中以是否受到第一像素电极160覆盖为界，将侧壁151a分为第一部分P1与第二部分P2，其中第一部分P1连接于第一开口151的底部151b，且第二部分P2与第一开口151的底部151b分离。更具体而言，侧壁151a的第一部分P1邻近于第一开口151的底部151b且远离绝缘层150的表面153，且侧壁151a的第二部分P2邻近于绝缘层150的表面153且远离第一开口151的底部151b。以下详细介绍本发明的多个实施方式中的像素结构100的详细元件。

再回到图1A与图1B，于本发明的多个实施方式中，第一基板110可以是主动元件阵列基板。第一基板110上设有前述绝缘层150、第一像素电极160以及其他用于控制电位的元件，例如数据线DL、扫描线GL以及前述的第一开关元件140，其中多条数据线DL与多条扫描线GL彼此交错排列定义出多个像素区域PA。举例而言，第一开关元件140包含栅极(未绘示)、源极144以及漏极146，其中栅极(未绘示)电性连接扫描线GL，源极144电性连接数据线DL，漏极146电性连接第一像素电极160。如此一来，扫描线GL可控制第一开关元件140使数据线DL与第一像素电极160导通。

于本发明的部分实施方式中，绝缘层150的表面153的区域153a与间隔物170接触，此表面153与间隔物170的接触范围即为区域153a。本发明的部分实施方式中，侧壁151a的第二部分P2与绝缘层150的表面153的区域153a相连。当然不应以此限制本发明的范围，于其他实施方式中，间隔物170的尺寸可能较小，而使侧壁151a的第二部分P2与绝缘层150的表面153的区域153a不相连。

于本发明的部分实施方式中，间隔物170用以支撑第一基板110与第二基板120的间隔，以加强结构对抗外在压力。间隔物170于靠近第二基板120侧的顶面172的面积大于间隔物170的于靠近第一基板110侧的底面174的面积。间隔物170是预先设置于第二基板120，再通过与第一基板110贴合而设置于第一基板110与第二基板120之间。间隔物170用以保持第一基板110与第二基板120之间具有均匀的厚度。

于本发明的部分实施方式中，为了使第一像素电极160的面积尽可能地大，可尽可能地缩减第一开口151与间隔物170的中心的距离。举例而言，第一开口151的侧壁151a的第二部分P2于第二基板120的投影与间隔物170的顶面172于第二基板120的投影可至少部分重叠。更甚者，于部分实施方式中，第一开口151的底部151b于第二基板120的投影与间隔物170的顶面172于第二基板120的投影可至少部分重叠。于部分实施方式中，第一开口151的侧壁151a的第二部分P2于第二基板120的投影与间隔物170的底面174于第二基板120的投影可至少部分重叠。于此，应了解到，图1A的上视示意图中所绘的间隔物170是实质上为图1B中间隔物170的顶面172。

此外，于部分实施方式中，为了维持间隔物170的支持作用，可以设计第一开口151的侧壁151a与底部151b于第一基板110的投影不与间隔物170的中心于第一基板110的投影重叠。如此一来，可以确保间隔物170的中心能够受到绝缘层150的支持，而仍能支持第一基板110与第二基板120的分隔。

通过上述设置，可以在不须额外光罩或制程的情况下，使间隔物170所接触的区域153a与第一像素电极160之间有一缓冲区(例如第二部分P2)，避免第一像素电极160因摩擦而产生微亮点。

于本发明的部分实施方式中，像素结构100更包含第二开关元件180以及第二像素电极190，设置于另一像素区域PA。第二开关元件180设置于第一基板110，其中第二开关元件180包含栅极(未绘示)、源极184以及漏极186，绝缘层150包含第二开口154，以露出第二开关元件180的漏极186。第二像素电极190设置于绝缘层150上且延伸至第二开口154，以电性连接漏极186，其中第二开口154具有邻近区域153a的侧壁154a，其包含第一部分P1与第二部分P2，第二部分P2将区域153a与第二开口154的侧壁154a的第一部分P1分隔开来，其中第二像素电极190仅覆盖侧壁154a的第一部分P1且未覆盖侧壁154a的第二部分P2。第二开关元件180以及第二像素电极190的配置大致上如同第一开关元件140以及第一像素电极160的配置，在此不再赘述。

于本发明的部分实施方式中，数据线DL的一电性连接第一开关元件140，其中此数据线DL于第一基板110的投影与绝缘层150的表面153的区域153a于第一基板110的投影部分重叠。于此，第一开口151的侧壁151a与第二开口154的侧壁154a分别设置于间隔物170的相对两侧下方，亦即分别位于此数据线DL的相对两侧，以使第一像素电极160与第二像素电极190分别与区域153a相隔有缓冲区(例如第二部分P2)。

于此，第一像素电极160与第二像素电极190可分别覆盖侧壁151a与侧壁154a的大约90％至大约95％。当然不应以此限制本发明的范围，于其他实施方式中，亦可以仅设置第一像素电极160覆盖侧壁151a的大约90％至大约95％，第二像素电极190可覆盖侧壁154a的0％至90％或95％至100％。换句话说，于部分实施方式中，第一像素电极160覆盖侧壁151a的大约90％至大约95％，第一像素电极160可在避免产生微亮点的同时尽可能地布设于较大的范围，第二像素电极190覆盖侧壁154a的0％至90％，第二像素电极190虽避免产生微亮点但却仅布设于较小的范围。或者，于其他实施方式中，第一像素电极160覆盖侧壁151a的大约90％至大约95％，第一像素电极160可在避免产生微亮点的同时尽可能地布设于较大的范围，第二像素电极190覆盖侧壁154a的90％至100％，第二像素电极190可避免产生微亮点。

参考图1B，于本发明的多个实施方式中，第二基板120可以是彩色滤光基板。亦即，第二基板120上可设有彩色滤光片(未绘示)与黑色矩阵BM，其中黑色矩阵BM覆盖多个数据线DL、扫描线GL以及多个开关元件，彩色滤光片(未绘示)分别设置于各个像素区域PA中。间隔物170设置于相邻多个像素区域PA之间，以避免降低显示面板的开口率。举例而言，图1A绘示四个像素区域PA。间隔物170设计在相邻的四个像素区域PA之间。

于此，为方便说明起见，图1A中并未绘出黑色矩阵BM，实际设置上，黑色矩阵BM大致遮蔽第一开口151、第二开口154、第一开关元件140、第二开关元件180、间隔物170、扫描线GL以及数据线DL，以降低上述元件造成光线反射或散射等而影响视觉效果。

于本发明的部分实施方式中，第一基板110与第二基板120其中至少一者的材料可包含玻璃、石英、聚合物材料(例如：聚亚酰胺(Polyimide；PI)、苯并环丁烯(benzocyclobutene；BCB)、聚碳酸酯(Polycarbonate；PC)、或其它合适的材料)、或其它合适的材料、或前述至少二种的组合。

显示介质130的材料包含自发光材料(例如：有机发光材料、无机发光材料、或其它合适的材料、或前述的组合)或非自发光材料(例如：液晶、电泳、电湿润、或其它合适的材料、或前述的组合)。显示介质130可以依外在电场而改变其光学特性，例如穿透率或相位，而造成使用者可以观察到亮暗变化、甚至有色彩之分的图案。

于本发明的部分实施方式中，数据线DL、漏极146、漏极186是由同一层体经图案化所形成，该层体可以是各种导电性良好的材料，例如金属、合金、导电胶或其它合适的材料，或前述至少二种的组合。

于本发明的部分实施方式中，第一像素电极160与第二像素电极190可以由各种导电性与透明性良好的材料所组成，例如氧化铟锡(indium tin oxide；ITO)、氧化铟锌(indium zinc oxide；IZO)以及氧化铟锌(Zinc oxide；ZnO)等。或者，第一像素电极160与第二像素电极190可由反射率与导电性良好的材料组成，例如银、铜、铝等。

于本发明的部分实施方式中，绝缘层150可为单层或多层结构，其材料包含(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其它合适的材料)、有机材料(例如：光阻、聚亚酰胺(polyimide；PI)、苯并环丁烯(benzocyclobutene；BCB)、或其它合适的材料)、或其它合适的材料。其他的绝缘层层体亦可以包含其他开口，藉以帮助第一像素电极160与漏极146的电性连接以及第二像素电极190与漏极186的电性连接。

于本发明的部分实施方式中，第一开关元件140与第二开关元件180可以是各种半导体元件，例如晶体管、二极管或其它合适的元件，且半导体元件的材料包含多晶硅、单晶硅、微晶硅、非晶硅、有机半导体材料、金属氧化物半导体材料、或其它合适的材料、或前述至少二种的组合。举例而言，图1B中，第一开关元件140与第二开关元件180分别包含半导体层SE。于此，第一开关元件140与第二开关元件180是为顶栅极半导体元件，即扫描线GL位于半导体层SE的上方而作为栅极使用。当然不应以此为限，于其他实施方式中，第一开关元件140与第二开关元件180可以是底栅极半导体元件，即扫描线GL位于半导体层SE的下方。于本发明的部分实施方式中，第一基板110上还设有多个绝缘层体，例如位于半导体层SE与栅极之间的栅极介电层GI，以协助第一开关元件140与第二开关元件180的设置。应了解到，第一开关元件140与第二开关元件180可以该领域各种常见的方法设置，不应以图中所绘而限制本发明的范围。

虽然以上本发明的多个实施方式以主动元件阵列基板与彩色滤光基板陈述，但不应以此限制本发明的范围。于其他实施方式中，可以设置第一基板110为阵列上彩色滤光片(Chip On Array；COA)基板，第二基板120为一般透明基板，亦可以采用。

对于高阶解析度或有较高耐压需求的显示面板，因为空间有限或间隔物170尺寸较大，而使第一像素电极160若与间隔物170距离过近，可能使间隔物170接触第一像素电极160上的配向膜(未绘示)，在外力碰撞摩擦下，可能会造成第一像素电极160部份脱落，而产生微亮点。据此，于本发明的部分实施方式的像素结构100适用于高阶解析度的显示面板或具有较高耐压需求的显示面板，以解决上述微亮点的问题。具体而言，像素区域PA于方向D1的宽度可小于大约30微米，以达到高阶解析度的显示面板。或者，于本发明的多个实施方式中，间隔物170的底面174于方向D1的长度L1大于10微米。

虽然在此并未详细以图示说明，但应了解到，本发明的部份实施方式揭露一种主动元件阵列基板，其上包含多个像素结构100。主动元件阵列基板包含第一基板110、至少一数据线DL与至少一扫描线GL、第一开关元件140、绝缘层150以及至少一第一像素电极160。数据线DL与扫描线GL交错以定义至少一像素区域PA。第一开关元件140设置于基板110的像素区域PA上，其中第一开关元件140包含栅极(未绘示)、源极144以及漏极146。绝缘层150覆盖开关元件140，其中绝缘层150包含第一开口151，以对应第一开关元件140的漏极146。第一像素电极160设置于绝缘层150的表面153上且位于像素区域内PA，其中第一像素电极160延伸至第一开口151中，以电性连接漏极146，且第一像素电极160覆盖第一开口151的底部151b与至少一侧壁，第一像素电极160覆盖第一开口151的侧壁151a的第一部分P1且未覆盖151的侧壁151a的第二部分P2，其中侧壁151a的第一部分P1邻近于第一开口151的底部151b且远离绝缘层150的表面153，且侧壁151a的第二部分P2邻近于绝缘层150的表面153且远离第一开口151a的底部151b。主动元件阵列基板的其他细节大致上如前所述，在此不再赘述。

应了解到，实际应用上，本发明的多个实施方式的应用并不限于前述的高阶解析度的显示面板或具有较高耐压需求的显示面板，任何有需要同时配置间隔物与像素电极的显示面板皆可采用本发明的实施方式。

图2为根据本发明的另一实施方式的像素结构100的剖面示意图。本实施方式与前述图1B的实施方式相似，差别在于：本实施方式中，绝缘层150为复合层体结构，包含平坦层156与介电层157。介电层157设置于平坦层156上。于此，平坦层156用以克服因第一开关元件140的设置而不平整的表面(在此并未绘示)，因此，平坦层156设计上较介电层157为厚。

于此，于侧壁151a上的第一像素电极160仅覆盖部分的平坦层156的侧壁，而露出另一部分的平坦层156与完整的介电层157的侧壁，使得侧壁151a的第一部分P1由平坦层156所形成，侧壁151a的第二部分P2皆由平坦层156与介电层157所共同形成。于其他实施方式中，侧壁151a的第二部分P2可以仅由介电层157所形成，亦即第一像素电极160可完全覆盖的平坦层156，甚至部分覆盖介电层157。

介电层157与平坦层156的材料包含(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其它合适的材料)、有机材料(例如：光阻、聚亚酰胺(polyimide；PI)、苯并环丁烯(benzocyclobutene；BCB)、或其它合适的材料)、或其它合适的材料。本实施方式的其他细节大致上如前所述，在此不再赘述。

图3A为根据本发明的再一实施方式的像素结构100的上视示意图。图3B为沿图3A的线3B-3B的剖面示意图。图3C为图3B的像素结构的局部放大图。本实施方式与前述图1A至图1C的实施方式相似，差别在于：本实施方式中，绝缘层150包含平坦层156、介电层157以及垫块158。介电层157设置于平坦层156上，垫块158则设置于介电层157上。

介电层157设置于平坦层156上，平坦层156用以克服因第一开关元件140的设置而不平整的表面(在此并未绘示)，因此，平坦层156设计上较介电层157为厚。垫块158邻近表面153的区域153a，例如位于区域153a上，垫块158可至少使区域153a较表面153的其他区域更为突出(举例而言，区域153a的高度大于表面153的其他区域的高度)，以便于间隔物170接触垫块158。

于此，虽然垫块158几乎完全覆盖间隔物170下的介电层157，事实上，垫块158也可以露出部分的介电层157。于部分实施方式中，介电层157可以覆盖垫块158，即垫块158设置于平坦层156与介电层157之间，而仍能使相对应间隔物170的区域153a较其他区域更为突出。

于此，第一开口151的侧壁151a的第二部分P2由平坦层156、介电层157以及垫块158的侧壁共同形成，亦即位于侧壁151a上的第一像素电极160仅覆盖部分的平坦层156的侧壁，而未覆盖另一部分的平坦层156、介电层157以及垫块158。于其他实施方式中，侧壁151a的第二部分P2可以仅由介电层157以及垫块158的侧壁或仅为垫块158的侧壁所形成，亦即第一像素电极160可完全覆盖的平坦层156的侧壁或平坦层156与介电层157两者的侧壁。本实施方式的其他细节大致上如前所述，在此不再赘述。

图4为根据本发明的另一实施方式的像素结构100的剖面示意图。本实施方式与前述图3B的实施方式相似介电层157构成绝缘层150的表面153，差别在于：本实施方式中，介电层157还构成第一开口151的侧壁151a。

具体而言，介电层157延伸覆盖平坦层156的开口，而使第一部分P1与第二部分P2皆由介电层157形成。介电层157覆盖第一开口151但不覆盖第一开口151的底部151b，第一像素电极160通过该开口而连接漏极146。介电层157将第一像素电极160与平坦层156分隔，而使第一像素电极160不与平坦层156接触。本实施方式的其他细节大致上如前所述，在此不再赘述。

本发明的多个实施方式中，在应用间隔物的显示面板中，通过整合间隔物与像素结构内部通孔(例如绝缘层的第一开口)的设计，可以在不牺牲额外空间以及不需要额外制程的情况下，使间隔物与第一像素电极分隔，避免两者因摩擦而产生微亮点。此外，可以设计像素结构内部通孔与间隔物的投影关系，使第一像素电极尽可能地布设于较大的范围且同时维持间隔物的支持作用。

虽然本发明已以多种实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。

Claims (11)

1.一种用于显示面板的像素结构，其特征在于，包含：

一第一基板；

一第二基板，与该第一基板相对设置；

一显示介质，设置于该第一基板与该第二基板之间；

一第一开关元件，设置于该第一基板，其中该第一开关元件包含一栅极、一源极以及一漏极；

一绝缘层，覆盖该第一开关元件，其中该绝缘层具有一第一开口，以对应该第一开关元件的该漏极；

一第一像素电极，设置于该绝缘层上且延伸至该第一开口内，以电性连接该漏极，其中该第一像素电极覆盖该第一开口的一侧壁的一第一部分且未覆盖该第一开口的该侧壁的一第二部分；以及

一间隔物，设置于该第一基板与该第二基板之间，且设置于相邻多个像素区域之间；

其中该绝缘层邻近该第二基板的一表面包含与该间隔物相对应的一区域，该侧壁的该第二部分位于该区域与该侧壁的该第一部分之间；

该间隔物具有邻近该第二基板的一顶面以及邻近该第一基板的一底面，该第一开口的该侧壁的该第二部分于该第二基板的投影与该间隔物的该底面于该第二基板的投影至少部分重叠，其中该间隔物的该顶面的面积大于该间隔物的该底面的面积。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该侧壁的该第一部分连接于该第一开口的一底部，且该侧壁的该第一部分位于该侧壁的该第二部分与该第一开口的该底部之间。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该侧壁的该第二部分与该绝缘层的该表面的该区域相连。

4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该绝缘层包含：

一垫块，邻近该表面的该区域，使得该表面的该区域较该绝缘层的其他区域突出。

5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该侧壁的该第一部分的高度为该侧壁的高度的90％至95％。

6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该间隔物邻近该第一基板的一底面于一方向的长度大于10微米。

7.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，该第一基板包含一像素区域，以供该第一开关元件以及该第一像素电极设置，其中该像素区域于该方向的宽度为小于30微米。

8.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，更包含：

一第二开关元件，设置于该第一基板，其中该第二开关元件包含一栅极、一源极以及一漏极，其中该绝缘层包含一第二开口，以对应该第二开关元件的该漏极；以及

一第二像素电极，设置于该绝缘层上且延伸至该第二开口内，以电性连接该第二开关元件的该漏极，其中该第二像素电极覆盖该第二开口的一侧壁的一第一部分且未覆盖该第二开口的该侧壁的一第二部分，其中该第二开口的该侧壁的该第二部分位于该区域与该第二开口的该侧壁的该第一部分之间。

9.根据权利要求8所述的像素结构，其特征在于，更包含：

一数据线，电性连接该第一开关元件的该源极，其中该第一开口的该侧壁与该第二开口的该侧壁分别设置于该数据线的相对两侧。

10.根据权利要求9所述的像素结构，其特征在于，该数据线于该第二基板的投影与该间隔物于该第二基板的投影部分重叠。

11.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该绝缘层包含一平坦层与一介电层，该介电层设置于该平坦层上。

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