CN106558337A - 一种sram存储电路及存储空间的重构方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种SRAM存储电路及存储空间的重构方法,包括:重构控制单元、地址重映射单元和多个SRAM宏单元;其中,所述重构控制单元用于启动所述SRAM宏单元自检,获取该SRAM的品质信息;所述地址重映射单元用于根据所述品质信息,进行SRAM宏单元的地址重映射。本发明有效解决单片内置大容量的SRAM存储空间的集成电路良品率保障问题。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路加工优化技术领域,更具体地,涉及一种SRAM存储电路及存储空间的重构方法。
背景技术
集成电路加工的良率与片上SRAM的容量有着密切的关系,比如内置128KBSRAM的单颗芯片,其生产加工良品率很高,但是如果内置1MSRAM,生产加工良品率产生大幅度下降,这是因为单片集成的SRAM容量越大,其生产加工的不良风险越高。
单片内置大容量的SRAM存储空间的集成电路良品率保障问题亟待解决。
现有技术中,各集成电路加工厂商利用各成品SRAM进行集成电路加工时,为解决保证集成电路良品率的问题,都采取各自相应的技术方案,但各方案多作为技术秘密予以保护,且通用性不强,不利于推广应用。
发明内容
为解决以上现有问题中的至少一种,本发明提供了一种SRAM存储电路及存储空间的重构方法。
根据本发明的一个方面,一种SRAM存储电路,包括:重构控制单元、地址重映射单元和多个SRAM宏单元;
其中,所述重构控制单元用于启动所述SRAM宏单元自检,获取该SRAM的品质信息;
所述地址重映射单元用于根据所述品质信息,进行SRAM宏单元的地址重映射。
根据本发明的另一个方面,一种存储空间的重构方法,包括:判断各SRAM宏单元是否为良品,将所述良品SRAM进行地址重新映射,形成新存储空间。
本申请提出一种SRAM存储电路及存储空间的重构方法,本申请通过判断各SRAM宏单元是否为良品,将所述良品SRAM进行地址重新映射,形成新存储空间。从而起到单片内置大容量的SRAM存储空间的集成电路良品率有效提升的有益效果。
附图说明
图1为根据本发明实施例一种SRAM存储电路架构的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
图1中,本发明一种具体实施例,示出一种SRAM存储电路框架示意图。总的来说,包括:重构控制单元A1、地址重映射单元A2和多个SRAM宏单元A3;其中,所述重构控制单元A1用于启动所述SRAM宏单元A3自检,获取该SRAM的品质信息;所述地址重映射单元A2用于根据所述品质信息,进行SRAM宏单元A3的地址重映射。
在本发明另一个具体实施例中,一种SRAM存储电路,所述多个SRAM宏单元的总容量大于等于预设SRAM存储容量需求。
在本发明又一个具体实施例中,一种SRAM存储电路,还包括与重构模块相连接的预测单元,用于预测新存储空间满足预设良品率时所需SRAM宏单元的最少数量。
本发明一个具体实施例中,一种存储空间的重构方法。总体来说,包括:判断各SRAM宏单元是否为良品,将所述良品SRAM进行地址重新映射,形成新存储空间。
本发明一个具体实施例中,一种存储空间的重构方法。所述步骤判断对应SRAM宏单元是否为良品宏单元,还包括:上电后,触发SRAM启动自检,判断是否为良品。
本发明一个具体实施例中,一种存储空间的重构方法。所述所述新存储空间存储容量大于等于或等于预设SRAM存储容量大小。
本发明一个具体实施例中,一种存储空间的重构方法。所述方法前还包括,预测新存储空间满足预设良品率,所需SRAM宏单元的最少数量。
本发明一个具体实施例中,一种存储空间的重构方法。利用如下计算公式预测新存储空间满足预设良品率,初始所需最少SRAM宏单元数量:
其中,PR为SRAM宏单元的平均良品率,PPR为预设良品率,m=TMS/EMS,TMS为预设的SRAM存储容量,EMS为单个SRAM宏单元的存储容量,n为满足预设良率所要最终实现的SRAM宏单元的数量。
本发明一个具体实施例中,一种存储空间的重构方法。假设片上具有10个容量为1K的SRAM宏单元,编号为1,2,3,…,10,启动每个宏单元的自检测功能后,发现宏单元2,3,5,7报错,那么经过地址重映射处理后,将由SRAM宏单元1,4,6,7,8,9,10构成6K的SRAM有效存储空间。
在本发明又一个具体实施例中,一种存储空间的重构方法。利用如下计算公式预测新存储空间满足预设良品率,初始所需最少SRAM宏单元数量:
其中PR为SRAM宏单元的平均良品率,PPR为预设良品率,TMS为预设的SRAM存储容量,EMS为单个SRAM宏单元的存储容量,m=TMS/EMS,TMS为预设的SRAM存储容量,EMS为单个SRAM宏单元的存储容量。假设单个SRAM宏单元的容量大小(EMS)为256KB,该SRAM宏单元的良率为PR=0.9;预设的片上有效存储容量至少512K;可得m=512k/256k=2,求取为满足预设良率TPR≥0.99时所需的SRAM宏单元放置数量。假设n=2,为满足512KB的总容量,2块必须都是良品,其良率计算结果为0.81;假设n=3,利用公式求和得到结果为0.93,小于0.99。假设n=4,利用本专利提出的公式计算可得良率0.9936,满足TPR。所以在本具体实施例的限定下,要想满足TPR(成片良率)≥0.99,最少需要4块SRAM宏单元。
最后,本申请的方法仅为较佳的实施方案,并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种SRAM存储电路,其特征在于,包括:重构控制单元、地址重映射单元和多个SRAM宏单元;
其中,所述重构控制单元用于启动所述SRAM宏单元自检,获取该SRAM的品质信息;
所述地址重映射单元用于根据所述品质信息,进行SRAM宏单元的地址重映射。
2.如权利要求1所述的存储电路,其特征在于,所述多个SRAM宏单元的总容量大于等于预设SRAM存储容量需求。
3.如权利要求1所述的存储电路,其特征在于,还包括与重构模块相连接的预测单元,用于预测新存储空间满足预设良品率时所需SRAM宏单元的最少数量。
4.一种基于权利要求1-3中任意一种存储电路进行存储空间的重构方法,其特征在于,包括:
判断各SRAM宏单元是否为良品,将所述良品SRAM进行地址重新映射,形成新存储空间。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述步骤判断对应SRAM宏单元是否为良品宏单元,还包括:上电后,触发SRAM启动自检,判断是否为良品。
6.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述新存储空间存储容量大于等于或等于预设SRAM存储容量大小。
7.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述方法前还包括,预测新存储空间满足预设良品率,所需SRAM宏单元的最少数量。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,利用如下计算公式预测新存储空间满足预设良品率,初始所需最少SRAM宏单元数量:
其中,PR为SRAM宏单元的平均良品率,PPR为预设良品率,m=TMS/EMS,TMS为预设的SRAM存储容量,EMS为单个SRAM宏单元的存储容量,n为满足预设良率所要最终实现的SRAM宏单元的数量。
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