CN106548839A - 过电流保护装置 - Google Patents
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Abstract
一种过电流保护装置，包含第一电极与第二电极，及一个包括第一PTC聚合物材料层及第二PTC聚合物材料层的多层结构。该第一PTC聚合物材料层包括一个第一聚合物基材及分散于该第一聚合物基材中的微粒导电填料，该第一聚合物基材是由第一聚合组成物所制得。该第二PTC聚合物材料层包括一个第二聚合物基材及分散于该第二聚合物基材中的微粒导电填料，该第二聚合物基材是由第二聚合组成物所制得。该第一聚合组成物与该第二聚合组成物中的其中一者含有聚偏二氟乙烯及聚烯烃，另一者含有聚烯烃或聚偏二氟乙烯。本发明的多层结构设计，使得该过电流保护装置的使用温度与电压范围更广。
Description
技术领域
本发明涉及一种过电流保护装置，特别是涉及一种包含两个PTC聚合物材料层的过电流保护装置，其中一个PTC聚合物材料层包括由含有聚偏二氟乙烯(polyvinylidene fluoride,PVDF)及聚烯烃(polyolefin)的聚合组成物所制得的聚合物基材。
背景技术
正温度系数(positive temperature coefficient,PTC)材料由于具有正温度系数效应，因而适于作为保护装置[例如保险丝(fuse)]。
参阅图1，现有的过电流保护装置包含一个PTC聚合物材料层81，及分别形成于该PTC聚合物材料层81两相反面的第一电极82与第二电极83。该PTC聚合物材料层81包括一个聚合物材料的聚合物基材及导电微粒填料(图未示)。该聚合物材料含有一个结晶区(图未示)与一个非结晶区(图未示)。该导电微粒填料分散于该聚合物基材之非结晶区，并于该第一电极82与该第二电极83间形成一个用于电传导的连续导电通路。该正温度系数效应的现象是当该聚合物基材的温度上升至其熔点时，于结晶区的晶体会开始熔化，进而产生一个新的非结晶区。当该新的非结晶区增加至能和原始非结晶区合并的范围时，该导电微粒填料的导电通路会变成不连续且该PTC聚合物材料的电阻会大幅增加，因此导致于该第一电极82与该第二电极83间断路。
该过电流保护装置能通过调整该聚合物基材的组成来调整操作温度。然而，当该聚合物基材是由聚烯烃制成时，操作温度只能于约-40℃至约85℃的范围内。
为了达到更高且更广的操作温度范围(例如于-40℃至125℃间)，该聚合物基材可由聚偏二氟乙烯(PVDF)所制得。
美国专利第5,451,919号揭示一种于20℃时电阻率小于10ohm-cm的导电聚合组成物。该导电聚合组成物含有至少50vol％的聚偏二氟乙烯与1至20vol％的第二结晶性氟化聚合物。该导电聚合组成物经压模(compression-molded)后形成一个板块(plaque)。该板块的两侧被镍箔电沉积层叠形成层板(laminate)。该层板通过电子束经10Mrads的辐射量照射。该聚偏二氟乙烯的商品名为Kynar。然而，包含前述导电聚合物之过电流保护装置的操作电压(operatingvoltage)或崩坏电压(breakdown voltage)，根据热失控测试(thermalrunaway test)，只能达到30Vdc。
综上所述，目前仍需同时提高过电流保护装置的操作温度及操作电压。
发明内容
本发明之第一目的在于提供一种具有高操作温度与高操作电压的过电流保护装置。
本发明的过电流保护装置包含第一电极、第二电极及一个多层结构。该多层结构位于该第一电极与该第二电极间，且包括第一PTC聚合物材料层及第二PTC聚合物材料层，其中一个PTC聚合物材料层堆叠于另一个PTC聚合物材料层上并彼此黏合。该第一PTC聚合物材料层包括一个第一聚合物基材及分散于该第一聚合物基材中的微粒导电填料。该第一聚合物基材是由第一聚合组成物所制得。该第二PTC聚合物材料层包括一个第二聚合物基材及分散于该第二聚合物基材中的微粒导电填料。该第二聚合物基材是由第二聚合组成物所制得。该第一聚合组成物与该第二聚合组成物中的其中一者含有聚偏二氟乙烯及聚烯烃，另一者含有聚烯烃或聚偏二氟乙烯。当该第一聚合组成物与该第二聚合组成物中含有聚烯烃或聚偏二氟乙烯的一者含有聚烯烃时，其实质上不含有聚偏二氟乙烯；当该第一聚合组成物与该第二聚合组成物中含有聚烯烃或聚偏二氟乙烯的一者含有聚偏二氟乙烯时，其实质上不含有聚烯烃。
本发明的过电流保护装置，该第一聚合组成物与该第二聚合组成物分别还含有接枝聚烯烃。
本发明的过电流保护装置，该第一聚合组成物与该第二聚合组成物中含有聚偏二氟乙烯及聚烯烃的一者，其聚偏二氟乙烯与聚烯烃的重量比范围为1:9至9:1。
本发明的过电流保护装置，根据ASTM D-1238，于温度为230℃、装载为12.5kg的条件下，所量测到该聚偏二氟乙烯的熔体流动速率范围为0.5g/10min至30g/10min。
本发明的过电流保护装置，该聚偏二氟乙烯的熔点范围为140～180℃。
本发明的过电流保护装置，该第一PTC聚合物材料层与该第二PTC聚合物材料层的微粒导电填料为碳黑。
本发明的过电流保护装置，该第一聚合组成物与该第二聚合组成物各自的聚烯烃为聚乙烯。
本发明的过电流保护装置，以该第一PTC聚合物材料层的总重为100wt％计，该第一PTC聚合物材料层含有4.7～42.3wt％的聚偏二氟乙烯及4.7～42.3wt％的聚烯烃。
本发明的过电流保护装置，以该第二PTC聚合物材料层的总重为100wt％计，该第二PTC聚合物材料层含有23.5～45.0wt％的聚烯烃。
本发明的过电流保护装置，该多层结构还包括一个堆叠于该第一PTC聚合物材料层上的第三PTC聚合物材料层，该第三PTC聚合物材料层包括一个第三聚合物基材及分散于该第三聚合物基材中的微粒导电填料，该第三聚合物基材是由第三聚合组成物所制得，该第一聚合组成物含有聚偏二氟乙烯及聚烯烃，该第三聚合组成物含有聚烯烃或聚偏二氟乙烯。
本发明的过电流保护装置，该多层结构还包括一个堆叠于该第一PTC聚合物材料层上的第三PTC聚合物材料层，该第三PTC聚合物材料层包括一个第三聚合物基材及分散于该第三聚合物基材中的微粒导电填料，该第三聚合物基材是由第三聚合组成物所制得，该第一聚合组成物含有聚偏二氟乙烯或聚烯烃，该第三聚合组成物含有聚烯烃及聚偏二氟乙烯。
本发明之另一目的在于提供一种过电流保护装置，该过电流保护装置包含第一电极、第二电极及一个多层结构。该多层结构位于该第一电极与该第二电极间，且包括第一PTC聚合物材料层及第二PTC聚合物材料层，其中一个PTC聚合物材料层堆叠于另一个PTC聚合物材料层上并彼此黏合。该第一PTC聚合物材料层包括一个第一聚合物基材及分散于该第一聚合物基材中的微粒导电填料。该第一聚合物基材是由含有聚偏二氟乙烯及聚烯烃的第一聚合组成物所制得，该聚偏二氟乙烯与该聚烯烃的重量比范围为1:9至9:1。该第二PTC聚合物材料层包括一个第二聚合物基材及分散于该第二聚合物基材中的微粒导电填料。该第二聚合物基材是由第二聚合组成物所制得，该第二聚合组成物含有聚烯烃及聚偏二氟乙烯中的至少其中一种。当该第二聚合组成物含有聚烯烃及聚偏二氟乙烯时，该第二聚合组成物的该聚偏二氟乙烯与该聚烯烃的重量比不在1:9至9:1的范围内。该过电流保护装置的跳脱表面温度(trip surface temperature)范围为110～150℃，崩坏电压范围为30～100V。
附图说明
本发明之其他的特征及功效，将于参照图式的实施方式中清楚地呈现，其中：
图1是一张透视图，说明传统PTC过电流保护装置；
图2是一张透视图，说明本发明PTC过电流保护装置的第一较佳实施例；
图3是一张透视图，说明本发明PTC过电流保护装置的第二较佳实施例；
图4是一张关系图，说明实施例2与比较例1-3的测试样品之温度与电阻的关系；及
图5是一张关系图，说明实施例2与比较例1-3的测试样品之温度与衰退比例的关系。
具体实施方式
在本发明被详细描述之前，应当注意在以下的说明内容中，类似的组件是以相同的编号来表示。
参阅图2，本发明过电流保护装置之第一较佳实施例包含第一电极1与第二电极2，及一个位于该第一电极1与该第二电极2间的多层结构3。该多层结构3包括第一PTC聚合物材料层31及第二PTC聚合物材料层32，其中一个PTC聚合物材料层堆叠于另一个PTC聚合物材料层上并彼此黏合。
该第一PTC聚合物材料层31包括一个第一聚合物基材及分散于该第一聚合物基材中的微粒导电填料，该第一聚合物基材是由第一聚合组成物所制得。
该第二PTC聚合物材料层32包括一个第二聚合物基材及分散于该第二聚合物基材中的微粒导电填料。在本较佳实施例中，该第二聚合物基材是由第二聚合组成物所制得。
在本较佳实施例中，该第一聚合组成物与该第二聚合组成物中的其中一者含有聚偏二氟乙烯及聚烯烃，另一者含有聚烯烃或聚偏二氟乙烯。当该第一聚合组成物与该第二聚合组成物中含有聚烯烃或聚偏二氟乙烯的一者含有聚烯烃时，其实质上不含有聚偏二氟乙烯；当该第一聚合组成物与该第二聚合组成物中含有聚烯烃或聚偏二氟乙烯的一者含有聚偏二氟乙烯时，其实质上不含有聚烯烃。
较佳地，该第一聚合组成物与该第二聚合组成物各自还含有接枝聚烯烃(grafted polyolefin)。
较佳地，该第一聚合组成物与该第二聚合组成物中含有聚偏二氟乙烯及聚烯烃的一者，其聚偏二氟乙烯与聚烯烃的重量比范围为1:9至9:1。
较佳地，根据ASTM D-1238，于温度为230℃、装载为12.5kg的条件下，所量测到该聚偏二氟乙烯的熔体流动速率(melt flow rate)范围为0.5g/10min至30g/10min。
较佳地，该聚偏二氟乙烯的熔点范围为140～180℃。
较佳地，该第一聚合组成物与该第二聚合组成物的微粒导电填料为碳黑(carbon blake)。
较佳地，聚烯烃为聚乙烯。
较佳地，以该第一PTC聚合物材料层的总重为100wt％计，该第一PTC聚合物材料层含有4.7～42.3wt％的聚偏二氟乙烯及4.7～42.3wt％的聚烯烃。
较佳地，以该第二PTC聚合物材料层的总重为100wt％计，该第二PTC聚合物材料层含有23.5～45.0wt％的聚烯烃。
参阅图3，本发明过电流保护装置之第二较佳实施例包含第一电极1与第二电极2，及一个位于该第一电极1与该第二电极2间的多层结构3。该多层结构3包括第一PTC聚合物材料层31、第二PTC聚合物材料层32及第三PTC聚合物材料层33，其中一个PTC聚合物材料层堆叠于另一个PTC聚合物材料层上并彼此黏合。该第一PTC聚合物材料层31与该第二PTC聚合物材料层32和该第一较佳实施例相同。在本较佳实施例中，该第三PTC聚合物材料层33堆叠于该第一PTC聚合物材料层31相反于该第二PTC聚合物材料层32的一侧，且包括一个第三聚合物基材及分散于该第三聚合物基材中的微粒导电填料，该第三聚合物基材是由第三聚合组成物所制得。
在某些较佳实施例中，该第一聚合组成物含有聚偏二氟乙烯及聚烯烃，该第三聚合组成物含有聚烯烃或聚偏二氟乙烯。
在某些较佳实施例中，该第一聚合组成物含有聚偏二氟乙烯或聚烯烃，该第三聚合组成物含有聚烯烃及聚偏二氟乙烯。
本发明过电流保护装置之第三较佳实施例的结构与该第一较佳实施例相似，其差别在于，在本较佳实施例中，该第一聚合组成物与该第二聚合组成物皆含有聚烯烃及聚偏二氟乙烯。该第一聚合组成物的该聚偏二氟乙烯与该聚烯烃的重量比范围为1:9至9:1，且该第二聚合组成物的该聚偏二氟乙烯与该聚烯烃的重量比不在1:9至9:1的范围内。
每一个较佳实施例的过电流保护装置，其跳脱表面温度范围皆为110～150℃，崩坏电压范围皆为30～100V。
本发明将就以下实施例来作进一步说明，但应了解的是，该实施例仅为例示说明之用，而不应被解释为本发明实施之限制。
实施例
八种配方(聚合组成物)被用于制备下列实施例与比较例的PTC聚合物材料层(见表1)。
用于八种配方的材料包含：作为聚烯烃的HDPE(购自台湾塑料工业股份有限公司；型号HDPE9002；重量平均分子量为150,000g/mole；根据ASTM D-1238，于温度为230℃、装载为12.5kg的条件下，熔体流动速率为45g/10min)、作为接枝聚烯烃的接枝HDPE(购自杜邦；型号MB100D；重量平均分子量为80,000g/mole；根据ASTMD-1238，于温度为230℃、装载为12.5kg的条件下，熔体流动速率为75g/10min)、作为微粒导电填料的碳黑(购自哥伦比亚化学公司；型号Raven 430UB；DBP/D为0.95；容积密度为0.53g/cm3)，及PVDF(购自Arkema；型号Kynar 761；熔点170℃；于温度为230℃、装载为12.5kg的条件下，熔体流动速率为3.0g/10min)
表1
<实施例1(E1)>
一个PTC聚合物材料的第一薄板(作为第一PTC聚合物材料层)是由配方(1)制备，该配方(1)包括1.175g的HDPE(购自台湾塑料工业股份有限公司；型号HDPE9002；重量平均分子量为150,000g/mole；根据ASTM D-1238，于温度为230℃、装载为12.5kg的条件下，熔体流动速率为45g/10min)、1.175g的羧酸酐接枝(carboxylicacidanhydride grafted)HDPE聚乙烯(购自杜邦；型号MB100D；重量平均分子量为80,000g/mole；根据ASTM D-1238，于温度为230℃、装载为12.5kg的条件下，熔体流动速率为75g/10min)、21.15g的PVDF(购自Arkema；型号Kynar 761；熔点170℃；于温度为230℃、装载为12.5kg的条件下，熔体流动速率为3.0g/10min)，及26.5g碳黑粒子[购自哥伦比亚化学公司；商品名称Raven 430UB；平均粒径82nm；DBP油-吸收(DBP-oil absorption)为75cc/100g；挥发物含量1.0wt％；导电度2.86×104m–1Ω–1]。配方(1)是于Brabender混合器中进行混合。混合温度为200℃，搅拌速率为30rpm，且混合时间为10分钟。该经混合后的混合物经热压后形成一个厚度为0.175mm之PTC聚合物材料的第一薄板(作为第一PTC聚合物材料层)。热压温度为200℃，热压时间为4分钟，且热压压力为80kg/cm2。
一个PTC聚合物材料的第二薄板(作为第二PTC聚合物材料层)是由配方(7)制得，而其制备流程与条件与该PTC聚合物材料的第一薄板相似。
两个分别作为第一电极层1与第二电极层2的铜箔板分别接于该第一PTC聚合物材料层与该第二PTC聚合物材料层之堆叠的两相反侧，且于200℃及80kg/cm2下热压4分钟形成三明治结构的PTC层板(laminate)。该PTC层板被切成大小为8mm×8mm的测试样品。该每一个测试样品皆被暴露于总剂量为50kGy的钴-60源。
实施例1的测试样品于室温下的平均电阻如表2所示。
<实施例2至6、9与10(E2至E6、E9与E10)>
实施例2至6、9与10(E2至E6、E9与E10)之测试样品的制备流程与条件，除了该PTC聚合物材料的第一薄板与第二薄板所使用的配方之组成不同外，皆与该实施例1相似。
E2至E6、E9与E10被用来形成PTC层板的配方如表2所示。实施例2至6、9与10之测试样品的平均电阻显示于表2中。
<实施例7与8(E7与E8)>
实施例7与8(E7与E8)之测试样品的制备流程与条件，除了实施例7与8的该每一PTC层板还包括一个PTC聚合物材料的第三薄板外，皆与该实施例1相似。
实施例7与8之PTC层板的组成如表2所示。实施例7与8之测试样品的平均电阻显示于表2中。
<比较例1至4(CE1至CE4)>
比较例1至4(CE1至CE4)之测试样品的制备流程与条件，除了该每一比较例只有一个PTC聚合物材料层的薄板外，皆与该实施例1相似。
比较例1至4之PTC层板的组成如表2所示。比较例1至4之测试样品的平均电阻显示于表2中。
<比较例5(CE5)>
比较例5(CE5)之第一薄板与第二薄板的制备流程与条件，除了该比较例5的第一薄板与第二薄板分别是由配方(7)与配方(8)所制得外，皆与该实施例1相似。由于该第二薄板是由含有PVDF及不含聚烯烃的配方(8)所制得，因而实质上不具有黏性。因此，该第一薄板与该第二薄板无法被层迭以形成PTC层板。
<比较例6与7(CE6与CE7)>
比较例6与7(CE6与CE7)之测试样品的制备流程与条件，除了该PTC聚合物材料的第一薄板与第二薄板所使用的配方组合不同外，皆与该实施例1相似。
比较例6与7之PTC层板的组成如表2所示。比较例6与7之测试样品的平均电阻显示于表2中。
表2
性能测试
不同温度下的电阻
E1～E10与CE1～CE7各自有十个测试样品被测试，用于决定E1～E10与CE1～CE7各自的测试样品于25至185℃间的电阻。
每个测试样品的电阻测试是以2℃/min的固定速率，使每个测试样品由初始温度25℃逐步升温至最终温度185℃而完成。E1～E10与CE1～CE7中的每个测试样品于室温下的电阻都被记录。电阻测试结果如表3所示，且E2与CE1～CE3的测试样品之温度与电阻间的关系如图4所示。于相同温度下，当PTC层板的电阻越高，PTC层板的工作电压(working voltage)也就越高。结果显示相较于比较例1～7，实施例1～10能于较高的工作电压下操作。例如，E2于140℃下具有24.58ohm的电阻，且于170℃下具有1313.05ohm的电阻，高于比较例1于140℃下具有18.98ohm的电阻，及于170℃下具有47.86ohm的电阻。
热衰退(thermal derating)测试
E1～E10与CE1～CE7中的每一个测试样品皆进行热衰退测试，用于决定E1～E10与CE1～CE7的热衰退比例(于测试温度下的操作电流/于25℃下的操作电流×100％)。热衰退测试是通过于-40℃、25℃、85℃与125℃下量测每一个测试样品的操作电流而完成。
热衰退测试的结果如表3所示。E2与CE1～CE3的测试样品之温度与衰退比例间的关系如图5所示。
热失控(thermal runaway)测试
E1～E10与CE1～CE7各自有五个测试样品被用于热失控测试。每一个测试样品的热失控测试足以使每一个测试样品烧毁，其是于固定电流100A下，使该每一个测试样品由初始电压20Vdc逐步增加至最终电压至1000Vdc而完成。外加电压是于每步骤5Vdc的增加量增加且每步骤的持续时间为2分钟(即每一个新的外加电压持续2分钟)。E1～E10与CE1～CE7的每一个测试样品之最大可忍受电压(即崩坏电压)皆被记录。热失控测试结果于表3中显示。
表3
热衰退测试结果(见表3)显示，由于CE1的PTC聚合物材料层缺少PVDF，所以CE1之测试样品于125℃下的操作电流接近0。只有一个聚合物材料层的CE3与CE4之测试样品于125℃下的操作电流也接近0。CE1、CE3与CE4的每一个测试样品只能于-40至85℃的操作温度范围间操作。
该第一PTC聚合物材料层与该第二PTC聚合物材料层皆包含聚烯烃及PVDF的CE6与CE7，其测试样品于125℃下的操作电流也接近0。CE6与CE7的每一个测试样品只能于-40至85℃的操作温度范围间操作。
E1～E10之测试样品于125℃下的操作电流仍维持在20％以上。E1～E10中的每一个测试样品(其中一个PTC聚合物材料层含有PVDF)皆能于-40至125℃的操作温度范围间操作。
热失控测试结果(见表3)显示E1～E10(90至100V)的崩坏电压高于CE1～CE4(30至60V)，说明本发明过电流保护装置能于较高电压下操作。
综上所述，由于本发明的过电流保护装置中包含第一PTC聚合物材料层与第二PTC聚合物材料层，且至少其中之一个含有PVDF与聚烯烃，因而能减少前述先前技术的缺点，所以确实能达成本发明之目的。
以上所述者，仅为本发明的实施例而已，当不能以此限定本发明实施的范围，即凡依本发明权利要求书及说明书内容所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属本发明的范围。
Claims (12)
1.一种过电流保护装置，其特征在于：该过电流保护装置包含：
第一电极与第二电极；及
一个多层结构，位于该第一电极与该第二电极间，且包括第一PTC聚合物材料层及第二PTC聚合物材料层，其中一个PTC聚合物材料层堆叠于另一个PTC聚合物材料层上并彼此黏合；
其中，该第一PTC聚合物材料层包括一个第一聚合物基材及分散于该第一聚合物基材中的微粒导电填料，该第一聚合物基材是由第一聚合组成物所制得；
该第二PTC聚合物材料层包括一个第二聚合物基材及分散于该第二聚合物基材中的微粒导电填料，该第二聚合物基材是由第二聚合组成物所制得；
该第一聚合组成物与该第二聚合组成物中的其中一者含有聚偏二氟乙烯及聚烯烃，另一者含有聚烯烃或聚偏二氟乙烯；
当该第一聚合组成物与该第二聚合组成物中含有聚烯烃或聚偏二氟乙烯的一者含有聚烯烃时，其实质上不含有聚偏二氟乙烯；
当该第一聚合组成物与该第二聚合组成物中含有聚烯烃或聚偏二氟乙烯的一者含有聚偏二氟乙烯时，其实质上不含有聚烯烃。
2.根据权利要求1所述的过电流保护装置，其特征在于：该第一聚合组成物与该第二聚合组成物分别还含有接枝聚烯烃。
3.根据权利要求1所述的过电流保护装置，其特征在于：该第一聚合组成物与该第二聚合组成物中含有聚偏二氟乙烯及聚烯烃的一者，其聚偏二氟乙烯与聚烯烃的重量比范围为1:9至9:1。
4.根据权利要求1所述的过电流保护装置，其特征在于：根据ASTM D-1238，于温度为230℃、装载为12.5kg的条件下，所量测到该聚偏二氟乙烯的熔体流动速率范围为0.5g/10min至30g/10min。
5.根据权利要求1所述的过电流保护装置，其特征在于：该聚偏二氟乙烯的熔点范围为140～180℃。
6.根据权利要求1所述的过电流保护装置，其特征在于：该第一PTC聚合物材料层与该第二PTC聚合物材料层的微粒导电填料为碳黑。
7.根据权利要求1所述的过电流保护装置，其特征在于：该第一聚合组成物与该第二聚合组成物各自的聚烯烃为聚乙烯。
8.根据权利要求1所述的过电流保护装置，其特征在于：以该第一PTC聚合物材料层的总重为100wt％计，该第一PTC聚合物材料层含有4.7～42.3wt％的聚偏二氟乙烯及4.7～42.3wt％的聚烯烃。
9.根据权利要求1所述的过电流保护装置，其特征在于：以该第二PTC聚合物材料层的总重为100wt％计，该第二PTC聚合物材料层含有23.5～45.0wt％的聚烯烃。
10.根据权利要求1所述的过电流保护装置，其特征在于：该多层结构还包括一个堆叠于该第一PTC聚合物材料层上的第三PTC聚合物材料层，该第三PTC聚合物材料层包括一个第三聚合物基材及分散于该第三聚合物基材中的微粒导电填料，该第三聚合物基材是由第三聚合组成物所制得，该第一聚合组成物含有聚偏二氟乙烯及聚烯烃，该第三聚合组成物含有聚烯烃或聚偏二氟乙烯。
11.根据权利要求1所述的过电流保护装置，其特征在于：该多层结构还包括一个堆叠于该第一PTC聚合物材料层上的第三PTC聚合物材料层，该第三PTC聚合物材料层包括一个第三聚合物基材及分散于该第三聚合物基材中的微粒导电填料，该第三聚合物基材是由第三聚合组成物所制得，该第一聚合组成物含有聚偏二氟乙烯或聚烯烃，该第三聚合组成物含有聚烯烃及聚偏二氟乙烯。
12.一种过电流保护装置，其特征在于：包含：
第一电极与第二电极；及
一个多层结构，位于该第一电极与该第二电极间，且包括第一PTC聚合物材料层及第二PTC聚合物材料层，其中一个PTC聚合物材料层堆叠于另一个PTC聚合物材料层上并彼此黏合；
其中，该第一PTC聚合物材料层包括一个第一聚合物基材及分散于该第一聚合物基材中的微粒导电填料，该第一聚合物基材是由含有聚偏二氟乙烯及聚烯烃的第一聚合组成物所制得，该聚偏二氟乙烯与该聚烯烃的重量比范围为1:9至9:1；
该第二PTC聚合物材料层包括一个第二聚合物基材及分散于该第二聚合物基材中的微粒导电填料，该第二聚合物基材是由第二聚合组成物所制得，该第二聚合组成物含有聚烯烃及聚偏二氟乙烯中的至少其中一种；
当该第二聚合组成物含有聚烯烃及聚偏二氟乙烯时，该第二聚合组成物的该聚偏二氟乙烯与该聚烯烃的重量比不在1:9至9:1的范围内；及
该过电流保护装置的跳脱表面温度范围为110～150℃，崩坏电压范围为30～100V。
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