CN106602404A - 一种半导体激光器及其制作方法 - Google Patents
一种半导体激光器及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106602404A CN106602404A CN201611256072.8A CN201611256072A CN106602404A CN 106602404 A CN106602404 A CN 106602404A CN 201611256072 A CN201611256072 A CN 201611256072A CN 106602404 A CN106602404 A CN 106602404A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- growth
- type
- shaped
- optical confinement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 3
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 238000007648 laser printing Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
本发明提供了一种半导体激光器及其制作方法，该方案包括有从下至上依次设置的n型衬底、n型第一下光学限制层、n型第一波导层、n型第二下光学限制层、n型第二下波导层、多量子阱有源区、p型第二上波导层、p型第二上光学限制层和p型接触层；该方案在低光损耗的n型部分设置一个非对称的厚波导，并在激光器芯片后腔面蒸镀高反膜，前腔面蒸镀抗反射膜，然后在出光前腔面的第二波导处刻蚀形成布拉格反射镜，利用包含多量子阱有源区的第二波导与第一波导的耦合，实现第一波导处的出射光斑的圆对称分布。
Description
技术领域
本发明涉及的是半导体激光器结设计领域，尤其是一种半导体激光器及其制作方法。
背景技术
半导体激光器因为其体积小，光电转换效率高，可以直接调制等优点在光纤通讯、光信息存储、激光显示等领域获得了广泛的应用。具有圆对称光斑的半导体激光器在实际应用极为重要。使用圆对称光斑的半导体激光器，可以提高激光器与光纤耦合的效率、提高光信息存储的容量、提高激光打印的分辨率以及激光加工的精度。圆对称的半导体激光器光斑经针孔滤波和准直后可形成均匀亮度的圆光斑，应用于光学信息获取和处理***。
目前，半导体激光器获得圆对称光斑的方法有两类，一类是利用光的折射或衍射，经复杂的光学***将半导体激光器的远场光斑整形为圆光斑，这一类技术已经经历了多年的发展，出现过多种技术方案，但是并没有形成一种通用有效的技术方案。这一类后处理的方法普遍存在结构较复杂、调整困难、体积比半导体激光器本身还要大许多、且其价格并不像半导体激光器那样随时间快速降低而是逐年攀升，限制了这一类技术的应用。实现半导体激光器圆对称光斑的另一类方法是垂直腔面发射激光器(VCSEL)，但由于其腔长短、发光面积小使其难以实现较大的光功率输出，制备技术难度也相对较大。
发明内容
本发明的目的，就是针对现有技术所存在的不足，而提供一种半导体激光器及其制作方法，该方案在低光损耗的n型部分设置一个非对称的厚波导，并在激光器芯片后腔面蒸镀高反膜，前腔面蒸镀抗反射膜，然后在出光前腔面的第二波导处刻蚀形成布拉格反射镜，利用包含多量子阱有源区的第二波导与第一波导的耦合，实现第一波导处的出射光斑的圆对称分布。
本方案是通过如下技术措施来实现的：
一种半导体激光器，包括有从下至上依次设置的n型衬底、n型第一下光学限制层、n型第一波导层、n型第二下光学限制层、n型第二下波导层、多量子阱有源区、p型第二上波导层、p型第二上光学限制层和p型接触层；n型第一波导层的平面尺寸大于n型第二波导层的平面尺寸；n型衬底、n型第一下光学限制层和n型第一波导层的平面尺寸相同；n型第二下波导层、多量子阱有源区、p型第二上波导层、p型第二上光学限制层和p型接触层的平面尺寸相同；n型第二下光学限制层下端面的平面尺寸与n型第一波导层的平面尺寸相同；n型第二下光学限制层上端面的平面尺寸与n型第二下波导层的平面尺寸相同。
作为本方案的优选：激光器的后腔面上镀有高反射膜。
作为本方案的优选：激光器的前腔面上镀有抗反射膜。
作为本方案的优选：从n型第二波导层到p型接触层的区间靠近出光区的区域刻蚀成布拉格光栅。
一种半导体激光器的制作方法，包括有以下步骤：
a.使用n型材料作为衬底、第一下光学限制层、第一波导层、第二下光学限制层、第二下波导层；使用量子阱或量子点做为有源区；使用p型材料作为第二上波导层、第二上光学限制层、接触层；依次从下至上安装为脊型波导激光器芯片；
b. 激光器芯片后腔面蒸镀高反射膜；
c. 激光器芯片前腔面蒸镀抗反射膜；
d. 在激光器芯片的出光前腔面的第二波导处刻蚀形成布拉格反射镜。
作为本方案的优选：步骤a中各层材料的制备具体参数要求为：
生长2.0 μm的n型GaN层衬底，生长温度为1050℃，生长压力为150 mbar，生长速率为2.5 μm/h，掺Si浓度为3×1018/cm3；
生长900 nm的n型AlGaN第一下光学限制层，Al组分为8%，生长温度为1050℃，生长压力为150 mbar，生长速率为1 μm/h，掺Si浓度为3×1018/ cm3；
生长1.0 μm的n型InGaN第一下波导层,In组分为2%，生长温度为750℃，生长压力为400mbar，生长速率为0.07 μm/h，掺Si浓度为1×1018/ cm3；
生长500 nm的AlGaN第二下光学限制层，Al组分为2%，生长温度为1050℃，生长压力为150 mbar，生长速率为1μm/h，掺Si浓度为2×1018/ cm3；
生长100 nm的n型InGaN第二下波导层，生长温度为750℃，In组分为6%,生长压力为400mbar，生长速率为0.07 μm/h，掺Si浓度为1×1018/ cm3；
生长多量子阱有源区，生长压力为400 mbar，垒层厚度15 nm，生长温度850℃，阱层厚度2.5 nm，生长温度730℃，阱层InGaN的组分为16%，总共2对；
生长100 nm的p型InGaN第二上波导层，生长温度为760℃，In组分为3%,生长压力为400mbar，生长速率为0.07 μm/h，掺Mg浓度为1×1017/ cm3；
生长700 nm的p型AlGaN/GaN超晶格第二上光学限制层，超晶格周期为5nm，Al组分为16%，生长温度为950℃，生长压力为200 mbar，生长速率为1.0 μm/h，掺Mg浓度为3×1019/cm3；
生长20nm的p型GaN接触层，生长温度为950℃，生长压力为200 mbar，生长速率为1.0 μm/h，掺Mg浓度为1×1020/ cm3。
作为本方案的优选：步骤d中，布拉格反射镜刻蚀参数为：刻蚀深度1.3 μm，周期270 nm，对数5对。
作为本方案的优选：步骤c和步骤d中，前腔面镀高反射膜反射率不低于98%，后腔面镀抗反射膜反射率不高于1%。
本方案的有益效果可根据对上述方案的叙述得知，由于在该方案中在低光损耗的n型部分设置一个非对称的厚波导，并在激光器芯片后腔面蒸镀高反膜，前腔面蒸镀抗反射膜，然后在出光前腔面的第二波导处刻蚀形成布拉格反射镜，利用包含多量子阱有源区的第二波导与第一波导的耦合，实现第一波导处的出射光斑的圆对称分布。
由此可见，本发明与现有技术相比，具有实质性特点和进步，其实施的有益效果也是显而易见的。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
图2为图1的左视图。
图中，1为n型衬底，2为n型第一下光学限制层，3为n型第一波导层，4为n型第二下光学限制层，5为n型第二下波导层，6为多量子阱有源区，7为p型第二上波导层，8为p型第二上光学限制层，9为p型接触层。
具体实施方式
本说明书中公开的所有特征，或公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合。
本说明书（包括任何附加权利要求、摘要和附图）中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。
通过附图能够看出，本方案的激光器结构包括有从下至上依次设置的n型衬底、n型第一下光学限制层、n型第一波导层、n型第二下光学限制层、n型第二下波导层、多量子阱有源区、p型第二上波导层、p型第二上光学限制层和p型接触层；n型第一波导层的平面尺寸大于n型第二波导层的平面尺寸；n型衬底、n型第一下光学限制层和n型第一波导层的平面尺寸相同；n型第二下波导层、多量子阱有源区、p型第二上波导层、p型第二上光学限制层和p型接触层的平面尺寸相同；n型第二下光学限制层下端面的平面尺寸与n型第一波导层的平面尺寸相同；n型第二下光学限制层上端面的平面尺寸与n型第二下波导层的平面尺寸相同。激光器的后腔面上镀有高反射膜。激光器的前腔面上镀有抗反射膜。从n型第二波导层到p型接触层的区间靠近出光区的区域刻蚀成布拉格光栅。
本方案的制作方法包括有以下步骤：
a.使用n型材料作为衬底、第一下光学限制层、第一波导层、第二下光学限制层、第二下波导层；使用量子阱或量子点做为有源区；使用p型材料作为第二上波导层、第二上光学限制层、接触层；依次从下至上安装为脊型波导激光器芯片；
b. 激光器芯片后腔面蒸镀高反射膜；
c. 激光器芯片前腔面蒸镀抗反射膜；
d. 在激光器芯片的出光前腔面的第二波导处刻蚀形成布拉格反射镜。
步骤a中各层材料的制备具体参数要求为：
生长2.0 μm的n型GaN层衬底，生长温度为1050℃，生长压力为150 mbar，生长速率为2.5 μm/h，掺Si浓度为3×1018/cm3；
生长900 nm的n型AlGaN第一下光学限制层，Al组分为8%，生长温度为1050℃，生长压力为150 mbar，生长速率为1 μm/h，掺Si浓度为3×1018/ cm3；
生长1.0 μm的n型InGaN第一下波导层,In组分为2%，生长温度为750℃，生长压力为400mbar，生长速率为0.07 μm/h，掺Si浓度为1×1018/ cm3；
生长500 nm的AlGaN第二下光学限制层，Al组分为2%，生长温度为1050℃，生长压力为150 mbar，生长速率为1μm/h，掺Si浓度为2×1018/ cm3；
生长100 nm的n型InGaN第二下波导层，生长温度为750℃，In组分为6%,生长压力为400mbar，生长速率为0.07 μm/h，掺Si浓度为1×1018/ cm3；
生长多量子阱有源区，生长压力为400 mbar，垒层厚度15 nm，生长温度850℃，阱层厚度2.5 nm，生长温度730℃，阱层InGaN的组分为16%，总共2对；
生长100 nm的p型InGaN第二上波导层，生长温度为760℃，In组分为3%,生长压力为400mbar，生长速率为0.07 μm/h，掺Mg浓度为1×1017/ cm3；
生长700 nm的p型AlGaN/GaN超晶格第二上光学限制层，超晶格周期为5nm，Al组分为16%，生长温度为950℃，生长压力为200 mbar，生长速率为1.0 μm/h，掺Mg浓度为3×1019/cm3；
生长20nm的p型GaN接触层，生长温度为950℃，生长压力为200 mbar，生长速率为1.0 μm/h，掺Mg浓度为1×1020/ cm3。
作为本方案的优选：步骤d中，布拉格反射镜刻蚀参数为：刻蚀深度1.3 μm，周期270 nm，对数5对。
步骤c和步骤d中，前腔面镀高反射膜反射率不低于98%，后腔面镀抗反射膜反射率不高于1%。
本方案的加工工艺流程为：
1) 上电极制作；
2）光刻图形；
3）脊型刻蚀，脊型宽度3μm;
4）布拉格反射镜刻蚀，刻蚀深度1.3μm，周期270 nm，对数5对；
5）衬底减薄；
6）下电极制作；
7）解理腔面，腔长600μm；
8) 腔面镀膜，前腔面镀高反射膜反射率为98%，后腔面镀抗反射膜反射率为1%；
9）裂片。
本发明并不局限于前述的具体实施方式。本发明扩展到任何在本说明书中披露的新特征或任何新的组合，以及披露的任一新的方法或过程的步骤或任何新的组合。
Claims (8)
1.一种半导体激光器，其特征是：包括有从下至上依次设置的n型衬底、n型第一下光学限制层、n型第一波导层、n型第二下光学限制层、n型第二下波导层、多量子阱有源区、p型第二上波导层、p型第二上光学限制层和p型接触层；所述n型第一波导层的平面尺寸大于n型第二波导层的平面尺寸；所述n型衬底、n型第一下光学限制层和n型第一波导层的平面尺寸相同；所述n型第二下波导层、多量子阱有源区、p型第二上波导层、p型第二上光学限制层和p型接触层的平面尺寸相同；所述n型第二下光学限制层下端面的平面尺寸与n型第一波导层的平面尺寸相同；所述n型第二下光学限制层上端面的平面尺寸与n型第二下波导层的平面尺寸相同。
2.根据权利要求1所述的一种半导体激光器，其特征是：激光器的后腔面上镀有高反射膜。
3.根据权利要求1所述的一种半导体激光器，其特征是：所述激光器的前腔面上镀有抗反射膜。
4.根据权利要求1所述的一种半导体激光器，其特征是：从n型第二波导层到p型接触层的区间靠近出光区的区域刻蚀成布拉格光栅。
5.一种半导体激光器的制作方法，其特征是：包括有以下步骤：
a.使用n型材料作为衬底、第一下光学限制层、第一波导层、第二下光学限制层、第二下波导层；使用量子阱或量子点做为有源区；使用p型材料作为第二上波导层、第二上光学限制层、接触层；依次从下至上安装为脊型波导激光器芯片；
b. 激光器芯片后腔面蒸镀高反射膜；
c. 激光器芯片前腔面蒸镀抗反射膜；
d. 在激光器芯片的出光前腔面的第二波导处刻蚀形成布拉格反射镜。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征是：所述步骤a中各层材料的制备具体参数要求为：
生长2.0 μm的n型GaN层衬底，生长温度为1050℃，生长压力为150 mbar，生长速率为2.5 μm/h，掺Si浓度为3×1018/cm3；
生长900 nm的n型AlGaN第一下光学限制层，Al组分为8%，生长温度为1050℃，生长压力为150 mbar，生长速率为1 μm/h，掺Si浓度为3×1018/ cm3；
生长1.0 μm的n型InGaN第一下波导层,In组分为2%，生长温度为750℃，生长压力为400mbar，生长速率为0.07 μm/h，掺Si浓度为1×1018/ cm3；
生长500 nm的AlGaN第二下光学限制层，Al组分为2%，生长温度为1050℃，生长压力为150 mbar，生长速率为1μm/h，掺Si浓度为2×1018/ cm3；
生长100 nm的n型InGaN第二下波导层，生长温度为750℃，In组分为6%,生长压力为400mbar，生长速率为0.07 μm/h，掺Si浓度为1×1018/ cm3；
生长多量子阱有源区，生长压力为400 mbar，垒层厚度15 nm，生长温度850℃，阱层厚度2.5 nm，生长温度730℃，阱层InGaN的组分为16%，总共2对；
生长100 nm的p型InGaN第二上波导层，生长温度为760℃，In组分为3%,生长压力为400mbar，生长速率为0.07 μm/h，掺Mg浓度为1×1017/ cm3；
生长700 nm的p型AlGaN/GaN超晶格第二上光学限制层，超晶格周期为5nm，Al组分为16%，生长温度为950℃，生长压力为200 mbar，生长速率为1.0 μm/h，掺Mg浓度为3×1019/cm3；
生长20nm的p型GaN接触层，生长温度为950℃，生长压力为200 mbar，生长速率为1.0 μm/h，掺Mg浓度为1×1020/ cm3。
7. 根据权利要求5所述的方法，其特征是：所述步骤d中，布拉格反射镜刻蚀参数为：刻蚀深度1.3 μm，周期270 nm，对数5对。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征是：所述步骤c和步骤d中，前腔面镀高反射膜反射率不低于98%，后腔面镀抗反射膜反射率不高于1%。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611256072.8A CN106602404A (zh) | 2016-12-30 | 2016-12-30 | 一种半导体激光器及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611256072.8A CN106602404A (zh) | 2016-12-30 | 2016-12-30 | 一种半导体激光器及其制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106602404A true CN106602404A (zh) | 2017-04-26 |
Family
ID=58582933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611256072.8A Pending CN106602404A (zh) | 2016-12-30 | 2016-12-30 | 一种半导体激光器及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106602404A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108767659A (zh) * | 2018-06-04 | 2018-11-06 | 清华大学 | 一种利用二维材料隔层外延生长激光器的方法 |
| WO2020140701A1 (zh) * | 2019-01-04 | 2020-07-09 | 深圳市中光工业技术研究院 | 外延晶片以及半导体激光器 |
Citations (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10341058A (ja) * | 1997-06-06 | 1998-12-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ |
| US20030039289A1 (en) * | 2001-08-27 | 2003-02-27 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| CN2646872Y (zh) * | 2003-05-23 | 2004-10-06 | 武汉光迅科技有限责任公司 | 高耦合效率的超辐射发光二极管 |
| US20050280022A1 (en) * | 2004-06-21 | 2005-12-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and manufacturing method thereof |
| WO2005124951A1 (en) * | 2004-06-18 | 2005-12-29 | The University Of Sheffield | Dfb laser with lateral bragg gratings and facet bragg reflectors etches in one step |
| US20060126688A1 (en) * | 2004-12-14 | 2006-06-15 | Palo Alto Research Center Incorporated | Blue and green laser diodes with gallium nitride or indium gallium nitride cladding laser structure |
| US20070164311A1 (en) * | 2003-09-05 | 2007-07-19 | Hans Von Kaenel | Ingaas/gaas lasers on-silicon produced by-lepecvd and mocvd |
| CN102324696A (zh) * | 2011-09-15 | 2012-01-18 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 低横向发散角布拉格反射波导边发射半导体激光器 |
| CN102593717A (zh) * | 2012-03-21 | 2012-07-18 | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 | 超薄绝缘层半导体激光器及其制备方法 |
| CN102709810A (zh) * | 2012-05-25 | 2012-10-03 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 布拉格反射波导双光束激光器及其应用方法 |
| CN103022892A (zh) * | 2012-12-14 | 2013-04-03 | 武汉电信器件有限公司 | 波长为808nm的大功率激光器芯片结构及其制作方法 |
| CN103078252A (zh) * | 2013-01-25 | 2013-05-01 | 中国科学院半导体研究所 | 双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 |
| CN103166108A (zh) * | 2013-03-15 | 2013-06-19 | 中国科学院半导体研究所 | 圆斑输出低发散角边发射光子晶体激光器及复合波导装置 |
| CN103346478A (zh) * | 2013-06-13 | 2013-10-09 | 中国科学院半导体研究所 | 镓锑基中红外圆斑输出低发散角边发射光子晶体激光器 |
| CN104267503A (zh) * | 2014-09-30 | 2015-01-07 | 中国科学院半导体研究所 | 一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构 |
| CN104466675A (zh) * | 2014-12-15 | 2015-03-25 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 窄发散角脊波导半导体激光器 |
| CN104734015A (zh) * | 2015-02-02 | 2015-06-24 | 中国科学院半导体研究所 | 具有非对称Al组分AlGaN限制层的氮化镓基激光器 |
| CN104782005A (zh) * | 2012-09-27 | 2015-07-15 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 具有台面和改进的电流输送的AlGaInN半导体激光器 |
| CN105390936A (zh) * | 2015-11-26 | 2016-03-09 | 深圳瑞波光电子有限公司 | 一种外延结构及其制造方法 |
| US20160094015A1 (en) * | 2014-09-26 | 2016-03-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd | Quantum cascade laser |
| CN105762236A (zh) * | 2014-12-15 | 2016-07-13 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 氮化物超辐射发光二极管及其制备方法 |
| CN105811243A (zh) * | 2016-03-28 | 2016-07-27 | 中国科学院半导体研究所 | 应力调控波导层绿光激光器外延片及其制备方法 |
| CN206313285U (zh) * | 2016-12-30 | 2017-07-07 | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 | 一种半导体激光器 |
-
2016
- 2016-12-30 CN CN201611256072.8A patent/CN106602404A/zh active Pending
Patent Citations (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10341058A (ja) * | 1997-06-06 | 1998-12-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ |
| US20030039289A1 (en) * | 2001-08-27 | 2003-02-27 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| CN2646872Y (zh) * | 2003-05-23 | 2004-10-06 | 武汉光迅科技有限责任公司 | 高耦合效率的超辐射发光二极管 |
| US20070164311A1 (en) * | 2003-09-05 | 2007-07-19 | Hans Von Kaenel | Ingaas/gaas lasers on-silicon produced by-lepecvd and mocvd |
| WO2005124951A1 (en) * | 2004-06-18 | 2005-12-29 | The University Of Sheffield | Dfb laser with lateral bragg gratings and facet bragg reflectors etches in one step |
| US20050280022A1 (en) * | 2004-06-21 | 2005-12-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and manufacturing method thereof |
| US20060126688A1 (en) * | 2004-12-14 | 2006-06-15 | Palo Alto Research Center Incorporated | Blue and green laser diodes with gallium nitride or indium gallium nitride cladding laser structure |
| CN102324696A (zh) * | 2011-09-15 | 2012-01-18 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 低横向发散角布拉格反射波导边发射半导体激光器 |
| CN102593717A (zh) * | 2012-03-21 | 2012-07-18 | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 | 超薄绝缘层半导体激光器及其制备方法 |
| CN102709810A (zh) * | 2012-05-25 | 2012-10-03 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 布拉格反射波导双光束激光器及其应用方法 |
| CN104782005A (zh) * | 2012-09-27 | 2015-07-15 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 具有台面和改进的电流输送的AlGaInN半导体激光器 |
| CN103022892A (zh) * | 2012-12-14 | 2013-04-03 | 武汉电信器件有限公司 | 波长为808nm的大功率激光器芯片结构及其制作方法 |
| CN103078252A (zh) * | 2013-01-25 | 2013-05-01 | 中国科学院半导体研究所 | 双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 |
| CN103166108A (zh) * | 2013-03-15 | 2013-06-19 | 中国科学院半导体研究所 | 圆斑输出低发散角边发射光子晶体激光器及复合波导装置 |
| CN103346478A (zh) * | 2013-06-13 | 2013-10-09 | 中国科学院半导体研究所 | 镓锑基中红外圆斑输出低发散角边发射光子晶体激光器 |
| US20160094015A1 (en) * | 2014-09-26 | 2016-03-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd | Quantum cascade laser |
| CN104267503A (zh) * | 2014-09-30 | 2015-01-07 | 中国科学院半导体研究所 | 一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构 |
| CN104466675A (zh) * | 2014-12-15 | 2015-03-25 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 窄发散角脊波导半导体激光器 |
| CN105762236A (zh) * | 2014-12-15 | 2016-07-13 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 氮化物超辐射发光二极管及其制备方法 |
| CN104734015A (zh) * | 2015-02-02 | 2015-06-24 | 中国科学院半导体研究所 | 具有非对称Al组分AlGaN限制层的氮化镓基激光器 |
| CN105390936A (zh) * | 2015-11-26 | 2016-03-09 | 深圳瑞波光电子有限公司 | 一种外延结构及其制造方法 |
| CN105811243A (zh) * | 2016-03-28 | 2016-07-27 | 中国科学院半导体研究所 | 应力调控波导层绿光激光器外延片及其制备方法 |
| CN206313285U (zh) * | 2016-12-30 | 2017-07-07 | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 | 一种半导体激光器 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JIANPING LIU等，: "Realization of InGaN laser diodes above 500 nm by growth optimization of the InGaN/GaN active region", 《APPLIED PHYSICS EXPRESS》 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108767659A (zh) * | 2018-06-04 | 2018-11-06 | 清华大学 | 一种利用二维材料隔层外延生长激光器的方法 |
| WO2020140701A1 (zh) * | 2019-01-04 | 2020-07-09 | 深圳市中光工业技术研究院 | 外延晶片以及半导体激光器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107078190B (zh) | 用于GaN垂直微腔面发射激光器(VCSEL)的方法 | |
| CN101667715B (zh) | 一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法 | |
| CN106058642B (zh) | 高对比度光栅耦合腔窄光谱线宽面发射激光器 | |
| US7485892B2 (en) | Optical broadband emitters and methods of making the same | |
| CN106848836B (zh) | 一种高阶表面光栅面发射半导体激光器 | |
| CN108242763B (zh) | 电吸收调制激光器的整片结构及其制作测试方法 | |
| CN103199435B (zh) | 超低发散角倾斜光束的单纵模人工微结构激光器 | |
| CN101022208A (zh) | 长波长垂直腔面发射激光器的结构和制作方法 | |
| JP2010286418A (ja) | 表面プラズモン発生装置およびその製造方法 | |
| TW202119719A (zh) | 具混合光柵結構的面射型雷射元件與製法 | |
| CN102055134A (zh) | 激光二极管 | |
| US11909176B2 (en) | Nanocrystal surface-emitting lasers | |
| US11276987B2 (en) | Vertical cavity surface-emitting laser including nanostructure reflector and optical apparatus using the vertical cavity surface-emitting laser | |
| CN104917052A (zh) | 变周期倾斜光栅激光器及制备方法 | |
| JP2008282966A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
| CN106602404A (zh) | 一种半导体激光器及其制作方法 | |
| TW200917603A (en) | Manufacturing process for a radiation emitting device and radiation emitting device | |
| CN105140779B (zh) | 基于重构-等效啁啾技术的备份型半导体激光器 | |
| Lin et al. | Light extraction enhancement of a GaN-based light-emitting diode through grating-patterned photoelectrochemical surface etching with phase mask interferometry | |
| CN206313285U (zh) | 一种半导体激光器 | |
| CN105406355B (zh) | 共腔双波长分布反馈激光器的制作方法 | |
| CN104993376B (zh) | 适用于激光显示的消相干准三维光子晶体超辐射光源 | |
| CN102623890A (zh) | 多孔缺陷匹配型光子晶体面发射激光器 | |
| CN110661172A (zh) | 一种表面发射的dfb半导体激光器阵列及制作方法 | |
| CN101587927B (zh) | 发光元件及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170426 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |