CN106712795B - Lte载波聚合技术的射频电路及其通信设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种LTE载波聚合技术的射频电路及其通信设备，所述射频电路包括至少一个L×M开关、合路器以及1×N开关，所述L×M开关，在载波聚合模式时，所述L×M开关的开关逻辑选择连接在所述合路器的射频通路；在非载波聚合模式工作时，通过所述L×M开关器件以及一个1×N开关，将所述合路器旁路，从而保证非载波聚合工作模式时的性能。本发明采用一种新的LTE载波聚合技术的射频电路，有效降低通信终端在非载波聚合工作模式下造成的电路插损，同时也避免了多天线电路致使占据空间大的问题，并且通过对所述L×M开关器件的灵活应用，使所述射频电路能够满足更多场景应用。

Description

LTE载波聚合技术的射频电路及其通信设备

技术领域

本发明涉及通信领域，特别是涉及一种LTE载波聚合技术的射频电路及其通信设备。。

背景技术

在无线通信技术领域中，长期演进(Long Term Evolution，LTE)是由第三代合作伙伴计划(3rd Generation Partnership Project，3GPP)组织制定的通用移动通信***(Universal Mobile Telecommunications System，UMTS)技术标准，从Rel.10版本开始加入载波聚合技术特性，当前的LTE的协议版本已经演进到Rel.12版本。根据在即将发布的Rel.13版本上的初步统计，LTE频段已有40多个，频率范围从450MHz-3800MHz，2频段组合载波(2Inter-band Component Carriers，Inter-band 2CC)的载波聚合(CarrierAggregation，CA)组合已超50个，3频段组合载波(3Inter-band Component Carriers，Inter-band 3CC)的载波聚合组合也有40多个。随着新频段和频谱被不断地提出和发放，且全球运营商还在持续地提出更多的载波聚合频段组合需求，因此有必要提出适应且支持该需求的射频电路。

当前，业内常采用两种技术方案以实现灵活的多频段载波聚合组合，一种为采用三频合路器方案；另一种为采用多天线方案。

如果采用三频合路器方案，则通过采用三频合路器的射频电路来完成多频段载波聚合的合路功能。参阅图1，具体上，现有采用三频合路器的射频电路包括天线11、三频合路器12以及三个四工器13。天线11与三频合路器12连接，三频合路器12又分别与三个四工器13连接，通过三个四工器13分别进行各个频段射频信号的输入，之后进入三频合路器12以进行合路，合路之后的射频信号再经由天线11进行射频信号的发射。然而，上述射频电路存在技术缺陷，即在LTE频段的1710MHz-2170MHz和2300MHz-2690MHz中，上述射频电路只能勉强实现1710MHz-2170MHz和2500MHz-2690MHz频段的合路和射频性能，无法同时支持2300MHz-2400MHz频段，应用受限；与此同时，还存在电路上信号的多次联合而致使电路插损过大的问题。也即，现有采用三频合路器的射频电路常存在矩形系数较低，无法实现两个间隔较窄频段合路的问题。

如果采用多天线方案，则通过多个覆盖不同频段的天线来完成载波聚合功能。参阅图2，具体上，现有采用多天线的射频电路包括第一天线21、第二天线22、合路器23、两个第一四工器24以及第二四工器25。其中，低频段(Low Band，LB)为698MHz-960MHz频段和中频段(Mid Band，MB)为1710MHz-2170MHz频段的射频信号分别通过两个第一四工器24进入合路器23进行频段合路后，然后再通过第一天线21进行信号发射；高频段(High Band，HB)为2300MHz-2690MHz频段的射频信号经由第二四工器25直接与第二天线22连通，然后再通过第二天线22进行信号发射。然而，采用第一天线21和第二天线22的双天线结构对于采用本方案的射频电路的通信终端安装空间要求较高，与当下通信终端轻薄化发展的趋向是不符的。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种LTE载波聚合技术的射频电路及其通信设备，以降低射频通道的插损，满足更轻薄化的制造需求。

本发明第一方面提供了一种LTE载波聚合技术的射频电路，包括至少一个L×M开关、合路器以及1×N开关；L×M开关一端包括M路第一射频信号端，另一端包括L路第二射频信号端；合路器一端包括至少两个第三射频信号端，另一端是第四射频信号端；1×N开关一端包括至少两个第五射频信号端，另一端是第六射频信号端；其中，L，M，N大于或等于二，L路第二射频信号端中的一端连接合路器的一个第三射频信号端，L路第二射频信号端中的另一端连接1×N开关的一个第五射频信号端，合路器的第四射频信号端连接1×N开关的另一个第五射频信号端，1×N开关的第六射频信号端用于连接天线；射频电路至少选择性工作于载波聚合模式与非载波聚合模式，在工作于载波聚合模式时，L×M开关的M路第一射频信号端中的至少一端依次经由L路第二射频信号端中的一端、合路器的一个第三射频信号端、第四射频信号端、1×N开关的一个第五射频信号端，而与第六射频信号端连接，且L路第二射频信号端中的其他端不与L×M开关的M路第一射频信号端连接；在工作于非载波聚合模式时，L×M开关的M路第一射频信号端中的至少一端依次经由L路第二射频信号端中的一端、1×N开关的一个第五射频信号端与第六射频信号端连接，且L路第二射频信号端中的其他端不与L×M开关的M路第一射频信号端连接。

结合第一方面的实现方式，在第一种可能的实现方式中，合路器的至少两个第三射频信号端之间的射频信号的频率间隔不小于第一阈值，并且射频电路工作于非载波聚合模式时，1×N开关的第五射频信号端所经过的射频信号的至少部分频率位于第一阈值所对应的频率间隔内，其中第一阈值由合路器的隔离值所定义。

结合第一方面的第一种可能的实现方式，在第二种可能的实现方式中，合路器包括三个第三射频信号端，其对应的频段分别为：低频段Low Band LB：698MHz-960MHz、中频段Mid Band MB：1710MHz-2170MHz和高频段High Band HB：2300MHz-2690MHz。

结合第一方面的实现方式，在第三种可能的实现方式中，L×M开关为多入二出交叉选择开关。

结合第一方面的实现方式，在第四种可能的实现方式中，1×N开关为单刀三掷开关。

第二方面提供了另一种LTE载波聚合技术的射频电路，包括至少一个L×M开关、合路器以及1×N开关；L×M开关一端包括M路第一射频信号端，另一端包括L路第二射频信号端；合路器一端包括至少两个第三射频信号端，另一端是第四射频信号端；1×N开关一端包括至少两个第五射频信号端，另一端是第六射频信号端；其中，射频电路至少选择性工作于载波聚合模式与非载波聚合模式，在工作于载波聚合模式时，L×M开关的M路第一射频信号端中的至少一端依次经由L路第二射频信号端中的一端、合路器的一个第三射频信号端、第四射频信号端、1×N开关的一个第五射频信号端，而与第六射频信号实现信号通信，且L路第二射频信号端中的其他端不与L×M开关的M路第一射频信号端实现信号通信；在工作于非载波聚合模式时，L×M开关的M路第一射频信号端中的至少一端依序经由L路第二射频信号端中的一端、1×N开关的一个第五射频信号端与第六射频信号端实现信号通信，且L路第二射频信号端中的其他端不与L×M开关的M路第一射频信号端实现信号通信。

结合第二方面的实现方式，在第一种可能的实现方式中，合路器为异频合路器，包括空腔谐振器和环行器，空腔谐振器与第三射频信号端耦接，环行器分别与第四射频信号端和空腔谐振器耦接。

结合第二方面的实现方式，在第二种可能的实现方式中，合路器在载波聚合模式下，第一阈值大于等于300MHz。

结合第二方面的实现方式，在第三种可能的是实现方式中，L×M开关的控制接口是移动产业处理器接口Mobile Industry Processor Interface MIPI，或是通用输入输出接口General Purpose Input Output GPIO。

第三方面提供了一种通信设备，包括信号处理器、后端射频电路、前端射频电路以及天线，前端射频电路是结合第一方面或第一方面的第一至第四种任一种或结合第二方面或第二方面的第一至第三种任一种可能的实施方式，前端射频电路中的1×N开关的第六射频信号端与天线连接，信号处理器通过后端射频电路与前端射频电路中的L×M开关的M路第一射频信号端连接。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明提供的LTE载波聚合技术的射频电路，在载波聚合模式时，L×M开关的开关逻辑选择连接在合路器的射频通路；在非载波聚合模式工作时，通过L×M开关器件以及一个1×N开关，将合路器旁路，通过载波聚合与非载波聚合两种模式下通过选择性地旁路和通路，大大减小了射频通道的插损，有效降低通信终端在非载波聚合工作模式下造成的电路插损；保证通信终端在弱信号时的无线通信性能，降低所需空间尺寸，满足更轻薄化的制造需求；再次，L×M开关的旁路功能，使频段的选择区间更丰富，可以根据实际情况灵活地添加所需的频段匹配电路，实现多场景的应用要求。

附图说明

图1是现有技术中采用三频合路器方案的射频架构示意图；

图2是现有技术中采用多天线方案的射频架构示意图；

图3是本发明射频电路的原理示意图一，其中，体现出射频电路处于载波聚合模式时的状态；

图4是本发明射频电路的原理示意图二，其中，体现出射频电路处于非载波聚合模式时的状态；

图5是本发明射频电路的L×M开关的逻辑状态对应关系示意图；

图6是本发明射频电路的一实施方式的具体结构示意图；

图7是图6中采用L×M开关的射频通路在旁路和非旁路下插损仿真比较示意图；

图8是本发明射频电路的一实施方式的另一具体结构示意图；

图9是本发明射频电路的一实施方式的又一具体结构示意图；

图10是本发明射频电路的一实施方式的又一具体结构示意图；

图11是本发明射频电路的一实施方式的再一具体结构示意图；

图12是本发明射频电路的另一实施方式的原理示意图；

图13是本发明通信设备的一实施方式的原理示意图。

具体实施方式

参阅图3，为本发明射频电路的原理示意图一。本发明的射频电路在工作于载波聚合模式时，L×M开关34的M路第一射频信号端D1中的一端依次经由L路第二射频信号端D2中的一端、合路器33的一个第三射频信号端D3、第四射频信号端D4、1×N开关4的一个第五射频信号端D5，而与第六射频信号D6的连接，且L路第二射频信号端D2中的其他端不与L×M开关34的M路第一射频信号端D1连接，即射频信号经由图示中P1路径传输。具体上，将射频信号经由P1路径传输前，L×M开关34的第一射频信号端D1输入射频信号，使射频信号通过L×M开关34的第二射频信号端D2输出，然后射频信号通过合路器33的第三射频信号端D3输出合路器33进行合路，合路后通过合路器的第四射频信号端D4输出，输出的射频信号经由P1路径传输至1×N开关32的第五射频信号端D5，再通过1×N开关32的第六射频信号端D6传输至天线31，由天线31发射射频信号。

参阅图4，为本发明射频电路的原理示意图二。本发明的射频电路在工作于非载波聚合模式时，L×M开关34的M路第一射频信号端D1中的至少一端依次经由L路第二射频信号端D2中的一端、1×N开关32的一个第五射频信号端D5与第六射频信号端D6连接，且L路第二射频信号端D2中的其他端不与L×M开关34的M路第一射频信号端D1连接，即射频信号经由图示中的P2路径传输。具体上，将射频信号经由P2路径传输前，对L×M开关34和1×N开关32进行设置，以将合路器33旁路。然后，从L×M开关34的第一射频信号端D1中输入射频信号，使射频信号经由P2路径传输至天线31，由天线31发射射频信号。与图3不同之处在于：图4为本发明的射频电路在非载波聚合模式时的实施原理示意，图3中的射频信号传递路径为P1路径，图4中的射频信号传递路径P2路径。

结合图3和图4，其中，合路器33的至少两个第三射频信号端D3之间的射频信号的频率间隔不小于第一阈值，并且射频电路工作于非载波聚合模式时，1×N开关32的第五射频信号端D5所经过的射频信号的至少部分频率位于第一阈值所对应的频率间隔内，其中第一阈值由合路器33的隔离值所定义，降低频带之间的插损。进一步地，此处合路器33包括三个第三射频信号端，其对应的频段分别为：低频段(Low Band，LB)：698MHz-960MHz、中频段(Mid Band，MB)：1710MHz-2170MHz和高频段(High Band，HB)：2300MHz-2690MHz，实现多频段覆盖。L×M开关，L×M开关控制逻辑为根据器件的端口支持数量和实际实现需求，选择使用移动产业处理器接口(Mobile Industry Processor Interface，MIPI)进行控制。此处的合路器33为三频合路器，合路器对三个第三射频信号端D3对应的频段进行合路。此处，L×M开关为多入二出交叉选择开关；合路器为三频合路器；1×N开关为单刀三掷开关。

参阅图5，为本发明射频电路的L×M开关一种应用例的逻辑状态对应关系示意图。此处的L×M开关为六入两出交叉选择开关，当L×M开关的逻辑状态为0xx0时，TRx_1端与ANT_A端连通；当逻辑状态为0xx1时，L×M开关的TRx_2端与ANT_A端连通；当逻辑状态为1xx0时，L×M开关的TRx_1端与ANT_B端连通，依次类推。

结合图3、图4以及图5，本发明的LTE载波聚合技术的射频电路的一实施方式，包括至少一个L×M开关34、合路器33以及1×N开关32；L×M开关34一端包括M路第一射频信号端D1，另一端包括L路第二射频信号端D2；合路器33一端包括至少两个第三射频信号端D3，另一端是第四射频信号端D4；1×N开关32一端包括至少两个第五射频信号端D5，另一端是第六射频信号端D6；

其中，L，M，N大于或等于二，L路第二射频信号端D2中的一端连接合路器33的一个第三射频信号端D3，L路第二射频信号端D2中的另一端连接1×N开关32的一个第五射频信号端D5，合路器33的第四射频信号端D4连接1×N开关32的另一个第五射频信号端D5，1×N开关32的第六射频信号端D6用于连接天线31；同时，本发明的射频电路至少选择性工作于载波聚合模式与非载波聚合模式，在工作于载波聚合模式时，L×M开关34的M路第一射频信号端D1中的至少一端依次经由L路第二射频信号端D2中的一端、合路器33的一个第三射频信号端D3、第四射频信号端D4、1×N开关32的一个第五射频信号端D5，而与第六射频信号端D6连接，且L路第二射频信号端D2中的其他端不与L×M开关34的M路第一射频信号端D1连接；在工作于非载波聚合模式时，L×M开关34的M路第一射频信号端D1中的至少一端依次经由L路第二射频信号端D2中的一端、1×N开关32的一个第五射频信号端D5与第六射频信号端D6连接，且L路第二射频信号端D2中的其他端不与L×M开关34的M路第一射频信号端D1连接。其中，合路器33，用以将两路或多路不同频段的射频信号合为一路送到天线发射的射频器件，同时还避免了各个端口信号之间的相互影响；1×N开关，用以实现切换功能。

参阅图6，为本发明射频电路的一实施方式的具体结构示意图。其中，具体包括：一个单刀多掷开关35、两个多入二出交叉选择开关34、一个三频合路器33、一个单刀三掷开关32、以及一个天线31。当第一实施方式的射频电路工作在B3(Band 3，为1710MHz-1785MHz，属中频段)和B7(Band 7,为2500MHz-2570MHz，属高频段)载波聚合模式下时，B7对应的高频段的多入二出交叉选择开关34通过逻辑控制，选择此处的P2路径作为射频信号输出路径；B3对应的中频段的多入二出交叉选择开关34通过逻辑控制，选择此处的P3路径作为射频信号输出路径；此处的单刀三掷开关32也会相应地选择此处的P6路径作为射频信号输出路径。由于载波聚合模式的工作条件一般是在较强的基站网络信号下建立的，所以一定的射频性能回退对业务影响较小，第三代合作伙伴计划(3rd Generation PartnershipProject，3GPP)协议上也是允许的。

在B7的非载波聚合模式下时，多入二出交叉选择开关34通过逻辑控制，选择此处的P1路径作为射频信号输出路径，相应的单刀三掷开关32也会选择P1路径作为射频输出路径。该条件下的工作模式具有较低的通路插损和较好的无线性能，从而可以保证使用第一实施方式的射频电路的设备在弱信号的覆盖和使用体验性能。

参阅图7，为本发明射频电路的一实施方式的采用L×M开关在旁路下和非旁路下的射频通路插损仿真比较示意图，通过对比可以看出，使用多路交叉选择开关的旁路功能后，整个射频电路在中频段和高频段的插损相对减少至1.0dB左右，即表明该射频电路通过使用多路交叉开关，即使用L×M开关的旁路功能能使射频通道的插损明显减小，收益非常明显。

参阅图8，为本发明射频电路的一实施方式的另一具体结构示意图。其中，与图6中的具体结构不同之处在于：将中频段的L×M开关改换单刀多掷开关45，且1×N开关改换为单刀双掷开关42，在高频段的非载波聚合模式下时，多入二出交叉选择开关44通过逻辑控制，选择P1路径作为射频输出路径，单刀双掷开关45相应地选择P1路径作为射频信号的输出路径。

参阅图9，为本发明射频电路的一实施方式的又一具体结构示意图。其中，与图6和图8中的具体结构不同之处在于：低频段、中频段以及高频段均采用多入二出交叉选择开关54，当射频电路工作在频段B5(Band 5，为824MHz-894MHz，属低频段)和B10(Band 10，为1710MHz-2170MHz，属中频段)的载波聚合模式下时，B10频段对应的中频段的多入二出交叉选择开关54通过逻辑控制，选择P3路径通路；B5频段对应的低频段的多入二出交叉选择开关54通过逻辑控制选择P5路径作为射频信号输出路径；通过此处的合路器53进行合路，单刀四掷开关52也会相应地选择P7路径作为射频输出路径。而当射频电路工作在B5频段的非载波聚合模式下时，LB频段的多入二出选择开关54通过逻辑控制，选择P6路径作为射频信号输出路径，单刀四掷开关52也会相应地选择P6路径作为射频信号输出路径。

参阅图10，为本发明射频电路的一实施方式的又一具体结构示意图。其中，与图6、图8以及图9中的具体结构不同之处在于：采用高频段为2200MHz-3800MHz的多入二出交叉选择开关64，且在多入二出交叉选择开关64的输入端添加一HB2：2300MHz-2400MHz频段，2300MHz-2400MHz频段对应为此处的B30(Band 30，为2305MHz-2315MHz)和B40(Band 40，为2300MHz-2400MHz)频段，对应地，当射频电路在B30和B40频段非载波聚合模式下时，此处高频段的多入二出交叉选择开关64通过逻辑控制，选择P1路径作为射频信号输出路径，单刀三掷开关62选择对应的P1路径的HB2频段作为天线的输出频段，实现对支持B30和B40频段的支持。

参阅图11，为本发明射频电路的一实施方式的再一具体结构示意图。其中，与图6、图8、图9以及图10中的具体结构不同之处在于：采用双天线结构，其中，低频段692MHz-960MHz和高频段2300MHz-3800MHz通过双频合路器75合路后，共用一第一天线71，而中频段1710MHz-2170MHz则使用第二天线72。采用双天线的情况，多为对采用本发明射频电路的通信终端尺寸无限制，可通过采用多天线结构以实现更好的通信体验。

参阅图12，为本发明射频电路的另一实施方式的原理示意图。其中，包括至少一个L×M开关84、合路器83以及1×N开关82；L×M开关84一端包括M路第一射频信号端D1，另一端包括L路第二射频信号端D2；合路器83一端包括至少两个第三射频信号端D3，另一端是第四射频信号端D4；1×N开关82一端包括至少两个第五射频信号端D5，另一端是第六射频信号端D6；

其中，射频电路至少选择性工作于载波聚合模式与非载波聚合模式，在工作于载波聚合模式时，L×M开关84的M路第一射频信号端D1中的至少一端依次经由L路第二射频信号端D2中的一端、合路器83的一个第三射频信号端D3、第四射频信号端D4、1×N开关的一个第五射频信号端D5，而与第六射频信号D6实现信号通信，且L路第二射频信号端D2中的其他端不与L×M开关84的M路第一射频信号端D1实现信号通信；

在工作于非载波聚合模式时，L×M开关84的M路第一射频信号端D1中的至少一端依序经由L路第二射频信号端D2中的一端、1×N开关82的一个第五射频信号端D5与第六射频信号端D6实现信号通信，且L路第二射频信号端D2中的其他端不与L×M开关84的M路第一射频信号端D1实现信号通信。与第一实施方式的不同之处在于，第二实施方式的射频电路采用数字电路，通过信号通信实现控制和传递。

进一步地，此处合路器83为异频合路器，包括空腔谐振器和环行器，空腔谐振器与第三射频信号D3端耦接，环行器分别与第四射频信号端D4和空腔谐振器耦接。异频合路器通过将不同频率的信号合成为含有不同频率信号成分的一路信号，从而避免了各个射频信号端间的相互影响。此外，合路器83在载波聚合模式下，第一阈值大于等于300MHz。

参阅图13，为本发明通信设备的一实施方式的原理示意图。其中，包括信号处理器91、后端射频电路92、前端射频电路93以及天线94，此处的前端射频电路93可以采用前述任一LTE载波聚合技术的射频电路，前端射频电路中的1×N开关的第六射频信号端D6与天线94连接，信号处理器91通过后端射频电路92与前端射频电路93中的L×M开关的M路第一射频信号端D1连接。

此外，本发明各实施方式中的L×M开关可为多入二出交叉选择开关，也可为多入多出交叉选择开关；合路器可为三频合路器，也可为多频合路器；1×N开关可为单刀双掷开关，也可为单刀多掷开关。L×M开关控制可以选择使用移动产业处理器接口(MobileIndustry Processor Interface，MIPI)，或是通用输入输出接口(General Purpose InputOutput，GPIO)。

综上所述，本发明提供的LTE载波聚合技术的射频电路包括：至少一个L×M开关、合路器，1×N开关，通过L×M开关的旁路功能，在载波聚合与非载波聚合两种模式下通过选择性地旁路和通路，大大减小了射频通道的插损，保证了使用本射频电路的通信终端在弱信号时的无线通信性能，提高用户体验；其次，射频信号只需经由一根天线进行信号收发，降低了所需空间尺寸，满足了更轻薄化的制造需求；再次，L×M开关的旁路功能，使频段的选择区间更丰富，可以根据实际情况灵活地添加所需的频段匹配电路，实现了多场景的应用要求。本方案的射频电路适用于2G、3G、4G等通信制式的的移动终端设计，产品形态适用但不限定于手机、上网卡、便携电脑、无线局域网(Wireless Fidelity，WiFi)信号设备、数据卡等。

以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种LTE载波聚合技术的射频电路，其特征在于：

包括至少两个L×M开关、合路器以及至少两个1×N开关；

所述至少两个L×M开关包括第一L×M开关和第二L×M开关，所述至少两个1×N开关包括第一1×N开关和第二1×N开关；

所述第一L×M开关一端包括第一M路第一射频信号端，另一端包括第一L路第二射频信号端；

所述合路器一端包括至少两个第三射频信号端，另一端是第四射频信号端；

所述第一1×N开关一端包括至少两个第五射频信号端，另一端是第六射频信号端；

其中，所述L，M，N大于或等于二，所述第一L路第二射频信号端中的一端连接所述合路器的一个所述第三射频信号端，所述第一L路第二射频信号端中的另一端连接所述第一1×N开关的一个所述第五射频信号端，所述合路器的所述第四射频信号端连接所述第一1×N开关的另一个所述第五射频信号端，所述第一1×N开关的所述第六射频信号端用于连接第一天线；

所述第二L×M开关一端包括第二M路第一射频信号端，另一端包括第二L路第二射频信号端；

所述第二1×N开关一端包括至少一个第三射频信号端，另一端是第四射频信号端；

其中，所述第二L路第二射频信号端中的一端连接所述第二1×N开关的所述第三射频信号端，所述第二1×N开关的所述第四射频信号端用于连接第二天线；

所述射频电路至少选择性工作于载波聚合模式与非载波聚合模式，在工作于所述载波聚合模式时，所述第一L×M开关的所述第一M路第一射频信号端中的至少一端依次经由所述第一L路第二射频信号端中的一端、所述合路器的一个所述第三射频信号端、所述第四射频信号端、所述第一1×N开关的一个所述第五射频信号端，而与所述第六射频信号端连接，且所述第一L路第二射频信号端中的其他端不与所述第一L×M开关的所述第一M路第一射频信号端连接；

在工作于所述非载波聚合模式时，所述第一L×M开关的所述第一M路第一射频信号端中的至少一端依次经由所述第一L路第二射频信号端中的一端、所述第一1×N开关的一个所述第五射频信号端与所述第六射频信号端连接，且所述第一L路第二射频信号端中的其他端不与所述第一L×M开关的所述第一M路第一射频信号端连接；

所述合路器的所述至少两个第三射频信号端之间的射频信号的频率间隔不小于第一阈值，并且所述射频电路工作于所述非载波聚合模式时，所述第一1×N开关的所述第五射频信号端所经过的射频信号的至少部分频率位于所述第一阈值所对应的频率间隔内，其中所述第一阈值由所述合路器的隔离值所定义；

所述合路器的至少两个所述第三射频信号端，其对应的频段分别为：低频段Low BandLB：698MHz-960MHz和高频段High Band HB：2300MHz-2690MHz；所述第二1×N开关的所述第三射频信号端对应频段为Mid Band MB：1710MHz-2170MHz。

2.如权利要求1中所述的射频电路，其特征在于：

所述L×M开关为多入二出交叉选择开关。

3.如权利要求1中所述的射频电路，其特征在于：

所述1×N开关为单刀三掷开关。

4.一种LTE载波聚合技术的射频电路，其特征在于：

包括至少两个L×M开关、合路器以及至少两个1×N开关；

所述至少两个L×M开关包括第一L×M开关和第二L×M开关，所述至少两个1×N开关包括第一1×N开关和第二1×N开关；

所述第一L×M开关一端包括第一M路第一射频信号端，另一端包括第一L路第二射频信号端；

所述合路器一端包括至少两个第三射频信号端，另一端是第四射频信号端；

所述第一1×N开关一端包括至少两个第五射频信号端，另一端是第六射频信号端；

所述第二L×M开关一端包括第二M路第一射频信号端，另一端包括第二L路第二射频信号端；

所述第二1×N开关一端包括至少一个第三射频信号端，另一端是第四射频信号端；

其中，所述第二L×M开关的第二L路第二射频信号端中的一端连接所述第二1×N开关的所述第三射频信号端，所述第二1×N开关的所述第四射频信号端用于连接第二天线；

其中，所述射频电路至少选择性工作于载波聚合模式与非载波聚合模式，在工作于所述载波聚合模式时，所述第一L×M开关的所述第一M路第一射频信号端中的至少一端依次经由所述第一L×M开关的第一L路第二射频信号端中的一端、所述合路器的一个所述第三射频信号端、所述第四射频信号端、所述第一1×N开关的一个所述第五射频信号端，而与所述第六射频信号实现信号通信，且所述第一L×M开关的第一L路第二射频信号端中的其他端不与所述第一L×M开关的所述第一M路第一射频信号端实现信号通信；

在工作于所述非载波聚合模式时，所述第一L×M开关的所述第一M路第一射频信号端中的至少一端依序经由所述第一L×M开关的第一L路第二射频信号端中的一端、所述1×N开关的一个所述第五射频信号端与所述第六射频信号端实现信号通信，且所述第一L路第二射频信号端中的其他端不与所述第一L×M开关的所述第一M路第一射频信号端实现信号通信；

所述合路器的所述至少两个第三射频信号端之间的射频信号的频率间隔不小于第一阈值，并且所述射频电路工作于所述非载波聚合模式时，所述第一1×N开关的所述第五射频信号端所经过的射频信号的至少部分频率位于所述第一阈值所对应的频率间隔内，其中所述第一阈值由所述合路器的隔离值所定义；

所述合路器的至少两个所述第三射频信号端，其对应的频段分别为：低频段Low BandLB：698MHz-960MHz和高频段High Band HB：2300MHz-2690MHz；所述第二1×N开关的所述第三射频信号端对应频段为Mid Band MB：1710MHz-2170MHz。

5.如权利要求4项所述的射频电路，其特征在于：

所述合路器为异频合路器，包括空腔谐振器和环行器，所述空腔谐振器与所述第三射频信号端耦接，所述环行器分别与所述第四射频信号端和所述空腔谐振器耦接。

6.如权利要求4项所述的射频电路，其特征在于：

对应载波聚合模式，所述第一阈值大于等于300MHz。

7.如权利要求4项所述的射频电路，其特征在于：

所述L×M开关的控制接口是移动产业处理器接口Mobile Industry ProcessorInterface MIPI，或是通用输入输出接口General Purpose Input Output GPIO。

8.一种通信设备，其特征在于：

包括信号处理器、后端射频电路、前端射频电路以及天线，所述前端射频电路是如权利要求1至7所述的任一项射频电路，所述前端射频电路中的所述第一1×N开关的第六射频信号端与所述天线连接，所述信号处理器通过所述后端射频电路与所述前端射频电路中的所述L×M开关的M路第一射频信号端连接。

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