CN106744642A - 收发平衡的宽频带混合式超声换能器面阵探头及制备方法 - Google Patents

收发平衡的宽频带混合式超声换能器面阵探头及制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106744642A
CN106744642A CN201710009218.7A CN201710009218A CN106744642A CN 106744642 A CN106744642 A CN 106744642A CN 201710009218 A CN201710009218 A CN 201710009218A CN 106744642 A CN106744642 A CN 106744642A
Authority
CN
China
Prior art keywords
oxide layer
layer
separation layer
silicon chip
battle array
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710009218.7A
Other languages
English (en)
Inventor
何常德
薛晨阳
张文栋
张斌珍
贾利成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
North University of China
Original Assignee
North University of China
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by North University of China filed Critical North University of China
Priority to CN201710009218.7A priority Critical patent/CN106744642A/zh
Publication of CN106744642A publication Critical patent/CN106744642A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0018—Structures acting upon the moving or flexible element for transforming energy into mechanical movement or vice versa, i.e. actuators, sensors, generators
    • B81B3/0021—Transducers for transforming electrical into mechanical energy or vice versa
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
    • B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
    • B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
    • B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00134—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems comprising flexible or deformable structures
    • B81C1/00158—Diaphragms, membranes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/52—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S15/00
    • G01S7/521—Constructional features

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
  • Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)

Abstract

本发明公开了一种收发平衡的宽频带混合式超声换能器面阵探头，包括硅衬底（1），所述硅衬底（1）的上表面为氧化层（2），所述氧化层（2）的上表面开设有若干空腔（3），若干空腔（3）成排、列布置，所述氧化层（2）的上表面键合振动薄膜（4），所述振动薄膜（4）的上表面设隔离层（5），围绕隔离层（5）的四周边缘处及其内部开设有下沉的隔离槽（6），所述隔离槽（6）贯穿隔离层（5）和振动薄膜（4）后，其槽底开设于氧化层（2）上；所述隔离层（5）的上表面上正对每个空腔（3）的中心位置处设有上电极（7）。本发明超声探头结构新颖、体积小、频带宽、灵敏度高，噪声低，稳定性好，收发性能平衡。

Description

收发平衡的宽频带混合式超声换能器面阵探头及制备方法
技术领域
本发明涉及MEMS传感器领域中的电容式微机械超声换能器，具体是一种用于测距和成像的电容式微机电超声换能器结构设计及其制备方法，具有收发能力均衡的特点。
背景技术
随着微机电***（MEMS，Micro-electromechanical Systems）和微纳米技术的迅速发展，传感器的制造进入了一个全新的阶段。目前，超声传感器类型主要有压电式，压阻式和电容式三大类。其中，电容式微机械超声换能器（capacitive micro-machinedultrasonic transducer, CMUT）设计、加工灵活，受温度的影响较小，响应宽频带，制作材料与介质阻抗匹配好，易于阵列加工。还可将集成电路加工在传感器的背面，减少电路间的寄生电容影响和干扰信号的引入。待制造工艺流程确定之后，可大幅降低超声传感器的制造成本。
目前，微加工电容超声换能器在接收与发射能力方面只能使得其中一方具有较好的性能。当CMUT用于收发一体***中时，在相同的条件下发射能力较弱。
发明内容
本发明的目的是为了解决上述现有技术中存在的问题，而提出一种收发平衡的新型宽频带混合式超声换能器结构及其制备方法。
本发明是采用如下技术方案实现的：
一种收发平衡的宽频带混合式超声换能器面阵探头，包括硅衬底，所述硅衬底的上表面为氧化层，所述氧化层的上表面开设有若干圆柱形空腔，所述氧化层的上表面键合振动薄膜，所述振动薄膜的上表面设隔离层，围绕隔离层的四周边缘处及其内部开设有下沉的隔离槽，所述隔离槽贯穿隔离层和振动薄膜后，其槽底开设于氧化层上；所述隔离层的上表面上正对每个圆柱形空腔的中心位置处设有上电极。
所述氧化层上的若干圆柱形空腔位于同一隔离区域内后形成一个阵元；一个阵元内，圆柱形空腔分为A、B两种直径。
所述隔离层的上表面位于一个阵元内的边缘处位置设有一个焊盘，一个阵元内每排的两个相邻上电极之间以及每列的两个相邻上电极之间通过金属引线连接，所述焊盘与离其最近的一个上电极之间通过金属引线连接。
或者，所述隔离层的上表面位于一个阵元内的边缘处位置设有两个焊盘，一个阵元内直径A的圆柱形空腔所对应的上电极通过金属引线与其中一个焊盘连接；一个阵元内直径B的圆柱形空腔所对应的上电极通过金属引线与其中另一个焊盘连接。
所述硅衬底背面注入磷，并进行金属溅射形成下电极。
多个阵元成排、列对齐布置，形成CMUT面阵，该面阵排列为M*N，构成超声换能器面阵探头。
工作时，在探头的上下电极上施加直流电压，两极板之间将产生静电力，在静电力的作用下振动薄膜产生形变并被拉向衬底，随着薄膜应变增加薄膜内机械回复力也增加，最终与静电力平衡。此举有利于提高机电转换效率。若此时在上下电极上施加频率为X（X取值在响应范围内）的交变电压信号，交变电压信号的作用打破了薄膜在直流电压下所建立的平衡关系，这样会使薄膜不断振动，发出超声波，实现发射超声波的功能；若有超声波作用在薄膜上，同样会使薄膜失去平衡上下运动，导致上下极板间距发生变化，从而引起电容变化，外部电路可将电容变化引起的电流转换为可测的电压信号，实现了超声波的接收。
上述收发平衡的宽频带混合式超声换能器面阵探头的制备方法，包括如下步骤：
（1）、选择硅片和SOI晶片，进行标准RCA清洗；
（2）、对硅片进行氧化处理，使其上下表面都形成氧化层；
（3）、在硅片上表面的氧化层上进行光刻，刻蚀出直径A的空腔；
（4）、再次在光刻后的硅片上表面的氧化层上进行光刻，对部分直径A的空腔进一步刻蚀，形成直径B的空腔；
（5）、对硅片进行标准RCA清洗并进行激活，激活后使硅片上表面的氧化层与SOI晶片进行低温键合；
（6）、键合后用TMAH溶液对SOI晶片的衬底硅进行腐蚀，清洗后再用BOE溶液腐蚀掉硅片下表面上的氧化层和SOI晶片上的氧化层，此时的硅片即为硅衬底、SOI晶片剩余的硅层即为振动薄膜；
（7）、采用LPCVD工艺在振动薄膜上沉积一层二氧化硅层作为隔离层；
（8）、围绕隔离层的四周边缘处及内部刻蚀出形成隔离槽的部分，并用TMAH溶液腐蚀出隔离槽，隔离槽贯穿隔离层和振动薄膜后，其槽底开设于氧化层上；
（9）、在隔离层的上表面通过电子束蒸镀方法溅射金属，并用剥离的方法形成上电极和焊盘；
（10）、通过金属引线连接各上电极及焊盘；
（11）、在硅片的背面注入磷，与硅片形成良好的欧姆接触；
（12）、在硅衬底进行金属溅射形成下电极。
当探头接收时，一个宽频带内的信号到达探头，使其震动从而进行工作。当探头发射时由于腔的半径不一样，从而发出的频率不一样。本发明的创新之处是，在同一阵元中设计不同直径的空腔，以此来增加频率范围，使探头发射和接收的频带增宽，均衡其收发性能。
本发明设计合理，该收发平衡新型微机电超声换能器面阵探头，解决已有电容式微机电超声探头中发射与接收性能不平衡问题，实现换能器收发性能的一致，实现换能器宽频带。
本发明超声探头结构新颖、体积小、频带宽、灵敏度高，噪声低，稳定性好，收发性能平衡。
附图说明
图1-1表示本发明换能器面阵探头中一个阵元的结构示意图，其中，一个阵元中不同腔深对应的上电极用金属引线全部连接在一起。
图1-2表示本发明换能器面阵探头中一个阵元的结构示意图，其中，一个阵元中不同腔深对应的上电极用金属引线分别连接在一起。
图2表示一个阵元的剖视图。
图3表示本发明换能器制备方法中步骤2）的示意图。
图4表示本发明换能器制备方法中步骤3）的示意图。
图5表示本发明换能器制备方法中步骤4）的示意图。
图6表示本发明换能器制备方法中步骤5）的示意图。
图7表示本发明换能器制备方法中步骤6）的示意图。
图8表示本发明换能器制备方法中步骤7）的示意图。
图9表示本发明换能器制备方法中步骤8）的示意图。
图10表示本发明换能器制备方法中步骤9）的示意图。
图11表示本发明换能器制备方法中步骤12）的示意图。
图中：1-硅衬底，2-氧化层，3-圆柱形空腔，4-振动薄膜，5-隔离层，6-上电极，7-焊盘，8-隔离槽，9-金属引线，10-下电极。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施例进行详细说明。
一种收发平衡的宽频带混合式超声换能器面阵探头，由多个阵元成排、列对齐布置，形成CMUT面阵探头，该面阵可排列为M*N，其中M可取值16~512，N可取值16~512。
如图2所示，表示一个阵元（element）剖视图，包括硅衬底1，所述硅衬底1的上表面为氧化层2，所述氧化层2的上表面开设有若干圆柱形空腔3，圆柱形空腔3成排、列布置或对角布置，所述氧化层2的上表面键合振动薄膜4，所述振动薄膜4的上表面设隔离层5，围绕隔离层5的四周边缘处及其内部开设有下沉的隔离槽6（隔离槽用于隔开各阵元），所述隔离槽6贯穿隔离层5和振动薄膜4后，其槽底开设于氧化层2上；所述隔离层5的上表面上正对每个空腔3的中心位置处设有上电极7（形成图形化上电极）；所述氧化层2上的若干空腔3位于同一隔离区域内后形成一个阵元；一个阵元内，空腔3分为A、B两种不同直径。
一个阵元中上电极的连接方式有两种：（a）不同直径腔体的单元上电极用金属引线全部连接在一起；（b）不同直径腔体的单元上电极使用金属引线分别连接在一起。具体如下：
如图1-1所示，所述隔离层5的上表面位于一个阵元内的边缘处位置设有一个焊盘8，一个阵元内每排的两个相邻上电极7之间以及每列的两个相邻上电极7之间通过金属引线9连接，所述焊盘8与离其最近的一个上电极7之间通过金属引线9连接。
如图1-2所示，所述隔离层5的上表面位于一个阵元内的边缘处位置设有两个焊盘8，直径A和直径B的圆柱形空腔呈间隔列排列，一个阵元内直径A的空腔3所对应的上电极7通过金属引线9与其中一个焊盘8连接；一个阵元内直径B的空腔3所对应的上电极7通过金属引线9与其中另一个焊盘8连接。
所述硅衬底1背面注入磷，并进行金属溅射形成一体化下电极10。
本发明中，微小振动单元（cell）的结构设计，将其结构设计为圆柱形，排列更加紧密，在有限的面积下重复单元增多，提高了传感器灵敏度，并通过设计不同半径的腔体宽度来改善换能器频带窄的问题。
上述收发平衡的宽频带混合式超声换能器面阵探头的制备方法，包括如下步骤：
（1）、选择硅片和SOI晶片，进行标准RCA清洗，以去除各种有机物、金尘埃和自然氧化层等；
（2）、对硅片进行氧化处理，使其上下表面都形成氧化层，为后面刻蚀圆柱形空腔作准备；
（3）、在硅片上表面的氧化层上进行光刻，刻蚀出直径A的空腔，光刻包括表面处理、旋转涂胶、前烘、对准和曝光、后烘、显影、刻蚀和去胶等常规步骤；
（4）、再次在光刻后的硅片上表面的氧化层上进行光刻，对部分直径A的空腔进一步刻蚀，形成直径B的空腔；
（5）、对硅片进行标准RCA清洗并进行激活，激活后使硅片上表面的氧化层与SOI晶片进行低温键合；
（6）、键合后用TMAH溶液对SOI晶片的衬底硅进行腐蚀，清洗后再用BOE溶液腐蚀掉硅片下表面上的氧化层和SOI晶片上的氧化层，此时的硅片即为硅衬底、SOI晶片剩余的硅层即为振动薄膜；
（7）、采用LPCVD工艺在振动薄膜上沉积一层二氧化硅层作为隔离层，防止蒸镀金属形成上电极的过程中对振动薄膜的掺杂作用；
（8）、围绕隔离层的四周边缘处及内部刻蚀出形成隔离槽的部分，并用TMAH溶液腐蚀出隔离槽，隔离槽贯穿隔离层和振动薄膜后，其槽底开设于氧化层上；
（9）、在隔离层的上表面通过电子束蒸镀方法溅射金属，并用剥离的方法形成上电极和焊盘；
（10）、通过金属引线连接各上电极及焊盘；
（11）、在硅片的背面注入磷，与硅片形成良好的欧姆接触；
（12）、在硅衬底进行金属溅射形成一体化下电极。
最后所应说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照本发明实施例进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，都不脱离本发明的技术方案的精神和范围，其均应涵盖权利要求保护范围中。

Claims (3)

1.一种收发平衡的宽频带混合式超声换能器面阵探头，其特征在于：包括硅衬底（1），所述硅衬底（1）的上表面为氧化层（2），所述氧化层（2）的上表面开设有若干圆柱形空腔（3），所述氧化层（2）的上表面键合振动薄膜（4），所述振动薄膜（4）的上表面设隔离层（5），围绕隔离层（5）的四周边缘处及其内部开设有下沉的隔离槽（6），所述隔离槽（6）贯穿隔离层（5）和振动薄膜（4）后，其槽底开设于氧化层（2）上；所述隔离层（5）的上表面上正对每个圆柱形空腔（3）的中心位置处设有上电极（7）；
所述氧化层（2）上的若干圆柱形空腔（3）位于同一隔离区域内后形成一个阵元；一个阵元内，圆柱形空腔（3）分为A、B两种直径；
所述隔离层（5）的上表面位于一个阵元内的边缘处位置设有一个焊盘（8），一个阵元内每排的两个相邻上电极（7）之间以及每列的两个相邻上电极（7）之间通过金属引线（9）连接，所述焊盘（8）与离其最近的一个上电极（7）之间通过金属引线（9）连接；
或者，所述隔离层（5）的上表面位于一个阵元内的边缘处位置设有两个焊盘（8），一个阵元内直径A的圆柱形空腔（3）所对应的上电极（7）通过金属引线（9）与其中一个焊盘（8）连接；一个阵元内直径B的圆柱形空腔（3）所对应的上电极（7）通过金属引线（9）与其中另一个焊盘（8）连接；
所述硅衬底（1）背面注入磷，并进行金属溅射形成下电极（10）；
多个阵元成排、列对齐布置，形成CMUT面阵，该面阵排列为M*N，构成超声换能器面阵探头。
2.根据权利要求1所述的收发平衡的宽频带混合式超声换能器面阵探头，其特征在于：所述M取值16~512，所述N取值16~512。
3.一种收发平衡的宽频带混合式超声换能器面阵探头的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
（1）、选择硅片和SOI晶片，进行标准RCA清洗；
（2）、对硅片进行氧化处理，使其上下表面都形成氧化层；
（3）、在硅片上表面的氧化层上进行光刻，刻蚀出直径A的空腔；
（4）、再次在光刻后的硅片上表面的氧化层上进行光刻，对部分直径A的空腔进一步刻蚀，形成直径B的空腔；
（5）、对硅片进行标准RCA清洗并进行激活，激活后使硅片上表面的氧化层与SOI晶片进行低温键合；
（6）、键合后用TMAH溶液对SOI晶片的衬底硅进行腐蚀，清洗后再用BOE溶液腐蚀掉硅片下表面上的氧化层和SOI晶片上的氧化层，此时的硅片即为硅衬底、SOI晶片剩余的硅层即为振动薄膜；
（7）、采用LPCVD工艺在振动薄膜上沉积一层二氧化硅层作为隔离层；
（8）、围绕隔离层的四周边缘处及内部刻蚀出形成隔离槽的部分，并用TMAH溶液腐蚀出隔离槽，隔离槽贯穿隔离层和振动薄膜后，其槽底开设于氧化层上；
（9）、在隔离层的上表面通过电子束蒸镀方法溅射金属，并用剥离的方法形成上电极和焊盘；
（10）、通过金属引线连接各上电极及焊盘；
（11）、在硅片的背面注入磷，与硅片形成良好的欧姆接触；
（12）、在硅衬底进行金属溅射形成下电极。
CN201710009218.7A 2017-01-06 2017-01-06 收发平衡的宽频带混合式超声换能器面阵探头及制备方法 Pending CN106744642A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710009218.7A CN106744642A (zh) 2017-01-06 2017-01-06 收发平衡的宽频带混合式超声换能器面阵探头及制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710009218.7A CN106744642A (zh) 2017-01-06 2017-01-06 收发平衡的宽频带混合式超声换能器面阵探头及制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106744642A true CN106744642A (zh) 2017-05-31

Family

ID=58950104

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710009218.7A Pending CN106744642A (zh) 2017-01-06 2017-01-06 收发平衡的宽频带混合式超声换能器面阵探头及制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106744642A (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108190828A (zh) * 2018-02-07 2018-06-22 北京先通康桥医药科技有限公司 Mems传感器线阵、触诊探头及其制造方法
CN109244232A (zh) * 2018-09-13 2019-01-18 徐景辉 微机电***压电换能器及制作方法
CN110570836A (zh) * 2019-09-24 2019-12-13 中北大学 超声换能器及其制备方法
CN112517361A (zh) * 2020-11-30 2021-03-19 国网山西省电力公司朔州供电公司 一种高灵敏多频段复合式空耦超声换能器及其制备方法
CN113120854A (zh) * 2021-03-03 2021-07-16 复旦大学 一种背衬型高频宽带pmut单元及pmut阵列
CN113751297A (zh) * 2021-09-10 2021-12-07 中北大学 基于硅波导管共晶键合技术的电容式微机械超声换能器及其制备方法
CN114408853A (zh) * 2021-11-30 2022-04-29 西安交通大学 刚柔融合电容式柔性mems超声换能器及其制备方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6262946B1 (en) * 1999-09-29 2001-07-17 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Capacitive micromachined ultrasonic transducer arrays with reduced cross-coupling
US20070059858A1 (en) * 2005-09-14 2007-03-15 Esaote, S.P.A. Microfabricated capacitive ultrasonic transducer for high frequency applications
US20070164631A1 (en) * 2004-06-07 2007-07-19 Olympus Corporation Capacitive micromachined ultrasonic transducer
US20070193354A1 (en) * 2006-02-21 2007-08-23 Nicolas Felix Capacitive micro-machined ultrasonic transducer for element transducer apertures
CN101573861A (zh) * 2005-05-18 2009-11-04 科隆科技公司 微机电换能器
CN102440005A (zh) * 2009-05-25 2012-05-02 株式会社日立医疗器械 超声波换能器及利用该超声波换能器的超声波诊断装置
CN104756521A (zh) * 2012-10-26 2015-07-01 富士胶片戴麦提克斯公司 具有多谐波模式的微机械超声波换能器阵列
CN104907241A (zh) * 2015-06-17 2015-09-16 河南大学 满足多频率需求的宽频带超声换能器复合机构
CN105486399A (zh) * 2015-12-21 2016-04-13 中北大学 用于测距和成像的微电容超声波换能器及其制备方法
CN106132568A (zh) * 2014-03-21 2016-11-16 皇家飞利浦有限公司 Cmut设备及制造方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6262946B1 (en) * 1999-09-29 2001-07-17 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Capacitive micromachined ultrasonic transducer arrays with reduced cross-coupling
US20070164631A1 (en) * 2004-06-07 2007-07-19 Olympus Corporation Capacitive micromachined ultrasonic transducer
CN101573861A (zh) * 2005-05-18 2009-11-04 科隆科技公司 微机电换能器
US20070059858A1 (en) * 2005-09-14 2007-03-15 Esaote, S.P.A. Microfabricated capacitive ultrasonic transducer for high frequency applications
US20070193354A1 (en) * 2006-02-21 2007-08-23 Nicolas Felix Capacitive micro-machined ultrasonic transducer for element transducer apertures
CN102440005A (zh) * 2009-05-25 2012-05-02 株式会社日立医疗器械 超声波换能器及利用该超声波换能器的超声波诊断装置
CN104756521A (zh) * 2012-10-26 2015-07-01 富士胶片戴麦提克斯公司 具有多谐波模式的微机械超声波换能器阵列
CN106132568A (zh) * 2014-03-21 2016-11-16 皇家飞利浦有限公司 Cmut设备及制造方法
CN104907241A (zh) * 2015-06-17 2015-09-16 河南大学 满足多频率需求的宽频带超声换能器复合机构
CN105486399A (zh) * 2015-12-21 2016-04-13 中北大学 用于测距和成像的微电容超声波换能器及其制备方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108190828A (zh) * 2018-02-07 2018-06-22 北京先通康桥医药科技有限公司 Mems传感器线阵、触诊探头及其制造方法
CN109244232A (zh) * 2018-09-13 2019-01-18 徐景辉 微机电***压电换能器及制作方法
CN110570836A (zh) * 2019-09-24 2019-12-13 中北大学 超声换能器及其制备方法
CN110570836B (zh) * 2019-09-24 2021-11-19 中北大学 超声换能器及其制备方法
CN112517361A (zh) * 2020-11-30 2021-03-19 国网山西省电力公司朔州供电公司 一种高灵敏多频段复合式空耦超声换能器及其制备方法
CN112517361B (zh) * 2020-11-30 2022-06-03 国网山西省电力公司朔州供电公司 一种高灵敏多频段复合式空耦超声换能器及其制备方法
CN113120854A (zh) * 2021-03-03 2021-07-16 复旦大学 一种背衬型高频宽带pmut单元及pmut阵列
CN113120854B (zh) * 2021-03-03 2024-01-23 复旦大学 一种背衬型高频宽带pmut单元及pmut阵列
CN113751297A (zh) * 2021-09-10 2021-12-07 中北大学 基于硅波导管共晶键合技术的电容式微机械超声换能器及其制备方法
CN114408853A (zh) * 2021-11-30 2022-04-29 西安交通大学 刚柔融合电容式柔性mems超声换能器及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106744642A (zh) 收发平衡的宽频带混合式超声换能器面阵探头及制备方法
US9809444B2 (en) System and method for a differential comb drive MEMS
US11950052B2 (en) Acoustic transducer with gap-controlling geometry and method of manufacturing an acoustic transducer
CN110392331B (zh) 压电mems换能器及其制造方法
US9938133B2 (en) System and method for a comb-drive MEMS device
CN109244232B (zh) 微机电***压电换能器及制作方法
US7489593B2 (en) Electrostatic membranes for sensors, ultrasonic transducers incorporating such membranes, and manufacturing methods therefor
US8875583B2 (en) Electromechanical transducer and method of manufacturing the same
US10104478B2 (en) System and method for a perpendicular electrode transducer
US20060093171A1 (en) Silicon microphone with softly constrained diaphragm
JP2007528153A (ja) Ｃｍｕｔデバイス及び製造方法
JP2007527285A (ja) 多要素電極ｃｍｕｔ素子及び製作方法
CN106862045A (zh) 收发性能平衡的微机电超声换能器面阵探头及其制备方法
CN105486399A (zh) 用于测距和成像的微电容超声波换能器及其制备方法
CN106925496A (zh) 微机电超声探头及电路
CN109596208B (zh) 一种u形槽悬臂梁结构的mems压电矢量水听器及其制备方法
CN106865483A (zh) 医用微电容超声换能器面阵探头及其制备方法
US10623852B2 (en) MEMS devices and processes
Midtbo et al. Fabrication and characterization of CMUTs realized by wafer bonding
CN111039251B (zh) 一种压电微型超声换能器及其制备方法
CN113731779B (zh) 基于soi埋氧层牺牲释放技术的电容式微机械超声换能器及其制备方法
WO2018128072A1 (ja) 超音波トランスデューサおよび超音波撮像装置
CN210609703U (zh) 一种mems结构
Buhrdorf et al. Fabrication and characterization of a new capacitive micromachined ultrasonic transducer (cMUT) using polysilicon as membrane and sacrificial layer material
Tang et al. Micromachined piezoelectric ultrasonic transducer based on dome-shaped diaphragm supported by flat square diaphragm

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170531