CN106483719A - 一种电子设备、阵列基板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种电子设备、阵列基板及其制作方法，其中制作方法包括通过在基层一侧形成并排设置的多个色阻层及多个凸块，凸块由色阻层中的至少一部分堆叠形成，且凸块的高度不一，并且在色阻层上进一步设置遮光层，遮光层与凸块一起形成间隔柱。通过上述方式，本发明无需设计专门的光罩以形成具有不同高度差的间隙物，简化制程并且降低生产成本，并且改善了显示基板显示不均的状况。

Description

一种电子设备、阵列基板及其制作方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种电子设备、阵列基板及其制作方法。

背景技术

现有技术中，液晶显示基板包括BM(黑矩阵)与PS(Photo Space；间隔物)，其中，BM在液晶显示基板中起到遮光作用，以使显示面板达到较佳的显示效果，PS设置于两基板之间以维持液晶显示基板两基板之间的距离，PS通常包括Main PS(主要间隔物)及Sub PS(辅助间隔物)，其中，Main PS在阵列基板与彩膜基板封合时起到支撑液晶盒厚的作用，Sub PS在液晶盒受到进一步的外力挤压时起到支撑及缓冲作用。

目前业界制作液晶显示基板的BM与PS，可采用以下方法：

一、常规设计，采用透明的PS材料，BM与PS分别两道独立的制程完成，其制程效率低，成本高，而且为了实现Main PS及Sub PS的高度差，通常是在PS光罩上设计不同的形状以实现Main PS与Sub PS不同高度的目的，需要单独设置PS光罩的类型及数量，增加了制程的复杂度。

二、采用改进的材料BPS(Black Photo Space)，将BM与PS合成在一道制程中完成，但目前的处理方法需要借助MTM(Multi Tone Mask；多段式调整光罩)技术，以对BPS实现三种不同强度的光照曝光，进而显影后得到三个不同厚度的BPS图形，即BM、Main PS及SubPS，但由于MTM光罩复杂且昂贵，且在曝光时需要同时兼顾三个高度，BPS黄光工艺较难调节，因此，生产成本也居高不下，且生产效率不高。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种电子设备、阵列基板及其制作方法，可降低液晶显示面板的生产成本，且降低制程难度，提高生产效率。

为解决上述技术问题，本发明的一方面提供一种阵列基板的制作方法，包括：在基层一侧形成并排设置的至少第一色阻层、第二色阻层、至少第一凸块、第二凸块，第一凸块由至少第一色阻层、第二色阻层中的两个色阻层的各自一部分堆叠而成，第二凸块是由至少第一色阻层、第二色阻层中的一个色阻层的一部分构成，第一凸块高于第二凸块；在基层一侧形成与至少第一色阻层、第二色阻层一起并排设置的遮光层，并且第一凸块之上的遮光层跟随凸起以形成第一间隔柱，并高于第二凸块之上的遮光层跟随凸起以形成的第二间隔柱。

其中，在基层一侧形成与至少第一色阻层、第二色阻层一起并排设置的遮光层包括：在基层一侧涂覆流体状的遮光层材料，遮光层材料覆盖至少第一凸块、第二凸块；在遮光层材料流平之前，采用光罩对遮光层材料曝光，其中对应像素区域之间遮光区域的光罩区域光线通过率相同；蚀刻掉对应像素区域的遮光层材料。

其中，制作方法进一步包括：在基层的一侧进一步形成第三色阻层，第三色阻层与至少第一色阻层、第二色阻层、至少第一凸块、第二凸块并排设置，第一凸块由第一色阻层、第二色阻层的各自一部分堆叠而成，第二凸块是由三色阻层的一部分构成；在形成第一色阻层、第二色阻层的同时，各留下一部分形成堆叠色阻块，以形成第一凸块，在形成第三色阻层的同时，留下一部分色阻块而形成第二凸块。

其中，遮光层沿着第一色阻层、第二色阻层的排列方向条状延伸，同时也沿着第一色阻层、第二色阻层之间的分界线条状延伸；或遮光层仅沿着第一色阻层、第二色阻层的排列方向条状延伸，阵列基板包括像素电极以及沿着第一色阻层、第二色阻层之间的分界线条状延伸的阵列公共电极，阵列公共电极与像素电极同层设置，且电压与对基板上的公共电极相同。

为解决上述技术问题，本发明另一方面提供一种阵列基板，包括：基层；至少第一色阻层、第二色阻层，并排设置于基层一侧；遮光层，与至少第一色阻层、第二色阻层一起并排设置于基层一侧；至少第一凸块、第二凸块，设置于遮光层与基层之间，第一凸块由至少第一色阻层、第二色阻层中的两个色阻层的各自一部分堆叠而成，第二凸块是由至少第一色阻层、第二色阻层中的一个色阻层的一部分构成，第一凸块高于第二凸块，使得第一凸块之上的遮光层跟随凸起以形成第一间隔柱，并高于第二凸块之上的遮光层跟随凸起以形成的第二间隔柱

其中，遮光层采用光罩蚀刻而成，且对应遮光层的光罩区域光线通过率相同。

其中，阵列基板进一步包括第三色阻层，第一凸块由第一色阻层、第二色阻层的各自一部分堆叠而成，第二凸块是由三色阻层的一部分构成。

其中，第一色阻层、第二色阻层分别是红色色阻层、绿色色阻层，第三色阻层是蓝色色阻层。

其中，遮光层沿着第一色阻层、第二色阻层的排列方向条状延伸，同时也沿着第一色阻层、第二色阻层之间的分界线条状延伸；或遮光层仅沿着第一色阻层、第二色阻层的排列方向条状延伸，阵列基板包括像素电极以及沿着第一色阻层、第二色阻层之间的分界线条状延伸的阵列公共电极，阵列公共电极与像素电极同层设置，且电压与对基板上的公共电极相同。

为解决上述技术问题，本发明的第三方面提供一种电子设备，包括上述阵列基板。

通过上述方案，本发明的有益效果是：区别于现有技术，本发明的阵列基板，可通过在基层的一侧形成多个色阻层，并由多个色阻层的至少部分堆叠形成多个凸块，且凸块的高度不一，进而在凸块上进一步设置遮光层，从而形成不同高度的间隔柱，从而实现简化制程，且不需要借助复杂结构的光罩，降低生产成本，提高生产效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：

图1是本发明一实施例的阵列基板的制作方法的流程示意图；

图2是本发明一实施例的阵列基板的俯视图；

图3是图2所示阵列基板沿A-A'线的剖面图；

图4是本发明又一实施例的阵列基板的俯视图；

图5是本发明一实施例的电子设备的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，其中本发明中相同标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请一并参看图1-3，图1是本发明一实施例的阵列基板的制作方法的流程示意图，图2是采用图1的制作方法制得的阵列基板的俯视图，图3是图2所示阵列基板沿A-A'线的剖面图。如图1-3所示，本实施例的阵列基板100的制作方法包括：

S101：在基层110一侧形成并排设置的至少第一色阻层120、第二色阻层130、至少第一凸块101及第二凸块102。

其中，基层110的材料可为玻璃基材或塑料基材。第一凸块101由至少第一色阻层120、第二色阻层130中的两个色阻层的各自一部分堆叠而成，第二凸块102是由至少第一色阻层120、第二色阻层130中的一个色阻层的一部分构成，并且第一凸块101的高度h1大于第二凸块102的高度h2。其中，第一色阻层120及第二色阻层130可为红色色阻层R、绿色色阻层G或蓝色色阻层B中的任意两种。因此，可在形成第一色阻层120及第二色阻层130的同时，将第一色阻层120及第二色阻层130各留下一部分形成堆叠色阻块，使该堆叠色阻块形成为第一凸块101，并在形成第一色阻层120或第二色阻层130的同时，将第一色阻层120或者第二色阻层130留下一部分形成色阻块，使该色阻块形成为第二凸块102，并且使第一凸块101高于第二凸块102。

在其他实施例中，还可在基层110的一侧进一步形成第三色阻层140，并使第三色阻层140与至少第一色阻层120、第二色阻层130、至少第一凸块101、第二凸块102并排设置，进而，第一凸块101可由第一色阻层120、第二色阻层130的各自一部分堆叠而成，第二凸块102可由第三色阻层140的一部分构成。因此，在形成第一色阻层120、第二色阻层130的同时，可由所述第一色阻层120、第二色阻层130的各自留下一部分堆叠而成色阻层，进而形成第一凸块101，在形成第三色阻层140的同时，留下一部分形成色阻层以形成第二凸块102，并且使第一凸块101高于第二凸块102。

S102：在基层110一侧形成与至少第一色阻层120、第二色阻层130一起并排设置的遮光层103。

其中，在基层110一侧涂覆流体状的遮光层103材料，例如BPS，遮光层103材料覆盖至少第一凸块101、第二凸块102，在遮光层103材料流平之前，即第一凸块101上的遮光层103材料仍然高于第二凸块102上的遮光层103材料的期间，采用光罩对遮光层103材料曝光，进而将第一凸块101上的遮光层103和第二凸块102上的遮光层103材料固化，也就是使第一凸块101上的遮光层103材料高于第二凸块102上的遮光层103材料的关系固化。然后，蚀刻掉对应像素区域的遮光层103材料，使得形成于第一凸块101之上的遮光层103跟随凸起以形成第一间隔柱104，形成于第二凸块102之上的遮光层103跟随凸起以形成的第二间隔柱105，第一间隔柱104的高度h6大于第二间隔柱105的高度h7。其中，对应于像素区域之间的遮光区域的光罩区域的透光率相同。因此，在显影蚀刻后，遮光层103在阵列基板100各个区域的厚度相同，即使得第一间隔柱104与第二间隔柱105的高度差为色阻叠层的高度差。

在本实施例中，遮光层103沿着第一色阻层120、第二色阻层130的排列方向条状延伸，同时也沿着第一色阻层120、第二色阻层130之间的分界线条状延伸。在其他实施例中，如图4所示，遮光层103可仅沿着第一色阻层120、第二色阻层130的排列方向条状延伸，阵列基板200进一步包括像素电极(图未示)以及沿着第一色阻层120、第二色阻层130之间的分界线条状延伸的阵列公共电极220，阵列公共电极220与像素电极同层设置，且电压与对基板上的公共电极相同。

综上，本实施例的阵列基板100的制作，通过在基层110的一侧并排设置多个色阻层，由多个色阻层中的各自一部分堆叠形成多个凸块，并在色阻层上设置遮光层103，遮光层103形成于凸块上并随着凸块凸起进而形成间隔柱，由于凸块的高度不一，因此形成的间隔柱的高度也不一，因此，本实施例无需额外设置BM，并且通过色阻叠层的高度差进而形成不同高度的间隔柱，即同时形成BM、Main PS及Sub PS，无需设计复杂结构的光罩以形成不同高度的间隔柱，降低生产成本，并且简化制程，降低制程难度。

请进一步参看图2，图2是本发明一实施例的阵列基板的俯视图。如图2所示，本实施例的阵列基板100包括基层110、形成于基层110上的遮光层103、形成于遮光层103围设而成的子像素区域中的单层色阻层，其中，红色子像素区域中设置红色色阻层R，绿色子像素区域中设置绿色色阻层G，蓝色子像素区域中设置蓝色色阻层B，并且相邻的子像素区域中形成对应的色阻层中的一部分堆叠而成的色阻叠层，如图2所示，以两排子像素区域为例，在栅极扫描线对应的区域，形成有部分红色色阻层R及绿色色阻层G形成的色阻叠层，以及另外位置的蓝色色阻层B。

结合图2，请进一步参看图3，图3是图2所示阵列基板沿A-A'线的剖面图。如图3所示，阵列基板100包括基层110、至少第一色阻层120、第二色阻层130、遮光层103、至少第一凸块101及第二凸块102。其中，至少第一色阻层120及第二色阻层130并排设置于基层110一侧，遮光层103与至少第一色阻层120及第二色阻层130一起并排设置于基层110一侧，至少第一凸块101及第二凸块102设置于遮光层103与基层110之间，并且第一凸块101由至少第一色阻层120、第二色阻层130中的两个色阻层的各自一部分堆叠而成，第二凸块102是由至少第一色阻层120、第二色阻层130中的一个色阻层的一部分构成，第一凸块101高于第二凸块102，使得第一凸块101之上的遮光层103跟随凸起以形成第一间隔柱104，并高于第二凸块102之上的遮光层103跟随凸起以形成的第二间隔柱105。

在其他实施例中，阵列基板100进一步包括第三色阻层140，第一凸块101由第一色阻层120、第二色阻层130的各自一部分堆叠而成，第二凸块102是由三色阻层的一部分构成，可选地，第一色阻层120、第二色阻层130分别是红色色阻层R、绿色色阻层G，第三色阻层140是蓝色色阻层B。又或者，第一色阻层120、第二色阻层130及第三色阻层140分别是红色色阻层R、绿色色阻层G及蓝色色阻层B中的任意一种，在此不再限制。

图3以红色色阻层R、绿色色阻层G及蓝色色阻层B为例说明。其中第一凸块101及第二凸块102设置于遮光层103与基层110之间，第一凸块101由红色色阻层R及绿色色阻层G的各自部分堆叠而成，第二凸块102由蓝色色阻层B中的一部分构成，第一凸块101的高度h1大于第二凸块102的高度h2，第一凸块101上的遮光层103跟随第一凸块101凸起形成第一间隔柱104，第二凸块102上的遮光层103跟随第二凸块102凸起形成第二间隔柱105。

其中，遮光层103采用光罩蚀刻而成，且对应遮光层103的光罩区域光线通过率相同，因此，使得对应于第一凸块101上的遮光层103的厚度h3、对应于第二凸块102上的遮光层103的厚度h4及其余区域的遮光层103的厚度h5相等。

并且，遮光层103沿着红色色阻层R、绿色色阻层G的排列方向条状延伸，同时也沿着红色色阻层R、绿色色阻层G的分界线条状延伸。

在其他实施例中，如图4所示，遮光层103可仅沿着红色色阻层R、绿色色阻层G的排列方向条状延伸，阵列基板200还包括像素电极(图未示)以及沿着红色色阻层R及绿色色阻层G之间的分界线条状延伸的阵列公共电极220，阵列公共电极220与像素电极同层设置，且电压与对基板(图未示)上的公共电极(图未示)相同。

因此，本实施例可在基层110上形成色阻叠层，并进一步在色阻叠层上设置遮光层103，从而利用色阻叠层的高度差异，在阵列基板100上形成不同具有不同高度间隔柱，即BM、Main PS及Sub PS，简化阵列基板100的制程，降低制程难度及光罩成本，并且无需额外设置BM，提高生产效率。

如图5所示，本发明还提供一种电子设备300，包括彩膜基板310、阵列基板100或200及设置于彩膜基板310与阵列基板100或200之间的液晶层320，其中阵列基板100或200为上述实施例的阵列基板100或200，在此不再赘述。

综上所述，区别于现有技术，本发明电子设备、阵列基板及其制作方法，其中阵列基板可通过在基层一侧形成并排设置的多个色阻层，并且多个色阻层中的各自部分堆叠形成凸块，并在凸块上设置有遮光层，从而形成不同高度的间隔柱作为BM、Main PS及Sub PS，降低了阵列基板的制程难度，并且降低光罩的成本，提高生产效率。

以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在基层一侧形成并排设置的至少第一色阻层、第二色阻层、至少第一凸块、第二凸块，所述第一凸块由所述至少第一色阻层、第二色阻层中的两个色阻层的各自一部分堆叠而成，所述第二凸块是由所述至少第一色阻层、第二色阻层中的一个色阻层的一部分构成，所述第一凸块高于所述第二凸块；

在所述基层一侧形成与所述至少第一色阻层、第二色阻层一起并排设置的遮光层，并且所述第一凸块之上的所述遮光层跟随凸起以形成第一间隔柱，并高于所述第二凸块之上的所述遮光层跟随凸起以形成的第二间隔柱。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在基层一侧形成与所述至少第一色阻层、第二色阻层一起并排设置的遮光层包括：

在所述基层一侧涂覆流体状的遮光层材料，所述遮光层材料覆盖所述至少第一凸块、第二凸块；

在所述遮光层材料流平之前，采用光罩对所述遮光层材料曝光，其中对应像素区域之间遮光区域的所述光罩区域光线通过率相同；

蚀刻掉所述对应像素区域的所述遮光层材料。

3.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法进一步包括：

在所述基层的一侧进一步形成第三色阻层，所述第三色阻层与所述至少第一色阻层、所述第二色阻层、所述至少第一凸块、所述第二凸块并排设置，所述第一凸块由所述第一色阻层、第二色阻层的各自一部分堆叠而成，所述第二凸块是由所述三色阻层的一部分构成；

在形成所述第一色阻层、所述第二色阻层的同时，各留下一部分形成堆叠色阻块，以形成所述第一凸块，在形成所述第三色阻层的同时，留下一部分色阻块而形成所述第二凸块。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述遮光层沿着所述第一色阻层、第二色阻层的排列方向条状延伸，同时也沿着所述第一色阻层、第二色阻层之间的分界线条状延伸；或

所述遮光层仅沿着所述第一色阻层、第二色阻层的排列方向条状延伸，所述阵列基板包括像素电极以及沿着所述第一色阻层、第二色阻层之间的分界线条状延伸的阵列公共电极，所述阵列公共电极与所述像素电极同层设置，且电压与对基板上的公共电极相同。

5.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

基层；

至少第一色阻层、第二色阻层，并排设置于所述基层一侧；

遮光层，与所述至少第一色阻层、第二色阻层一起并排设置于所述基层一侧；

至少第一凸块、第二凸块，设置于所述遮光层与所述基层之间，所述第一凸块由所述至少第一色阻层、第二色阻层中的两个色阻层的各自一部分堆叠而成，所述第二凸块是由所述至少第一色阻层、第二色阻层中的一个色阻层的一部分构成，所述第一凸块高于所述第二凸块，使得所述第一凸块之上的所述遮光层跟随凸起以形成第一间隔柱，并高于所述第二凸块之上的所述遮光层跟随凸起以形成的第二间隔柱。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层采用光罩蚀刻而成，且对应所述遮光层的所述光罩区域光线通过率相同。

7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板进一步包括第三色阻层，所述第一凸块由所述第一色阻层、第二色阻层的各自一部分堆叠而成，所述第二凸块是由所述三色阻层的一部分构成。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一色阻层、第二色阻层分别是红色色阻层、绿色色阻层，所述第三色阻层是蓝色色阻层。

9.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层沿着所述第一色阻层、第二色阻层的排列方向条状延伸，同时也沿着所述第一色阻层、第二色阻层之间的分界线条状延伸；或

所述遮光层仅沿着所述第一色阻层、第二色阻层的排列方向条状延伸，所述阵列基板包括像素电极以及沿着所述第一色阻层、第二色阻层之间的分界线条状延伸的阵列公共电极，所述阵列公共电极与所述像素电极同层设置，且电压与对基板上的公共电极相同。

10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求5至9中任一项所述的阵列基板。