CN106773241A - 液晶面板及液晶显示器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种液晶面板，其包括：阵列基板，包括第一基板以及阵列排布在所述第一基板上的多个薄膜晶体管；彩膜基板，与所述阵列基板对盒设置，所述彩膜基板包括第二基板以及设置于所述第二基板上的黑色矩阵，其中，与所述薄膜晶体管相对的部分黑色矩阵或者全部黑色矩阵延伸抵接在所述阵列基板上。在本发明中，彩膜基板的黑色矩阵全部或者与薄膜晶体管相对的部分延伸凸起，以与阵列基板的绝缘保护层抵接接触，从而使通过衍射和液晶的反射等方式形成的光线不会照射到薄膜晶体管的半导体层上，进而不会引起薄膜晶体管电性曲线漂移。
Description
技术领域
本发明属于液晶显示技术领域，具体地讲，涉及一种液晶面板及液晶显示器。
背景技术
随着光电与半导体技术的演进，也带动了平板显示器(Flat Panel Display)的蓬勃发展，而在诸多平板显示器中，液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)因具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等诸多优越特性，已被应用于生产生活的各个方面。
液晶显示器通常为背光型液晶显示器，其包括相对设置的液晶面板和背光模块。液晶面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板(即对盒的彩膜基板(CF基板)和阵列基板(Array基板))当中放置液晶分子，两片玻璃基板通过向液晶分子通电与否来控制液晶分子改变方向，从而将背光模块的光线折射出来产生影像。
目前CF基板上设置的黑色矩阵(BM)与Array基板上设置的薄膜晶体管相对对应，从而该黑色矩阵能够有效阻挡环境中的光线对薄膜晶体管的有源层进行照射，但是光线通过衍射和液晶的反射等方式依然会照射到薄膜晶体管的有源层上，从而引起薄膜晶体管电性曲线漂移。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种能够避免通过衍射和液晶的反射等方式形成的光线照射到薄膜晶体管的有源层上的液晶面板及液晶显示器。
根据本发明的一方面，提供了一种液晶面板，其包括：阵列基板，包括第一基板以及阵列排布在所述第一基板上的多个薄膜晶体管；彩膜基板，与所述阵列基板对盒设置，所述彩膜基板包括第二基板以及设置于所述第二基板上的黑色矩阵，与所述薄膜晶体管相对的部分黑色矩阵延伸抵接在所述阵列基板上。
根据本发明的另一方面，还提供了一种液晶面板，其包括：阵列基板，包括第一基板以及阵列排布在所述第一基板上的多个薄膜晶体管；彩膜基板，与所述彩膜基板对盒设置，所述彩膜基板包括第二基板以及设置于所述第二基板上的黑色矩阵，所述黑色矩阵延伸抵接在所述阵列基板上。
进一步地，所述彩膜基板还包括：多个彩色光阻块，所述黑色矩阵在所述第二基板上限定出阵列排布的多个像素区域，每个彩色光阻块设置于对应的一个像素区域内。
进一步地，所述薄膜晶体管包括：栅极，设置于所述第一基板上；栅极绝缘层，设置于所述栅极和所述第一基板上；有源层，设置于所述栅极绝缘层上；源极和漏极，设置于所述有源层和所述栅极绝缘层上。
进一步地，所述阵列基板还包括：绝缘保护层，设置在所述有源层、所述源极和所述漏极上，所述绝缘保护层上形成对应于所述漏极上方的过孔；像素电极，设置于所述绝缘保护层上，所述像素电极通过所述过孔接触所述漏极；其中，与所述薄膜晶体管相对的部分黑色矩阵延伸抵接在所述绝缘保护层上或者所述黑色矩阵延伸抵接在所述绝缘保护层上。
根据本发明的又一方面，又提供了一种液晶显示器，其包括上述的液晶面板。
本发明的有益效果：彩膜基板的黑色矩阵全部或者与薄膜晶体管相对的部分延伸凸起，以与阵列基板的绝缘保护层抵接接触，从而使通过衍射和液晶的反射等方式形成的光线不会照射到薄膜晶体管的半导体层上，进而不会引起薄膜晶体管电性曲线漂移。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：
图1是根据本发明的第一实施例的彩膜基板的俯视图；
图2是图1所示的彩膜基板的侧视图；
图3是根据本发明的第一实施例的液晶面板的结构示意图；
图4是根据本发明的第二实施例的彩膜基板的俯视图；
图5是图4所示的彩膜基板的侧视图；
图6是根据本发明的第二实施例的液晶面板的结构示意图。
具体实施方式
以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。
在附图中，为了清楚器件，夸大了层和区域的厚度。将理解的是，在一元件被称为设置于另一元件“之上”或“上”时，它可以直接设置于该另一元件上，或者也可以存在中间元件。
图1是根据本发明的第一实施例的彩膜基板的俯视图。图2是图1所示的彩膜基板的侧视图。
参照图1和图2，根据本发明的第一实施例的彩膜基板100包括：第一基板110、黑色矩阵120、多个彩色光阻块130。应当理解的是，彩膜基板100还可以包括其他合适类型的元件。
第一基板110可例如是透明的玻璃基板或者树脂基板，但本发明并不限制于此。
黑色矩阵120设置在第一基板110之上且限定出多个像素区域PX。这些像素区域PX呈阵列排布。
多个彩色光阻块130设置在第一基板110之上，且每个彩色光阻块130位于其对应的一个第像素区域PX中。在本实施例中，所述彩色光阻块130为红色光阻块或绿色光阻块或蓝色光阻块，但本发明并不限制于此，例如彩色光阻块130可以为任何合适颜色(诸如白色)的光阻块。所述多个彩色光阻块130包括红色光阻块、绿色光阻块和蓝色光阻块。在本实施例中，可以以红色光阻块、绿色光阻块和蓝色光阻块为一光阻块单元阵列排布。
在本实施例中，优选地，黑色矩阵120的部分延伸以凸起，其凸起的高度能够抵接在与彩膜基板100对盒设置的阵列基板上。这里，黑色矩阵120的部分为黑色矩阵120与各个薄膜晶体管相对的部分。具体请参照图3所示。
图3是根据本发明的第一实施例的液晶面板的结构示意图。
参照图3，根据本发明的第一实施例的液晶面板包括彩膜基板100、阵列基板200和液晶300，其中彩膜基板100和阵列基板200对盒设置，液晶300填充在彩膜基板100和阵列基板200之间。
具体地，根据本发明的第一实施例的阵列基板200包括：第二基板210、多个薄膜晶体管220、绝缘保护层230、像素电极240。
第二基板210可例如是透明的玻璃基板或者树脂基板，但本发明并不限制于此。
多个薄膜晶体管220阵列排布在第二基板210上，其中一个薄膜晶体管220对应一个像素区域PX，也就是说一个薄膜晶体管220向在对应像素区域PX内的液晶300提供电压。作为本发明一实施方式，每个薄膜晶体管220包括：形成于第二基板210上的栅极221、形成于栅极221及第二基板210上的栅极绝缘层222、对应于栅极221上方且形成于栅极绝缘层222上的半导体层(或称有源层)223、形成于半导体层223及栅极绝缘层222上的源极224和漏极225，其中源极224和漏极225分别与半导体层223的两端相接触。需要说明的是，本发明中薄膜晶体管的结构并不限制于图3所示的薄膜晶体管220的结构。
在本实施例中，优选地，半导体层223采用非晶硅(a-Si)制成。
绝缘保护层230形成于所述源极224、漏极225、半导体层223以及栅极绝缘层222上。所述绝缘保护层230上对应所述漏极225的上方设有过孔231。
像素电极240形成于绝缘保护层230上，其中像素电极240通过过孔231与所述漏极225相接触。
应当理解的是，本实施例的阵列基板200还可以包括与栅极221同时形成的栅极线、与源极224和漏极225同时形成的数据线以及其他合适类型的元件。
此外，像素电极240采用铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物中的一种或多种制成，但本发明并不限制于此。
彩膜基板100的黑色矩阵120与薄膜晶体管220相对对应设置，也就是说，每个薄膜晶体管220在黑色矩阵120上的投影完全位于黑色矩阵120内。彩膜基板100的黑色矩阵120的与每个薄膜晶体管220相对的部分延伸凸起，以与阵列基板200的绝缘保护层230抵接接触，从而使通过衍射和液晶的反射等方式形成的光线不会照射到薄膜晶体管220的半导体层223上，进而不会引起薄膜晶体管电性曲线漂移。
图4是根据本发明的第二实施例的彩膜基板的俯视图。图5是图4所示的彩膜基板的侧视图。
参照图4和图5，根据本发明的第二实施例的彩膜基板100包括：第一基板110、黑色矩阵120、多个彩色光阻块130。应当理解的是，彩膜基板100还可以包括其他合适类型的元件。
第一基板110可例如是透明的玻璃基板或者树脂基板，但本发明并不限制于此。
黑色矩阵120设置在第一基板110之上且限定出多个像素区域PX。这些像素区域PX呈阵列排布。
多个彩色光阻块130设置在第一基板110之上，且每个彩色光阻块130位于其对应的一个第像素区域PX中。在本实施例中，所述彩色光阻块130为红色光阻块或绿色光阻块或蓝色光阻块，但本发明并不限制于此，例如彩色光阻块130可以为任何合适颜色(诸如白色)的光阻块。所述多个彩色光阻块130包括红色光阻块、绿色光阻块和蓝色光阻块。在本实施例中，可以以红色光阻块、绿色光阻块和蓝色光阻块为一光阻块单元阵列排布。
在本实施例中，优选地，黑色矩阵120延伸凸起，其凸起的高度能够抵接在与彩膜基板100对盒设置的阵列基板上。这里，全部的黑色矩阵120延伸凸起。具体请参照图6所示。
图6是根据本发明的第二实施例的液晶面板的结构示意图。
参照图6，根据本发明的第二实施例的液晶面板包括彩膜基板100、阵列基板200和液晶300，其中彩膜基板100和阵列基板200对盒设置，液晶300填充在彩膜基板100和阵列基板200之间。
具体地，根据本发明的第二实施例的阵列基板200包括：第二基板210、多个薄膜晶体管220、绝缘保护层230、像素电极240。
第二基板210可例如是透明的玻璃基板或者树脂基板，但本发明并不限制于此。
多个薄膜晶体管220阵列排布在第二基板210上，其中一个薄膜晶体管220对应一个像素区域PX，也就是说一个薄膜晶体管220向在对应像素区域PX内的液晶300提供电压。作为本发明一实施方式，每个薄膜晶体管220包括：形成于第二基板210上的栅极221、形成于栅极221及第二基板210上的栅极绝缘层222、对应于栅极221上方且形成于栅极绝缘层222上的半导体层(或称有源层)223、形成于半导体层223及栅极绝缘层222上的源极224和漏极225，其中源极224和漏极225分别与半导体层223的两端相接触。需要说明的是，本发明中薄膜晶体管的结构并不限制于图3所示的薄膜晶体管220的结构。
在本实施例中，优选地，半导体层223采用非晶硅(a-Si)制成。
绝缘保护层230形成于所述源极224、漏极225、半导体层223以及栅极绝缘层222上。所述绝缘保护层230上对应所述漏极225的上方设有过孔231。
像素电极240形成于绝缘保护层230上，其中像素电极240通过过孔231与所述漏极225相接触。
应当理解的是，本实施例的阵列基板200还可以包括与栅极221同时形成的栅极线、与源极224和漏极225同时形成的数据线以及其他合适类型的元件。
此外，像素电极240采用铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物中的一种或多种制成，但本发明并不限制于此。
彩膜基板100的黑色矩阵120与薄膜晶体管220相对对应设置，也就是说，每个薄膜晶体管220在黑色矩阵120上的投影完全位于黑色矩阵120内。彩膜基板100的黑色矩阵120全部延伸凸起，以与阵列基板200的绝缘保护层230抵接接触，从而使通过衍射和液晶的反射等方式形成的光线不会照射到薄膜晶体管220的半导体层223上，进而不会引起薄膜晶体管电性曲线漂移。
虽然已经参照特定实施例示出并描述了本发明，但是本领域的技术人员将理解：在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下，可在此进行形式和细节上的各种变化。
Claims (9)
1.一种液晶面板，其特征在于，包括：
阵列基板，包括第一基板以及阵列排布在所述第一基板上的多个薄膜晶体管；
彩膜基板，与所述阵列基板对盒设置，所述彩膜基板包括第二基板以及设置于所述第二基板上的黑色矩阵，与所述薄膜晶体管相对的部分黑色矩阵延伸抵接在所述阵列基板上。
2.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述彩膜基板还包括：多个彩色光阻块，所述黑色矩阵在所述第二基板上限定出阵列排布的多个像素区域，每个彩色光阻块设置于对应的一个像素区域内。
3.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：
栅极，设置于所述第一基板上；
栅极绝缘层，设置于所述栅极和所述第一基板上；
有源层，设置于所述栅极绝缘层上；
源极和漏极，设置于所述有源层和所述栅极绝缘层上。
4.根据权利要求3所述的液晶面板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
绝缘保护层，设置在所述有源层、所述源极和所述漏极上，所述绝缘保护层上形成对应于所述漏极上方的过孔；
像素电极，设置于所述绝缘保护层上，所述像素电极通过所述过孔接触所述漏极；
其中，与所述薄膜晶体管相对的部分黑色矩阵延伸抵接在所述绝缘保护层上。
5.一种液晶面板，其特征在于，包括：
阵列基板，包括第一基板以及阵列排布在所述第一基板上的多个薄膜晶体管；
彩膜基板，与所述彩膜基板对盒设置，所述彩膜基板包括第二基板以及设置于所述第二基板上的黑色矩阵，所述黑色矩阵延伸抵接在所述阵列基板上。
6.根据权利要求5所述的液晶面板，其特征在于，所述彩膜基板还包括：多个彩色光阻块，所述黑色矩阵在所述第二基板上限定出阵列排布的多个像素区域，每个彩色光阻块设置于对应的一个像素区域内。
7.根据权利要求5所述的液晶面板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：
栅极，设置于所述第一基板上；
栅极绝缘层，设置于所述栅极和所述第一基板上；
有源层，设置于所述栅极绝缘层上；
源极和漏极，设置于所述有源层和所述栅极绝缘层上。
8.根据权利要求7所述的液晶面板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
绝缘保护层，设置在所述有源层、所述源极和所述漏极上，所述绝缘保护层上形成对应于所述漏极上方的过孔；
像素电极，设置于所述绝缘保护层上，所述像素电极通过所述过孔接触所述漏极；
其中，所述黑色矩阵延伸抵接在所述绝缘保护层上。
9.一种液晶显示器，其特征在于，包括权利要求1至8任一项所述的液晶面板。
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| Date | Code | Title | Description |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
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Application publication date: 20170531 |