CN106356389B - 一种显示面板封装方法以及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种显示面板封装方法以及显示面板,包括提供一基板,基板包括一显示区域和一封装涂布区域;在基板封装涂布区域上形成一缓冲层;在缓冲层之上依序沉积一栅极绝缘层与一栅极金属导电层;在栅极金属导电层上沉积一导通绝缘层,通过掩模图案化及刻蚀工艺后,在封装胶涂布区域形成图案化的导通绝缘层;移除封装胶涂布区域内部分的缓冲层,以此露出至少部分基板;以及在封装胶涂布区域填充封装胶,并贴合一盖板,使封装胶直接接触基板和盖板。本发明充分利用现有的掩膜,一步去除封装胶涂布区域的缓冲层,既能保证封装胶与背板玻璃直接接触,增加封装胶的附着性,又节约了工序和成本。

Description

一种显示面板封装方法以及显示面板
技术领域
本发明涉及显示面板制程工艺,尤其涉及一种增加封装胶附着性的显示面板封装方法以及显示面板。
背景技术
现有的显示面板主要包括布设像素的显示区域,以及围绕显示区域的封装区域。目前,如图1,显示面板10’封装通常采用封装胶6’(frit胶)沿环绕显示区域8’的封装区域涂布,将组件封装在基板和盖板之间,封装区域中主要包括封装胶涂布区域9’。而且,封装胶直接与基板和盖板接触时附着性最强,但是由于显示面板工艺越来越复杂,层数增多,某些情况下,封装胶不能直接接触到基板(或盖板),则会减弱附着性,降低显示面板本身的强度和物理应力等等。
如图2所示,现有的一种显示面板封装方法,包括以下步骤:
S201:在一基板1’上沉积一缓冲层2’(Buffer层),通过掩模图案化及刻蚀工艺后,在封装胶涂布区域形成缓冲层2’。
S202:在所述缓冲层2’之上沉积一栅极绝缘层3’(GI层)与栅极金属导电层4’(GL层),通过掩模图案化及刻蚀工艺后,在封装胶涂布区域形成网格状金属导电层。
S203:在所述栅极金属导电层4’(GL层)上沉积一导通绝缘层5’(CT层),通过掩模图案化及刻蚀工艺后,在封装胶涂布区域形成网格状层间绝缘层。
S204:在所述导通绝缘层5’(CT层)上沉积一源漏极金属导电层(DL层,图中未示出),通过掩模图案化及刻蚀工艺后,封装胶涂布区域无源漏极金属导电层覆盖。
S205:在所述源漏极金属导电层(DL层)上涂布一层平坦化层(图中未示出),通过掩模图案化及刻蚀工艺后,封装胶涂布区域无平坦化层覆盖。平坦化层主要位于显示区域,平坦化层的主要目的是消除下层图形的断差引起的像素发光面积不平整。
S206:在所述平坦化层上沉积一阳极金属层(图中未示出),通过掩模图案化及刻蚀工艺后,封装胶涂布区域无阳极金属层覆盖。
S207:在所述阳极金属层上涂布一像素定义层(图中未示出),通过掩模图案化及刻蚀工艺后,封装胶涂布区域无像素定义层覆盖。
S208:在显示区域,在所述像素定义层上蒸镀有机发光二极管层与阴极层(图中未示出)。
S209:填充封装胶,贴合盖板7’。如图3(a)和3(b)所示,如果在此状态下填充封装胶6’来贴合盖板7’,则封装胶6’接触到背板的是缓冲层2’,封装胶6’与基板1’之间的附着性较弱。为了便于对比,本案中的3(a)、5(a)和7(a)均以封装胶涂布区域9’的相同区域A为放大对象,此处不再赘述。
为了将基板1’能露出来,现行的改进方法是增加一张掩膜及一道工艺,继续参见图4,包括以下步骤:
S301:在一基板1’上沉积一缓冲层2’(Buffer层),通过掩模图案化及刻蚀工艺后,在封装胶涂布区域形成缓冲层2’。
S302:在所述缓冲层2’之上沉积一栅极绝缘层3’(GI层)与栅极金属导电层4’(GL层),通过掩模图案化及刻蚀工艺后,在封装胶涂布区域形成网格状金属导电层。
S303:在所述栅极金属导电层4’(GL层)上沉积一导通绝缘层5’(CT层),通过掩模图案化及刻蚀工艺后,在封装胶涂布区域形成网格状层间绝缘层。
S304:在所述导通绝缘层5’(CT层)上沉积一源漏极金属导电层(DL层,图中未示出),通过掩模图案化及刻蚀工艺后,封装胶涂布区域无源漏极金属导电层覆盖。
S305:在所述源漏极金属导电层(DL层)上涂布一层平坦化层(图中未示出),通过掩模图案化及刻蚀工艺后,封装胶涂布区域无平坦化层覆盖。平坦化层主要位于显示区域,平坦化层的主要目的是消除下层图形的断差引起的像素发光面积不平整。(图4中的步骤S301至S305与图2中的步骤S201至S205相同。)
S306:增加一掩膜板,通过掩模图案化及刻蚀工艺后,移除曝露在封装胶涂布区域的缓冲层2’,露出所述基板1’。将部分缓冲层2’移除露出基板1’,同时也会移除部分的导通绝缘层5’。
S307:在所述平坦化层上沉积一阳极金属层(图中未示出),通过掩模图案化及刻蚀工艺后,封装胶涂布区域无阳极金属层覆盖。
S308:在所述阳极金属层上涂布一像素定义层(图中未示出),通过掩模图案化及刻蚀工艺后,封装胶涂布区域无像素定义层覆盖。
S309:在显示区域,在所述像素定义层上蒸镀有机发光二极管层与阴极层(图中未示出)。
S310:填充封装胶,贴合盖板7’。如图5(a)和5(b)所示,将盖板7’贴合后,封装胶6’在封装胶涂布区域接触到背板的是与封装胶6’相同性质的基板1’(玻璃)。这种方法虽然能使封装胶6’与基板1’之间的附着性增加,但是由于需要增加了掩膜和一道黄光工艺来移除缓冲层2’,增加了成本。
有鉴于此,发明人提供了一种显示面板封装方法以及显示面板。
发明内容
针对现有技术中的缺陷,本发明的目的在于提供一种显示面板封装方法以及显示面板,既能保证封装胶与背板玻璃直接接触,增加封装胶的附着性,又无需增加一张掩膜及一道黄光工艺,节约了工序和成本。
根据本发明的一个方面,提供一种显示面板封装方法,包括以下步骤:
S100:提供一基板,所述基板包括一显示区域和一封装涂布区域;
S110:在所述基板封装涂布区域上形成一缓冲层;
S120:在所述缓冲层之上依序沉积一栅极绝缘层与一栅极金属导电层;
S130:在所述栅极金属导电层上沉积一导通绝缘层,通过掩模图案化及刻蚀工艺后,在所述封装胶涂布区域形成图案化的所述导通绝缘层;
S140:移除封装胶涂布区域内部分的所述缓冲层,以此露出至少部分所述基板;以及
S150:在所述封装胶涂布区域填充封装胶,并贴合一盖板,使所述封装胶直接接触所述基板和所述盖板。
优选地,所述步骤S140中还包括:
S141:在所述导通绝缘层上沉积一源漏极金属导电层;
S142:在所述源漏极金属导电层上涂布一层平坦化层,通过掩模图案化及刻蚀工艺后,所述平坦化层仅覆盖在显示区域;以及
S143:通过所述平坦化层的掩模图案进行刻蚀工艺,移除封装胶涂布区域内部分的所述缓冲层。
优选地,所述步骤S120中,在所述封装胶涂布区域形成网格状所述金属导电层。
优选地,所述步骤S130中,在所述封装胶涂布区域形成网格状导通绝缘层。
优选地,所述步骤S140中,所述网格的网孔中的所述基板被暴露。
优选地,所述步骤S142中所述平坦化层是有机薄膜,通过黄光工艺刻蚀图案化所述平坦化层。
优选地,所述平坦化层的掩模图案暴露所述封装胶涂布区域的导通绝缘层和缓冲层。
优选地,所述封装胶涂布区域没有被源漏极金属导电层、平坦化层、阳极金属层、像素定义层中的任意一层所覆盖。
优选地,所述缓冲层的材质与所述导通绝缘层的材质相同。
根据本发明的另一个方面,还提供一种显示面板,包括:
一基板,包括一显示区域和一封装涂布区域;
一缓冲层,形成于所述基板上的封装胶涂布区域;
一栅极绝缘层与一栅极金属导电层,形成于所述缓冲层上;
一导通绝缘层,形成于所述显示区域和封装涂布区域的所述栅极金属导电层上,所述封装涂布区域的所述导通绝缘层露出至少部分所述基板;以及
一盖板,通过封装胶贴合所述基板上的封装胶涂布区域;
其中,所述封装胶接触所述基板和所述盖板。
优选地,还包括:
一源漏极金属导电层,形成于所述显示区域的所述导通绝缘层上;
一平坦化层,形成于所述源漏极金属导电层上;
一阳极金属层,形成于所述平坦化层上;
一像素定义层,形成于所述阳极金属层上;以及
有机发光二极管层与阴极层,形成于所述像素定义层上。
优选地,所述栅极金属导电层在封装胶涂布区域形成网格状金属导电层,所述导通绝缘层在所述封装胶涂布区域形成网格状导通绝缘层,所述网格的网孔中暴露的所述基板与所述封装胶接触。
优选地,所述封装胶涂布区域没有被源漏极金属导电层、平坦化层、阳极金属层、像素定义层中的任意一层所覆盖。
优选地,所述缓冲层的材质与所述导通绝缘层的材质相同。
本发明的显示面板封装方法以及显示面板通过改进工艺,充分利用现有的掩膜,一步去除封装胶涂布区域的缓冲层,节省了一张掩膜及一道黄光工艺之成本,既能保证封装胶与背板玻璃直接接触,增加封装胶的附着性,又节约了工序和成本。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1为现有技术的显示面板的示意图;
图2为第一种现有的显示面板封装方法的流程图;
图3(a)为第一种现有的显示面板封装方法的封装区域的局部放大图;
图3(b)为图3(a)中B-B向的剖面图;
图4为第一种现有的显示面板封装方法的流程图
图5(a)为第二种现有的显示面板封装方法的封装区域的局部放大图;
图5(b)为图5(a)中C-C向的剖面图;
图6为本发明的显示面板封装方法的流程图;
图7(a)为本发明的显示面板封装方法的封装区域的局部放大图;以及
图7(b)为图7(a)中D-D向的剖面图。
附图标记
1’ 基板
2’ 缓冲层
3’ 栅极绝缘层
4’ 栅极金属导电层
5’ 导通绝缘层
6’ 封装胶
7’ 盖板
8’ 显示区域
9’ 封装区域
10’ 显示面板
1 基板
2 缓冲层
3 栅极绝缘层
4 栅极金属导电层
5 导通绝缘层
6 封装胶
7 盖板
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施方式;相反,提供这些实施方式使得本发明将全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略对它们的重复描述。
所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本发明的实施方式的充分理解。然而,本领域技术人员应意识到,没有特定细节中的一个或更多,或者采用其它的方法、组元、材料等,也可以实践本发明的技术方案。在某些情况下,不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本发明。
由于本发明的改进主要在于显示面板的封装区域,为了更清楚地显示本发明的特征,故图7(a)和7(b)的剖面图中未示出显示面板显示区域的剖面图。
如图6以及图7(a)和7(b)所示,本发明提供了一种显示面板封装方法,包括:
S100:提供一基板,所述基板包括一显示区域和一封装涂布区域。
S110:在一基板1上沉积一缓冲层2,通过掩模图案化及刻蚀工艺后,在封装胶涂布区域形成缓冲层2。
S120:在缓冲层2之上沉积一栅极绝缘层3与一栅极金属导电层4,通过掩模图案化及刻蚀工艺后,在封装胶涂布区域形成网格状金属导电层。
S130:在栅极金属导电层4上沉积一导通绝缘层5,通过掩模图案化及刻蚀工艺后,在封装胶涂布区域形成网格状层间绝缘层。
S140:移除封装胶涂布区域内部分的所述缓冲层2,以此露出至少部分所述基板1。其中,所述步骤S140中主要包括:
S141:在导通绝缘层5上沉积一源漏极金属导电层。通过掩模图案化及刻蚀工艺后,源漏极金属导电层不覆盖封装胶涂布区域。
S142:在源漏极金属导电层上涂布一层平坦化层,(由于平坦化层主要用于显示区域,故图中未示出)通过掩模图案化及刻蚀工艺后,平坦化层仅覆盖在显示区域。缓冲层2的材质与导通绝缘层5的材质相同。平坦化层是有机薄膜,可以通过黄光工艺刻蚀图案化平坦化层。
S143:通过平坦化层的掩模图案进行刻蚀工艺移除封装胶涂布区域内曝露的缓冲层2,露出至少部分基板1。平坦化层的掩模图案暴露封装胶涂布区域的导通绝缘层5和缓冲层2。本实施例中,网格的网孔中的基板1被暴露。由于平坦化层掩模在该区域的开口范围较大,所以能同时会暴露导通绝缘层5,也会对导通绝缘层5进行过刻,从而将缓冲层2和导通绝缘层5一起移除,但不以此为限。本发明并不要求在该封装胶涂布区域移除所有的导通绝缘层5,在过刻缓冲层2的过程中,即便有导通绝缘层5残留,也不会影响本发明的实施和效果,如图7(a)和7(b)所示。不同于现有技术的是,在S106中使用的掩膜是之前平坦化层所使用的掩膜,掩膜的数量没有增加,并且减少了相应的黄光工艺,减少了工序,降低了成本。
并且,在显示区域制作机发光二极管器件,主要包括以下步骤:在显示区域的平坦化层上沉积一阳极金属层。通过掩模图案化及刻蚀工艺后,阳极金属层不覆盖封装胶涂布区域。在显示区域的阳极金属层上涂布一像素定义层。通过掩模图案化及刻蚀工艺后,像素定义层不覆盖封装胶涂布区域。在显示区域的像素定义层上蒸镀有机发光二极管层与阴极层。通过掩模图案化及刻蚀工艺后,有机发光二极管层与阴极层不覆盖封装胶涂布区域。
S150:在封装胶涂布区域填充封装胶6,贴合盖板7,使得封装胶6的一面直接接触盖板7,另一边直接接触基板1,加强封装胶6对基板1的附着性。如图7(b)所示,由于封装胶7直接接触基板1和盖板7,封装胶7与基板1、盖板7之间的附着性大大增强,提升了显示面板本身的强度和物理应力等等,此处不再赘述。
继续参考图7(b),本发明提供一种显示面板,包括:一基板1。一缓冲层2,形成于基板1上的封装胶涂布区域。一栅极绝缘层3与一栅极金属导电层4,形成于缓冲层2上。栅极金属导电层4在封装胶涂布区域形成网格状金属导电层。一导通绝缘层5,形成于栅极金属导电层4上,露出至少部分基板1。导通绝缘层5在封装胶涂布区域形成网格状层间绝缘层。缓冲层2的材质与导通绝缘层5的材质相同。一源漏极金属导电层,形成于显示区域的导通绝缘层5上。一平坦化层(图中未示出),形成于源漏极金属导电层上。一阳极金属层(图中未示出),形成于平坦化层上。一像素定义层(图中未示出),形成于阳极金属层上。有机发光二极管层与阴极层(图中未示出),形成于像素定义层上。一盖板7,通过封装胶6贴合基板1上的封装胶涂布区域。封装胶6接触基板1和盖板7。
其中,网格状金属导电层以及网格状层间绝缘层的网孔暴露出的基板1与封装胶6接触,使得封装胶6的一面直接接触盖板7,另一边直接接触基板1,加强封装胶6对基板1的附着性。
封装胶涂布区域没有被源漏极金属导电层、平坦化层、阳极金属层、像素定义层中的任意一层所覆盖。
由于该显示面板的封装胶7直接接触基板1和盖板7,封装胶7与基板1、盖板7之间的附着性大大增强,提升了显示面板本身的强度和物理应力等等,此处不再赘述。
综上可知,本发明的显示面板封装方法以及显示面板通过改进工艺,充分利用现有的掩膜,一步去除封装胶涂布区域的缓冲层,节省了一张掩膜及一道黄光工艺之成本,既能保证封装胶与背板玻璃直接接触,增加封装胶的附着性,又节约了工序和成本。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是,本发明并不局限于上述特定实施方式,本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改,这并不影响本发明的实质内容。

Claims (12)

1.一种显示面板封装方法,其特征在于,包括以下步骤:
S100:提供一基板,所述基板包括一显示区域和一封装涂布区域;
S110:在所述基板封装涂布区域上形成一缓冲层;
S120:在所述缓冲层之上依序沉积一栅极绝缘层与一栅极金属导电层;
S130:在所述栅极金属导电层上沉积一导通绝缘层,通过掩模图案化及刻蚀工艺后,在所述封装胶涂布区域形成图案化的所述导通绝缘层;
S140:移除封装胶涂布区域内部分的所述缓冲层,以此露出至少部分所述基板;以及
S150:在所述封装胶涂布区域填充封装胶,并贴合一盖板,使所述封装胶直接接触所述基板和所述盖板;
所述步骤S140中还包括:
S141:在所述导通绝缘层上沉积一源漏极金属导电层;
S142:在所述源漏极金属导电层上涂布一层平坦化层,通过掩模图案化及刻蚀工艺后,所述平坦化层仅覆盖在显示区域;以及
S143:通过所述平坦化层的掩模图案进行刻蚀工艺,移除封装胶涂布区域内部分的所述缓冲层。
2.如权利要求1所述的显示面板封装方法,其特征在于,所述步骤S120中,在所述封装胶涂布区域形成网格状所述金属导电层。
3.如权利要求2所述的显示面板封装方法,其特征在于,所述步骤S130中,在所述封装胶涂布区域形成网格状导通绝缘层。
4.如权利要求3所述的显示面板封装方法,其特征在于,所述步骤S140中,所述网格的网孔中的所述基板被暴露。
5.如权利要求1所述的显示面板封装方法,其特征在于,所述步骤S142中所述平坦化层是有机薄膜,通过黄光工艺刻蚀图案化所述平坦化层。
6.如权利要求5所述的显示面板封装方法,其特征在于,所述平坦化层的掩模图案暴露所述封装胶涂布区域的导通绝缘层和缓冲层。
7.如权利要求1所述的显示面板封装方法,其特征在于,所述封装胶涂布区域没有被源漏极金属导电层、平坦化层、阳极金属层、像素定义层中的任意一层所覆盖。
8.如权利要求1所述的显示面板封装方法,其特征在于,所述缓冲层的材质与所述导通绝缘层的材质相同。
9.一种显示面板,其特征在于,包括:
一基板,包括一显示区域和一封装涂布区域;
一缓冲层,形成于所述基板上的封装胶涂布区域;
一栅极绝缘层与一栅极金属导电层,形成于所述缓冲层上;
一导通绝缘层,形成于所述显示区域和封装涂布区域的所述栅极金属导电层上,所述封装涂布区域的所述导通绝缘层露出至少部分所述基板;以及
一盖板,通过封装胶贴合所述基板上的封装胶涂布区域;
其中,所述封装胶接触所述基板和所述盖板;
还包括:
一源漏极金属导电层,形成于所述显示区域的所述导通绝缘层上;
一平坦化层,形成于所述源漏极金属导电层上,通过所述平坦化层的掩模图案化及刻蚀工艺后,所述平坦化层仅覆盖在显示区域,并且,通过所述平坦化层的掩模图案进行刻蚀工艺,移除封装胶涂布区域内部分的所述缓冲层;
一阳极金属层,形成于所述平坦化层上;
一像素定义层,形成于所述阳极金属层上;以及
有机发光二极管层与阴极层,形成于所述像素定义层上。
10.如权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述栅极金属导电层在封装胶涂布区域形成网格状金属导电层,所述导通绝缘层在所述封装胶涂布区域形成网格状导通绝缘层,所述网格的网孔中暴露的所述基板与所述封装胶接触。
11.如权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述封装胶涂布区域没有被源漏极金属导电层、平坦化层、阳极金属层、像素定义层中的任意一层所覆盖。
12.如权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述缓冲层的材质与所述导通绝缘层的材质相同。
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