CN106431503A - 一种变色剔花仿古砖及制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种变色剔花仿古砖及制备方法，将调制好的黄色釉施敷在坯体上，然后进行剔花工艺处理，剔刻出表面的花纹纹样，入窑在还原气氛下升温至烧成温度1150℃‑1250℃，保温10‑20分钟后自然冷却，对烧制的瓷砖表面进行打磨抛光处理，再在瓷砖表面均匀喷涂胶体光子晶体结构色釉，后进行500～550℃的二次热处理，使其对可见光进行选择性反射、折射、衍射或干涉而产生的各种颜色，从不同的角度观察瓷砖表面，同时配合剔花工艺，可产生五彩斑斓的色彩变化，达到一定的装饰效果。本发明具有变色剔花仿古花纹的装饰特征，可在建筑装饰、装饰陶瓷领域广泛应用。

Description

一种变色剔花仿古砖及制备方法
技术领域
本发明涉及到一种可广泛应用于建筑装饰陶瓷、室内装饰陶瓷等领域的仿古瓷砖，具体涉及一种变色剔花仿古砖及制备方法。
背景技术
仿古砖属于普通瓷砖，仿照以往的样式一般采用酸腐蚀、高压蒸煮、表面打磨、表面丝网印刷等工艺方法进行做旧处理。其本质也是上釉的瓷砖，釉色上主要以哑光为主，市场上产品的主要色调有：黄色、咖啡色、白色、黑色、暗红色等，现有产品主要是在色彩上找变化，求创新，而在瓷砖图案纹样方面是在平整的坯体表面印制纹样图案经烧制而成，纹理造型单一，缺乏立体感及层次感。
然而市场上的变色釉面砖大都是随着环境光线的变化，或者随着视觉角度的不同，砖面呈现出不同颜色，给人一种绚丽多彩美的享受。这种砖的特点还有在釉中加入一种由稀土金属氧化物组成的着色剂，引起釉面呈现选择性的吸收与反射，在可见光范围内吸收与反射程度不同而出现多种颜色。但是此种砖仅是从表面的色彩进行创新，缺乏一定的釉面纹理变化。
发明内容
为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供一种变色剔花仿古砖及制备方法，通过所述制备方法得到的仿古砖具有丰富的立体感和清晰生动的纹理，具有表面色彩更加逼真呈现的优点。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案如下：
一方面，本发明提供了一种变色剔花仿古砖的制备方法，其特征在于：首先将调制好的黄色釉施敷在坯体上，然后经剔花工艺处理后，入窑在还原气氛下升温至烧成温度，经保温一定时间，自然冷却后，对烧制的瓷砖表面进行打磨抛光处理，得到凹凸花纹瓷砖半成品，然后均匀喷涂纳米氧化硅光子晶体膜，经再次热处理制备而成。
进一步地，黄色釉的制备具体为：首先按质量百分比，将55-70％的长石，20-30％的石英，5-10％的方解石，1-5％的滑石，2-5％的锆钒黄色料混合均匀得混合料，然后再向混合料中加入混合料质量0.4％的三聚磷酸钠和1％的CMC混合均匀，细磨至250目，得黄色釉。
进一步地，所述调制釉浆比重为1.6-1.7g/cm3。
进一步地，在剔花工艺处理前，在施敷黄色釉的坯体釉面上绘制花纹。
进一步地，所述剔花工艺为采用耀州窑剔花瓷器的手法将纹饰以外的釉面部分剔去。
进一步地，将剔花工艺处理得到剔釉后的样品，入窑在还原气氛下升温至烧成温度1150-1250℃，保温10-20分钟，自然冷却，即得到黄色釉花纹瓷砖。
进一步地，所述纳米氧化硅光子晶体膜的制备方法具体为：首先将200-350nm的纳米氧化硅胶体微粉分散在乙醇溶液中制备成质量浓度为0.5-2％的料浆，然后将所述料浆喷涂在凹凸花纹瓷砖半成品表面，形成纳米氧化硅光子晶体膜。
进一步地，料浆喷涂厚度为1-2微米。
进一步地，再次热处理的烧成温度为500-550℃。
另一方面，本发明提供了一种由上述方法制备的变色剔花仿古装饰瓷砖。
有益效果：与现有技术相比，本发明所述制备方法通过在施于黄色釉料的釉面绘制花纹，然后采用耀州窑剔花瓷器的传统手法将纹饰以外的釉面部分剔去，入窑烧制后，并对瓷砖表面进行抛光打磨处理，使瓷砖的表面纹理更加的清晰生动，增加了花纹纹理的细节变化，使整个瓷砖表面的纹理产生更加强烈的对比，无论是立体感和逼真度都得到了很大程度上的加强。
对瓷砖表面均匀喷涂纳米氧化硅光子晶体膜，目的是为了将瓷砖表面在不同的角度和方向具有更加五彩斑斓的丰富色彩。
本发明所述制备方法制备的变色剔花仿古装饰瓷砖具有很强的立体感和清晰生动的纹理，具有表面色彩更加逼真呈现的优点。
附图说明
图1为本发明的瓷砖坯体施黄色釉后的剖面图；
图2为对瓷砖表面进行剔釉后的剖面图；
图3为烧制冷却后对瓷砖表面进行抛光打磨后的剖面图；
图4为瓷砖胎体喷涂胶体光子晶体结构色釉后的剖面图；
图5为瓷砖的正面效果图。
具体实施方式
本发明提供了一种变色剔花仿古砖的制备方法，首先将调制好的黄色釉施敷在坯体上，然后经剔花工艺处理后，入窑在还原气氛下升温至烧成温度，经保温一定时间，自然冷却后，对烧制的瓷砖表面进行打磨抛光处理，得到凹凸花纹瓷砖半成品，然后均匀喷涂纳米氧化硅光子晶体膜，经再次热处理制备而成。
黄色釉的制备具体为：首先按质量份计，将长石55-70份、石英20-30份、方解石5-10份、滑石1-5份和锆钒黄色料2-5份混合均匀得混合料，然后再向混合料中加入三聚磷酸钠和CMC混合均匀，细磨至250目，调制釉浆比重为1.6-1.7g/cm3，得黄色釉。
所述三聚磷酸钠和CMC的加入量分别为混合料质量的0.4％和1％。
在剔花工艺处理前，在施敷黄色釉的坯体釉面上绘制花纹。
所述剔花工艺为采用耀州窑剔花瓷器的传统手法将纹饰以外的釉面部分剔去。
将剔花工艺处理得到剔釉后的样品，入窑在还原气氛下升温至烧成温度1150-1250℃，保温10-20分钟，自然冷却，即得到黄色釉花纹瓷砖。
所述纳米氧化硅光子晶体膜的制备方法具体为：首先将200-350nm的纳米氧化硅胶体微粉分散在乙醇溶液中制备成质量浓度为0.5-2％的料浆，然后将所述料浆喷涂在凹凸花纹瓷砖半成品表面，形成纳米氧化硅光子晶体膜。
料浆喷涂厚度为1-2微米。
再次热处理的烧成温度为500-550℃。
本发明提供了一种由上述方法制备的变色剔花仿古装饰瓷砖，所述变色剔花仿古砖具有一定的装饰特征，可在建筑装饰、装饰陶瓷领域广泛应用。
下面结合实施实例对本发明作进一步详细说明。
实施例1：
1)黄色釉的制备：
按质量百分比，将55％的长石，30％的石英，10％的方解石，3％的滑石，2％的锆钒黄色料混合均匀得混合料，然后再向混合料中加入混合料质量0.4％的三聚磷酸钠和1％的CMC混合均匀，细磨至250目，调制釉浆比重为1.6-1.7g/cm3，得黄色釉浆；
2)参见图1，将釉浆均匀地施敷在坯体1上形成釉面2，在施敷黄色釉的坯体釉面上绘制花纹，然后进行剔花工艺处理得到剔釉后的样品3(参见图2)，入窑在还原气氛下升温至1150℃，保温20分钟，自然冷却，即得到黄色釉花纹瓷砖；其中所述剔花工艺为采用耀州窑剔花瓷器的传统手法将纹饰以外的釉面部分剔去；
3)采用抛磨机对黄色釉花纹瓷砖表面进行抛光打磨处理，得到凹凸花纹瓷砖半成品4(参见图3)；
4)采用200-350nm的纳米氧化硅胶体微粉，并将其分散在乙醇溶液中制备成质量浓度为0.5％的料浆，再将此料浆以2微米的喷涂厚度喷涂在凹凸花纹瓷砖半成品4表面，形成纳米氧化硅光子晶体膜5(参见图4)，后再于500℃烧成，得到变色剔花仿古砖(参见图5)。
参见图5，一种按上述方法制备的变色剔花仿古装饰瓷砖，该瓷砖具有很强的立体感和清晰生动的纹理，具有表面色彩更加逼真呈现的优点，且具有一定的装饰特征，可在建筑装饰、装饰陶瓷领域广泛应用。
实施例2：
1)黄色釉的制备：
按质量百分比，将60％的长石，20％的石英，10％的方解石，5％的滑石，5％的锆钒黄色料混合均匀得混合料，然后再向混合料中加入混合料质量0.4％的三聚磷酸钠和1％的CMC混合均匀，细磨至250目，调制釉浆比重为1.6-1.7g/cm3，得黄色釉浆；
2)将釉浆均匀地施敷在坯体1上形成釉面2(参见图1)，在施敷黄色釉的坯体釉面上绘制花纹，然后进行剔花工艺处理得到剔釉后的样品3(参见图2)，入窑在还原气氛下升温至1200℃，保温15分钟，自然冷却，即得到黄色釉花纹瓷砖；所述剔花工艺为采用耀州窑剔花瓷器的传统手法将纹饰以外的釉面部分剔去；
3)采用抛磨机对黄色釉花纹瓷砖表面进行抛光打磨处理，得到凹凸花纹瓷砖半成品4(参见图3)；
4)采用200-350nm的纳米氧化硅胶体微粉，并将其分散在乙醇溶液中制备成质量浓度为2％的料浆，再将此料浆以1微米的喷涂厚度喷涂在凹凸花纹瓷砖半成品4表面，形成纳米氧化硅光子晶体膜5(参见图4)，后再于500℃烧成，到变色剔花仿古砖(参见图5)。
实施例3：
1)黄色釉的制备：
按质量百分比，将70％的长石，20％的石英，5％的方解石，2％的滑石，3％的锆钒黄色料混合均匀得混合料，然后再向混合料中加入混合料质量0.4％的三聚磷酸钠和1％的CMC混合均匀，细磨至250目，调制釉浆比重为1.6-1.7g/cm3得黄色釉浆；
2)将釉浆均匀地施敷在坯体1上形成釉面2(参见图1)，在施敷黄色釉的坯体釉面上绘制花纹，然后进行剔花工艺处理得到剔釉后的样品3(参见图2)，入窑在还原气氛下升温至1250℃，保温10分钟，自然冷却，即得到黄色釉花纹瓷砖；其中所述剔花工艺为采用耀州窑剔花瓷器的传统手法将纹饰以外的釉面部分剔去；
3)采用抛磨机对黄色釉花纹瓷砖表面进行抛光打磨处理，得到凹凸花纹瓷砖半成品4(参见图3)；
4)采用200-350nm的纳米氧化硅胶体微粉，并将其分散在乙醇溶液中制备成质量浓度为1％的料浆，再将此料浆以1.5微米的喷涂厚度喷涂在凹凸花纹瓷砖半成品4表面，形成纳米氧化硅光子晶体膜5(参见图4)，后再于520℃烧成，得到变色剔花仿古砖(参见图5)。
实施例4：
1)黄色釉的制备：
按质量百分比，将62％的长石，25％的石英，8％的方解石，1％的滑石，4％的锆钒黄色料混合均匀得混合料，然后再向混合料中加入混合料质量0.4％的三聚磷酸钠和1％的CMC混合均匀，细磨至250目，调制釉浆比重为1.6-1.7g/cm3得黄色釉浆；
2)将釉浆均匀地施敷在坯体1上形成釉面2(参见图1)，在施敷黄色釉的坯体釉面上绘制花纹，然后进行剔花工艺处理得到剔釉后的样品3(参见图2)，入窑在还原气氛下升温至1180℃，保温18分钟，自然冷却即得到黄色釉花纹瓷砖；其中所述剔花工艺为采用耀州窑剔花瓷器的传统手法将纹饰以外的釉面部分剔去；
3)采用抛磨机对黄色釉花纹瓷砖表面进行抛光打磨处理，得到凹凸花纹瓷砖半成品4(参见图3)；
4)采用200-350nm的纳米氧化硅胶体微粉，并将其分散在乙醇溶液中制备成质量浓度为1.5％的料浆，再将此料浆以1.5微米的喷涂厚度喷涂在凹凸花纹瓷砖半成品4表面，形成纳米氧化硅光子晶体膜5(参见图4)，后再于540℃烧成，得到变色剔花仿古砖(参见图5)。
实施例5：
1)黄色釉的制备：
按质量百分比，将64％的长石，23％的石英，6％的方解石，4％的滑石，3％的锆钒黄色料混合均匀得混合料，然后再向混合料中加入混合料质量0.4％的三聚磷酸钠和1％的CMC混合均匀，细磨至250目，调制釉浆比重为1.6-1.7g/cm3，得黄色釉浆；
2)将釉浆均匀地施敷在坯体1上形成釉面2(参见图1)，在施敷黄色釉的坯体釉面上绘制花纹，然后进行剔花工艺处理得到剔釉后的样品3(参见图2)，入窑在还原气氛下升温至1230℃，保温13分钟，自然冷却即得到黄色釉花纹瓷砖；其中所述剔花工艺为采用耀州窑剔花瓷器的传统手法将纹饰以外的釉面部分剔去；
3)采用抛磨机对黄色釉花纹瓷砖表面进行抛光打磨处理，得到凹凸花纹瓷砖半成品4(参见图3)；
4)采用200-350nm的纳米氧化硅胶体微粉，并将其分散在乙醇溶液中制备成质量浓度为0.8％的料浆，再将此料浆以2微米的喷涂厚度喷涂在凹凸花纹瓷砖半成品4表面，形成纳米氧化硅光子晶体膜5(参见图4)，后再于530℃烧成，得到变色剔花仿古砖(参见图5)。
实施例6：
1)黄色釉的制备：
按质量百分比，将59％的长石，28％的石英，9％的方解石，2％的滑石，2％的锆钒黄色料混合均匀得混合料，然后再向混合料中加入混合料质量0.4％的三聚磷酸钠和1％的CMC混合均匀，细磨至250目，调制釉浆比重为1.6-1.7g/cm3，得黄色釉浆；
2)将釉浆均匀地施敷在坯体1上形成釉面2(参见图1)，在施敷黄色釉的坯体釉面上绘制花纹，然后进行剔花工艺处理得到剔釉后的样品3(参见图2)，入窑在还原气氛下升温至1200℃，保温10分钟，自然冷却，即得到黄色釉花纹瓷砖；其中所述剔花工艺为采用耀州窑剔花瓷器的传统手法将纹饰以外的釉面部分剔去；
3)采用抛磨机对黄色釉花纹瓷砖表面进行抛光打磨处理，得到凹凸花纹瓷砖半成品4(参见图3)；
4)采用200-350nm的纳米氧化硅胶体微粉，并将其分散在乙醇溶液中制备成质量浓度为1.8％的料浆，再将此料浆以1.3微米的喷涂厚度喷涂在凹凸花纹瓷砖半成品4表面，形成纳米氧化硅光子晶体膜5(参见图4)，后再于550℃烧成，得到变色剔花仿古砖(参见图5)。
以上所述仅是本发明较佳的具体实施方式。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，本发明不仅限于此，在不脱离本发明技术方案的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种变色剔花仿古砖的制备方法，其特征在于：首先将调制好的黄色釉施敷在坯体上，然后经剔花工艺处理后，入窑在还原气氛下升温至烧成温度，经保温一定时间，自然冷却后，对烧制的瓷砖表面进行打磨抛光处理，得到凹凸花纹瓷砖半成品，然后均匀喷涂纳米氧化硅光子晶体膜，经再次热处理制备而成。
2.根据权利要1所述的制备方法，其特征在于：黄色釉的制备具体为：首先按质量百分比，将55-70％的长石，20-30％的石英，5-10％的方解石，1-5％的滑石，2-5％的锆钒黄色料混合均匀得混合料，然后再向混合料中加入混合料质量0.4％的三聚磷酸钠和1％的CMC混合均匀，细磨至250目，得黄色釉。
3.根据权利要2所述的制备方法，其特征在于：调制釉浆比重为1.6-1.7g/cm3。
4.根据权利要1所述的制备方法，其特征在于：在剔花工艺处理前，在施敷黄色釉的坯体釉面上绘制花纹。
5.根据权利要4所述的制备方法，其特征在于：所述剔花工艺为采用耀州窑剔花瓷器的手法将纹饰以外的釉面部分剔去。
6.根据权利要5所述的制备方法，其特征在于：将剔花工艺处理得到剔釉后的样品，入窑在还原气氛下升温至烧成温度1150-1250℃，保温10-20分钟，自然冷却，即得到黄色釉花纹瓷砖。
7.根据权利要1所述的制备方法，其特征在于：所述纳米氧化硅光子晶体膜的制备方法具体为：首先将200-350nm的纳米氧化硅胶体微粉分散在乙醇溶液中制备成质量浓度为0.5-2％的料浆，然后将所述料浆喷涂在凹凸花纹瓷砖半成品表面，形成纳米氧化硅光子晶体膜。
8.根据权利要7所述的制备方法，其特征在于：料浆喷涂厚度为1-2微米。
9.根据权利要1所述的制备方法，其特征在于：纳米氧化硅光子晶体膜热处理的烧成温度为500-550℃。
10.一种由权利要求1-9制备的变色剔花仿古砖。
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