CN106663619A - 硅晶圆研磨用组合物 - Google Patents

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Abstract

本发明提供降低雾度的性能优异、并且聚集性低的硅晶圆研磨用组合物。此处提供的硅晶圆研磨用组合物包含含酰胺基聚合物A和不含酰胺基的有机化合物B。含酰胺基聚合物A在主链中具有源自下述通式(1)所示的单体的结构单元S。另外，含酰胺基聚合物A的分子量MA与有机化合物B的分子量MB的关系满足下式：200≤MB<MA。

Description

硅晶圆研磨用组合物
技术领域
本发明涉及在硅晶圆的研磨中使用的研磨用组合物。
背景技术
被用作半导体制品的构成要素等的硅晶圆的表面通常经过打磨(lapping)工序(粗研磨工序)和抛光(polishing)工序(精密研磨工序)而被精加工成高品质的镜面。上述抛光工序典型而言包括预抛光工序(预研磨工序)和最终抛光工序(最终研磨工序)。作为上述抛光工序中的研磨方法，已知有使研磨液中包含水溶性聚合物的化学机械抛光法。该方法中，通过上述水溶性聚合物在磨粒、硅晶圆上吸附、脱离而有助于减少研磨表面的缺陷、降低雾度。作为硅晶圆的研磨用组合物相关的技术文献，例如可以举出专利文献1。需要说明的是，专利文献2为在研磨氧化硅的用途中使用的研磨剂相关的技术文献。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第4772156号公报
专利文献2：国际公开第2007/055278号
发明内容
发明要解决的问题
近年来，对硅晶圆等半导体基板以及其它基板，要求更高品质的表面。因此，要求能实现雾度更低的基板表面的研磨用组合物。另外，从处理性等观点出发，要求研磨用组合物的过滤性的提高。因此，如果能够提供进一步抑制聚集物产生的研磨用组合物则是有意义的。
因此，本发明的目的在于，提供降低研磨对象物表面的雾度的性能优异、并且聚集性(研磨用组合物中所含有的颗粒在该研磨用组合物中聚集的性质)降低的硅晶圆研磨用组合物。
用于解决问题的方案
根据该说明书，提供在磨粒的存在下使用的硅晶圆研磨用组合物。该硅晶圆研磨用组合物含有硅晶圆研磨促进剂、含酰胺基聚合物A、不含酰胺基的有机化合物B及水。另外，前述含酰胺基聚合物A在主链中具有源自下述通式(1)所示的单体的结构单元S，
(式中，R1为氢原子、碳原子数1～6的烷基、烯基、炔基、芳烷基、烷氧基、烷氧基烷基、烷醇基、乙酰基、苯基、苄基、氯基、二氟甲基、三氟甲基或氰基。X为(CH2)n(其中，n为4～6的整数。)、(CH2)2O(CH2)2或(CH2)2S(CH2)2。)。而且前述含酰胺基聚合物A的分子量MA与前述有机化合物B的分子量MB的关系满足下式：200≤MB<MA。通过所述研磨用组合物，能以更高水平兼顾降低雾度的性能和聚集性的降低。
在此处公开的研磨用组合物的优选的一个实施方式中，前述含酰胺基聚合物A的分子量MA相对于前述有机化合物B的分子量MB的比(MA/MB)大于5。根据所述实施方式，能以更高水平兼顾降低雾度的性能和聚集性的降低。
在此处公开的研磨用组合物的优选的一个实施方式中，前述有机化合物B的分子量MB小于1×104。在组合含有具有所述分子量MB的有机化合物B和前述含酰胺基聚合物A的研磨用组合物中，会更适当地发挥雾度的降低效果。
在此处公开的研磨用组合物的优选的一个实施方式中，前述含酰胺基聚合物A的分子量MA小于50×104。根据组合含有具有所述分子量MA的含酰胺基聚合物A和前述有机化合物B的研磨用组合物，能以更高水平兼顾降低雾度的性能和聚集性的降低。
在此处公开的研磨用组合物的优选的一个实施方式中，前述通式(1)中的R1为氢原子或甲基。在含有具有所述构成的含酰胺基聚合物A的研磨用组合物中，能兼顾优异的降低雾度的性能和聚集性的降低。
在此处公开的研磨用组合物的优选的一个实施方式中，前述通式(1)中的X为(CH2)2O(CH2)2。在含有具有所述构成的含酰胺基聚合物A的研磨用组合物中，能兼顾优异的降低雾度的性能和聚集性的降低。
在此处公开的研磨用组合物的优选的一个实施方式中，前述磨粒为二氧化硅颗粒。在使用二氧化硅颗粒作为磨粒的研磨中，能适当地发挥因组合含有含酰胺基聚合物A和有机化合物B而带来的降低雾度的效果。另外，根据所述实施方式，能降低前述研磨用组合物的聚集性。
具体实施方式
以下，对本发明的适宜的实施方式进行说明。需要说明的是，对于本说明书中特别提到的事项以外、且对本发明的实施为必需的事项，可以作为基于本领域的现有技术的本领域技术人员的惯用手段来把握。本发明可以基于本说明书公开的内容和本领域的技术常识而实施。
<含酰胺基聚合物A>
此处公开的研磨用组合物含有主链中具有结构单元S的含酰胺基聚合物A，所述结构单元S源自下述通式(1)所示的单体s。
通式(1)：
此处，上述通式(1)中、R1为氢原子、碳原子数1～6的烷基、烯基、炔基、芳烷基、烷氧基、烷氧基烷基、烷醇基、乙酰基、苯基、苄基、氯基、二氟甲基、三氟甲基或氰基。其中，优选氢原子、碳原子数1～6的烷基、苯基，进一步优选氢原子、碳原子数1或2的烷基，特别优选氢原子。X可以为(CH2)n。其中，n为4～6的整数。另外，X可以为(CH2)2O(CH2)2或(CH2)2S(CH2)2。其中，X优选为(CH2)2O(CH2)2。
作为此处公开的单体s，例如，可以举出：丙烯酰基哌啶；丙烯酰基吗啉；丙烯酰基硫代吗啉；丙烯酰基吡咯烷；等。上述单体s可以单独使用1种或组合使用2种以上。
上述含酰胺基聚合物A优选为非离子性。换言之，优选实质上不含阴离子性、阳离子性的结构单元的聚合物。此处，实质上不含阴离子性、阳离子性的结构单元是指这些结构单元的摩尔比小于3％(例如小于1％、优选小于0.5％)。通过使用包含非离子性的含酰胺基聚合物的研磨用组合物，会适当地发挥减少缺陷、降低雾度的效果。虽然不必明确其理由，但可以认为非离子性的含酰胺基聚合物A通过在研磨时适度地吸附在磨粒、硅晶圆上而有助于雾度的降低。另外，可以认为上述适度的吸附适当地抑制清洗工序中的磨粒、研磨屑的残留而有助于缺陷的减少。
上述含酰胺基聚合物A的分子量(MA)比后述的有机化合物B的分子量(MB)大即可。例如从聚集性的降低或者过滤性的提高等观点出发，含酰胺基聚合物A的分子量典型的为小于100×104、优选小于80×104、更优选小于50×104、进一步优选小于45×104。在优选的一个实施方式中，含酰胺基聚合物A的分子量可以小于40×104、例如可以为35×104以下。另外，含酰胺基聚合物A的分子量典型的为5×103以上，从降低雾度等观点出发，优选为1×104以上、更优选为5×104以上。从提高研磨速率的观点出发，在优选的一个实施方式中，含酰胺基聚合物A的分子量可以为10×104以上、例如可以为15×104以上。需要说明的是，作为含酰胺基聚合物A的分子量，可以采用通过凝胶渗透色谱法(GPC)求出的重均分子量(Mw)(水系、聚乙二醇换算)。
对上述含酰胺基聚合物A的重均分子量Mw与数均分子量Mn的关系没有特别限制。从聚集性的降低等观点出发，例如可以优选使用分子量分布(Mw/Mn)为5.0以下的聚合物。从研磨用组合物的性能稳定性等观点出发，含酰胺基聚合物A的Mw/Mn优选为4.0以下、更优选为3.5以下、进一步优选为3.0以下(例如2.5以下)。需要说明的是，原理上Mw/Mn为1.0以上。从原料的获得容易性、合成容易性的观点出发，通常可以优选使用Mw/Mn为1.05以上的含酰胺基聚合物A。
此处公开的含酰胺基聚合物A优选实质上仅由结构单元S组成。换言之，含酰胺基聚合物A优选结构单元S在该聚合物的分子结构中所含有的全部结构单元的摩尔数中所占的摩尔数的比率(摩尔比)为97摩尔％以上(例如99摩尔％以上、典型的为99.5～100摩尔％)。作为那样的聚合物的适宜的例子，可以举出仅由1种此处公开的单体s形成的均聚物、由2种以上单体s形成的共聚物。
另外，此处公开的含酰胺基聚合物A可以是在不大幅损害发明的效果的范围内包含源自1种或2种以上能与单体s共聚的单体t的结构单元(以下也称为“结构单元T”)的共聚物。上述结构单元T被定义为与结构单元S不同的结构单元。含酰胺基聚合物A中的上述结构单元T的比率(摩尔比)可以设为小于50摩尔％(例如小于30摩尔％、典型的为小于10摩尔％)。
需要说明的是，上述“摩尔％”为将源自一个单体(包含单体s及单体t)的一个结构单元视为1分子而算出的摩尔比。因此，上述的结构单元S、T的比率可以分别对应于单体s、单体t在聚合中使用的全部单体成分中所占的摩尔比。
<有机化合物B>
此处公开的研磨用组合物除了上述的含酰胺基聚合物A以外，还含有不含酰胺基的有机化合物B。所述有机化合物B典型的是优选分子量(MB)为200以上。另外，优选使用碳原子数为5以上(优选为6以上、更优选为10以上)的有机化合物。可以没有特别限定地使用满足这样的条件的有机化合物B。作为所述有机化合物B的一例，可以举出不含酰胺基的表面活性剂或者水溶性聚合物。
作为不含酰胺基的表面活性剂，可以优选采用阴离子性或非离子性的表面活性剂。从低起泡性、pH调节的容易性的观点出发，更优选非离子性的表面活性剂。例如，可以举出：聚乙二醇、聚丙二醇、聚四亚甲基二醇等氧化烯聚合物；聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烷基苯基醚、聚氧乙烯烷基胺、聚氧乙烯脂肪酸酯、聚氧乙烯甘油醚脂肪酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇酐脂肪酸酯等聚氧化烯加成物；多种氧化烯的共聚物(二嵌段型、三嵌段型、无规型、交替型)；等非离子性表面活性剂。
作为非离子性表面活性剂的具体例，可以举出：氧化乙烯(EO)和氧化丙烯(PO)的嵌段共聚物(二嵌段物、PEO(聚氧化乙烯)-PPO(聚氧化丙烯)-PEO型三嵌段物、PPO-PEO-PPO型三嵌段物等)、EO和PO的无规共聚物、聚乙二醇、聚氧乙烯丙基醚、聚氧乙烯丁基醚、聚氧乙烯戊基醚、聚氧乙烯己基醚、聚氧乙烯辛基醚、聚氧乙烯-2-乙基己基醚、聚氧乙烯壬基醚、聚氧乙烯癸基醚、聚氧乙烯异癸基醚、聚氧乙烯十三烷基醚、聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯鲸蜡基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯异硬脂基醚、聚氧乙烯油基醚、聚氧乙烯苯基醚、聚氧乙烯辛基苯基醚、聚氧乙烯壬基苯基醚、聚氧乙烯十二烷基苯基醚、聚氧乙烯苯乙烯化苯基醚、聚氧乙烯月桂基胺、聚氧乙烯硬脂基胺、聚氧乙烯油基胺、聚氧乙烯单月桂酸酯、聚氧乙烯单硬脂酸酯、聚氧乙烯二硬脂酸酯、聚氧乙烯单油酸酯、聚氧乙烯二油酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇酐单月桂酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇酐单棕榈酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇酐单硬脂酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇酐单油酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇酐三油酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇四油酸酯、聚氧乙烯蓖麻油、聚氧乙烯氢化蓖麻油等。其中，作为优选的表面活性剂，可以举出：EO和PO的嵌段共聚物(特别是PEO-PPO-PEO型的三嵌段物)、EO和PO的无规共聚物及聚氧乙烯烷基醚(例如聚氧乙烯癸基醚)。
不含酰胺基的水溶性聚合物(以下也称为“任选聚合物”)可以是在分子中具有选自阳离子性基团、阴离子性基团及非离子性基团中的至少1种官能团的聚合物。上述任选聚合物例如可以是在分子中具有羟基、羧基、酰氧基、磺基、季铵结构、杂环结构、乙烯基结构、聚氧化烯结构等的聚合物。从聚集性的降低、清洗性的提高等观点出发，作为上述任选聚合物，可以优选采用非离子性的聚合物。
作为此处公开的研磨用组合物中的任选聚合物的适宜的例子，可以例示出包含氧化烯单元的聚合物、含有氮原子的聚合物、乙烯醇系聚合物等。
作为包含氧化烯单元的聚合物的例子，可以举出PEO、EO和PO的嵌段共聚物、EO和PO的无规共聚物等。EO和PO的嵌段共聚物可以为包含PEO嵌段和PPO嵌段的二嵌段物、三嵌段物等。上述三嵌段物的例子中包括PEO-PPO-PEO型三嵌段物及PPO-PEO-PPO型三嵌段物。通常更优选PEO-PPO-PEO型三嵌段物。
从在水中的溶解性、清洗性等观点出发，在EO和PO的嵌段共聚物或无规共聚物中，构成该共聚物的EO与PO的摩尔比(EO/PO)优选大于1、更优选为2以上、进一步优选为3以上(例如5以上)。
作为含有氮原子的聚合物，主链中含有氮原子的聚合物及侧链官能团(侧基)中具有氮原子的聚合物均可以使用。作为主链中含有氮原子的聚合物的例子，可以举出：N-酰基亚烷基亚胺型单体的均聚物及共聚物。作为N-酰基亚烷基亚胺型单体的具体例，可以举出：N-乙酰基亚乙基亚胺、N-丙酰基亚乙基亚胺等。作为侧基中具有氮原子的聚合物，例如可以举出包含N-乙烯基型的单体单元的聚合物等。例如，可以采用N-乙烯基吡咯烷酮的均聚物及共聚物等。
乙烯醇系聚合物典型的为包含乙烯醇单元作为主要重复单元的聚合物(PVA)。在该聚合物中，乙烯醇单元的摩尔数在全部重复单元的摩尔数中所占的比率通常为50％以上、优选为65％以上、更优选为70％以上、例如为75％以上。全部重复单元可以实质上由乙烯醇单元构成。此处“实质上”典型的是指重复单元的95％以上为乙烯醇单元。对PVA中的除乙烯醇单元以外的重复单元的种类没有特别限定，例如可以为选自乙酸乙烯酯单元、丙酸乙烯酯单元、己酸乙烯酯单元等中的1种或2种以上。
作为此处公开的研磨用组合物中可含有的任选聚合物的其它例子，可以举出：羟乙基纤维素、羟丙基纤维素、羟乙基甲基纤维素、羟丙基甲基纤维素、甲基纤维素、乙基纤维素、乙基羟基乙基纤维素、羧基甲基纤维素等纤维素衍生物及支链淀粉。
此处公开的研磨用组合物的含酰胺基聚合物A的分子量MA与有机化合物B的分子量MB的关系满足下式：200≤MB<MA。通过使有机化合物B的分子量MB小于含酰胺基聚合物A的分子量MA，能以更高水平兼顾降低雾度的性能和聚集性的降低。若上述研磨用组合物的聚集性降低，则能提高该研磨用组合物的过滤性，因此优选。虽然不需要明确可获得上述降低雾度性能的理由，但可以认为，低分子量的有机化合物B在研磨时以填埋高分子量的含酰胺基聚合物A的间隙的方式致密地吸附在硅晶圆上，从而有助于降低雾度。
从降低雾度及降低聚集性等观点出发，含酰胺基聚合物A的分子量MA相对于有机化合物B的分子量MB的比(MA/MB)大致为(MA/MB)≥1.5是适当的，优选为(MA/MB)≥2、更优选为(MA/MB)>5。在优选的一个实施方式中，可以为(MA/MB)≥7、例如可以为(MA/MB)≥10。在有机化合物B为表面活性剂的情况下，上述(MA/MB)可以为(MA/MB)≥30、可以为(MA/MB)≥300、可以为(MA/MB)≥500。对(MA/MB)的上限值没有特别限定，从降低雾度性能等观点出发，优选为(MA/MB)≤5000、更优选为(MA/MB)≤1000。
从降低雾度性能及聚集性的降低等观点出发，例如有机化合物B的分子量MB典型的为2×104以下，优选为1.8×104以下、更优选为1.5×104以下、进一步优选为1.2×104以下。在优选的一个实施方式中，有机化合物B的分子量MB可以为小于1×104、例如可以为9.5×103以下(典型的为9×103以下)。例如在使用PEO-PPO-PEO型的三嵌段物作为有机化合物B的情况下，分子量MB优选为2×104以下、更优选为小于1×104。例如在使用聚氧乙烯烷基醚作为有机化合物B的情况下，分子量MB优选为1×103以下、更优选为500以下。例如在使用聚乙烯醇(PVA)作为有机化合物B的情况下，分子量MB优选为2×104以下、更优选为1.25×104以下。另外，有机化合物B的分子量MB典型的为2×102以上、从降低雾度等观点出发，优选为2.5×102以上。需要说明的是，作为有机化合物B的分子量MB，可以采用通过GPC求出的重均分子量(水系、聚乙二醇换算)或由化学式算出的分子量。
作为此处公开的研磨用组合物的适宜的例子，可以例示出：含酰胺基聚合物A的分子量MA为10×104≤MA≤50×104并且有机化合物B的分子量MB为0.3×104≤MB≤2×104；含酰胺基聚合物A的分子量MA为10×104≤MA≤50×104并且有机化合物B的分子量MB为300≤MB≤0.3×104；含酰胺基聚合物A的分子量MA为5×104≤MA≤40×104并且有机化合物B的分子量MB为0.8×104≤MB≤3×104；等。为这样的含酰胺基聚合物A及有机化合物B的分子量的范围内时，能以更高水平兼顾降低雾度的性能和聚集性的降低。
<水>
此处公开的研磨用组合物典型地除了上述含酰胺基聚合物A以外还含有水。作为水，可以优选使用离子交换水(去离子水)、纯水、超纯水、蒸馏水等。对于使用的水，为了尽量避免阻碍研磨用组合物中所含有的其它成分的作用，例如优选过渡金属离子的总含量为100ppb以下。例如，可以通过利用离子交换树脂去除杂质离子、利用过滤器去除异物、蒸馏等操作来提高水的纯度。
此处公开的研磨用组合物根据需要还可以含有可与水均匀混合的有机溶剂(低级醇、低级酮等)。通常优选研磨用组合物中所含有的溶剂的90体积％以上为水、更优选95体积％以上(典型的为99～100体积％)为水。
此处公开的研磨用组合物(典型的为浆料状的组合物)例如可以优选以如下形态实施：其固体成分含量(non-volatile content；NV)为0.01质量％～50质量％、剩余部分为水系溶剂(水或水与上述有机溶剂的混合溶剂)的形态；或者剩余部分为水系溶剂及挥发性化合物(例如氨)的形态。更优选上述NV为0.05质量％～40质量％的形态。需要说明的是，上述固体成分含量(NV)是指使研磨用组合物在105℃下干燥24小时后的残留物在上述研磨用组合物中所占的质量的比率。
<磨粒>
此处公开的研磨用组合物在磨粒的存在下使用。磨粒具有对硅晶圆的表面进行机械研磨的功能。另外，磨粒在这里公开的研磨用组合物中具有使吸附在该磨粒表面上的上述含酰胺基聚合物A与硅晶圆摩擦的功能、或者将吸附在硅晶圆上的上述含酰胺基聚合物A剥离的功能。由此来调整利用硅晶圆研磨促进剂进行的化学研磨。需要说明的是，在本说明书中，“研磨用组合物在磨粒的存在下使用”可以包含在研磨用组合物中含有磨粒的方式。所述方式可作为此处公开的研磨用组合物的适宜的一个实施方式来把握。因此，“研磨用组合物在磨粒的存在下使用”可以换言之为“研磨用组合物含有磨粒”。或者，磨粒例如也可以以包含于研磨垫中的固定磨粒的形态使用。
对此处公开的磨粒的材质没有特别限制，可以根据研磨用组合物的使用目的、使用方式等适宜选择。作为磨粒的例子，可以举出：无机颗粒、有机颗粒、及有机无机复合颗粒。作为无机颗粒的具体例，可以举出：二氧化硅颗粒、氧化铝颗粒、氧化铈颗粒、氧化铬颗粒、二氧化钛颗粒、氧化锆颗粒、氧化镁颗粒、二氧化锰颗粒、氧化锌颗粒、氧化铁红颗粒等氧化物颗粒；氮化硅颗粒、氮化硼颗粒等氮化物颗粒；碳化硅颗粒、碳化硼颗粒等碳化物颗粒；金刚石颗粒；碳酸钙、碳酸钡等碳酸盐等。作为有机颗粒的具体例，可以举出：聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)颗粒、聚(甲基)丙烯酸颗粒(此处，(甲基)丙烯酸是指包括丙烯酸及甲基丙烯酸的意思。)、聚丙烯腈颗粒等。这样的磨粒可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。
作为上述磨粒，优选无机颗粒，其中，优选由金属或半金属的氧化物形成的颗粒。作为此处公开的技术中可使用的磨粒的适宜的例子，可以举出二氧化硅颗粒。其理由是，如果使用包含与研磨对象物(硅晶圆)相同的元素和氧原子的二氧化硅颗粒作为磨粒，则研磨后不会产生与硅不同的金属或半金属的残留物，不存在因硅晶圆表面的污染、与硅不同的金属或半金属向研磨对象物内部扩散而导致的作为硅晶圆的电特性变差等担心。作为从所述观点出发而优选的研磨用组合物的一个形态，可以例示出仅含有二氧化硅颗粒作为磨粒的研磨用组合物。另外，二氧化硅具有容易获得高纯度这样的性质。这也可以作为优选二氧化硅颗粒作为磨粒的理由而举出。作为二氧化硅颗粒的具体例，可以举出：胶体二氧化硅、气相二氧化硅、沉淀二氧化硅等。从不易在研磨对象物表面产生划痕、能实现雾度更低的表面这样的观点出发，作为优选的二氧化硅颗粒，可以举出胶体二氧化硅及气相二氧化硅。其中，优选胶体二氧化硅。其中，作为硅晶圆的抛光(特别是最终抛光)中使用的研磨用组合物的磨粒，可优选采用胶体二氧化硅。
构成二氧化硅颗粒的二氧化硅的真比重优选为1.5以上、更优选为1.6以上、进一步优选为1.7以上。通过增大二氧化硅的真比重，在对硅晶圆进行研磨时，研磨速度(每单位时间去除研磨对象物的表面的量)能够提高。从减少研磨对象物的表面(研磨面)产生的划痕的观点出发，优选真比重为2.2以下的二氧化硅颗粒。作为二氧化硅的真比重，可以采用通过使用乙醇作为置换液的液体置换法得到的测定值。
此处公开的技术中，研磨用组合物中所含的磨粒可以为一次颗粒的形态，也可以为多个一次颗粒缔合而成的二次颗粒的形态。另外，还可以为一次颗粒形态的磨粒和二次颗粒形态的磨粒混合存在。在优选的一个实施方式中，至少一部分磨粒以二次颗粒的形态包含在研磨用组合物中。
对磨粒的平均一次粒径DP1没有特别限制，从研磨效率等观点出发，优选为5nm以上、更优选为10nm以上。从得到更高的研磨效果的观点出发，平均一次粒径DP1优选为15nm以上、更优选为20nm以上(例如超过20nm)。另外，从容易得到平滑性更高的表面的观点出发，平均一次粒径DP1通常为100nm以下是适当的，更优选为50nm以下，进一步优选为40nm以下。从得到更高品质的表面等观点出发，可以使用平均一次粒径DP1为35nm以下(典型的为小于30nm)的磨粒。
需要说明的是，此处公开的技术中，磨粒的平均一次粒径DP1例如可以由利用BET法测定的比表面积S(m2/g)，通过平均一次粒径DP1(nm)＝2727/S的式子算出。磨粒的比表面积的测定例如可以使用Micromeritics InstrumentCorporation制的表面积测定装置、商品名“Flow Sorb II 2300”来进行。
从研磨速度等观点出发，磨粒的平均二次粒径DP2优选为10nm以上、更优选为20nm以上。从得到更高的研磨效果的观点出发，平均二次粒径DP2优选为30nm以上、更优选为35nm以上、进一步优选为40nm以上(例如超过40nm)。另外，从得到平滑性更高的表面的观点出发，磨粒的平均二次粒径DP2为200nm以下是适当的，优选为150nm以下、更优选为100nm以下。对于此处公开的技术，从容易得到更高品质的表面等观点出发，也可以优选以使用平均二次粒径DP2小于70nm(更优选60nm以下，例如小于50nm)的磨粒的方式实施。
磨粒的平均二次粒径DP2可如下测定：将作为对象的磨粒的水分散液作为测定样品，例如通过使用日机装株式会社制的型号“UPA-UT151”的动态光散射法进行测定。对测定样品的水分散液中的磨粒浓度没有特别限定，从测定精度的观点出发，磨粒的浓度优选设为0.5质量％以下，更优选设为0.2质量％以下。
磨粒的平均二次粒径DP2通常为磨粒的平均一次粒径DP1的同等程度以上(DP2/DP1≥1)，典型的为大于DP1(DP2/DP1>1)。虽然没有特别限定，但从研磨效果及研磨后的表面平滑性的观点出发，磨粒的DP2/DP1通常处于1.2～3的范围是适当的，优选为1.5～2.5的范围、更优选为1.7～2.3(例如超过1.8且为2.2以下)的范围。
磨粒的形状(外形)可以为球形，也可以为非球形。作为呈非球形的磨粒的具体例，可以举出花生形状(即落花生的壳的形状)、茧型形状、金平糖形状、橄榄球形状等。例如，可以优选采用大多数磨粒呈花生形状的磨粒。
虽然没有特别限定，但磨粒的一次颗粒的长径/短径比的平均值(平均长径比)优选为1.05以上、进一步优选为1.1以上。通过增大磨粒的平均长径比，能实现更高的研磨速度。另外，从减少划痕等观点出发，磨粒的平均长径比优选为3.0以下，更优选为2.0以下，进一步优选为1.5以下。
上述磨粒的形状(外形)、平均长径比例如可以通过电子显微镜观察来把握。作为把握平均长径比的具体步骤，例如，使用扫描型电子显微镜(SEM)，对于能够识别独立的颗粒形状的规定个数(例如200个)的磨粒颗粒，描绘与各个颗粒图像外接的最小的长方形。然后，对于对各颗粒图像描绘出的长方形，将用其长边的长度(长径的值)除以短边的长度(短径的值)所得到的值作为长径/短径比(长径比)而算出。通过对上述规定个数的颗粒的长径比进行算术平均，能够求出平均长径比。
<硅晶圆研磨促进剂>
此处公开的研磨用组合物典型地除了含有含酰胺基聚合物A、有机化合物B及水以外，还含有硅晶圆研磨促进剂。硅晶圆研磨促进剂为通过添加到研磨用组合物中而发挥对作为研磨对象的面进行化学研磨的作用并有助于提高研磨速度的成分。硅晶圆研磨促进剂具有对硅进行化学蚀刻的作用，典型的为碱性化合物。由于研磨用组合物中所含的碱性化合物使研磨用组合物的pH增大，使磨粒、含酰胺基聚合物A的分散状态提高，因此能够有助于研磨用组合物的分散稳定性的提高、磨粒带来的机械研磨作用的提高。
作为碱性化合物，可以使用含有氮的有机或无机的碱性化合物、碱金属或碱土金属的氢氧化物、各种碳酸盐、碳酸氢盐等。例如，可以举出：碱金属的氢氧化物、氢氧化季铵或其盐、氨、胺等。作为碱金属的氢氧化物的具体例，可以举出：氢氧化钾、氢氧化钠等。作为碳酸盐或碳酸氢盐的具体例，可以举出：碳酸氢铵、碳酸铵、碳酸氢钾、碳酸钾、碳酸氢钠、碳酸钠等。作为氢氧化季铵或其盐的具体例，可以举出：四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵等。作为胺的具体例，可以举出：甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、乙二胺、单乙醇胺、N-(β-氨基乙基)乙醇胺、六亚甲基二胺、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、无水哌嗪、哌嗪六水合物、1-(2-氨基乙基)哌嗪、N-甲基哌嗪、胍、咪唑、***等唑类等。这样的碱性化合物可以单独使用1种或组合使用2种以上。
作为从提高研磨速度等观点出发而优选的碱性化合物，可以举出：氨、氢氧化钾、氢氧化钠、四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、碳酸氢铵、碳酸铵、碳酸氢钾、碳酸钾、碳酸氢钠及碳酸钠。其中，作为优选的碱性化合物，可以例示出：氨、氢氧化钾、氢氧化钠、四甲基氢氧化铵及四乙基氢氧化铵。作为更优选的碱性化合物，可以举出氨及四甲基氢氧化铵。作为特别优选的碱性化合物，可以举出氨。
<其它成分>
此处公开的研磨用组合物在不会显著妨碍本发明的效果的范围内，根据需要还可以含有螯合剂、有机酸、有机酸盐、无机酸、无机酸盐、防腐剂、防霉剂等可以在研磨用组合物(典型的为硅晶圆的最终抛光中使用的研磨用组合物)中使用的公知的添加剂。
作为螯合剂的例子，可以举出：氨基羧酸系螯合剂及有机膦酸系螯合剂。氨基羧酸系螯合剂的例子中包括：乙二胺四乙酸、乙二胺四乙酸钠、次氮基三乙酸、次氮基三乙酸钠、次氮基三乙酸铵、羟基乙基乙二胺三乙酸、羟基乙基乙二胺三乙酸钠、二亚乙基三胺五乙酸、二亚乙基三胺五乙酸钠、三亚乙基四胺六乙酸及三亚乙基四胺六乙酸钠。有机膦酸系螯合剂的例子中包括：2-氨基乙基膦酸、1-羟基乙叉基-1,1-二膦酸、氨基三(亚甲基膦酸)、乙二胺四(亚甲基膦酸)、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)、乙烷-1,1-二膦酸、乙烷-1,1,2-三膦酸、乙烷-1-羟基-1,1-二膦酸、乙烷-1-羟基-1,1,2-三膦酸、乙烷-1,2-二羧基-1,2-二膦酸、甲烷羟基膦酸、2-膦酰基丁烷-1,2-二羧酸、1-膦酰基丁烷-2,3,4-三羧酸及α-甲基膦酰基琥珀酸。这些之中，更优选有机膦酸系螯合剂，其中，作为优选的有机膦酸系螯合剂，可以举出乙二胺四(亚甲基膦酸)及二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)。作为特别优选的螯合剂，可以举出乙二胺四(亚甲基膦酸)。
作为有机酸的例子，可以举出：甲酸、乙酸、丙酸等脂肪酸；苯甲酸、邻苯二甲酸等芳香族羧酸、柠檬酸、草酸、酒石酸、苹果酸、马来酸、富马酸、琥珀酸、有机磺酸、有机膦酸等。作为有机酸盐的例子，可以举出有机酸的碱金属盐(钠盐、钾盐等)、铵盐等。作为无机酸的例子，可以举出：硫酸、硝酸、盐酸、碳酸等。作为无机酸盐的例子，可以举出无机酸的碱金属盐(钠盐、钾盐等)、铵盐。有机酸及其盐、以及无机酸及其盐可以单独使用1种或组合使用2种以上。
作为防腐剂及防霉剂的例子，可以举出异噻唑啉系化合物、对羟基苯甲酸酯类、苯氧基乙醇等。
<用途>
此处公开的研磨用组合物可以用于由单晶硅形成的研磨对象物(硅晶圆)的研磨。对研磨对象物的形状没有特别限制。此处公开的研磨用组合物可以优选应用于例如板状、多面体状等具有平面的研磨对象物的研磨、或者研磨对象物的端部的研磨(例如晶圆边缘的研磨)。
此处公开的研磨用组合物可优选用于研磨对象物的最终抛光。因此，根据本说明书，提供一种包含使用了上述研磨用组合物的最终抛光工序的研磨物的制造方法(例如硅晶圆的制造方法)。需要说明的是，最终抛光是指目标物的制造工艺中的最后的抛光工序(即，在该工序之后不再进行进一步抛光的工序)。另外，此处公开的研磨用组合物还可以用于比最终抛光靠上游的抛光工序(是指粗研磨工序和最终研磨工序之间的预研磨工序。典型的为包括至少1次抛光工序，进而可以包括2次、3次……等抛光工序。)，例如在即将进行最终抛光之前进行的抛光工序。
此处公开的研磨用组合物可以特别优选用于硅晶圆的研磨。例如，作为用于硅晶圆的最终抛光或比其靠上游的抛光工序的研磨用组合物是适当的。例如，用于通过上游的工序调节为表面粗糙度为0.01nm～100nm的表面状态的硅晶圆的抛光(典型的为最终抛光或即将进行最终抛光之前的抛光)是有效的。特别优选用于最终抛光。
<研磨液>
此处公开的研磨用组合物典型的为以包含该研磨用组合物的研磨液的形态供给到研磨对象物，用于该研磨对象物的研磨。上述研磨液例如可以为将此处公开的任意研磨用组合物稀释(典型的为用水稀释)而制备的研磨液。或者，也可以将该研磨用组合物直接作为研磨液使用。即，此处公开的技术中的研磨用组合物的概念包含向研磨对象物供给而用于该研磨对象物的研磨的研磨液(工作浆料)、和稀释而作为研磨液使用的浓缩液(研磨液的原液)这两者。作为包含此处公开的研磨用组合物的研磨液的其它例子，可以举出对该研磨用组合物的pH进行调节而成的研磨液。
对研磨液中的含酰胺基聚合物A的含量没有特别限制，例如可以设为1×10-4质量％以上。从降低雾度等观点出发，优选的含量为5×10-4质量％以上、更优选为1×10-3质量％以上、例如为2×10-3质量％以上。另外，从研磨速度等观点出发，优选将上述含量设为0.2质量％以下、更优选设为0.1质量％以下(例如0.05质量％以下)。需要说明的是，在上述研磨液含有2种以上含酰胺基聚合物A的情况下，上述含量是指该研磨液中所含有的全部的含酰胺基聚合物A的总含量。
对研磨液中的有机化合物B的含量没有特别限制，例如可以设为1×10-5质量％以上。从降低雾度的性能及聚集性的降低的观点出发，优选的含量为3×10-5质量％以上、更优选为5×10-5质量％以上、例如为8×10-5质量％以上。另外，优选将上述含量设为0.2质量％以下、更优选设为0.1质量％以下(例如0.05质量％以下)。需要说明的是，在上述研磨液含有2种以上有机化合物B的情况下，上述含量是指该研磨液中所含有的全部的有机化合物B的总含量。
另外，对含酰胺基聚合物A的含量w1与有机化合物B的含量w2的质量比(w1/w2)没有特别限制，例如可以设为0.01～1000的范围、优选0.05～500的范围、更优选0.1～200的范围、进一步优选0.5～150的范围。
此处公开的研磨用组合物包含磨粒时，对研磨液中的磨粒的含量没有特别限制，典型的为0.01质量％以上、优选为0.05质量％以上、更优选为0.1质量％以上，例如为0.15质量％以上。通过增大磨粒的含量，能实现更高的研磨速度。从实现雾度更低的表面的观点出发，通常，上述含量为10质量％以下是适当的，优选为7质量％以下、更优选为5质量％以下、进一步优选为2质量％以下、例如为1质量％以下。
对此处公开的研磨液中的硅晶圆研磨促进剂的含量没有特别限制。从提高研磨速度等观点出发，通常，优选将其含量设为研磨液的0.001质量％以上、更优选设为0.003质量％以上。另外，从降低雾度等观点出发，优选将上述含量设为小于0.4质量％、更优选设为小于0.25质量％。
对研磨液的pH的下限值没有特别限定。例如pH优选为8.0以上、进一步优选为9.0以上、最优选为9.5以上。研磨液的pH为8.0以上(进一步优选为9.0以上、最优选为9.5以上)时，硅晶圆的研磨速度提高，能够高效地获得表面精度高的硅晶圆。另外，研磨液中颗粒的分散稳定性提高。对研磨液的pH的上限值没有特别限制，优选为12.0以下、进一步优选为11.0以下。研磨液的pH为12.0以下(进一步优选为11.0以下)时，能够防止研磨液中所含的磨粒(特别是胶体二氧化硅、气相二氧化硅、沉淀二氧化硅等二氧化硅颗粒)因碱性化合物而溶解的情况，能够抑制由磨粒带来的机械研磨作用的降低。上述pH可以利用例如上述碱性化合物、上述其它成分中的有机酸或无机酸来调节。上述pH可优选应用于硅晶圆的研磨中使用的研磨液(例如最终抛光用的研磨液)。研磨液的pH如下进行测定：使用pH计(例如，HORIBA,Ltd.制的玻璃电极式氢离子浓度指示计(型号F-23))，使用标准缓冲液(邻苯二甲酸盐pH缓冲液pH：4.01(25℃)、中性磷酸盐pH缓冲液pH：6.86(25℃)、碳酸盐pH缓冲液pH：10.01(25℃))，进行3点校正后，将玻璃电极放入到研磨液中，经过2分钟以上，对稳定后的值进行测定。
<浓缩液>
此处公开的研磨用组合物在供给到研磨对象物之前可以为被浓缩的形态(即，研磨液的浓缩液的形态)。这样被浓缩的形态的研磨用组合物从制造、流通、保存等时的便利性、成本减少等观点出发是有利的。浓缩倍率例如以体积换算计可以设为2倍～100倍左右，通常为5倍～50倍左右是适当的。优选的一个实施方式的研磨用组合物的浓缩倍率为10倍～40倍，例如为15倍～25倍。
这样处于浓缩液的形态的研磨用组合物可以以下述方式使用：在期望的时机进行稀释来制备研磨液，向研磨对象物供给该研磨液。上述稀释典型地可以通过在上述浓缩液中加入前述的水系溶剂并混合来进行。另外，在上述水系溶剂为混合溶剂的情况下，可以仅加入该水系溶剂的构成成分中的一部分成分进行稀释，也可以加入以与上述水系溶剂不同的量比包含这些构成成分的混合溶剂进行稀释。另外，如后所述，在多组分型的研磨用组合物中，可以在将它们中的一部分组分稀释之后与其它组分混合而制备研磨液，也可以在将多个组分混合之后将该混合物稀释而制备研磨液。
上述浓缩液的NV例如可以设为50质量％以下。从研磨用组合物的稳定性(例如磨粒的分散稳定性)、过滤性等观点出发，通常，浓缩液的NV设为40质量％以下是适当的，优选为30质量％以下、更优选为20质量％以下，例如为15质量％以下。另外，从制造、流通、保存等时的便利性、成本减少等观点出发，浓缩液的NV设为0.5质量％以上是适当的，优选为1质量％以上、更优选为3质量％以上，例如为5质量％以上。
上述浓缩液中的含酰胺基聚合物A的含量例如可以设为3质量％以下。从研磨用组合物的过滤性、清洗性等观点出发，通常，上述含量优选为1质量％以下、更优选为0.5质量％以下。另外，从制造、流通、保存时的便利性、成本减少等观点出发，上述含量通常为1×10-3质量％以上是适当的，优选为5×10-3质量％以上、更优选为1×10-2质量％以上。
上述浓缩液中的有机化合物B的含量例如可以设为2质量％以下。从研磨用组合物的过滤性等观点出发，通常，上述含量优选为1质量％以下、更优选为0.5质量％以下。另外，从制造、流通、保存时的便利性、成本减少等观点出发，上述含量通常设为1×10-5质量％以上是适当的。
此处公开的研磨用组合物包含磨粒时，上述浓缩液中的磨粒的含量例如可以设为50质量％以下。从研磨用组合物的稳定性(例如磨粒的分散稳定性)、过滤性等观点出发，通常，上述含量优选为45质量％以下、更优选为40质量％以下。在优选的一个实施方式中，磨粒的含量可以设为30质量％以下，也可以设为20质量％以下(例如15质量％以下)。另外，从制造、流通、保存时的便利性、成本减少等观点出发，磨粒的含量例如可以设为0.5质量％以上，优选为1质量％以上、更优选为3质量％以上(例如5质量％以上)。
此处公开的研磨用组合物可以为单组分型，也可以为以二组分型为首的多组分型。例如可以如下构成：将包含该研磨用组合物的构成成分中的一部分成分的I液(例如包含磨粒(例如二氧化硅颗粒)和硅晶圆研磨促进剂和水的分散液)和包含剩余成分的II液(例如含有含酰胺基聚合物A及有机化合物B的液体)混合而用于研磨对象物的研磨。或者还可以以如下方式使用：在规定的时机，在包含硅晶圆研磨促进剂、含酰胺基聚合物A、有机化合物B及水的研磨用组合物中混合另外准备的磨粒。
<研磨用组合物的制备>
对此处公开的研磨用组合物的制造方法没有特别限定。例如可以使用叶片式搅拌机、超声波分散机、均质混合器等公知的混合装置将研磨用组合物中所含的各成分混合。对混合这些成分的方式没有特别限定，例如可以一次性混合全部成分，也可以按照适宜设定的顺序进行混合。
<研磨>
此处公开的研磨用组合物例如可以以包括以下操作的方式用于研磨对象物的研磨。以下，对使用此处公开的研磨用组合物对研磨对象物进行研磨的方法的适宜的一个实施方式进行说明。
即，准备包含此处公开的任意研磨用组合物的研磨液(典型的为浆料状的研磨液，有时也称为研磨浆料。)。准备上述研磨液可以包括对研磨用组合物进行浓度调节(例如稀释)、pH调节等操作来制备研磨液。或者，也可以将上述研磨用组合物直接作为研磨液使用。另外，多组分型的研磨用组合物的情况下，准备上述研磨液可以包括：将这些组分混合，在该混合前对1个或多个组分进行稀释，在该混合后对该混合物进行稀释等。
接着，向研磨对象物供给该研磨液，利用常规方法进行研磨。例如，在进行硅晶圆的最终抛光的情况下，将经过了打磨工序及预抛光工序的硅晶圆安装在一般的研磨装置上，通过该研磨装置的研磨垫向上述硅晶圆的表面(研磨对象面)供给研磨液。典型的为，边连续地供给上述研磨液，边将研磨垫按压在硅晶圆的表面上并使两者相对移动(例如旋转移动)。经过所述研磨工序，完成研磨对象物的研磨。
需要说明的是，对上述研磨工序中使用的研磨垫没有特别限定。例如可以使用无纺布型、绒面革型、包含磨粒的研磨垫、不包含磨粒的研磨垫等的任意种。
<冲洗>
对于使用此处公开的、包含磨粒的研磨用组合物进行了研磨的研磨物，可以用除了不包含磨粒以外包含与上述研磨用组合物相同成分的冲洗液来冲洗。换言之，研磨对象物的研磨可以具有下述冲洗工序：使用除了不包含磨粒以外包含与上述研磨用组合物相同成分的冲洗液对上述研磨物进行冲洗的工序。通过冲洗工序，能够使成为研磨物的表面的缺陷、雾度的原因的磨粒等残留物减少。冲洗工序可以在抛光工序和抛光工序之间进行，也可以在最终抛光工序之后且后述的清洗工序之前进行。通过使用除了不包含磨粒以外包含与上述研磨用组合物相同的冲洗液进行冲洗，能够进一步减少缺陷、降低雾度而不会阻碍吸附于硅晶圆表面上的上述含酰胺基聚合物A的作用。所述冲洗液典型地可以为包含硅晶圆研磨促进剂、含酰胺基聚合物A及水的硅晶圆研磨用组合物(具体而言为硅晶圆研磨的冲洗中使用的组合物。也称为冲洗用组合物。)。关于该硅晶圆的冲洗用组合物的组成等，由于除了不包含磨粒以外与上述的硅晶圆研磨用组合物基本相同，因此此处不再重复说明。
<清洗>
另外，使用此处公开的研磨用组合物进行了研磨的研磨物典型的为在研磨后(如果必要则在冲洗后)进行清洗。该清洗可以使用适当的清洗液进行。对使用的清洗液没有特别限定，例如可以使用半导体等领域中通常使用的SC-1清洗液(氢氧化铵(NH4OH)和过氧化氢(H2O2)和水(H2O)的混合液。以下，将使用SC-1清洗液进行清洗称为“SC-1清洗”。)、SC-2清洗液(HCl和H2O2和H2O的混合液。)等。清洗液的温度例如可以设为常温～90℃左右。从提高清洗效果的观点出发，可优选使用50℃～85℃左右的清洗液。
以下，对本发明相关的几个实施例进行说明，但并非意在将本发明限定于所述实施例所示的内容。需要说明的是，在以下的说明中，“份”及“％”在没有特别说明的情况下为质量基准。
<研磨用组合物的制备>
(实施例1)
将磨粒、水溶性聚合物、有机化合物、氨水(浓度29％)及去离子水混合，得到研磨用组合物的浓缩液。用去离子水将该浓缩液稀释20倍，制备实施例1的研磨用组合物。
作为磨粒，使用平均一次粒径35nm的胶体二氧化硅。上述平均一次粒径是使用Micromeritics Instrument Corporation制的表面积测定装置、商品名“Flow Sorb II2300”测得的。
作为水溶性聚合物，使用Mw为33×104的聚丙烯酰基吗啉(以下记为“PACMO”)。
作为有机化合物，使用Mw为9×103的PEO-PPO-PEO型的三嵌段共聚物(中心部为PPO、两端为PEO、以下记为“PEO-PPO-PEO”。)。上述PEO-PPO-PEO中的EO单元与PO单元的摩尔比为EO：PO＝85：15。
磨粒、水溶性聚合物、有机化合物、及氨水的用量为如下的量：研磨用组合物中的磨粒的含量为0.46％、水溶性聚合物的含量为0.010％、有机化合物的含量为0.0025％、氨(NH3)的含量为0.010％。
(实施例2)
使用Mw为378的聚氧乙烯(氧化乙烯加成摩尔数5)癸基醚(以下记为“C10PEO5”)作为有机化合物，使组合物中所含有的C10PEO5的含量为0.0003％，除此以外，与实施例1同样地操作，制备本例的研磨用组合物。
(实施例3)
使用Mw为17×104的PACMO作为水溶性聚合物，使用Mw为1.2×104的聚乙烯醇(皂化度为95摩尔％以上；以下记为“PVA”)作为有机化合物，使研磨用组合物中所含有的PVA的含量为0.0100％，除此以外，与实施例1同样地操作，制备本例的研磨用组合物。
(实施例4)
使用与实施例3相同的PVA和与实施例1相同的PEO-PPO-PEO作为有机化合物，使研磨用组合物中所含有的PVA的含量为0.005％、使PEO-PPO-PEO的含量为0.0025％，除此以外，与实施例1同样地操作，制备本例的研磨用组合物。
(实施例5)
使研磨用组合物中所含有的磨粒的含量为0.35％，除此以外，与实施例1同样地操作，制备本例的研磨用组合物。
(比较例1)
使用Mw为17×104的PACMO作为水溶性聚合物，不使用PEO-PPO-PEO，除此以外，与实施例1同样地操作，制备本例的研磨用组合物。
(比较例2)
不使用PEO-PPO-PEO，除此以外，与实施例1同样地操作，制备本例的研磨用组合物。
(比较例3)
使用Mw为25×104的羟乙基纤维素(以下记为“HEC”)代替PACMO，使研磨用组合物中所含有的HEC的含量为0.017％，除此以外，与实施例1同样地操作，制备本例的研磨用组合物。
(比较例4)
使用EO和PO的无规共聚物(Mw10×104；以下记为“EOPO无规共聚物”)代替PEO-PPO-PEO，使研磨用组合物中所含有的EOPO无规共聚物的含量为0.017％。需要说明的是，上述EOPO无规共聚物中的EO单元与PO单元的摩尔比为EO：PO＝12：1。另外，使用Mw为7×104的PACMO作为水溶性聚合物，使研磨用组合物中所含有的PACMO的含量为0.005％。其它与实施例1同样地操作，制备本例的研磨用组合物。
<硅晶圆的研磨>
将各例的研磨用组合物直接用作研磨液，在下述的条件下对硅晶圆的表面进行研磨。作为硅晶圆，进行粗研磨，对直径为300mm、传导型为P型、晶体取向为<100>、电阻率为0.1Ω·cm以上且小于100Ω·cm的硅晶圆使用研磨浆料(Fujimi Inc.制、商品名“GLANZOX2100”)进行预研磨，由此将表面粗糙度调节为0.1nm～10nm而使用。
[研磨条件]
研磨机：株式会社冈本工作机械制作所制造的单片研磨机、型号“PNX-332B”
研磨台：使用上述研磨机所具有的3个工作台中处于后段的2个工作台，实施预研磨后的最终研磨的第1段及第2段。
(以下的条件各工作台相同。)
研磨载荷：15kPa
平板转速：30rpm
研磨头转速：30rpm
研磨时间：2分钟
研磨液的温度：20℃
研磨液的供给速度：2.0升/分钟(使用自然流挂(掛け流し))
<清洗>
使用组成为氨水(浓度29％)：双氧水(浓度31％)：去离子水(DIW)＝1：3：30(体积比)的清洗液，对研磨后的硅晶圆进行清洗(SC-1清洗)。更具体而言，准备2个安装有频率950kHz的超声波振荡器的清洗槽，在所述第1及第2清洗槽中分别容纳上述清洗液，保持为60℃。然后，在使上述超声波振荡器工作的状态下，将研磨后的硅晶圆在第1清洗槽中浸渍6分钟，然后在使超声波振荡器工作的状态下，在容纳有超纯水的冲洗槽中浸渍并冲洗，进而在使上述超声波振荡器工作的状态下，在第2清洗槽中浸渍6分钟。
<雾度测定>
使用KLA-Tencor Corporation制的晶圆检查装置、商品名“Surfscan SP2”，在DWO模式下测定清洗后的硅晶圆表面的雾度(ppm)。将所得结果换算为以比较例1的雾度值为100％时的相对值，并示于表1。
<聚集性评价>
为了对研磨用组合物的聚集性进行评价，测定了该研磨用组合物的聚集率。此处，本说明书中的研磨用组合物的聚集率被定义为：将研磨用组合物中的颗粒的平均粒径设为R1、将后述的对照组合物中的磨粒的平均粒径设为R2时的R1相对于R2的比(即R1/R2)。上述聚集率越小，表示研磨用组合物的聚集性越低。以下，对研磨用组合物的聚集率的测定方法进行具体说明。
首先，将研磨用组合物作为测定样品，通过使用了日机装株式会社制的型号“UPA-UT151”的动态光散射法对该研磨用组合物中的颗粒的平均粒径(体积平均粒径)R1进行测定(测定装置在以下的R2的测定中是相同的)。接着，将上述研磨用组合物的制作中使用的磨粒、氨水及去离子水以与该研磨用组合物中的含量一致的方式进行称量并混合，由此制备对照组合物。具体而言，不使用水溶性聚合物及有机化合物，除此以外，与研磨用组合物的制作方法同样地操作，制备上述对照组合物。将得到的对照组合物作为测定样品，通过动态光散射法对该对照组合物中的磨粒的平均粒径(体积平均粒径)R2进行测定。其结果，实施例1～4及比较例1～4的对照组合物中的磨粒的平均粒径R2均为57nm、实施例5的对照组合物中的磨粒的平均粒径R2为42nm。由得到的R1及R2算出R1/R2，由此求出研磨用组合物的聚集率。将各例的研磨用组合物的R1及聚集率的结果示于表1。
[表1]
如表1所示，组合使用了高分子量的PACMO和低分子量的有机化合物的实施例1～5的研磨用组合物显示出以高水平兼顾了降低雾度的性能和聚集性的降低。其中，包含Mw小于1×104的有机化合物的实施例1、2、4及5显示出更优异的降低雾度效果。另外，包含Mw为33×104的PACMO和Mw为9000的PEO-PPO-PEO的实施例1、4及5的研磨用组合物显示出兼顾了更优异的降低雾度性能和聚集性的降低。与此相对，单独使用了PACMO的比较例1、2的研磨用组合物均为降低雾度性能不足。另外可知，对于组合使用了高分子量的HEC和低分子量的PEO-PPO-PEO(有机化合物)的比较例3的研磨用组合物，虽然比比较例1或2减少了雾度，但聚集性高，缺乏两性能的平衡。另外，对于组合使用了低分子量的PACMO和高分子量的EOPO无规共聚物(有机化合物)的比较例4的研磨用组合物，降低雾度的性能及聚集性的降低均差。由该结果能够确认：通过组合使用高分子量的含氨基聚合物和低分子量的有机化合物，能平衡良好地实现降低雾度性能和聚集性的降低。
以上，对本发明的具体例进行了详细说明，但这些例子只是例示，并非限定权利要求的范围。权利要求的范围中记载的技术包括对例示的具体例进行各种变形、变更。

Claims (7)

1.一种硅晶圆研磨用组合物，其在磨粒的存在下使用，
所述硅晶圆研磨用组合物含有硅晶圆研磨促进剂、含酰胺基聚合物A、不含酰胺基的有机化合物B及水，
所述含酰胺基聚合物A在主链中具有源自下述通式(1)所示的单体的结构单元S，
式中，R1为氢原子、碳原子数1～6的烷基、烯基、炔基、芳烷基、烷氧基、烷氧基烷基、烷醇基、乙酰基、苯基、苄基、氯基、二氟甲基、三氟甲基或氰基，X为(CH2)n、(CH2)2O(CH2)2或(CH2)2S(CH2)2，其中，n为4～6的整数，
所述含酰胺基聚合物A的分子量MA与所述有机化合物B的分子量MB的关系满足下式：
200≤MB<MA。
2.根据权利要求1所述的硅晶圆研磨用组合物，其中，所述含酰胺基聚合物A的分子量MA相对于所述有机化合物B的分子量MB的比MA/MB大于5。
3.根据权利要求1或2所述的硅晶圆研磨用组合物，其中，所述有机化合物B的分子量MB小于1×104。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的硅晶圆研磨用组合物，其中，所述含酰胺基聚合物A的分子量MA小于50×104。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的硅晶圆研磨用组合物，其中，所述通式(1)中的R1为氢原子或甲基。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的硅晶圆研磨用组合物，其中，所述通式(1)中的X为(CH2)2O(CH2)2。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的硅晶圆研磨用组合物，其中，所述磨粒为二氧化硅颗粒。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109986458A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 长鑫存储技术有限公司 缓研磨去除多晶硅表面凸块缺陷的方法及半导体工艺方法
CN110922897A (zh) * 2019-11-18 2020-03-27 宁波日晟新材料有限公司 一种用于硅化合物的低雾值无损伤抛光液及其制备方法
CN111954705A (zh) * 2018-03-30 2020-11-17 福吉米株式会社 研磨用组合物及研磨方法
CN112552824A (zh) * 2019-09-26 2021-03-26 福吉米株式会社 研磨用组合物和研磨方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102645587B1 (ko) * 2016-02-29 2024-03-11 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마용 조성물 및 이것을 사용한 연마 방법
EP3605588A4 (en) * 2017-03-31 2021-01-13 Fujimi Incorporated POLISHING COMPOSITION
KR20200076991A (ko) * 2018-12-20 2020-06-30 주식회사 케이씨텍 Sti 공정용 연마 슬러리 조성물
JP7356248B2 (ja) * 2019-03-28 2023-10-04 株式会社フジミインコーポレーテッド リンス用組成物およびリンス方法
WO2020196645A1 (ja) 2019-03-28 2020-10-01 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014034425A1 (ja) * 2012-08-31 2014-03-06 株式会社 フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及び基板の製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100377310C (zh) * 2003-01-31 2008-03-26 日立化成工业株式会社 Cmp研磨剂以及研磨方法
US20090093118A1 (en) 2005-04-14 2009-04-09 Showa Denko K.K. Polishing composition
KR100621154B1 (ko) * 2005-08-26 2006-09-07 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 제조방법
US20070175104A1 (en) 2005-11-11 2007-08-02 Hitachi Chemical Co., Ltd. Polishing slurry for silicon oxide, additive liquid and polishing method
JP4985409B2 (ja) * 2006-01-31 2012-07-25 日立化成工業株式会社 絶縁膜研磨用ｃｍｐ研磨剤、研磨方法、該研磨方法で研磨された半導体電子部品
WO2008013226A1 (fr) * 2006-07-28 2008-01-31 Showa Denko K.K. Composition de polissage
US20100221918A1 (en) 2007-09-03 2010-09-02 Jsr Corporation Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing and method for preparing the same, kit for preparing aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, and chemical mechanical polishing method for semiconductor device
US20090270566A1 (en) * 2008-04-23 2009-10-29 Fina Technology, Inc. Olefin Polymerization Processes and Catalysts for Use Therein
JP2011171689A (ja) * 2009-07-07 2011-09-01 Kao Corp シリコンウエハ用研磨液組成物
JP4772156B1 (ja) 2010-07-05 2011-09-14 花王株式会社 シリコンウエハ用研磨液組成物
JP5860057B2 (ja) * 2011-10-24 2016-02-16 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、それを用いた研磨方法及び基板の製造方法
TWI582184B (zh) 2012-01-16 2017-05-11 福吉米股份有限公司 研磨用組成物、其製造方法、稀釋用原液、矽基板之製造方法、及矽基板
JP2014041978A (ja) 2012-08-23 2014-03-06 Fujimi Inc 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法、及び研磨用組成物原液の製造方法
KR102226441B1 (ko) * 2013-02-13 2021-03-12 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마용 조성물, 연마용 조성물 제조 방법 및 연마물 제조 방법
CN105073941B (zh) * 2013-02-21 2018-01-30 福吉米株式会社 研磨用组合物及研磨物制造方法
JP5892638B2 (ja) * 2013-09-30 2016-03-23 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物およびその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014034425A1 (ja) * 2012-08-31 2014-03-06 株式会社 フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及び基板の製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109986458A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 长鑫存储技术有限公司 缓研磨去除多晶硅表面凸块缺陷的方法及半导体工艺方法
CN111954705A (zh) * 2018-03-30 2020-11-17 福吉米株式会社 研磨用组合物及研磨方法
CN111954705B (zh) * 2018-03-30 2021-11-30 福吉米株式会社 研磨用组合物及研磨方法
CN112552824A (zh) * 2019-09-26 2021-03-26 福吉米株式会社 研磨用组合物和研磨方法
CN112552824B (zh) * 2019-09-26 2023-07-11 福吉米株式会社 研磨用组合物和研磨方法
CN110922897A (zh) * 2019-11-18 2020-03-27 宁波日晟新材料有限公司 一种用于硅化合物的低雾值无损伤抛光液及其制备方法
CN110922897B (zh) * 2019-11-18 2024-03-08 宁波日晟新材料有限公司 一种用于硅化合物的低雾值无损伤抛光液及其制备方法

Also Published As

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EP3163600A1 (en) 2017-05-03

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