CN106371253A - 阵列基板、液晶显示面板以及制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板、液晶显示面板以及制造方法，该阵列基板包括：将数据线层和遮光层设计在同一层，而且，将源极层、漏极层、氧化物半导体材料层以及公共电极层设计在同一层中，且源极层、漏极层以及公共电极层是通过对氧化物半导体材料经过掺杂处理而形成，提高其导电率的方式来实现源极层、漏极层、公共电极层的材料能够导电。通过上述方式，本发明能够极大地减少制程中的光罩数目，进而使得生产成本大大降低。

Description

阵列基板、液晶显示面板以及制造方法
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板、液晶显示面板以及制造方法。
背景技术
氧化物半导体TFT(Oxide semiconductor TFT)具有高迁移率、大面积生产等优势，正逐渐成为下一代显示技术的有力竞争者。
但是，氧化物半导体TFT对光照较为敏感，需要增加额外的遮光层进而降低光照对器件性能稳定性的影响。现有技术中，氧化物半导体TFT液晶显示面板的制造过程中，为增加遮光层需要另外的光罩步骤，因此，整个器件一般需要8道光罩步骤。
上述制造工艺，由于光罩数目增加，花费较多，导致其生产成本上升，且制程比较繁琐。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种阵列基板、液晶显示面板以及制造方法，能够减少3道光罩数目，降低生产成本。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板，包括：
基板；
数据线层和遮光层，位于同一层中，且分别间隔地形成在所述基板上，所述遮光层和所述数据线层的材料均为金属材料；
第一绝缘层，覆盖在所述基板、所述数据线层和所述遮光层上；
源极层、漏极层、氧化物半导体材料层以及公共电极层，分别形成在所述第一绝缘层上，其中，所述源极层和所述漏极层紧邻并位于所述氧化物半导体材料层的两端，所述公共电极层与所述漏极层间隔设置，所述源极层、所述漏极层以及所述公共电极层通过对氧化物半导体材料经过掺杂处理而形成，所述氧化物半导体材料层在所述遮光层的遮光作用下，能够完全避免受到光线的影响；
第二绝缘层，覆盖在所述氧化物半导体材料层上；
栅极层，形成在所述第二绝缘层上，其材料为金属材料；
绝缘的互联层，覆盖在所述第一绝缘层、所述源极层、所述栅极层、所述漏极层以及所述公共电极层上，且在所述互联层中分别形成贯穿所述互联层的第一接触孔、第二接触孔以及第三接触孔，所述第一接触孔的一端延伸并贯穿所述第一绝缘层，与所述数据线层连接，所述第二接触孔的一端与所述源极层连接，所述第三接触孔的一端与所述漏极层连接，其中所述第一接触孔、第二接触孔以及第三接触孔中填充的材料为透明电极材料；
透明电极材料层和像素电极层，其分别间隔形成在所述互联层上，其材料均为透明电极材料，其中，所述透明电极材料层分别与所述第一接触孔的另一端和所述第二接触孔的另一端相连，从而使所述源极层通过所述第二接触孔、所述透明电极材料层和所述第一接触孔而电性连接至所述数据线层，所述像素电极层与所述第三接触孔的另一端相连，以实现所述像素电极层与所述漏极层之间的电性连接。
其中，所述公共电极层分成多个。
其中，所述公共电极层是一个整体。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种液晶显示面板，包括：
第一基板，
第二基板，与所述第一基板相对设置，其包括：
基板；
数据线层和遮光层，位于同一层中，且分别间隔地形成在所述基板上，所述遮光层和所述数据线层的材料均为金属材料；
第一绝缘层，覆盖在所述基板、所述数据线层和所述遮光层上；
源极层、漏极层、氧化物半导体材料层以及公共电极层，分别形成在所述第一绝缘层上，其中，所述源极层和所述漏极层紧邻并位于所述氧化物半导体材料层的两端，所述公共电极层与所述漏极层间隔设置，所述源极层、所述漏极层以及所述公共电极层通过对氧化物半导体材料经过掺杂处理而形成，所述氧化物半导体材料层在所述遮光层的遮光作用下，能够完全避免受到光线的影响；
第二绝缘层，覆盖在所述氧化物半导体材料层上；
栅极层，形成在所述第二绝缘层上，其材料为金属材料；
绝缘的互联层，覆盖在所述第一绝缘层、所述源极层、所述栅极层、所述漏极层以及所述公共电极层上，且在所述互联层中分别形成贯穿所述互联层的第一接触孔、第二接触孔以及第三接触孔，所述第一接触孔的一端延伸并贯穿所述第一绝缘层，与所述数据线层连接，所述第二接触孔的一端与所述源极层连接，所述第三接触孔的一端与所述漏极层连接，其中所述第一接触孔、第二接触孔以及第三接触孔中填充的材料为透明电极材料；
透明电极材料层和像素电极层，其分别间隔形成在所述互联层上，其材料均为透明电极材料，其中，所述透明电极材料层分别与所述第一接触孔的另一端和所述第二接触孔的另一端相连，从而使所述源极层通过所述第二接触孔、所述透明电极材料层和所述第一接触孔而电性连接至所述数据线层，所述像素电极层与所述第三接触孔的另一端相连，以实现所述像素电极层与所述漏极层之间的电性连接；
液晶层，夹设在所述第一基板和所述第二基板之间。
其中，所述公共电极层分成多个。
其中，所述公共电极层是一个整块。
为解决上述技术问题，本发明采用的又一个技术方案是：提供一种阵列基板的制造方法，包括：利用第一次光罩一次性对沉积在基板上的金属材料进行曝光显影，分别得到位于同一层且间隔的数据线图案和遮光层图案；
在所述数据线图案和遮光层图案之上依次形成第一绝缘层、氧化物半导体材料层，利用第二次光罩一次性对沉积在所述第一绝缘层之上的氧化物半导体材料层进行曝光显影，分别得到源极图案、漏极图案、氧化物半导体材料层图案以及公共电极图案，其中，所述氧化物半导体材料层图案在所述遮光层图案的遮光作用下，能够完全避免受到光线的影响；
在所述源极图案、漏极图案、氧化物半导体材料层图案以及公共电极图案之上依次形成第二绝缘层和栅极层，利用第三次光罩一次性对所述第二绝缘层和栅极层进行曝光显影，分别得到第二绝缘层图案和栅极图案，所述第二绝缘层图案和栅极图案位于所述氧化物半导体材料层图案之上；
对未被所述第二绝缘层图案和栅极图案保护的所述源极图案、所述漏极图案以及所述公共电极图案进行掺杂处理，使得所述源极图案、所述漏极图案以及所述公共电极图案的材料由所述氧化物半导体材料变为导体材料，且所述源极图案和所述漏极图案紧邻并位于所述氧化物半导体材料层图案的两端，所述公共电极图案与所述漏极图案间隔设置；
在所述第一绝缘层图案、所述源极图案、所述栅极图案、所述漏极图案以及所述公共电极图案之上形成绝缘的互联层，利用第四次光罩一次性对所述互联层进行曝光显影，在所述互联层中分别形成贯穿所述互联层的第一接触孔、第二接触孔以及第三接触孔，所述第一接触孔的一端延伸并贯穿所述第一绝缘层图案，与所述数据线图案连接，所述第二接触孔的一端与所述源极图案连接，所述第三接触孔的一端与所述漏极图案连接；
在所述互联层上形成透明电极材料层，且使所述透明电极材料充满所述第一接触孔、第二接触孔以及第三接触孔，利用第五次光罩一次性对所述透明电极材料层进行曝光显影，分别获得透明电极材料层图案和像素电极图案，所述透明电极材料层图案分别与所述第一接触孔的另一端和所述第二接触孔的另一端相连，从而使所述源极图案通过所述第二接触孔、所述透明电极材料层图案和所述第一接触孔而电性连接至所述数据线图案，所述像素电极图案与所述第三接触孔的另一端相连，以实现所述像素电极图案与所述漏极图案之间的电性连接。
其中，所述公共电极图案分成多个。
其中，所述公共电极图案是一个整块。
其中，所述掺杂处理是H2、Ar或NH3等离子处理。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明由于将数据线层和遮光层设计在同一层，而且，将源极层、漏极层、氧化物半导体材料层以及公共电极层设计在同一层中，且源极层、漏极层以及公共电极层通过对氧化物半导体材料经过掺杂处理而形成，提高其导电率的方式来实现源极层、漏极层、公共电极层的材料能够导电，通过这种方式，能够比现有技术总共减少三道光罩的过程，只需要5道光罩过程即可，极大地减少制程中的光罩数目，进而使得生产成本大大降低。
附图说明
图1是本发明阵列基板一实施方式的结构示意图；
图2是本发明阵列基板另一实施方式的结构示意图；
图3是本发明液晶显示面板一实施方式的结构示意图；
图4是本发明阵列基板的制造方法一实施方式的流程图；
图5是本发明阵列基板的制造方法一制备流程示意图；
图6是发明阵列基板的制造方法另一制备流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施方式对本发明进行详细说明。
参阅图1和图2，图1和图2是本发明阵列基板两个实施方式的结构示意图，该阵列基板包括：基板1，数据线层2和遮光层3，第一绝缘层4，源极层5、漏极层6、氧化物半导体材料层7以及公共电极层8，第二绝缘层9，栅极层10，互联层11，透明电极材料层12和像素电极层13。
其中，数据线层2和遮光层3，位于同一层中，且分别间隔地形成在基板1上，遮光层3和数据线层2的材料均为金属材料；也即是说，和现有技术不同的是，本申请中将数据线层2和遮光层3设计在同一层，通过这种方式，能够比现有技术减少一道光罩的过程。
第一绝缘层4覆盖在基板1、数据线层2和遮光层3上；该第一绝缘层作为缓冲层，其材料是绝缘材料，例如，可以是SiOx薄膜。
源极层5、漏极层6、氧化物半导体材料层7以及公共电极层8，分别形成在第一绝缘层4上，其中，源极层5和漏极层6紧邻并位于氧化物半导体材料层7的两端，公共电极层8与漏极层6间隔设置，源极层5、漏极层6以及公共电极层8通过对氧化物半导体材料经过掺杂处理而形成，氧化物半导体材料层7在遮光层3的遮光作用下，能够完全避免受到光线的影响；也即是说，源极层5、漏极层6、氧化物半导体材料层7以及公共电极层8设计在同一层中，且由于源极层5、漏极层6、公共电极层8的材料必须要能够导电，本申请中，通过对氧化物半导体材料经过掺杂处理而形成源极层5、漏极层6以及公共电极层8。其中通过掺杂处理将氧化物半导体材料转变为掺杂氧化物的导体材料，提高其导电率的方式来实现源极层5、漏极层6、公共电极层8的材料能够导电，通过这种方式，可以比现有技术减少二道光罩的过程。在一实施方式中，氧化物半导体材料经过掺杂处理后变成导体材料的基本原理可以是：将氧化物半导体材料中的氧原子夺取出来，使氧原子与其他物质发生反应，从而使得氧化物半导体材料由于被夺取氧原子而变为导体材料。此处掺杂处理的方式包括但不限于：等离子体(plasma)、UV光照、金属氧化等方式。当然，如果互联层28的材料是SiNx，在沉积互联层28时，由于释放出氢气H2，H2可以夺取氧化物半导体材料中的氧原子，并发生反应，从而使氧化物半导体材料变成导体材料。
第二绝缘层9覆盖在氧化物半导体材料层7上；该绝缘层的材料是绝缘材料，例如，可以是SiOx薄膜。
栅极层10形成在第二绝缘层9上，其材料为金属材料。
绝缘的互联层11覆盖在第一绝缘层4、源极层5、栅极层10、漏极层6以及公共电极层8上。且在互联层11中分别形成贯穿互联层11的第一接触孔111、第二接触孔112以及第三接触孔113，第一接触孔111的一端1111延伸并贯穿第一绝缘层4，与数据线层2连接，第二接触孔112的一端1121与源极层5连接，第三接触孔113的一端1131与漏极层6连接，其中第一接触孔111、第二接触孔112以及第三接触孔113中填充的材料为透明电极材料。
透明电极材料层12和像素电极层13，其分别间隔形成在互联层11上，其材料均为透明电极材料，其中，透明电极材料层12分别与第一接触孔111的另一端1112和第二接触孔112的另一端1122相连，从而使源极层5通过第二接触孔112、透明电极材料层12和第一接触孔111而电性连接至数据线层2，像素电极层13与第三接触孔113的另一端1132相连，以实现像素电极层13与漏极层6之间的电性连接。
本发明实施方式由于将数据线层2和遮光层3设计在同一层，而且，将源极层5、漏极层6、氧化物半导体材料层7以及公共电极层8设计在同一层中，且源极层5、漏极层6以及公共电极层8通过对氧化物半导体材料经过掺杂处理而形成，提高其导电率的方式来实现源极层5、漏极层6、公共电极层8的材料能够导电，通过这种方式，能够比现有技术总共减少三道光罩的过程，只需要5道光罩过程即可，极大地减少制程中的光罩数目，进而使得生产成本大大降低。
在一实施方式中，公共电极层8分成多个，如图2所示。
在另一实施方式中，公共电极层8是一个整块，如图1所示。
参见图3，图3是本发明液晶显示面板一实施方式的结构示意图，该液晶显示面板200包括：第一基板101、与第一基板101相对设置第二基板102以及夹设在第一基板101和第二基板102之间的液晶层103，其中，第二基板102为上述阵列基板中的任意一种，相关内容的详细说明请参见上述阵列基板，在此不再赘叙。
参见图4，本发明还提供一种阵列基板的制造方法，该方法包括：
步骤S101：利用第一次光罩一次性对沉积在基板上的金属材料进行曝光显影，分别得到位于同一层且间隔的数据线图案和遮光层图案。
参见图5和图6，图5是本发明阵列基板的制造方法一制备流程示意图，图6是本发明阵列基板的制造方法另一制备流程示意图。步骤1，首先在基板1上沉积一层金属材料，利用第一次光罩，通过标准的光刻工艺，即可同时构建数据线图案2和遮光层(light shield)图案3。
在一实施方式中，在基板上沉积金属材料时，是基于物理气相沉积(PhysicalVapor Deposition，简写PVD)方法进行的。
由于将数据线线图案和遮光层图案设计在同一层，通过这种方式，能够比现有技术减少一道光罩的过程。
步骤S102：在数据线图案和遮光层图案之上依次形成第一绝缘层、氧化物半导体材料层，利用第二次光罩一次性对沉积在第一绝缘层之上的氧化物半导体材料层进行曝光显影，分别得到源极图案、漏极图案、氧化物半导体材料层图案以及公共电极图案，其中，氧化物半导体材料层图案在遮光层图案的遮光作用下，能够完全避免受到光线的影响。
第一绝缘层覆盖在基板、数据线图案和遮光层图案之上，第一绝缘层作为缓冲层，其材料是绝缘材料，例如，可以是SiOx薄膜。在一实施方式中，该步骤可以通过化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，简写CVD)的方法进行沉积。
然后在第一绝缘层之上覆盖一层氧化物半导体材料，利用第二次光罩，通过标准的光刻工艺，即可形成所需的源极图案、漏极图案、氧化物半导体材料层图案及公共电极图案。当然，该步骤后，源极图案、漏极图案、及公共电极图案的材料依然还是氧化物半导体材料。需要经过下面步骤的掺杂处理转变为导体材料。在一实施方式中，沉积一层氧化物半导体材料可以通过PVD的方法进行沉积，然后在空气中退火，接着通过标准的光刻工艺形成所需的上述图案。
参见图5和图6，步骤2中，在数据线图案2和遮光层图案3之上依次形成第一绝缘层4、氧化物半导体材料层，利用第二次光罩一次性对沉积在第一绝缘层4之上的氧化物半导体材料层进行曝光显影，分别得到源极图案5、漏极图案6、氧化物半导体材料层图案7以及公共电极图案8。
其中，氧化物半导体材料层图案正好位于遮光层图案的垂直上方，且在遮光层图案的遮光作用下，氧化物半导体材料层图案能够完全避免受到光线的影响。
步骤S103：在源极图案、漏极图案、氧化物半导体材料层图案以及公共电极图案之上依次形成第二绝缘层和栅极层，利用第三次光罩一次性对第二绝缘层和栅极层进行曝光显影，分别得到第二绝缘层图案和栅极图案，第二绝缘层图案和栅极图案位于氧化物半导体材料层图案之上。
第二绝缘层覆盖在源极图案、漏极图案、氧化物半导体材料层图案以及公共电极图案之上，其材料是绝缘材料，例如，可以是SiOx薄膜。在一实施方式中，该步骤可以通过CVD的方法进行沉积。
然后在第二绝缘层之上再沉积一层金属材料，作为栅极层，例如，可以通过PVD的方法进行沉积，利用第三次光罩一次性对第二绝缘层和栅极层进行曝光显影，通过干蚀刻(dry etch)或者湿蚀刻(wet etch)等方式刻蚀未被光刻胶保护的栅极金属及其下的第二绝缘层，得到第二绝缘层图案和栅极图案，其中，第二绝缘层图案和栅极图案位于氧化物半导体材料层图案之上。
步骤S104：对未被第二绝缘层图案和栅极图案保护的源极图案、漏极图案以及公共电极图案进行掺杂处理，使得源极图案、漏极图案以及公共电极图案的材料由氧化物半导体材料变为导体材料，且源极图案和漏极图案紧邻并位于氧化物半导体材料层图案的两端，公共电极图案与漏极图案间隔设置。在一实施方式中，氧化物半导体材料经过掺杂处理后变成导体材料的基本原理可以是：将氧化物半导体材料中的氧原子夺取出来，使氧原子与其他物质发生反应，从而使得氧化物半导体材料由于被夺取氧原子而变为导体材料。此处掺杂处理的方式包括但不限于：等离子体(plasma)、UV光照、金属氧化等方式。当然，如果互联层28的材料是SiNx，在沉积互联层28时，由于释放出氢气H2，H2可以夺取氧化物半导体材料中的氧原子，并发生反应，从而使氧化物半导体材料变成导体材料。也即是说，在沉积互联层28时，也是同时在对未被第二绝缘层图案和栅极图案保护的源极图案、漏极图案以及公共电极图案进行掺杂处理，此时，步骤S104可以省略，直接进入步骤S105。
第二绝缘层图案和栅极图案位于氧化物半导体材料层图案之上，可以对氧化物半导体材料层图案进行保护，而未受保护的源极图案5、漏极图案6以及公共电极图案8裸露在外，它们的材料依然还是氧化物半导体材料，此时，对未被保护的这些氧化物半导体材料进行掺杂处理，例如，进行H2、Ar或NH3等离子处理，使其导电率提高形成源漏电极和公共电极。
参见图5和图6，步骤3中，分别沉积第二绝缘层9的材料和栅极层10的材料，利用第三次光罩，通过自对准技术形成沟道氧化物半导体材料层图案7，然后通过等离子处理，形成源极5、漏极6以及公共电极8。
步骤S105：在第一绝缘层图案、源极图案、栅极图案、漏极图案以及公共电极图案之上形成绝缘的互联层，利用第四次光罩一次性对互联层进行曝光显影，在互联层中分别形成贯穿互联层的第一接触孔、第二接触孔以及第三接触孔，第一接触孔的一端延伸并贯穿第一绝缘层图案，与数据线图案连接，第二接触孔的一端与源极图案连接，第三接触孔的一端与漏极图案连接。
绝缘的互联层(interlayer deposition，简写ILD)覆盖在第一绝缘层图案、源极图案、栅极图案、漏极图案以及公共电极图案之上，其材料可为SiOx或SiNx及其两者任意顺序的组合。互联层可以采用CVD方法进行沉积。利用第四次光罩，基于标准的光刻工艺，对互联层开接触孔(contact hole)，分别获得贯穿互联层的第一接触孔、第二接触孔以及第三接触孔，第一接触孔的一端延伸并贯穿第一绝缘层图案，与数据线图案连接，第二接触孔的一端与源极图案连接，第三接触孔的一端与漏极图案连接。
步骤S106：在互联层上形成透明电极材料层，且使透明电极材料充满第一接触孔、第二接触孔以及第三接触孔，利用第五次光罩一次性对透明电极材料层进行曝光显影，分别获得透明电极材料层图案和像素电极图案，透明电极材料层图案分别与第一接触孔的另一端和第二接触孔的另一端相连，从而使源极图案通过第二接触孔、透明电极材料层图案和第一接触孔而电性连接至数据线图案，像素电极图案与第三接触孔的另一端相连，以实现像素电极图案与漏极图案之间的电性连接。
在互联层上沉积一层透明电极材料，例如ITO膜层，透明电极材料也渗透并充满第一接触孔、第二接触孔以及第三接触孔，通过接触孔实现数据线与源电极互联，以及像素电极与漏电极互联，并利用第五次光罩，通过标准光刻工艺进行图形化制备得到透明电极材料层图案和像素电极图案。
其中，公共电极图案分成多个，如图6所示。
其中，公共电极图案是一个整块，如图5所示。
参见图5和图6，步骤4中，沉积ILD层11，通过光刻工艺形成三个接触孔111、112、113，接着沉积透明电极材料并图案化形成透明电极材料层图案12和像素电极图案13。
本发明实施方式由于将数据线和遮光层设计在同一层，而且，将源极、漏极、氧化物半导体材料以及公共电极设计在同一层中，且源极、漏极以及公共电极通过对氧化物半导体材料经过掺杂处理而形成，提高其导电率的方式来实现源极、漏极、公共电极的材料能够导电，通过这种方式，能够比现有技术总共减少三道光罩的过程，只需要5道光罩过程即可，极大地减少制程中的光罩数目，进而使得生产成本大大降低。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
数据线层和遮光层，位于同一层中，且分别间隔地形成在所述基板上，所述遮光层和所述数据线层的材料均为金属材料；
第一绝缘层，覆盖在所述基板、所述数据线层和所述遮光层上；
源极层、漏极层、氧化物半导体材料层以及公共电极层，分别形成在所述第一绝缘层上，其中，所述源极层和所述漏极层紧邻并位于所述氧化物半导体材料层的两端，所述公共电极层与所述漏极层间隔设置，所述源极层、所述漏极层以及所述公共电极层通过对氧化物半导体材料经过掺杂处理而形成，所述氧化物半导体材料层在所述遮光层的遮光作用下，能够完全避免受到光线的影响；
第二绝缘层，覆盖在所述氧化物半导体材料层上；
栅极层，形成在所述第二绝缘层上，其材料为金属材料；
绝缘的互联层，覆盖在所述第一绝缘层、所述源极层、所述栅极层、所述漏极层以及所述公共电极层上，且在所述互联层中分别形成贯穿所述互联层的第一接触孔、第二接触孔以及第三接触孔，所述第一接触孔的一端延伸并贯穿所述第一绝缘层，与所述数据线层连接，所述第二接触孔的一端与所述源极层连接，所述第三接触孔的一端与所述漏极层连接，其中所述第一接触孔、第二接触孔以及第三接触孔中填充的材料为透明电极材料；
透明电极材料层和像素电极层，其分别间隔形成在所述互联层上，其材料均为透明电极材料，其中，所述透明电极材料层分别与所述第一接触孔的另一端和所述第二接触孔的另一端相连，从而使所述源极层通过所述第二接触孔、所述透明电极材料层和所述第一接触孔而电性连接至所述数据线层，所述像素电极层与所述第三接触孔的另一端相连，以实现所述像素电极层与所述漏极层之间的电性连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层分成多个。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层是一个整块。
4.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：
第一基板，
第二基板，与所述第一基板相对设置，其包括：
基板；
数据线层和遮光层，位于同一层中，且分别间隔地形成在所述基板上，所述遮光层和所述数据线层的材料均为金属材料；
第一绝缘层，覆盖在所述基板、所述数据线层和所述遮光层上；
源极层、漏极层、氧化物半导体材料层以及公共电极层，分别形成在所述第一绝缘层上，其中，所述源极层和所述漏极层紧邻并位于所述氧化物半导体材料层的两端，所述公共电极层与所述漏极层间隔设置，所述源极层、所述漏极层以及所述公共电极层通过对氧化物半导体材料经过掺杂处理而形成，所述氧化物半导体材料层在所述遮光层的遮光作用下，能够完全避免受到光线的影响；
第二绝缘层，覆盖在所述氧化物半导体材料层上；
栅极层，形成在所述第二绝缘层上，其材料为金属材料；
绝缘的互联层，覆盖在所述第一绝缘层、所述源极层、所述栅极层、所述漏极层以及所述公共电极层上，且在所述互联层中分别形成贯穿所述互联层的第一接触孔、第二接触孔以及第三接触孔，所述第一接触孔的一端延伸并贯穿所述第一绝缘层，与所述数据线层连接，所述第二接触孔的一端与所述源极层连接，所述第三接触孔的一端与所述漏极层连接，其中所述第一接触孔、第二接触孔以及第三接触孔中填充的材料为透明电极材料；
透明电极材料层和像素电极层，其分别间隔形成在所述互联层上，其材料均为透明电极材料，其中，所述透明电极材料层分别与所述第一接触孔的另一端和所述第二接触孔的另一端相连，从而使所述源极层通过所述第二接触孔、所述透明电极材料层和所述第一接触孔而电性连接至所述数据线层，所述像素电极层与所述第三接触孔的另一端相连，以实现所述像素电极层与所述漏极层之间的电性连接；
液晶层，夹设在所述第一基板和所述第二基板之间。
5.根据权利要求4所述的液晶显示面板，其特征在于，所述公共电极层分成多个。
6.根据权利要求4所述的液晶显示面板，其特征在于，所述公共电极层是一个整块。
7.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
利用第一次光罩一次性对沉积在基板上的金属材料进行曝光显影，分别得到位于同一层且间隔的数据线图案和遮光层图案；
在所述数据线图案和遮光层图案之上依次形成第一绝缘层、氧化物半导体材料层，利用第二次光罩一次性对沉积在所述第一绝缘层之上的氧化物半导体材料层进行曝光显影，分别得到源极图案、漏极图案、氧化物半导体材料层图案以及公共电极图案，其中，所述氧化物半导体材料层图案在所述遮光层图案的遮光作用下，能够完全避免受到光线的影响；
在所述源极图案、漏极图案、氧化物半导体材料层图案以及公共电极图案之上依次形成第二绝缘层和栅极层，利用第三次光罩一次性对所述第二绝缘层和栅极层进行曝光显影，分别得到第二绝缘层图案和栅极图案，所述第二绝缘层图案和栅极图案位于所述氧化物半导体材料层图案之上；
对未被所述第二绝缘层图案和栅极图案保护的所述源极图案、所述漏极图案以及所述公共电极图案进行掺杂处理，使得所述源极图案、所述漏极图案以及所述公共电极图案的材料由所述氧化物半导体材料变为导体材料，且所述源极图案和所述漏极图案紧邻并位于所述氧化物半导体材料层图案的两端，所述公共电极图案与所述漏极图案间隔设置；
在所述第一绝缘层图案、所述源极图案、所述栅极图案、所述漏极图案以及所述公共电极图案之上形成绝缘的互联层，利用第四次光罩一次性对所述互联层进行曝光显影，在所述互联层中分别形成贯穿所述互联层的第一接触孔、第二接触孔以及第三接触孔，所述第一接触孔的一端延伸并贯穿所述第一绝缘层图案，与所述数据线图案连接，所述第二接触孔的一端与所述源极图案连接，所述第三接触孔的一端与所述漏极图案连接；
在所述互联层上形成透明电极材料层，且使所述透明电极材料充满所述第一接触孔、第二接触孔以及第三接触孔，利用第五次光罩一次性对所述透明电极材料层进行曝光显影，分别获得透明电极材料层图案和像素电极图案，所述透明电极材料层图案分别与所述第一接触孔的另一端和所述第二接触孔的另一端相连，从而使所述源极图案通过所述第二接触孔、所述透明电极材料层图案和所述第一接触孔而电性连接至所述数据线图案，所述像素电极图案与所述第三接触孔的另一端相连，以实现所述像素电极图案与所述漏极图案之间的电性连接。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述公共电极图案分成多个。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述公共电极图案是一个整块。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述掺杂处理为H2、Ar或NH3等离子处理。
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