CN106463563B - 光电转换元件及其制造方法、成像装置、光学传感器 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 147
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 91
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 18
- -1 Si oxide Chemical compound 0.000 claims description 17
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 13
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 8
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 15
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- POXIZPBFFUKMEQ-UHFFFAOYSA-N 2-cyanoethenylideneazanide Chemical group [N-]=C=[C+]C#N POXIZPBFFUKMEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000012723 sample buffer Substances 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- DTZWGKCFKSJGPK-VOTSOKGWSA-N (e)-2-(2-methyl-6-(2-(1,1,7,7-tetramethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydropyrido[3,2,1-ij]quinolin-9-yl)vinyl)-4h-pyran-4-ylidene)malononitrile Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 DTZWGKCFKSJGPK-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran Chemical compound C1OC=CC=C1 MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010011224 Cough Diseases 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001597008 Nomeidae Species 0.000 description 1
- 241000276498 Pollachius virens Species 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NCMAYWHYXSWFGB-UHFFFAOYSA-N [Si].[N+][O-] Chemical class [Si].[N+][O-] NCMAYWHYXSWFGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000001367 artery Anatomy 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004035 chlorins Chemical class 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000002779 inactivation Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000001802 infusion Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 150000004880 oxines Chemical class 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000012994 photoredox catalyst Substances 0.000 description 1
- 125000003386 piperidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229920003208 poly(ethylene sulfide) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000004402 ultra-violet photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/20—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/20—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions
- H10K30/211—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions comprising multiple junctions, e.g. double heterojunctions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
- H10K30/353—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains comprising blocking layers, e.g. exciton blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
- H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/811—Controlling the atmosphere during processing
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
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- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/30—Highest occupied molecular orbital [HOMO], lowest unoccupied molecular orbital [LUMO] or Fermi energy values
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- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
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Abstract
本发明提供了具有低暗电流的有机光电转换元件、摄像装置、光学传感器和光电转换元件制造方法。光电转换元件是通过如下方式提供的:形成有机光电转换层以作为第一电极的上层,所述有机光电转换层包含一种或多种类型的有机半导体材料;形成缓冲层以作为所述有机光电转换层的上层,所述缓冲层由非晶无机材料形成并具有7.7至8.0eV的能级,且所述有机光电转换层与所述缓冲层之间具有2eV以上的HOMO能级差;以及形成第二电极以作为所述缓冲层的上层。
Description
技术领域
本发明涉及光电转换元件、包括该光电转换元件的成像装置和光学传感器以及制造光电转换元件的方法。更特别地,本发明涉及有机光电转换元件、包括有机光电转换材料的成像装置和光学传感器以及制造有机光电转换元件的方法。
背景技术
通常,对于成像元件(图像传感器),主要使用具有电耦合器件(CCD) 或互补金属氧化物半导体(CMOS)的结构的半导体元件。而且,最近提出了包括具有由有机半导体材料形成的光电转换层的有机光电转换元件的成像元件(例如,参见专利文献1至3)。有机光电转换元件不需要包含滤色器,并且可与常规无机半导体元件相比具有更简单的结构和制造过程。
如专利文献1至3所描述的常规有机光电转换元件具有将有机光电转换部布置在一对电极之间的构造。例如,下部电极、有机光电转换部和上部电极依次层叠在基板上。而且,在某些情况下,常规有机光电转换元件还包括位于有机光电转换部与每个电极之间的诸如电子阻挡层、缓冲层和有源层等各种中间层。
引用文献列表
专利文献
专利文献1:JP 2013-219190A
专利文件2:JP 2014-063999A
专利文件3:JP 2014-072328A
发明内容
技术问题
光电转换元件被要求具有高的转换效率和低的暗电流。然而,前述的常规有机光电转换元件存在没有充分地抑制暗电流的问题。
因此,本发明的主要目的在于提供具有低暗电流的有机光电转换元件、成像装置和光学传感器以及制造光电转换元件的方法。
问题的解决方案
根据本发明的光电转换元件包括:第一电极;有机光电转换层,其布置在所述第一电极的上层中,所述有机光电转换层包括一种或多种有机半导体材料;缓冲层,其布置在所述有机光电转换层的上层中,所述缓冲层包括非晶无机材料并且具有7.7至8.0eV的能级,且所述缓冲层与所述有机光电转换层之间的HOMO能级差为2eV以上;以及第二电极,其布置在所述缓冲层的上层中。所述缓冲层可例如由多种金属氧化物形成。在此情况下,所述金属氧化物中的至少一者可以是金属氧化物半导体。另外,所述缓冲层可由从如下群组中选择的多种金属氧化物形成,所述群组包括锌氧化物、硅氧化物、锡氧化物、铌氧化物、钛氧化物、钼氧化物、铝氧化物、基于In-Ga-Zn的氧化物(IGZO)、镁氧化物和铪氧化物。所述缓冲层可由各自具有不同能级的多个层构成。所述缓冲层可例如具有3至300nm的厚度。所述缓冲层可具有100kΩ/□以上的表面电阻。所述第二电极可由透明材料形成。在此情况下,所述缓冲层也可由透明材料形成,且所述缓冲层与所述第二电极的相对折射率可以为0.3以下。所述缓冲层可例如通过溅射法形成。
根据本发明的成像装置包括上述的光电转换元件。另外,根据本发明的光学传感器包括上述的光电转换元件,并可例如是红外传感器。
制造根据本发明的光电转换元件的方法包括:形成第一电极的步骤;在所述第一电极的上层中形成有机光电转换层的步骤,所述有机光电转换层包括一种或多种有机半导体材料;在所述有机光电转换层的上层中形成形成缓冲层的步骤,所述缓冲层包括非晶无机材料并且具有7.7至 8.0eV的能级,且所述缓冲层与所述有机光电转换层之间的HOMO能级差为2eV以上;以及在所述缓冲层的上层中形成第二电极的步骤。溅射法可应用于形成缓冲层的步骤。在此情况下,可在引入氧的同时形成所述缓冲层的膜。
本发明的有益效果
根据本发明,可以形成高的能量势垒,以提高暗电流的抑制效果。注意,此处说明的效果不必是限制性的,且可以发挥本发明中说明的任一种效果。
附图说明
图1是图示根据本发明的第一实施例的光电转换元件的构造的示意图。
图2是图示根据本发明的第二实施例的光电转换元件的构造的示意图。
图3是图示根据本发明的第三实施例的成像元件的构造的示意图。
图4的A图示包括晶体ZnO的膜的X射线衍射谱,且图4的B图示第1号样品和第2号样品的缓冲层的X射线衍射谱。
图5是图示氧浓度与光学透明性之间的关系的示图。
图6是图示实施例和比较例中的缓冲层的能级的示图。
图7是图示实施例和比较例的电流特性的示图。
具体实施方式
在下文中,将参考附图详细地说明用于实施本发明的实施例。注意,本发明不限于下面说明的实施例。而且,将按照下列顺序进行说明。
1.第一实施例(包括无机缓冲层的光电转换元件的示例)
2.第二实施例(包括具有层叠结构的缓冲层的光电转换元件的示例)
3.第三实施例(包括包含无机缓冲层的光电转换元件的成像装置的示例)
<1.第一实施例>
首先,将说明根据本发明的第一实施例的光电转换元件。图1是示意性地图示根据本发明的第一实施例的光电转换元件的构造的截面图。如图1所示,光电转换元件10包括位于一对电极1和2之间的有机光电转换层3和缓冲层4。
[电极1和2]
电极1和2可由具有导电性的透明材料形成,例如,铟锡氧化物(包括ITO、掺杂有Sn的In2O3、晶体ITO和非晶体ITO)、IFO(掺杂有F的 In2O3)、锡氧化物(SnO2)、ATO(掺杂有Sb的SnO2)、FTO(掺杂有F的 SnO2)、锌氧化物(包括掺杂有Al的ZnO、掺杂有B的ZnO和掺杂有Ga 的ZnO)、铟氧化物-锌氧化物(IZO)、钛氧化物(TiO2)、尖晶石型氧化物 (spinel-shapedoxide)和具有YbFe2O4结构的氧化物等。这里,“透明材料”是指不会过量吸收入射在有机光电转换层3上的光的材料。这同样适用于下面的说明。
而且,在电极1和2之中,没有入射光的电极可以具有低的透明性。在此情况下,该电极也可由金属材料形成,例如铂(Pt)、金(Au)、钯(Pd)、铬(Cr)、镍(Ni)、铝(Al)、银(Ag)、钽(Ta)、钨(W)、铜(Cu)、钛(Ti)、铟(In)、锡(Sn)、铁(Fe)、钴(Co)和钼(Mo)以及包含这些金属元素的合金材料等。
应当注意,电极1和2可由诸如含有前面描述的金属和金属合金的导电颗粒、含有杂质的多晶硅、基于碳的材料、氧化物半导体、碳纳米管和石墨烯等导电材料形成。在此情况下,可通过将这些导电材料混合至粘结剂树脂(binder resin)并对得到的糊剂和油墨进行固化来形成电极。而且,电极1和2还可由诸如聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)和聚苯乙烯磺酸等导电聚合物材料形成。此外,电极1和2的结构还可通过由不同材料形成的多个层彼此叠加而成。
[有机光电转换层3]
有机光电转换层3可由一种或多种有机半导体材料形成。这里使用的有机半导体材料可以是能够将光能转换成电能的任何材料,并特别期望是p型有机半导体材料。这里,在各种有机半导体材料之中,对绿色(约 490至580nm)起反应的材料的示例可包括颜料紫(Pigment Violet)1、3、 4、5、5:1、19(喹吖啶酮)、23、27、29、31、32、33、34、35、36、37、 38、40、42、43、44和50以及颜料红(Pigment Red)1、2、4、5、6、7、 8、9、12、13、17、21、22、23、24、31、32、38、48、49、50、51、 52、53、54、64、68、88、112、113、114、122、146、147、148、149、 150、151、168、170、171、173、174、175、176、177、178、179、181、 184、185、190、195、200、202、206、207、208、209、214、216、221、 224、225、242、251、254、255、259、264、266、268和269。
而且,对蓝色(约400至490nm)起反应的材料的示例可包括萘衍生物、蒽衍生物、丁省衍生物、苯乙烯基胺衍生物以及双吖嗪基亚甲基硼复合物。此外,对红色(约580至700nm)起反应的材料的示例可包括尼罗红、诸如DCM1{4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(4-二甲胺基苯乙烯基)4H- 吡喃}和DCJT{4-(二氰基亚甲基)-2-叔丁基-6-(久咯呢啶基(julolidyl)苯乙烯基)吡喃}等吡喃衍生物、方酸鎓(squarylium)衍生物、卟啉衍生物、二氢卟酚衍生物以及欧罗蒂啉(eurodiline)衍生物。
应当注意,有机光电转换层3可由多种有机半导体材料的组合形成。在此情况下,有机光电转换层3可具有本体异质(bulk hetero)结构,在该结构中混合有p型有机半导体材料和n型有机半导体材料。
[缓冲层4]
缓冲层4布置在有机光电转换层3与被光入射的电极2之间,并形成能量势垒(energy barrier)。根据本实施例的光电转换元件10的缓冲层4 由非晶无机材料形成并具有7.7至8.0eV的能级,且缓冲层4与有机光电转换层之间的最高占据分子轨道(HOMO)能级差为2eV以上。
当用于形成缓冲层4的无机材料为非晶时,减小了膜内部的应力,且防止了在装置的层叠期间形成中间能级。因此,可以容易地抑制暗电流。可以在缓冲层4的形成期间防止有机光电转换层3受损。而且,当能级为7.7至8.0eV且与有机光电转换层之间的HOMO能级差为2eV 以上时,能量势垒变得比去过更高。因此,可以抑制暗电流。
用于形成这种缓冲层4的无机材料的示例可包括金属氧化物,并特别优选地包括金属氧化物半导体。具体地,缓冲层4优选地由多种金属氧化物形成。优选地,这些金属氧化物中的至少一者是金属氧化物半导体。因此,可以获得具有优良的透明性和高的能量势垒的缓冲层。
这里,缓冲层4中使用的金属氧化物的示例可包括锌氧化物、硅氧化物、锡氧化物、铌氧化物、钛氧化物、钼氧化物、铝氧化物、基于In-Ga-Zn 的氧化物(IGZO)、镁氧化物和铪氧化物,且优选地包括它们的组合。特别地,从透明性、高能量势垒和形成容易程度的观点来看,缓冲层4优选地由锌氧化物和铝氧化物形成。
而且,优选地,缓冲层4由透明材料形成,且与电极2的相对折射率为0.3以下。当与电极2的相对折射率为0.3以下时,抑制了入射光的散射。因此,可以增大有机光电转换层3上的入射效率。
另一方面,从有机光电转换层3上的入射光量以及与具有有机光电转换层3的层叠结构中的光学设计有关的膜厚设定的观点来看,缓冲层4 的厚度优选为但不特别地限于3至300nm。而且,从确保绝缘的观点来看,缓冲层4的表面电阻优选为100kΩ/□以上。
[基板]
前述的电极1和2、有机光电转换层3和缓冲层4可例如形成在基板上。基板(未图示)可以是能够支撑这些层的任意基板,且基板的材料性能和形状没有特别的限制。构成基板的材料的示例可包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol, PVA)、聚乙烯酚(polyvinyl phenol,PVP)、聚醚砜(polyethersulfone,PES)、聚酰亚胺、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate,PET)和聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate,PEN)等合成树脂。
当基板由合成树脂形成时,基板的形态可以是膜、片和板等。此外,具有柔韧性的基板的使用例如能够使电子器件被组合或集成到具有弯曲表面的电子装置中。而且,基板可由诸如云母、玻璃和石英等无机材料形成。此外,对于基板,可例如使用通过如下方式获得的产品:在各种玻璃基板、石英基板、硅基板、金属基板或碳基板等的表面上形成包括硅氧化物、硅氮氧化物、铝氧化物、金属氧化物或金属盐等绝缘膜。
此外,例如,当在基板侧接收光时,基板优选地由透明材料形成。应当注意,虽然基板的表面优选地是光滑的,但是它也可以在不影响有机光电转换层3的特性的程度下是不平坦的。而且,可以对基板的表面进行表面处理,以提高与形成在基板上的电极的粘合。
[其它层]
除前面描述的电极1和2、有机光电转换层3和缓冲层4之外,根据本实施例的光电转换元件10还可包括包含有机材料的缓冲层和冲击吸收层等。
有机缓冲层布置在缓冲层4的上表面或下表面上,并可通过沉积 (deposition)、喷雾(spraying)、涂布(coating)或印刷(printing)等的方法形成。在使用这种有机缓冲层与前述缓冲层4的组合时,能够通过具有提升的载流子注入和空穴注入势垒的缓冲层进一步提高效果。
冲击吸收层布置在电极2与缓冲层4之间,并布置成用于在电极2 的形成期间缓和在诸如电极1、有机光电转换层3和缓冲层4等下层中产生的应力。冲击吸收层可通过沉积、喷雾、涂布或印刷等的方法例如由有机材料形成。冲击吸收层的布置能够提高光电转换元件10的耐久性和可靠性。
[制造方法]
在制造根据本实施例的光电转换元件10时,依次执行形成下部电极 1的步骤、形成有机光电转换层3的步骤、形成缓冲层4的步骤和形成上部电极2的步骤。
(形成下部电极1的步骤)
电极1的形成方法没有特别的限制,并可根据电极材料进行适当的选择。具体地,电极1的形成方法的示例可包括物理气相沉积(PVD)法(例如,真空气相沉积(vacuum vapordeposition)法、反应气相沉积(reactive vapor deposition)法、各种溅射(sputtering)方法、电子束气相沉积(electron beam vapor deposition)法和离子电镀(ion plating)方法等)、各种化学气相沉积(CVD)法(包括高温溶胶(pyrosol method)法、有机金属化合物热分解法、喷雾法、浸渍(dip)法和MOCVD法)、各种电镀(plating)法(例如,诸如无电电镀(electroless plating)法和电解电镀(electrolytic plating)法等)、剥离(lift-off)法、溶胶凝胶(sol-gel)法、电沉积(electrodeposition)法以及遮蔽掩模(shadow mask)法。也可执行这些方法的组合。而且,可将这些技术与图案化技术组合。
(形成有机光电转换层3的步骤)
有机光电转换层3的形成方法没有特别的限制。可以应用包括涂布法、PVD法和MOCVD法的各种CVD法。这里,涂布法的示例可包括旋涂(spin coating)法、浸渍法、浇铸(cast)法、各种印刷法(例如,丝网印刷(screen printing)法、喷墨印刷(ink-jetprinting)法、胶版印刷(offset printing)法和凹版印刷(gravure printing)法等)以及等各种涂布法(例如,压印(stamp)法、喷雾法、气刀涂布机(air doctor coater)法、刮刀涂布机(blade coater)法、棒式涂布机(rod coater)法、刀式涂布机(knife coater)法、挤压式涂布机(squeeze coater)法、逆转辊式涂布机(reverse roll coater)法、转送辊涂布机(transfer roll coater)法、凹版涂布机(gravure coater)法、吻合式涂布机(kisscoater)法、浇铸机(cast coater)法、喷雾涂布机(spray coater)法、狭缝喷嘴型涂布机(slit orifice coater)法和压光涂布机(calendar coater)法)。此时,对于溶剂,可以使用诸如甲苯、氯仿、己烷和乙醇等无极性或低极性的有机溶剂。
而且,PVD法的示例可包括使用诸如电子束加热法、电阻加热法、灯加热法和高频感应加热法等各种加热方法的真空气相沉积法、等离子体气相沉积法、各种溅射方法(例如,双极溅射(bipolar sputtering)法、直流溅射(direct current sputtering)法、直流磁控溅射(direct current magnetron sputtering)法、高频溅射(high-frequencysputtering)法、磁控溅射(magnetron sputtering)法、离子束溅射(ion beamsputtering)法和偏压溅射(bias sputtering)法等)、DC(直流)法、RF法、多阴极(multi-cathode)法、活性反应(activated reactive)法、电场气相沉积(electric field vapordeposition)法以及各种离子电镀法(例如,高频离子电镀法和反应离子电镀法等)。此外,当集成根据本实施例的光接收元件时,可以采用基于脉冲激光沉积 (pulsed laserdeposition,PLD)法形成图案的方法。
(形成缓冲层4的步骤)
缓冲层4可例如通过溅射法由前述的材料形成。此时,膜可由含氧的靶形成。然而,为了稳定地确保缓冲层4的透明性,期望在引入氧的同时形成膜。此时,优选地,要引入的氧的量为但不特别地限于2%以上。即使当氧浓度过度地增加时,所获得的缓冲层的透明性也不会降低。但在某些情况下,有机光电转换元件会受损。
(形成上部电极2的步骤)
上部电极2能够以与前述的下部电极1类似的方式形成。因此,将省略对形成上部电极2的具体方法的说明。
常规有机光电转换元件通常包括由有机材料形成的缓冲层。由于这个原因,无法充分地形成注入势垒,这导致暗电流增大。与此相反,根据本实施例的光电转换元件包括由非晶无机材料形成的缓冲层。因此,可以在不损害有机光电转换层的情况下获得具有优良的透明性和高的势能的缓冲层。因此,可以形成高的能量势垒。这增强了对暗电流的抑制效果并提高了耐压性。
根据本实施例的光电转换元件可以实现诸如高灵敏度成像元件和红外传感器等各种光学传感器元件。根据本实施例的光电转换元件特别地适用于成像元件。
<2.第二实施例>
接下来,将对根据本发明的第二实施例的光电转换元件进行说明。图2是示意性地图示根据本发明的第二实施例的光电转换元件的构造的截面图。应当注意,在图2中,使用相同的附图标记表示与图1中的光电转换元件10的构成要素相同的构成要素,且将省略对它们的说明。如图2所示,除缓冲层14由各自具有不同能级的多个层构成之外,根据本实施例的光电转换元件20类似于前述的根据第一实施例的光电转换元件 10。
[缓冲层14]
构成缓冲层14的无机缓冲层14a和14b中的每者包含一种或多种无机材料,并具有彼此不同的能级。因此,形成了高的能量势垒,使得能够以与前述的根据第一实施例的光电转换元件类似的方式建立空穴注入势垒。因此,可以抑制暗电流。注意,对于无机缓冲层14a和14b中的每者要包含的无机材料,可以使用与前述的根据第一实施例的光电转换元件的缓冲层4的材料类似的材料。
而且,在层叠结构的情况下,类似地,缓冲层14优选地具有3至 300nm的厚度和100kΩ/□以上的表面电阻。如本文所述,该厚度和表面电阻不是每一层的厚度,而是整个层叠缓冲层的值。
根据本实施例的光电转换元件20包括由两个以上的具有不同能级的无机缓冲层14a和14b构成的缓冲层14。因此,与一层结构的情况相比,以可靠和逐级的方式形成注入势垒。因此,可以有效地抑制空穴注入。而且,在根据本实施例的光电转换元件20中,以逐级和平顺的方式执行载流子注入。因此,还可以抑制电子注入的失活。应当注意,根据本实施例的光电转换元件20中的除上述构造和效果之外的构造和效果类似于前述的第一实施例中的构造和效果。而且,根据本实施例的光电转换元件适用于诸如成像元件和红外传感器等各种光学传感器。
<3.第三实施例>
[构造]
接下来,将对根据第三实施例的成像装置进行说明。根据本实施例的成像装置包括作为成像元件的前述的根据第一或第二实施例的光电转换元件10或20。图3是示意性地图示根据本实施例的成像装置的构造的示图。应当注意,虽然在图3中使用根据第一实施例的光电转换元件10,但是根据本实施例的成像装置30可包括根据第二实施例的光电转换元件 20来代替光电转换元件10。
如图3所示,根据本实施例的成像装置30例如在诸如Si基板等半导体基板上包括矩阵形状的多个光电转换元件10。布置有这些光电转换元件10的区域充当成像区域31。应当注意,当集成前述的根据第一或第二实施例的光电转换元件10或20时,可以采用基于脉冲激光沉积(PLD) 法等来形成图案的方法。
而且,根据本实施例的成像装置30包括垂直驱动电路32、列信号处理电路33、水平驱动电路34、输出电路35和控制电路36等,以作为成像区域31的***电路。
控制电路36基于垂直同步信号、水平同步信号和主时钟产生时钟信号和控制信号,以作为垂直驱动电路32、列信号处理电路33和水平驱动电路34的动作的规准。控制电路36中产生的时钟信号和控制信号被输入至垂直驱动电路32、列信号处理电路33和水平驱动电路34。
垂直驱动电路32例如由移位寄存器构成,并选择性地沿垂直方向顺序地对成像区域31中的每个光电转换元件10进行逐行扫描。基于根据每个光电转换元件10中接收的光量在垂直驱动电路32中产生的电流(信号)的像素信号经由垂直信号线37被传输至列信号处理电路33。
列信号处理电路33例如是针对光电转换元件10的每一列布置的,并且使用来自黑参考像素(未图示,它们形成在有效像素区域周围)的信号针对每个光电转换元件对从一行光电转换元件10输出的信号执行去噪信号处理和信号放大信号处理。而且,在列信号处理电路33的输出级中,列信号处理电路33与水平信号线38之间连接有水平选择开关(未图示)。
水平驱动电路34例如由移位寄存器构成。然后,在水平驱动电路 34中,水平扫描脉冲被顺序地输出,从而顺序地选择每个列信号处理电路33,且信号被从每个列信号处理电路33输出至水平信号线38。
输出电路35对经由水平信号线38从每个列信号处理电路33供应的信号执行信号处理,并输出得到的信号。
这些电路可由已知的电路构成。而且,根据本实施例的成像装置30 中的电路构造不局限于前述的构造,且还可以使用诸如例如在常规CCD 成像装置和CMOS成像装置中使用的各种电路等其它电路构造。
根据本实施例的成像装置包括暗电流受到抑制的第一光电转换元件和第二光电转换元件。因此,可以获得具有比常规装置更高的灵敏度和耐压性的有机光电转换装置。应当注意,除用于前述的成像装置30之外,前述的第一和第二光电转换元件10和20还可用于诸如红外传感器等各种光学传感器。
此外,本发明还可具有如下构造。
(1)一种光电转换元件,其包括:
第一电极;
有机光电转换层,其布置在所述第一电极的上层中,所述有机光电转换层包括一种或多种有机半导体材料;
缓冲层,其布置在所述有机光电转换层的上层中,所述缓冲层包括非晶无机材料并且具有7.7至8.0eV的能级,且所述缓冲层与所述有机光电转换层之间的HOMO能级差为2eV以上;以及
第二电极,其布置在所述缓冲层的上层中。
(2)如(1)所述的光电转换元件,其中,所述缓冲层由多种金属氧化物形成。
(3)如(2)所述的光电转换元件,其中,所述金属氧化物中的至少一者是金属氧化物半导体。
(4)如(1)至(3)中任一者所述的光电转换元件,其中,所述缓冲层由从如下群组中选择的多种金属氧化物形成,所述群组包括锌氧化物、硅氧化物、锡氧化物、铌氧化物、钛氧化物、钼氧化物、铝氧化物、基于 In-Ga-Zn的氧化物(IGZO)、镁氧化物和铪氧化物。
(5)如(1)至(4)中任一者所述的光电转换元件,其中,所述缓冲层由各自具有不同能级的多个层构成。
(6)如(1)至(5)中任一者所述的光电转换元件,其中,所述缓冲层具有3至300nm的厚度。
(7)如(1)至(6)中任一者所述的光电转换元件,其中,所述缓冲层具有100kΩ/□以上的表面电阻。
(8)如(1)至(7)中任一者所述的光电转换元件,其中,所述第二电极由透明材料形成。
(9)如(1)至(8)中任一者所述的光电转换元件,其中,所述缓冲层由透明材料形成,且所述缓冲层与所述第二电极的相对折射率为0.3以下。
(10)如(1)至(9)中任一者所述的光电转换元件,其中,所述缓冲层是通过溅射法形成的。
(11)一种成像装置,其包括如(1)至(10)中任一者所述的光电转换元件。
(12)一种光学传感器,其包括如(1)至(10)中任一者所述的光电转换元件。
(13)如(12)所述的光学传感器,所述光学传感器是红外传感器。
(14)一种制造光电转换元件的方法,所述方法包括:
形成第一电极的步骤;
在所述第一电极的上层中形成有机光电转换层的步骤,所述有机光电转换层包括一种或多种有机半导体材料;
在所述有机光电转换层的上层中形成形成缓冲层的步骤,所述缓冲层包括非晶无机材料并且具有7.7至8.0eV的能级,且所述缓冲层与所述有机光电转换层之间的HOMO能级差为2eV以上;以及
在所述缓冲层的上层中形成第二电极的步骤。
(15)如(14)所述的制造光电转换元件的方法,所述方法包括通过溅射法形成所述缓冲层。
(16)如(15)所述的制造光电转换元件的方法,所述方法包括在引入氧的同时形成所述缓冲层的膜。
应当注意,本文中说明的效果仅是示例性的而不是限制性的,且还可能存在其它效果。
[示例]
在下文中,将参考本发明的实施例对本发明的效果进行具体说明。在这些示例中,使用作为主要成分的锌氧化物(ZnO)(含量:以质量计的 50%以上)以及作为辅助成分的Al2O3、SiO2、MgO和SnO2来形成下面的表1中列出的第1至4号样品缓冲层。在下面的表2中列出缓冲层的评估结果。
[表1]
[表2]
第1号 | 第2号 | 第3号 | 第4号 | |
I.P.(eV) | 7.8 | 7.8 | 7.7 | 7.7 |
Eg.(eV) | 3.1 | 3.0 | 2.9 | 3.0 |
导带(eV) | 4.7 | 4.8 | 4.8 | 4.7 |
ΔE | 2.1 | 2.1 | 2.0 | 2.0 |
注意,上面的表2中列出的电离电势(ionization potential,I.P.)是通过紫外光光电子能谱仪(ultraviolet photoelectron spectroscopy,UPS)获得的。而且,带隙(Eg)是根据吸收边沿(absorption edge)计算的。此外,ΔE 是光电转换层的HOMO值与每个缓冲层的电离电势(I.P.)之间的差异 (ΔE=光电转换层HOMO-I.P.)。
图4的A图示包括晶体ZnO的膜的X射线衍射谱,且图4的B图示第1号和第2号样品缓冲层的X射线衍射谱。在图4的A所示的ZnO 的光谱中观察到表示结晶度的峰值。然而,对于第1号和第2号样品缓冲层,没有观察到表示结晶度的峰值。这表明缓冲层是非晶的。
而且,在变化的氧浓度的情况下形成膜。检查获得的缓冲层(膜厚: 100nm)的光学透明性。图5是图示膜形成期间的氧浓度与缓冲层的透射率特性之间的关系的示图。如图5所示,在引入氧的情况下形成的缓冲层具有比没有引入氧的情况下形成的缓冲层更高的光学透射率。
图6是前述实施例的缓冲层的能级、包括有机材料的常规缓冲层的能级和有机光电转换层的能级之间的比较的示图。如图6所示,示例的缓冲层(第1号样品)具有比包括有机材料的常规缓冲层更高的能级,且与光电转换层的HOMO值的差异(ΔE)也为2eV以上。
而且,在下面的表3中列出暗电流耐压性能的评估结果。此外,图 7中图示实施例和比较例的缓冲层的电流特性。
[表3]
Jdk(-1V) | Jdk(-3V) | ΔJdk | |
实施例1 | 1.2×10<sup>-10</sup> | 2.0×10<sup>-10</sup> | 0.8×10<sup>-10</sup> |
实施例2 | 1.3×10<sup>-10</sup> | 1.9×10<sup>-10</sup> | 0.6×10<sup>-10</sup> |
比较例1 | 1.7×10<sup>-10</sup> | 3.4×10<sup>-10</sup> | 1.7×10<sup>-10</sup> |
上面的结果表明实施例1和2的缓冲层是非晶的,并具有高的能级和改善的耐压特性。即,可以确认,根据本发明,可以通过缓冲层来形成高的能量势垒以提高暗电流的抑制效果。
附图标记列表
1、2 电极 3 有机光电转换层
4、14 缓冲层 1、20 光电转换元件
30 成像装置 31 成像区域
32 垂直驱动电路 33 列信号处理电路
34 水平驱动电路 35 输出电路
36 控制电路 37 垂直信号线
38 水平信号线
Claims (20)
1.一种光电转换元件,其包括:
第一电极;
有机光电转换层,其布置在所述第一电极的上方,所述有机光电转换层包括一种或多种有机半导体材料;
缓冲层,其布置在所述有机光电转换层的上方,所述缓冲层由非晶无机材料构成并且具有7.7至8.0eV的能级,且所述缓冲层与所述有机光电转换层之间的HOMO能级差为2eV以上;以及
第二电极,其布置在所述缓冲层的上方。
2.如权利要求1所述的光电转换元件,其中,所述缓冲层由多种金属氧化物形成。
3.如权利要求2所述的光电转换元件,其中,所述金属氧化物中的至少一者是金属氧化物半导体。
4.如权利要求2所述的光电转换元件,其中,所述缓冲层由从如下群组中选择的多种金属氧化物形成,所述群组由锌氧化物、硅氧化物、锡氧化物、铌氧化物、钛氧化物、钼氧化物、铝氧化物、基于In-Ga-Zn的氧化物、镁氧化物和铪氧化物构成。
5.如权利要求4所述的光电转换元件,其中,所述缓冲层由锌氧化物和铝氧化物形成。
6.如权利要求1-5中任一项所述的光电转换元件,其中,所述缓冲层由各自具有不同能级的多个层构成。
7.如权利要求1-5中任一项所述的光电转换元件,其中,所述缓冲层具有3至300nm的厚度。
8.如权利要求1-5中任一项所述的光电转换元件,其中,所述缓冲层具有100kΩ/□以上的表面电阻。
9.如权利要求1-5中任一项所述的光电转换元件,其中,所述第二电极由透明材料形成。
10.如权利要求9所述的光电转换元件,其中,所述缓冲层由透明材料形成,且所述缓冲层与所述第二电极的相对折射率为0.3以下。
11.如权利要求1-5中任一项所述的光电转换元件,其中,所述缓冲层是通过溅射法形成的。
12.如权利要求11所述的光电转换元件,其中,所述缓冲层的膜是在引入氧的同时形成的。
13.如权利要求12所述的光电转换元件,其中,引入的所述氧的量为2%以上。
14.一种成像装置,其包括如权利要求1-13中任一项所述的光电转换元件。
15.一种光学传感器,其包括如权利要求1-13中任一项所述的光电转换元件。
16.如权利要求15所述的光学传感器,其是红外传感器。
17.一种制造光电转换元件的方法,所述方法包括:
形成第一电极的步骤;
在所述第一电极的上方形成有机光电转换层的步骤,所述有机光电转换层包括一种或多种有机半导体材料;
在所述有机光电转换层的上方形成缓冲层的步骤,所述缓冲层由非晶无机材料构成并且具有7.7至8.0eV的能级,且所述缓冲层与所述有机光电转换层之间的HOMO能级差为2eV以上;以及
在所述缓冲层的上方形成第二电极的步骤。
18.如权利要求17所述的制造光电转换元件的方法,所述方法通过溅射法形成所述缓冲层。
19.如权利要求18所述的制造光电转换元件的方法,所述方法在引入氧的同时形成所述缓冲层的膜。
20.如权利要求19所述的制造光电转换元件的方法,其中,引入的所述氧的量为2%以上。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910342663.4A CN110112297B (zh) | 2014-07-17 | 2015-04-21 | 光电转换元件及其制造方法、成像装置、光学传感器 |
CN201910342621.0A CN110265550B (zh) | 2014-07-17 | 2015-04-21 | 光电转换元件及其制造方法、成像装置、光学传感器 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014147147 | 2014-07-17 | ||
JP2014-147147 | 2014-07-17 | ||
PCT/JP2015/062044 WO2016009693A1 (ja) | 2014-07-17 | 2015-04-21 | 光電変換素子、撮像装置、光センサ及び光電変換素子の製造方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910342621.0A Division CN110265550B (zh) | 2014-07-17 | 2015-04-21 | 光电转换元件及其制造方法、成像装置、光学传感器 |
CN201910342663.4A Division CN110112297B (zh) | 2014-07-17 | 2015-04-21 | 光电转换元件及其制造方法、成像装置、光学传感器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106463563A CN106463563A (zh) | 2017-02-22 |
CN106463563B true CN106463563B (zh) | 2019-05-10 |
Family
ID=55078197
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201580027505.XA Active CN106463563B (zh) | 2014-07-17 | 2015-04-21 | 光电转换元件及其制造方法、成像装置、光学传感器 |
CN201910342621.0A Active CN110265550B (zh) | 2014-07-17 | 2015-04-21 | 光电转换元件及其制造方法、成像装置、光学传感器 |
CN201910342663.4A Active CN110112297B (zh) | 2014-07-17 | 2015-04-21 | 光电转换元件及其制造方法、成像装置、光学传感器 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910342621.0A Active CN110265550B (zh) | 2014-07-17 | 2015-04-21 | 光电转换元件及其制造方法、成像装置、光学传感器 |
CN201910342663.4A Active CN110112297B (zh) | 2014-07-17 | 2015-04-21 | 光电转换元件及其制造方法、成像装置、光学传感器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10109813B2 (zh) |
JP (1) | JP6597610B2 (zh) |
KR (1) | KR102263207B1 (zh) |
CN (3) | CN106463563B (zh) |
TW (2) | TWI688136B (zh) |
WO (1) | WO2016009693A1 (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106463563B (zh) * | 2014-07-17 | 2019-05-10 | 索尼公司 | 光电转换元件及其制造方法、成像装置、光学传感器 |
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CN107004690B (zh) | 2015-11-12 | 2021-05-14 | 松下知识产权经营株式会社 | 光传感器 |
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TWI756207B (zh) * | 2016-03-01 | 2022-03-01 | 日商新力股份有限公司 | 成像元件、堆疊型成像元件、固態成像裝置及用於固態成像裝置之驅動方法 |
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KR102590315B1 (ko) * | 2018-05-28 | 2023-10-16 | 삼성전자주식회사 | 유기 광전 소자 및 이를 포함하는 적층형 이미지 센서 |
EP3806153A4 (en) * | 2018-06-05 | 2021-07-21 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | IMAGING DEVICE |
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-
2015
- 2015-04-21 CN CN201580027505.XA patent/CN106463563B/zh active Active
- 2015-04-21 CN CN201910342621.0A patent/CN110265550B/zh active Active
- 2015-04-21 KR KR1020167031306A patent/KR102263207B1/ko active IP Right Grant
- 2015-04-21 WO PCT/JP2015/062044 patent/WO2016009693A1/ja active Application Filing
- 2015-04-21 JP JP2016534300A patent/JP6597610B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-04-21 US US15/325,144 patent/US10109813B2/en active Active
- 2015-04-21 CN CN201910342663.4A patent/CN110112297B/zh active Active
- 2015-05-04 TW TW104114182A patent/TWI688136B/zh active
- 2015-05-04 TW TW109103790A patent/TWI718868B/zh active
-
2018
- 2018-10-17 US US16/163,228 patent/US10559770B2/en active Active
-
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- 2020-01-09 US US16/738,753 patent/US11075349B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110112297A (zh) | 2019-08-09 |
CN110112297B (zh) | 2022-11-18 |
JPWO2016009693A1 (ja) | 2017-04-27 |
US11075349B2 (en) | 2021-07-27 |
CN106463563A (zh) | 2017-02-22 |
WO2016009693A1 (ja) | 2016-01-21 |
KR102263207B1 (ko) | 2021-06-14 |
TW202021167A (zh) | 2020-06-01 |
US20170162807A1 (en) | 2017-06-08 |
TWI718868B (zh) | 2021-02-11 |
TW201605090A (zh) | 2016-02-01 |
KR20170031650A (ko) | 2017-03-21 |
US20200227662A1 (en) | 2020-07-16 |
JP6597610B2 (ja) | 2019-10-30 |
TWI688136B (zh) | 2020-03-11 |
CN110265550B (zh) | 2023-10-24 |
US10559770B2 (en) | 2020-02-11 |
CN110265550A (zh) | 2019-09-20 |
US20190051848A1 (en) | 2019-02-14 |
US10109813B2 (en) | 2018-10-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |