CN106384780B - 一种快速制备热电器件的方法 - Google Patents

一种快速制备热电器件的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106384780B
CN106384780B CN201610125844.8A CN201610125844A CN106384780B CN 106384780 B CN106384780 B CN 106384780B CN 201610125844 A CN201610125844 A CN 201610125844A CN 106384780 B CN106384780 B CN 106384780B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode layer
powder
electric device
type
thermo
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610125844.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106384780A (zh
Inventor
鄢永高
唐新峰
苏贤礼
吴林春
陈天乐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan xinsaier Technology Co.,Ltd.
Original Assignee
Wuhan University of Technology WUT
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan University of Technology WUT filed Critical Wuhan University of Technology WUT
Priority to CN201610125844.8A priority Critical patent/CN106384780B/zh
Publication of CN106384780A publication Critical patent/CN106384780A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106384780B publication Critical patent/CN106384780B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects

Abstract

本发明提供了一种快速制备热电器件的方法,包括如下步骤:1)准备原料;2)根据所需要的电极图案和厚度,采用选择性激光熔融工艺将电极粉体打印在绝缘基板(一)上;3)采用选择性激光熔融工艺分别将p型、n型热电化合物粉体在步骤2)所得的电极层一上打印成p型、n型热电臂;4)将电极粉体采用选择性激光熔融工艺打印在p型、n型热电臂上,得到打印有电极层二的p型、n型热电臂上;5)将所述电极层二表面盖上绝缘基板二,得到热电器件。本发明直接从热电材料粉体出发,采用激光选择性熔融工艺,通过分层制造技术打印热电器件,避免传统热电器件制备工艺过程中繁琐的中间环节,克服传统焊接组装工艺中成品率低和原料利用率低的问题。

Description

一种快速制备热电器件的方法
技术领域
本发明涉及一种快速制备热电器件的新方法,属于热电材料和器件制备新工艺。
背景技术
热电转换技术包含热电制冷技术和温差发电技术,前者利用材料的帕尔贴效应将电能转换为热能,后者利用材料的赛贝克效应将热能转换为电能,作为一种全固态的新型能源转换技术,热电器件具有长寿命、无需维护和适应恶劣环境等优势。其中,热电制冷技术应用于对应噪声和空间等有特殊要求的制冷领域,如采用热电制冷技术的红酒柜和汽车坐垫,激光二极管的制冷是采用微型热电制冷器件来实现的,微型制冷器件的尺寸可达3×3×1mm3,而其中热电制冷器件的基本组成单元热电材料粒子的截面积可达0.1×0.1mm2。热电发电技术主要应用在偏远地区独立电源***、汽车尾气废热回收、工业窑炉废热回收和太阳能光电热电复合发电***等领域。目前,热电发电技术中所应用的材料有碲化铋及其合金、碲化铅及其合金和硅锗合金,而其他一些实验室报道的性能较好的热电材料由于器件制备技术上的瓶颈而很难实现商业化的应用。
现有的商业化的热电器件的制备工艺普遍是采用先获得块体热电材料,然后切割成热电材料粒子,通过焊接的方式将p型和n型热电材料与布置在绝缘陶瓷片上的导流条结合并相互串联在一起。这种焊接的方式在制备热电器件时有以下几种缺点:1.工序复杂,包含大量的手工过程,成本高;2.随着热电材料粒子尺寸的降低和数量的增加,由于切割损耗和损坏造成的材料利用率和成品率大大降低;3.焊接过程中热影响区域较大,对材料和接头的性能存在不可预知的影响。
3D打印技术在最近10年日益受到人们的重视,采用分层叠加制造的基本原理,理论上3D打印技术可以打印任何复杂形状的零件,可打印材料的种类从塑料、金属再到陶瓷以及生命体等。选择性激光烧结或熔融技术利用激光局部能量密度高的特点,将粉体局部加热达到熔点以上,使其烧结在一起,这种技术大量应用于不锈钢、Ti合金、Ni合金、CoCr合金等高温合金以及陶瓷的3D打印,在产品的设计环节采用3D打印技术可以大大缩短从产品概念设计草图到成型的时间,从而可以更快的推动新产品的开发。选择性激光熔融技术目前主要用于打印传统的金属零件,属于结构材料。目前,开发商业应用的材料体系仍限定于不锈钢、Co基、Ni基、Ti基高温合金等结构材料,对功能材料,如半导体材料的打印基本没有研究。对于热电材料及器件的打印尚未有人公开报道,可能出于以下两个方面的原因:1.在3D打印领域,人们关注的方向是结构材料,而非功能材料;2.现有的热电材料粉体制备技术很难满足商业化选择性激光熔融设备的要求,或者说现有的商业化选择性激光熔融设备难以满足热电材料粉体打印的要求。这是因为,目前的热电材料粉体制备技术获得的粉体形状不规则,其流动性不能满足商业化设备铺粉的要求;另外,热电器件包含至少3种不同的材料(电极材料、p型和n型热电材料),采用现有商业化设备不可能在一次打印过程中完成整个器件的打印。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术存在的不足而提供一种快速制备热电器件的方法,通过结合喷墨打印和选择性激光熔融的3D打印技术,以及增材制造技术打印热电器件,避免传统热电器件制备工艺过程中繁琐的中间环节,同时可直接打印微型器件,克服传统焊接组装工艺中成品率低和原料利用率低的问题。
本发明为解决上述提出的问题所采用的技术方案为:
一种快速制备热电器件的方法,包括如下步骤:
1)准备原料,包括绝缘基板、电极粉体、p型热电化合物粉体和n型热电化合物粉体;
2)根据所需要的电极图案和厚度,采用选择性激光熔融工艺将电极粉体打印在绝缘基板(一)上,得到打印有电极层(一)的绝缘基板;
3)根据设计的器件热电臂尺寸和分布,采用选择性激光熔融工艺分别将p型热电化合物粉体和n型热电化合物粉体在步骤2)所得的电极层(一)上打印成p型热电臂和n型热电臂;
4)根据所需要的电极图案和厚度,将电极粉体采用选择性激光熔融工艺打印在p型热电臂和n型热电臂上,形成电极层(二),所述电极层(二)将p型热电臂和n型热电臂相连接;
5)在所述电极层(二)表面盖上绝缘基板(二),得到热电器件。
按上述方案,所述电极层(一)、电极层(二)均由步骤1)所述的电极粉体打印而成。
按上述方案,所述绝缘基板(一)、绝缘基板(二)均为步骤1)所准备的绝缘基板,可以选用陶瓷绝缘基板。
按上述方案,本发明可制备的热电器件尺寸范围较大,尤其适合于制备微型热电器件,热电单臂的截面边长范围为0.1~3mm,热电器件边长范围为3~100mm。
按上述方案,所述热电器件的结构和传统工艺制备的热电器件类似,即电极层一和二均间隔分布在绝缘基板上,按照电极层一、热电臂、电极层二、热电臂和电极层一的顺序将p型和n型热电臂依次串联而成。其中,电极层(一)、电极层(二)厚度优选0.1-0.5mm,两电极层之间的间隔优选3-10mm。
按上述方案,对于步骤1)中,电极粉体、p型热电化合物粉体和n型热电化合物粉体的粒度控制在0.1~50μm范围。优选地,将电极粉体、p型热电化合物粉体和n型热电化合物粉体分别分散于水或其他挥发性溶剂中制成悬浮液用于喷墨打印,悬浮液的固相含量均控制在1~40%。其中,其他挥发性溶剂可以选自乙醇和丙酮等。
按上述方案,对于步骤1)中各原料的量根据所需打印的热电器件的尺寸而定,在此不作具体限定。
按上述方案,所述步骤2)必要时需要进行重复,直至达到电极层(一)所需要的厚度。
按上述方案,所述步骤3)必要时需要进行重复,直至达到p型热电臂和n型热电臂所需要的厚度。
按上述方案,所述步骤4)必要时需要进行重复,直至达到电极层(二)所需要的厚度。
按上述方案,所述电极粉体选自单质Ni、Cu、Ag、Al、Mo、W、Ti或者NiAl合金等中的一种或几种按任意比例的混合物。
按上述方案,所述p型热电化合物选自Bi2-xSbxTe3、SnSe、CeFe4Sb12、MnSi1.75、Zr0.5Hf0.5CoSb和PbSe等中的一种;所述n型热电化合物选自Bi2Te3-xSex、SnTe、n-Co4Sb12- xTex、Mg2Si1-xSnx、ZrNiSn和PbS等中的一种。
按上述方案,步骤2)、3)、4)中的选择性激光熔融工艺中,激光的类型为连续激光,波长为1060~1070nm,激光的功率控制在5~100W,激光扫描线速率控制在10~500mm/s,气氛控制为0.5~1大气压惰性气氛(如氮气、氩气等),单层铺粉厚度在30~100μm。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
1、本发明直接从热电材料粉体出发,通过结合喷墨打印和选择性激光熔融的3D打印技术,以及增材制造技术打印热电器件,避免传统热电器件制备工艺过程中繁琐的中间环节,同时可直接打印微型器件,克服传统焊接组装工艺中成品率低和原料利用率低的问题。
2、本发明采用3D打印不需要复杂的前期建模设计,且打印效率相对一些形状复杂的零件要高,能够满足热电器件的结构规整且高度一般低于10mm的需求。
3、本发明采用激光选择性熔融工艺中激光加热过程对热电材料的热影响区域较小,可避免传统工艺焊接过程中热冲击对材料性能的影响。
附图说明
图1是设备整体结构示意图;
图2a是单喷头打印装置示意图;
图2b是图2a的侧视图;
图3是气体循环***示意图;
图4是喷墨打印图案和激光扫描区域图案示意图;
图5是多喷头设备整体结构示意图;
图6a是双喷头打印装置示意图;
图6b是图6的侧视图;
图7是三喷头平行竖直放置打印装置示意图;
图8是三喷头倾斜聚焦放置打印装置示意图。
图9为本发明中选择性激光熔融打印热电器件流程示意图,依次为图A、图B、图C、图D,同时包括剖视图和俯视图。图中标示说明如下:1为陶瓷基板;2为电极层一;3为单层p型热电臂;4为单层n型热电臂;5为重复打印至设定高度的p型热电臂;6为重复打印至设定高度的n型热电臂;7为电极层二。
图10为实施例1中n型Bi2Te2.8Se0.2热电臂激光扫描成型后的表面结构。
图11为实施例2中p型SnTe热电臂成型后的表面结构。
具体实施方式
为了更好地理解本发明,下面结合实施例进一步阐明本发明的内容,但本发明不仅仅局限于下面的实施例。
本发明中提供两种结合喷墨打印和选择性激光熔融技术的3D打印设备及其方法,可以实现本发明所述的快速制备热电器件的技术方案。但是本发明实现快速制备热电器件的方法并不限于以下所提供的设备,任何能够实现本发明权利要求书所记载的技术方案的设备或者设备均能用于本发明,本发明对此不做限制。
1、第一种结合喷墨打印和选择性激光熔融技术的3D打印设备及其方法
(1)一种结合喷墨打印和选择性激光熔融技术的3D打印设备,包括储料罐、成型腔和气体循环装置,所述成形腔顶部设有激光入射窗口,所述成型腔内设有喷墨打印装置,所述喷墨打印装置包括基板和喷墨打印头,所述储料罐用于存储墨水,并将墨水供给至所述喷墨打印头,所述气体循环装置包括密封腔体,密封腔体内部设有过滤层、干燥层和循环风机,所述密封腔体上与所述成型腔密封连接。
进一步地,上述的设备中,所述喷墨打印装置还包括带x向位移台的底座,所述x向位移台上放置基板,底座上设置带y向位移台的支架,y向位移台上固定z向位移台,z向位移台上固定喷墨打印头,所述喷墨打印头位于基板上方。
进一步地,上述的设备中,所述基板下方设有平板加热器。
进一步地,上述的设备中,所述成型腔壁上设有对腔体内气体中的可挥发性溶剂的含量进行监测的溶剂气体浓度探测器。
进一步地,上述的设备中,所述成型腔壁上设有对腔体内气体中的水蒸汽含量进行监测的水蒸气含量探测器。
(2)上述结合喷墨打印和选择性激光熔融的3D打印设备的打印工艺,包含以下步骤:
a.储料罐中的墨水注入到喷墨打印头中;
b.喷墨打印头采用喷墨打印的方式在基板上打印所需单层图案;
c.控制基板的温度,使墨水中的溶剂快速挥发,通过气体循环装置中的干燥层而快速除去,将干燥的工作气体返回到成型腔体内部;
d.喷墨打印头从基板上方移开后,基板回到原点,基板上的图案通过选区激光熔融进行成型和连接,获得单层致密薄层材料;
e.重复以上过程获得多层致密块体材料。
进一步地,上述的工艺中,成型腔内工作气体为Ar或N2
进一步地,上述的工艺中,步骤c之后,成型腔内工作气体的水含量降低到100ppm以下后,才执行步骤d。
进一步地,上述的工艺中,步骤c之后,成型腔内工作气体的氧含量降低到100ppm以下后,才执行步骤d。
(3)结合附图,举例说明该结合喷墨打印和选择性激光熔融技术的3D打印设备具体包含有成型腔1、用于存储墨水的储料罐3、气体循环***4和溶剂气体浓度探测器5(图1)。
成型腔1内放置一喷墨打印装置2,该部分可在成腔体1内整体上下运动。喷墨打印装置2(图2a、图2b)包含一带x方向运动的位移台的底座21,该x向位移台上依次放置一平板加热器26和基板25。底座上设置一支架22,支架22上带有可沿y方向运动的位移台,该y向位移台上再固定一可沿z方向运动的位移台23,该z向位移台23上固定一喷墨打印头24、喷墨打印头24位于基板25上方。
储料罐3中的墨水可通过管道输送至成型腔内的喷墨打印头24。气体循环***4(图3)包含一密封腔体31,腔体顶部设置有一进风口36,侧面设置有一出风口32,腔体内部从上至下设置有一干燥层35、过滤层34和循环风机33。
其工作方法为:储料罐3中的墨水输送到喷墨打印头24中,喷墨打印头24将墨水喷射出来沉积到基板25表面,通过喷头24和基板25的相对运动在基板25上打印第一层图案,基板25的温度控制在溶剂的沸点以下,使溶剂水快速挥发,水蒸气和工作气体Ar或N2混合通过气体循环装置4后被干燥层35吸附而去除。墨水干燥后,基板25回到原点。采用溶剂气体浓度水探测器5检测混合气体中水蒸气的浓度,当其含量在100ppm时,采用选择性激光熔融的工艺基板25上的粉末薄层材料进行扫描而固化成型并和基板25连接。重复以上过程获得多层致密块体材料。在以上过程中,选择性激光熔融工艺扫描的范围42在喷墨打印的范围41之内(图4)。
2、第二种结合喷墨打印和选择性激光熔融技术的3D打印设备及其方法
(1)一种结合喷墨打印和选择性激光熔融技术的3D打印设备,包含成型腔、气体循环装置和至少两个储料罐,所述成形腔顶部设有激光入射窗口,所述成型腔内设有喷墨打印装置,所述喷墨打印装置包括基板和至少两个喷墨打印头,所述储料罐用于存储墨水,并将墨水供给至所述喷墨打印头,所述气体循环装置包括密封腔体,密封腔体内部设有过滤层、干燥层和循环风机,所述密封腔体上与所述成形腔密封连接。
进一步地,上述的设备中,所述喷墨打印装置还包括带x向位移台的底座,所述x向位移台上放置基板,底座上设置带y向位移台的支架,y向位移台上固定z向位移台,z向位移台上固定喷墨打印头,所述喷墨打印头位于基板上方。
进一步地,上述的设备中,两个或两个以上喷墨打印头平行等距放置,墨水喷射方向为竖直方向。
进一步地,上述的设备中,所述喷墨打印头数量为三个,中间喷墨打印头竖直放置,左右喷墨打印头倾斜对称放置,喷墨打印头中心线延长线在基板表面相交。
(2)上述结合喷墨打印和选择性激光熔融技术的3D打印设备的打印工艺,可同时打印包含2种及以上不同材料的块体零件,包含以下步骤:
a.将储料罐中的墨水在压力的作用下注入到成型腔对应的喷墨打印头中;
b.多个喷墨打印头结合基板的移动采用喷墨打印的方式在基板上打印对应材料单层图案;
c.控制基板的温度,使墨水中的溶剂快速挥发,通过气体循环装置中的干燥层而快速除去,将干燥的工作气体返回到成型腔体内部;
d.喷墨打印头从基板上方移开后,基板回到原点,基板上的图案通过选区激光熔融进行成型和连接,获得单层致密薄层材料;
e.重复以上过程获得多层致密块体材料。
进一步地,上述的工艺中,步骤b中打印方式为多个喷墨打印头逐一打印对应材料;
进一步地,上述的工艺中,步骤b中打印方式为多个喷墨打印头同时工作打印对应材料的图案;
进一步地,上述的工艺中,步骤d中激光扫描方式为对不同材料依次扫描;
进一步地,上述的工艺中,步骤d中激光扫描方式为按空间排布方式依次扫描。
(3)结合附图,举例具体说明第二种结合喷墨打印和选择性激光熔融技术的3D打印设备,可同时打印多种不同材料,设备包含:成型腔1、多头喷墨打印装置51、用于存储三种不同墨水的储料罐52、53和54、气体循环***4和溶剂气体浓度探测器5。
所述多头喷墨打印装置51可以是双头喷墨装置,包含2个平行竖直放置的喷墨打印头61和62,通过喷头固定夹具53和支架连接(图5);
所述的多头喷墨打印装置51也可以是3头喷墨装置,包含3个喷墨打印头(图6,图7),3个喷头71、72和73可平行竖直放置。
其工作方法为:储料罐52、53和54中的墨水分别输送至喷墨打印头71、72和73中。喷头71首先工作在基板25上打印出对于材料的图案、接着喷头72和73依次工作,在基板25上打印各自对应的图案;控制基板25的温度为80℃,使墨水中的水快速挥发,通过气体循环***4中的干燥层35而快速除去,将干燥的工作气体Ar返回到成型腔1内部;喷墨打印头从基板25上方移开后,基板25回到原点,基板25上的图案通过选区激光熔融进行成型和连接,获得单层致密薄层材料。重复以上过程获得多层致密块体材料。
实施例1
一种快速制备p型Bi0.5Sb1.5Te3结合n型Bi2Te2.8Se0.2热电器件的方法,包括如下步骤:
1)准备原料,称量组成为Bi0.5Sb1.5Te3(p型热电材料)和Bi2Te2.8Se0.2(n型热电材料)的热电材料粉体以及电极粉体Cu粉各500克,各原料粉体均过400目筛后,分别分散于300ml、300ml和220ml水中,然后置于3个不同的储料罐中作为喷墨打印的墨水,储料罐中的墨水在压力的作用下输送至喷墨打印喷头中;并准备厚度为1mm,边长为30mm的正方形Al2O3陶瓷板在打印基板上放置并固定;对选择性激光熔融装置的成型腔体预抽真空5分钟,然后采用Ar气回填腔体至常压,保持腔体水氧含量在100ppm以下,同时基板预热至80℃并保温10分钟;
2)首先将储料罐中的Cu粉采用喷墨打印方式铺满步骤1)所述的陶瓷基板表面,铺粉厚度为50微米,然后采用激光根据设定的区域(如一系列纵横排列在基板上的长方形图案)扫描Cu粉,激光扫描速率选择为30mm/s,激光功率选择为100W;其中,Cu粉在激光作用下熔化后和陶瓷板结合形成电极层,单个Cu电极的面积为2.5×5mm2,重复以上铺粉和激光扫描过程至Cu电极层厚度为0.5mm(见图9-A),即得到打印有电极层(一)的绝缘基板;
3)将储料罐中的p型和n型热电材料粉体间隔喷墨打印在步骤2)所得的电极层(一)表面,设计的热电臂的尺寸为2×2×2mm2,然后采用激光根据设计的热电器件热电臂尺寸和分布进行扫描,打印单层p型热电臂和n型热电臂;其中,打印p型和n型热电臂时,铺粉厚度为60微米,激光扫描速率选择为80mm/s,激光功率选择为40W;重复以上热电臂的打印过程直至其高度为2mm(见图9-B,C);
4)将储料罐中的电极粉体Ag粉铺在步骤3)所得的p型热电臂和n型热电臂上,采用激光扫描速率选择为30mm/s,激光功率选择为100W,根据条件对Cu粉进行扫描打印形成电极层(二),电极层(二)将p型和n型热电臂连接起来(见图9-D);重复该步骤直到电极层(二)厚度为0.5mm,电极层(二)的尺寸和电极层(一)相同;
5)将所述电极层(二)表面盖上绝缘基板(二),得到Bi2Te3热电器件。
图10为n型Bi2Te2.8Se0.2热电臂激光扫描成型后的表面结构,可以看到激光熔融处理后的表面还是比较平整的。
实施例2
一种快速制备p型SnTe/n型SnSe热电器件的方法,包括如下步骤:
1)准备原料,称量组成为SnTe(p型热电材料)和SnSe(n型热电材料)的热电材料粉体以及电极粉体Ag粉各500克,各原料粉体均过400目筛后,分别分散于230ml、250ml和250ml水中,然后置于3个不同的储料罐中作为喷墨打印的墨水,储料罐中的墨水在压力的作用下输送到喷墨打印喷头中;准备厚度为1mm的Al2O3陶瓷板在打印基板上放置并固定;对选择性激光熔融装置的成型腔体预抽真空5分钟,然后采用Ar气回填腔体至常压,保持腔体水氧含量在100ppm以下,同时基板预热至80℃并保温10分钟;
2)首先将储料罐中的Ag粉铺满步骤1)所述的陶瓷基板表面,铺粉厚度为50微米,然后采用激光根据设定的区域扫描Ag粉,激光扫描速率选择为30mm/s,激光功率选择为100W;其中,Ag粉在激光作用下熔化后和陶瓷板结合形成电极层,重复以上铺粉和激光扫描过程至达到所需电极层厚度,即得到打印有电极层(一)的绝缘基板;
3)将储料罐中的p型和n型热电材料粉体间隔铺展在步骤2)所得的电极层(一)表面,然后采用激光根据设计的热电器件热电臂尺寸和分布进行扫描,打印成p型热电臂和n型热电臂;其中,打印p型和n型热电臂时,铺粉厚度为50微米,激光扫描速率选择为50mm/s,激光功率选择为50W;重复以上热电臂的打印过程直至所需高度;
4)将储料罐中的电极粉体Ag粉铺在步骤3)所得的p型热电臂和n型热电臂上,根据热电器件的设计采用激光对Ag粉进行扫描打印形成电极层(二),将p型和n型热电臂连接起来;
5)将所述电极层(二)表面盖上绝缘基板(二),得到p-SnTe/n-SnSe热电器件。
图11为p型SnTe热电臂激光扫描成型后的表面结构,可以看到激光熔融处理后的表面非常平整的。
实施例3
一种快速制备p-CeFe4Sb12结合n型Co4Sb12-xTex(x=0~0.1)热电器件的方法,包括如下步骤:
1)准备原料,包括Al2O3陶瓷绝缘基板、Cu50Mo50合金电极粉体、p型p-CeFe4Sb12热电化合物粉体和n型Co4Sb12-xTex(x=0~0.1)热电化合物粉体,其中各粉体原料的粒径均为50μm以下,且分别分散于水制成悬浮液用于后续步骤中的喷墨打印,悬浮液的质量百分比均为30%;
2)根据所需要的电极图案和厚度,采用选择性激光熔融工艺将电极粉体悬浮液喷墨打印在绝缘基板(一)上,得到打印有电极层(一)的绝缘基板;
3)根据设计的器件热电臂尺寸和分布,采用选择性激光熔融工艺分别将p型热电化合物粉体和n型热电化合物粉体悬浮液在步骤2)所得的电极层(一)上喷墨打印成p型热电臂和n型热电臂;
4)根据所需要的电极图案和厚度,将电极粉体悬浮液采用选择性激光熔融工艺喷墨打印在p型热电臂和n型热电臂上,形成电极层(二),所述电极层(二)将p型热电臂和n型热电臂相连接;
5)在所述电极层(二)表面盖上绝缘基板(二),得到热电器件。
其中,步骤2)、3)、4)中的选择性激光熔融工艺中,激光的类型为连续激光,波长为1064nm,步骤2)、3)、4)中的激光功率分别为100W、80W和80W;扫描速率分别为80mm/s、200mm/s、200mm/s,气氛控制均为0.5~1大气压惰性气氛,单层铺粉厚度在30μm。
实施例4
一种快速制备p型MnSi1.75结合n型Mg2Si1-xSnx(x=0~1)热电器件的方法,包括如下步骤:
1)准备原料,包括Al2O3陶瓷绝缘基板、NiAl合金电极粉体、p型MnSi1.75热电化合物粉体和n型Mg2Si1-xSnx(x=0~1)热电化合物粉体,其中各粉体原料的粒径均为50μm以下,且分别分散于水制成悬浮液用于后续步骤中的喷墨打印,悬浮液的质量百分比均为40%;
2)根据所需要的电极图案和厚度,采用选择性激光熔融工艺将电极粉体悬浮液喷墨打印在绝缘基板(一)上,得到打印有电极层(一)的绝缘基板;
3)根据设计的器件热电臂尺寸和分布,采用选择性激光熔融工艺分别将p型热电化合物粉体和n型热电化合物粉体悬浮液在步骤2)所得的电极层(一)上喷墨打印成p型热电臂和n型热电臂;
4)根据所需要的电极图案和厚度,将电极粉体悬浮液采用选择性激光熔融工艺喷墨打印在p型热电臂和n型热电臂上,形成电极层(二),所述电极层(二)将p型热电臂和n型热电臂相连接;
5)在所述电极层(二)表面盖上绝缘基板(二),得到热电器件。
其中,步骤2)、3)、4)中的选择性激光熔融工艺中,激光的类型为连续激光,波长为1064nm,步骤2)、3)、4)中的激光功率分别为100W、70W和70W;扫描速率分别为50mm/s、60mm/s、60mm/s,气氛控制均为0.5~1大气压惰性气氛,单层铺粉厚度在50μm。
实施例5
一种快速制备p型Zr0.5Hf0.5CoSb结合n型ZrNiSn热电器件的方法,包括如下步骤:
1)准备原料,包括Al2O3陶瓷绝缘基板、Cu50W50合金电极粉体、p型Zr0.5Hf0.5CoSb热电化合物粉体和n型ZrNiSn热电化合物粉体,其中各粉体原料的粒径均为50μm以下,且分别分散于水制成悬浮液用于后续步骤中的喷墨打印,悬浮液的质量百分比均为20%;
2)根据所需要的电极图案和厚度,采用选择性激光熔融工艺将电极粉体悬浮液打印在绝缘基板(一)上,得到打印有电极层(一)的绝缘基板;
3)根据设计的器件热电臂尺寸和分布,采用选择性激光熔融工艺分别将p型热电化合物粉体和n型热电化合物粉体悬浮液在步骤2)所得的电极层(一)上打印成p型热电臂和n型热电臂;
4)根据所需要的电极图案和厚度,将电极粉体悬浮液采用选择性激光熔融工艺打印在p型热电臂和n型热电臂上,形成电极层(二),所述电极层(二)将p型热电臂和n型热电臂相连接;
5)在所述电极层(二)表面盖上绝缘基板(二),得到热电器件。
其中,步骤2)、3)、4)中的选择性激光熔融工艺中,激光的类型为连续激光,波长为1064nm,步骤2)、3)、4)中的激光功率分别为100W、90W和90W;扫描速率分别为20mm/s、100mm/s、100mm/s,气氛控制均为0.5~1大气压惰性气氛,单层铺粉厚度在60μm。
实施例6
一种快速制备p型PbSe结合n型PbS热电器件的方法,包括如下步骤:
1)准备原料,包括Al2O3陶瓷绝缘基板、TiAl合金电极粉体、p型PbSe热电化合物粉体和n型PbS热电化合物粉体,其中各粉体原料的粒径均为50μm以下,且分别分散于水制成悬浮液用于后续步骤中的喷墨打印,悬浮液的质量百分比均为5%;
2)根据所需要的电极图案和厚度,采用选择性激光熔融工艺将电极粉体悬浮液打印在绝缘基板(一)上,得到打印有电极层(一)的绝缘基板;
3)根据设计的器件热电臂尺寸和分布,采用选择性激光熔融工艺分别将p型热电化合物粉体和n型热电化合物粉体悬浮液在步骤2)所得的电极层(一)上打印成p型热电臂和n型热电臂;
4)根据所需要的电极图案和厚度,将电极粉体悬浮液采用选择性激光熔融工艺打印在p型热电臂和n型热电臂上,形成电极层(二),所述电极层(二)将p型热电臂和n型热电臂相连接;
5)在所述电极层(二)表面盖上绝缘基板(二),得到热电器件。
其中,步骤2)、3)、4)中的选择性激光熔融工艺中,激光的类型为连续激光,波长为1064nm,步骤2)、3)、4)中的激光功率分别为80W、50W和50W;扫描速率分别为80mm/s、300mm/s、300mm/s,气氛控制均为0.5~1大气压惰性气氛,单层铺粉厚度在30μm。
本发明分别以实施例这几种典型的热电材料体系为例说明本发明的实施方式,其他已知的多种热电材料均可通过改变适当的电极材料组成和选择性激光熔融工艺参数而获得热电器件,在此就不一一列举实例。但本发明中列出的多种热电材料这均能实现本发明所述的技术方案。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明创造构思的前提下,还可以做出若干改进和变换,这些都属于本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种快速制备热电器件的方法,其特征在于包括如下步骤:
1)准备原料,包括绝缘基板、电极粉体、p型热电化合物粉体和n型热电化合物粉体;
2)根据所需要的电极图案和厚度,采用选择性激光熔融工艺将电极粉体打印在绝缘基板上,得到打印有电极层一的绝缘基板;
3)根据设计的器件热电臂尺寸和分布,采用选择性激光熔融工艺分别将p型热电化合物粉体和n型热电化合物粉体在步骤2)所得的电极层一上打印成p型热电臂和n型热电臂;
4)根据所需要的电极图案和厚度,将电极粉体采用选择性激光熔融工艺打印在p型热电臂和n型热电臂上形成电极层二,所述电极层二将p型热电臂和n型热电臂相连接;
5)将所述电极层二表面打磨平整后,盖上一绝缘基板,得到热电器件;
步骤1)中将电极粉体、p型热电化合物粉体和n型热电化合物粉体分别分散于水或挥发性溶剂中制成悬浮液用于后续打印步骤,悬浮液的固相含量均为1~40wt%;
步骤2)、3)、4)中的选择性激光熔融工艺中,激光的类型为连续激光,波长范围为1060~1070nm,激光的功率控制在5~100W,激光扫描线速率控制在10~500mm/s,气氛控制为0.5~1大气压惰性气氛,单层铺粉厚度在30~100μm。
2.根据权利要求1所述的一种快速制备热电器件的方法,其特征在于热电器件边长范围为3~100mm,每个热电臂的截面边长范围为0.1~3mm。
3.根据权利要求1所述的一种快速制备热电器件的方法,其特征在于电极层一和二均间隔分布在绝缘基板上,按照电极层一、p型热电臂、电极层二、n型热电臂和电极层一的顺序将p型和n型热电臂依次串联而成。
4.根据权利要求1所述的一种快速制备热电器件的方法,其特征在于步骤2)中重复操作直至达到电极层一所需要的厚度;步骤4)中重复操作直至达到电极层二所需要的厚度。
5.根据权利要求1所述的一种快速制备热电器件的方法,其特征在于步骤3)中重复操作直至达到p型热电臂和n型热电臂所需要的厚度。
6.根据权利要求1所述的一种快速制备热电器件的方法,其特征在于所述电极粉体选自单质Ni、Cu、Ag、Al、Mo、W、Ti或者NiAl合金中的一种或几种按任意比例的混合物。
7.根据权利要求1所述的一种快速制备热电器件的方法,其特征在于所述p型热电化合物选自Bi2-xSbxTe3、SnSe、CeFe4Sb12、MnSi1.75、Cu2Se、Zr0.5Hf0.5CoSb和PbSe中的任意一种;所述n型热电化合物选自Bi2Te3-xSex、SnTe、n-Co4Sb12-xTex、Mg2Si1-xSnx、ZrNiSn和PbS中的任意一种。
8.权利要求1-7中的任意一项所制备的热电器件。
CN201610125844.8A 2016-03-06 2016-03-06 一种快速制备热电器件的方法 Active CN106384780B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610125844.8A CN106384780B (zh) 2016-03-06 2016-03-06 一种快速制备热电器件的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610125844.8A CN106384780B (zh) 2016-03-06 2016-03-06 一种快速制备热电器件的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106384780A CN106384780A (zh) 2017-02-08
CN106384780B true CN106384780B (zh) 2019-03-19

Family

ID=57916639

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610125844.8A Active CN106384780B (zh) 2016-03-06 2016-03-06 一种快速制备热电器件的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106384780B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6839690B2 (ja) * 2018-09-27 2021-03-10 アイシン高丘株式会社 熱電モジュールの製造方法
CN110783448B (zh) * 2019-07-30 2020-10-16 武汉理工大学 一种基于飞秒激光技术制造微型热电器件的方法
CN112885950A (zh) * 2019-11-30 2021-06-01 中国科学院金属研究所 一种利用3d打印技术制作微型热电器件的方法
CN111266579A (zh) * 2020-02-25 2020-06-12 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种全自动选区激光熔化连续合成设备及方法
CN111864043B (zh) * 2020-08-06 2023-02-28 武汉理工大学 一种P型Cu2Se基热电元件及其一体化制备工艺
CN112426734B (zh) * 2020-12-03 2021-09-28 西安交通大学 一种热电驱动的界面蒸发装置
CN113241399B (zh) * 2021-05-10 2022-07-26 北京航空航天大学 基于脉冲激光直写技术的高密度热电厚膜器件及制法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102903840A (zh) * 2012-10-16 2013-01-30 上海大学 利用印刷电子制造工艺组装热电器件的方法
CN103407296A (zh) * 2013-07-29 2013-11-27 南京鼎科纳米技术研究所有限公司 一种激光熔融辅助纳米墨水实现高熔点材料3d打印的方法
CN103560203A (zh) * 2013-10-23 2014-02-05 合肥工业大学 一种简单高效的薄膜温差电池结构及其制作方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102903840A (zh) * 2012-10-16 2013-01-30 上海大学 利用印刷电子制造工艺组装热电器件的方法
CN103407296A (zh) * 2013-07-29 2013-11-27 南京鼎科纳米技术研究所有限公司 一种激光熔融辅助纳米墨水实现高熔点材料3d打印的方法
CN103560203A (zh) * 2013-10-23 2014-02-05 合肥工业大学 一种简单高效的薄膜温差电池结构及其制作方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Selective Laser Melting of a Bishmuth Telluride Thermoelectric Materials;A. El-Desouky 等;《The Twenty-Sixth Annual International Solid Freeform Fabrication (SFF) Symposium – An Additive Manufacturing Conference》;20150812;论文第1043-1049页,表1

Also Published As

Publication number Publication date
CN106384780A (zh) 2017-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106384780B (zh) 一种快速制备热电器件的方法
CN106384779B (zh) 一种从单质粉体为起始原料一步超快速制备热电器件的方法
CN106384778B (zh) 一种超快速制备热电材料粉体和器件的方法
US8716589B2 (en) Doped lead tellurides for thermoelectric applications
TWI798165B (zh) 產生電能及熱能之至少一者之電力系統
TWI833071B (zh) 使用熱光伏打電力產生器以產生電力之方法
US20060118160A1 (en) Thermoelectric element and thermoelectric module
KR101791599B1 (ko) 벌크 나노 복합체형 열전재료, 나노 복합체형 열전재료 분체 및 그 제조방법
CN100524867C (zh) 一种锑化钴基热电器件的制造方法
US20070144573A1 (en) Thermoelectric conversion element and thermoelectric conversion module
JP2017522448A (ja) 選択的焼結による3d印刷のための方法及び装置
US20100282285A1 (en) Extrusion process for preparing improved thermoelectric materials
US8388883B2 (en) Process for producing thermoelectric semiconductor materials and legs
CN101786653B (zh) 一种掺杂稀土元素氧化锌一维纳米材料的制备方法和应用
Baba et al. Formation and characterization of polyethylene terephthalate-based (Bi0. 15Sb0. 85) 2Te3 thermoelectric modules with CoSb3 adhesion layer by aerosol deposition
CN103555986B (zh) 一种(Bi0.8Sb0.2)2Te3纳米热电材料的制备方法
CN101514438A (zh) 沉积制备非均质件的方法
KR20180022384A (ko) 열전재료용 Bi-Sb-Te 합금 소결체의 제조방법
JP2013038172A (ja) 熱電変換材料の製造方法、熱電変換材料、および熱電変換モジュール
CN102514282B (zh) 一种适用于CoSb3基热电材料的防护涂层及其制备方法
EP2201076B1 (en) Method of production of solid and porous films from particulate materials by high heat flux source
JP2011198989A (ja) 熱電変換材料及びその製造方法、熱電変換モジュール
CN106274110A (zh) 一种低温喷墨印刷纳米金属图案的方法
CN109951903A (zh) 一种纳米微晶格相分离电热材料及其制备方法
KR101950371B1 (ko) 열전 모듈의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20220126

Address after: 430000 Room 101, floor 1, new plant building / unit 1, new energy R & D base, Science Park, Wuhan University of technology, No. 36, Tangxun Hubei Road, East Lake New Technology Development Zone, Wuhan, Hubei Province

Patentee after: Wuhan xinsaier Technology Co.,Ltd.

Address before: 430070 Hubei Province, Wuhan city Hongshan District Luoshi Road No. 122

Patentee before: WUHAN University OF TECHNOLOGY