CN106337166A - 沉积装置用微波传输装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及沉积装置用微波传输装置，包括：导波管，连接于微波生成器；传达部，为了使微波通过而结合于所述导波管；及传输部，为了使微波传输于沉积装置的腔室而结合于所述腔室。所述电介质具有与所述导波管的导波路相同的宽度。
Description
技术领域
本发明涉及为了在基板沉积薄膜而传输微波的沉积装置用微波传输装置。
背景技术
沉积装置是用于在基板沉积薄膜的装置，大致利用化学气相沉积(CVD,ChemicalVapor Deposition)及物理气相沉积(PVD,Physical Vapor Depositon)执行沉积工艺。在这种沉积装置中，利用物理气相沉积执行沉积工艺的有溅射(Sputtering)装置。
溅射装置为，使用于在制造显示装置、半导体装置、太阳能电池、有机发光照明装置等时，利用物理气相沉积在基板形成诸如金属包膜、金属氧化物薄膜等的薄膜。这种溅射装置用如下的方法执行沉积工艺：若在目标(Target)表面碰撞具有能量的粒子，则因此从目标脱落的目标粒子沉积基板。在这一情况下，所述目标由用于形成薄膜的材料构成。因此，从所述目标脱落的目标粒子也由用于形成薄膜的材料构成。
这种溅射装置为，由于在执行沉积工艺的过程中发生高电压、高能耗，因此因高电压、高能耗存在沉积于基板的薄膜受损的问题。为了解决该问题，正在对利用微波的溅射装置进行开发。
图1是根据现有技术的微波传输装置的概略性剖面图。
参照图1，根据现有技术的微波传输装置100是用于对沉积装置的腔室(未示出)供应微波。根据现有技术的微波传输装置100包括导波管110、电介质120及传输部130。
所述导波管110连接于微波生成器(未示出)。微波沿着形成在所述导波管110内部的导波路111向所述电介质120侧移动。
所述电介质120实现使微波通过的窗口(Window)的功能。所述电介质120结合于所述导波管110，以使所述电介质120设置在所述导波管110内部。在这一情况下，以第一轴方向(X轴方向)相比所述导波路111的宽度111W所述电介质120形成更大的宽度120W，进而***并结合于所述导波管110内部。
所述传输部130位于所述到导波管110及所述腔室之间。所述传输部130向所述腔室传输通过所述电介质120的微波。
在这里，根据现有技术的微波传输装置100为，所述电介质120相比于所述导波路111的宽度111W形成更大的宽度120W，因此在所述电介质120形成位于所述导波路111外侧的凸出部件121。因此，根据现有技术的微波传输装置100为，在位于所述导波路111外侧的凸出部件121中发生涡流，据此不仅降低对微波的传输效率，还存在因为停滞的微波而在所述凸出部件121发生热损伤的危险的问题。因为这种问题，根据现有技术的微波传输装置100难以对所述腔室进行高功率传输，并且降低对等离子的稳定性，并且存在降低传达于目标的微波的均匀性的问题。
发明内容
(要解决的问题)
本发明是为了解决上述问题而提出的，本发明是为了提供能够防止在电介质发生涡流的沉积装置用微波传输装置。
(解决问题的手段)
为了达成如上所述的目的，本发明包括如下的构成。
根据本发明的沉积装置用微波传输装置可包括：微波生成器，生成微波；导波管，连接于所述微波生成器；传达部，为了使微波通过而结合于所述导波管；及传输部，为了使微波传输于沉积装置的腔室而结合于所述腔室，所述导波管可包括以第一轴方向具有第一宽度的导波路，所述传达部可包括：用于通过微波的电介质；及阻止微波进入的屏蔽部件，所述电介质包括接触于所述导波路的第一连接面，并且所述第一连接面以所述第一轴方向形成所述第一宽度，以使所述第一连接面与所述导波路以所述第一轴方向为基准具有相同宽度。
根据本发明的沉积装置用微波传输装置可包括：导波管，连接于微波生成器；传达部，结合于所述导波管，以使微波通过；传输部，为了使微波传输于沉积装置的腔室而结于所述腔室，所述导波管可包括以第一轴方向具有第一宽度的导波路，所述传达部可包括用于通过微波的电介质，所述电介质以第一轴方向可形成所述第一宽度，以使所述电介质以所述第一轴方向为基准具有与所述导波路相同的宽度。
(发明的效果)
根据本发明可得到如下的效果。
本发明能够防止在电介质中发生对微波的涡流，进而不仅能够提高对微波的传输效率，还能够防止在电介质发生热损伤。
本发明能够对微波实现高功率传输，同时能够提高对等离子的稳定性及传达于目标的微波的均匀性。
附图说明
图1是根据现有技术的微波传输装置的概略性剖面图。
图2是根据本发明的微波传输装置概略性框图。
图3至图5是根据本发明的微波传输装置的概略性剖面图。
图6是根据本发明的微波传输装置中的传达部的概略性剖面图。
图7是根据本发明变形实施例的微波传输装置的概略性剖面图。
图8是根据本发明的微波传输装置的概略性剖面立体图。
图9至图11是在根据本发明的微波传输装置中用于说明目标与出口孔的关系的概念图。
图12是根据本发明另一变形实施例的微波传输装置的概略性剖面立体图。
图13至图15是根本发明另一变形实施例的微波传输装置中用于说明反射部的概念性剖面图。
图16是根据本发明另一变形实施例的微波传输装置中的传达部的概略性剖面图。
图17及图18是在根据本发明的微波传输装置中用于说明根据微波注入方向的实施例的概念性剖面图。
图19是为介绍本发明的实施例的曲线图。
(附图标记说明)
1：沉积装置用微波传输装置 2：导波管
3：传达部 4：传输部
5：反射部 21：导波路
22：流入面 31：电介质
32：屏蔽部件 33：接合部件
41：出口孔 51：第一反射部
52：第二反射部件 200：腔室
300：目标 310：目标面
具体实施方法
以下，参照附图详细说明根据本发明的沉积装置用微波传输装置的实施例。
参照图2及图3，根据本发明的沉积装置用微波传输装置1设置在沉积装置，该沉积装置执行用于在基板形成薄膜的沉积工艺。所述沉积装置为利用微波(Microwave)在基板形成薄膜的装置，例如可以是利用微波的溅射装置。根据本发明的沉积装置用微波传输装置1执行将微波传输于所述沉积装置的腔室200的功能。
为此，根据本发明的沉积装置用微波传输庄子1包括：连接于微波生成器10的导波管2；为了使微波通过而结合于导波管2的传达部3；及为了使微波传输于所述腔室200而结合于所述腔室200的传输部4。
所述导波管2位于所述微波生成器10及所述传输部4之间。所述导波管2包括用于移动微波的导波路21。因所述导波路21所述导波管2内部形成中空的形态。由所述微波生成器10注入到所述导波路21的微波沿着所述导波路21移动之后经过所述传输部4供应到所述腔室200。在所述腔室200的内部设置有目标300。所述目标300由用于形成薄膜的材料构成。
所述传达部3为了使微波通过而结合于所述导波管2。所述传达部3可结合于所述导波管2，以使所述传达部3位于所述微波生成器10及所述导波管2之间。在这一情况下，所述导波路21可以是真空状态。所述传达部3也可结合于所述导波管2，以使所述传达部3位于所述导波管2及所述传输部4之间。在这一情况下，所述导波路21可以是常压状态。
所述传达部3包括用于通过微波的电介质31。
所述电介质31以第一轴方向(X轴方向)具有第一宽度(H1)。在这一情况下，所述导波路21以所述以第一轴方向(X轴方向)具有所述第一宽度(H1)。即，所述电介质31及所述导波路21以所述第一轴方向(X轴方向)具有相同的宽度。据此，根据本发明沉积装置用微波传输装置1为，在与现有技术相比时不具有凸出部件121(图1示出)，进而以所述第一轴方向(X轴方向)为基准在所述导波路21及所述电介质31之间没有截面变化，因此可防止在所述电介质31中发生对微波的涡流。因此，根据本发明的沉积装置用微波传输装置1不仅能够提高对微波的传输效率，还能够防止因为停滞的微波而在所述电介质31发生热损伤。据此，根据本发明的沉积装置用微波传输装置1为，能够实现对所述腔室200的高功率传输，同时还能够提高对等离子的稳定性及传达于所述目标300的微波的均匀性。
所述电介质31可由包括氧化铝(Al2O3)的混合物构成。例如，所述电介质31可由包括99.9％以上的氧化铝的混合物或在氧化铝混合4％～6％的二氧化硅(SiO2)的混合物形成。所述电介质31整体可形成长方体形状。所述电介质31设置在所述导波管2及所述传输部4之间的情况下，所述电介质31具有4mm以上的厚度，以承受常压状态及真空状态之间的压力差。在图3为基准时所述电介质31的厚度为上相方向。
参照图2至图5，所述电介质31可包括第一连接面311。所述第一连接面311是在所述电介质31中接触于所述导波路21的面。所述第一连接面311形成为所述第一轴方向(X轴方向)具有所述第一宽度(H1)。据此，所述第一连接面311及所述导波路21相互具有相同的宽度。因此根据本发明的沉积装置用微波传输装置1能够实现对所述腔室200的高功率传输，同时还能够提高对等离子的稳定性及传达于所述目标300的微波的均匀性。
所述电介质31可包括所述第二连接面312。所述第二连接面312是在所述电介质31中与对于所述第一连接面311相反的面。所述第二连接面312可形成以所述第一轴方向(X轴方向)为基准具有与所述第一连接面312相同的宽度。所述第二连接面312也可形成以所述第一轴方向(X轴方向)为基准具有与所述第一连接面311不同的宽度。
例如，如图4所示所述第二连接面312可形成以所述第一轴方向(X轴方向)为基准相比于所述第一连接面311具有更窄的宽度。在这一情况下，所述电介质31可形成由所述导波管2向所述传输部4的方向大小变小的形状。在这一情况下，连接所述第二连接面312及所述第一连接面311的电介质的31的侧面，以所述导波路21的内面为基准向内侧方向构成固定的倾斜角(A)并且可倾斜形成。所述倾斜角(A)可以在45度以下。
例如，如图5所示所述第二连接面312可形以所述第一轴方向(X轴方向)为基准相比于所述第一连接面311具有更大的宽度。在这一情况下，所述电介质31可形成由所述导波管2向所述传输部4的方向大小增大的形状。在这一情况下，连接所述第二连接面312及所述第一连接面311的电介质31的侧面为，以所述导波路21的内面为基准向外侧方向构成固定的倾斜角(A)并且可倾斜形成。所述倾斜角(A)也可以在45度以下。
参照图2至图6，所述传达部3可包括屏蔽部件32。
所述屏蔽部件32可阻止微波进入。所述屏蔽部件32以所述第一轴方向(X轴方向)为基准阻止微波向所述第一连接面311的外侧移动。据此，所述传达部3使微波只通过所述第一连接面311进入所述电介质31的内部进而通过所述电介质31，进而能够防止在所述电介质31中发生对微波的涡流。所述屏蔽部件32可由不使微波通过的金属材质形成。例如，所述屏蔽部件32可由镍铬合金(Inconel)、STS316、STS304中的一种形成。
所述屏蔽部件32可包括用于***述电介质31的收容槽321。所述收容槽321可贯通所述屏蔽部件32。所述电介质31可***于所述收容槽321，以使所述电介质31位于所述屏蔽部件32内部。在所述电介质31被收容于所述收容槽321的状态下，所述屏蔽部件32可结合于所述导波管2，以使所述第一连接面311全面接触于所述导波路21。据此，所述屏蔽部件32可诱导微波通过所述第一连接面31进入所述电介质31的内部，因此能够提高对微波的传输效率。据此，对在所述电介质31没有屏蔽部件32的状态下以所述第一轴方向(X轴方向)相比于所述导波路21的宽度形成更大的宽度的比较例；及所述电介质31***于所述屏蔽部件32以第一轴方向(X轴方向)形成与导波路21相同的宽度的实施例进行模拟的结果，可以确认到对于微波的传输效率，比较列为100％时则实施例为260％。
所述屏蔽部件32因所述收容槽32可形成内部中空的形状。所述收容槽321可形成对应于所述电介质31的形状。
例如，如图4所示以所述第一轴方向(X轴方向)为基准，所述电介质31形成由所述导波管2向所述传输部4的方向大小变小的形状的情况下，所述收容槽321可形成在由所述导波管2向所述传输部4的方向大小变小的形状。
例如，如图5所示以所述第一轴方向(X轴方向)为基准，所述电介质31形成由所述导波管2向所述传输部4的方向大小变大的形状的情况下，所述收容槽321可形成在所述导波管2向所述传输部4的方向大小变大的形状。
例如，如图3所示以所述第一轴方向(X轴方向)为基准，所述电介质31形成由所述导波管2向所述传输部4的方向宽度没有变化的形状的情况下，所述收容槽321可形成由所述导波管2向所述传输部4的方向宽度没有变化的形状。
虽未在图面示出，所述传达部件3可包括密封部件。在所述导波路21为真空状态的情况下，所述密封部件可密封所述屏蔽部件32及所述导波管21之间的缝隙，以使所述导波路21保持真空状态。在这一情况下，所述密封部件可介入于所述屏蔽部件32及所述导波管21之间。在所述腔室200为真空状态，并且所述导波路21为常压状态的情况下，所述密封部件可密封所述屏蔽部件32及所述传输部4之间的缝隙，以使所述腔室200保持真空状态。在这一情况下，所述密封部件可介入于所述屏蔽部件32及所述传输部4之间。所述密封部件可以是O型圈。
参照图6，所述传达部3可包括接合部件33。
所述接合部件33位于所述屏蔽部件32及所述电介质31之间。所述接合部件33可使***于所述收容槽321的电介质31结合于所述屏蔽部件32。据此，以所述第一连接面311全面接触于所述导波路211的状态下可坚固地保持所述电介质31。另外，所述接合部件33密封所述电介质31与屏蔽部件32之间，进而通过所述电介质31与所述屏蔽部件32之间的缝隙能够防止发生真空泄露(Leak)。
所述接合部件33可由不吸收微波的材质形成。例如，所述接合部件33可由未含有吸收微波的诸如铅(Pb)等物质的材质形成。据此，根据本发明的沉积装置用微波传输装置1为，能够防止所述接合部件33吸收微波至温度上升而融化等变形。因此，根据本发明的沉积装置用微波传输装置1，能够保持所述电介质31结合于所述屏蔽部件32的状态，同时能够保持对所述电介质31及所述屏蔽部件32之间的缝隙的密封力。
所述接合部件33可形成围绕所述电介质31的外周面的形状。在这一情况下，所述电介质31位于所述接合部件33内部。所述结合部件33相比于所述电介质31可形成更大的宽度，进而以所述第一轴方向(X轴方向)为基准使所述电介质31及所述导波路211相互具有相同的宽度。
参照图7，根据本发明的变形实施例的传达部3，所述电介质31可形成以所述第一轴方向(X轴方向)为基准相比于所述导波路21具有更大的宽度。在这一情况下，所述屏蔽部件32可由所述第一连接面311及结合面313区划所述电介质31，进而以所述第一轴方向(X轴方向)为基准使所述第一连接面311与所述导波路21相互具有相同的宽度。所述结合面313以所述第一轴方向(X轴方向)为基准位于所述第一连接面311的外侧。
据此，根据本发明的沉积装置用微波传输装置1，不仅能够以所述第一轴方向(X轴方向)为基准诱导微波通过所述电介质31的第一连接面311无截面变化的进入所述电介质31内部，还能够通过所述电介质311的结合面313实现密封力。因此，根据本发明的沉积装置用微波传输装置1利用所述电介质31能够提高对微波的传输效率，同时能够防止发生真空泄漏。
所述电介质31可包括用于***所述屏蔽部件32的***槽314。所述屏蔽部件32***于所述***槽314，进而可由所述第一连接面311及所述结合面313区划所述屏蔽部件32。因此，根据本发明的沉积装置用微波传输装置1，与利用所述接合部件33(在图6示出)对比时，能够以简单的构造提高对微波的传输效率及密封力。所述***槽314可形成在所述电介质31中从形成所述第一连接面311的一面凹陷预定深度。据此，若所述屏蔽部件32***于所述***槽314，则屏蔽部件32被所述电介质31支撑可保持***于所述***槽314的状态。
在所述电介质31也可***多个所述屏蔽部件32。在这一情况下，在所述电介质31可形成多个所述***槽314。多个所述屏蔽部件32可***于所述电介质31，以使多个所述屏蔽部件32以所述第一轴方向(X轴方向)为基准间隔所述第一宽度(H1)。据此，所述第一连接面311以所述第一轴方向(X轴方向)为基准可被多个所述屏蔽部件32区划成具有与所述导波管21相同的第一宽度(H1)。在这一情况下，多个所述***槽314可形成在以所述第一轴方向(X轴方向)为基准相互间隔的位置。
参照图2至图8，所述传输部4为了使微波传输于所述腔室200而结合于所述腔室200。所述传输部4可结合于所述腔室200以连通于腔室内部210。所述导波管2可结合于所述传输部4，以使所述导波管2以所述传输部4为基准位于所述腔室200的另一侧。即，所述传输部4位于所述导波管2及所述腔室200之间。
所述传输部4可包括用于通过微波的出口孔41。微波通过所述出口孔41而被传输到所述腔室200。所述出口孔41可贯通所述传输部4。在所述传达部3位于所述微波生成器10及所述导波管2之间的情况下，流入所述传输部4的微波是从所述导波管2直接提供的。在上述传达部3位于所述导波管2及所述传输部4之间的情况下，流入所述传输部4的微波是在所述导波管2经过所述电介质31提供的。
所述出口孔41可形成向着所述腔室内部210的一端41a以所述第一轴方向(X轴方向)相比于所述第一宽度(H1)形成更窄的第二宽度(H2)。在这一情况下，所述出口孔41可形成夹缝(Slit)形状。据此，根据本发明的沉积装置用微波传输装置1通过所述出口孔41防止目标粒子流入到所述电介质31侧，进而根据在所述电解质31沉积目标粒子能够防止降低对微波的传输效率。
参照图8至图11，所述出口孔41可形成以第二轴方向(Y轴方向)为基准具有比所述目标300的目标面310的长度310L更长的长度41L。所述目标面310意味着在所述目标300的面中向着所述传输部4的出口孔41的相对面。所述目标面310根据所述目标300配置在所述腔室内部210的方向，可以是相当于所述目标300的长度或宽度的面。据此，根据本发明的沉积装置用微波沉积装置1为，通过所述出口孔41可提高向所述目标300的周边生成的磁场区域传输的微波的均匀性。所述第二轴方向(Y轴方向)可以是对所述第一轴方向(X轴方向)垂直的轴方向。
例如，如图9所示在腔室内部210设置有一个目标300的情况下，所述出口孔41可形成以所述第二轴方向(Y轴方向)为基准具有比所述目标面310的长度310L更长的长度41L。在所述目标300形成气缸类型的圆筒形状的情况下，所述出口孔41可形成以第二轴方向(Y轴方向)具有比所述目标面310的直径310L更长的长度41L。
例如，如图10所示在所述腔室内部210多个目标300以所述第二轴方向(Y轴方向)相互间隔设置的情况下，所述出口孔41可形成以所述第二轴方向(Y轴方向)为基准具有比所述目标310的长度310L及多个所述目标面310相互间隔的间隔长度相加的长度更长的长度41L。在这一情况下，所述目标面310可以是相当于所述目标300的宽度的面。
例如，如图11所示在所述腔室内部210以对图10配置的方向垂直的方向配置多个目标300的情况下，所述出口孔41可形成以所述第二轴方向(Y轴方向)为基准具有比在所述目标面310中最长的目标310的长度310L更长的长度41L。
所述传输部4设置为，在所述出口孔41中向所述腔室内部210的一端41a从所述目标面310隔离的距离D(图9示出)可在20mm以上。也可设置为在所述传输部4向所述腔室内部210的一端从所述目标面310隔离20mm以上。
参照图12及图13，根据本发明的沉积装置用微波传输装置1可包括反射部5(在图13示出)。
所述反射部5向所述腔室200侧反射从所述微波生成器10注入的微波。在这一情况下，所述微波生成器10结合于所述上导波管2，以使微波以注入方向(ID箭头方向，在图13示出)注入于所述导波管2。在配置有所述反射部5的情况下，所述注入方向(ID箭头方向，在图13示出)是对供应方向(SD箭头方向，在图13示出)垂直的方向，该供应方向是在所述传输部4向所述腔室200供应微波的方向。所述反射部5可由耐热性强的导体形成。
所述反射部5可向所述供应方向(SD箭头方向)反射从所述微波生成器10沿着所述注入方向(ID箭头方向)注入的微波。据此，根据本发明的沉积装置用微波传输装置1为，增大注入于所述导波管2的微波被供应到所述腔室200的量，进而能够提高对微波的传输效率。另外，根据本发明的沉积装置用微波传输装置1，利用所述反射部5能够提高通过所述出口孔41向在所述目标300周边生成的磁场区域传输的微波的均匀性。
上述可从以下图19的曲线图可以知道，该图19示出使所述注入方向(ID箭头方向)及所述供应方向(SD箭头方向)相互垂直地配置所述微波生成器10的状态下，在适用比较例及实施例的沉积装置中分别测量放电电压的结果。在这里，比较例的传输装置如下：在没有反射部5的状态下所述电介质31(在图3示出)以所述第一轴方向(X轴方向)相比于所述导波路21的宽度形成更大的宽度。实施例为适用如下的传输装置的沉积装置：在具有反射部5的同时所述电介质31(在图3示出)以所述第一轴方向(X轴方向)形成与所述导波路21相同宽度的传输装置的沉积装置。在以下图19所示的曲线图中竖轴是放电电压的大小，横轴是微波功率的大小。
从图19的曲线图中可以知道，比较例为在未传输微波时放电电压在250V以下的状态下，传输1kW的微波时放电电压大致减少至225V。即，比较例因为微波传输放电电压大致减少25V。与上述不同，实施例为在未传输微波时放电电压为250V的状态下，传输1kW的微波时放电电压大致被减少至200V。即，实施例为因为传输微波放电电压大致减少50V。若传输微波，则微波在磁场区域中引起电子回旋共振(ECR,Electron Cyclotron Resonance)反应，进而依次出现电子温度增加、离子化增加、等离子密度增加、放电电流增加即放电电压减少等，因此放电电压减少比例是判断微波传输效率的指标。即，意味着放电电压减少比例越大则微波传输效率越高。因此，实施例相比于比较例更加大幅度减少放电电压，从而可以知道相比于比较例实施例能够更加提高传输效率，另外，从表1中可以知道，比较例为可施加的微波的最大功率为1kW，与此不同实施例可施加的微波的最大功率为2kW。因此相比比较例实施例可施加更大功率的微波，因此更加增大放电电压你减少比例，进而能够更加提高微波传输效率。
据此，根据本发明的沉积装置用微波传输装置1，使所述电介质31的宽度与所述导波路21的宽度相同，同时适用所述反射部5，进而能够提高微波传输效率。另外，根据本发明的沉积装置用微波传输装置1为，可实现对所述腔室200的高功率传输，同时利用所述反射部5提高通过所述出口孔41向在所述目标300的周边生成的磁场区域传输的微波的均匀性，进而能够提高对等离子的稳定性及均匀性。
参照图12至图15，所述反射部5可包括第一反射部件51。
所述第一反射部件51结合于所述导波管2，以使所述第一反射部件51位于所述导波路21。所述第一反射部件51可向所述供应方向(SD箭头方向)侧反射从所述微波生成器10向所述注入方向(ID箭头方向)注入的微波。
所述第一反射部51可包括用于反射微波的第一反射面511。所述第一反射面511形成在所述第一反射部件51中向着所述微波生成器10的一侧。所述第一反射部件51可形成越向着所述供应方向(SD箭头方向)大小则变小形状。
例如，如图13所示第一反射部件51可形成使以所述注入方向(ID箭头方向)为基准的截面形成三角形形状。在这一情况下，所述第一反射面511以所述注入方向(ID箭头方向)可形成倾斜的倾斜面。
例如，如图14所示所述第一反射部件51可形成越向着所述注入方向(ID箭头方向)则越向所述供应方向(SD箭头方向)侧凸出。在这一情况下，所述导波路21根据所述第一反射面511可形成越向着所述注入方向(ID箭头方向)则大小变小。
虽未在图面示出，所述第一反射部件51也可形成以所述注入方向(ID箭头方向)为基准截面为半椭圆形状、半圆形状等其他形状。
参照图15，所述反射部5可包括所述第二反射部件52。
所述第二反射部件52连接于所述导波管2，以使所述第二反射部52以所述注入方向(ID箭头方向)位于从所述第一反射部件51隔离的位置。所述第二反射部件52可向所述供应方向侧反射从所述微波生成器10沿着所述注入方向(ID箭头方向)注入的微波。所述第二反射部件52可包括用于反射微波的第二反射面521。所述第二反射面521形成在所述第二反射部件52中向着所述第一反射部件51的一侧。所述第二反射部件52可形成越向着所述供应方向(SD箭头方向)大小却变小的形状。
所述第二反射面512可形成以所述供应方向(SD箭头方向)大小比所述第一反射面511更大。据此，所述第二反射面521可向所述供应方向(SD箭头方向)反射以所述注入方向(ID箭头方向)通过所述第一反射面511上侧的微波。因此根据本发明的沉积装置用微波传输装置1能够更加提高微波传输效率。
所述第二反射面521形成使所述第二反射部件52比所述第一反射部件51更向所述供应方向(SD箭头方向)凸出，进而可形成大小比所述第一反射面511大。所述第二反射部件52也可形成与所述第一反射部件51相同的形状。虽未示出，但是所述第二反射部件52也可形成与所述第一反射部件51不同的形状。
另外，所述反射部5可适用于如下所有的实施例：反射部5结合于所述导波管2，以使所述传达部3位于所述微波生成器10(在图13示出)及所述导波管2之间的实施例；及所述反射部5结合于所述导波管2，以使所述传达部3位于所述导波管2及所述传输部4之间。
参照图12及图16，为使所述传达部3位于所述微波生成器10(在图2示出)及所述导波管2之间而结合于所述导波管2的情况下，所述电介质31可形成使所述第一连接面311具有与所述导波管2的流入面22(图12示出)相同的面积。所述流入面22是在所述导波管2中流入所述微波的面。据此，所述第一连接面311可实现为，宽度311W(在图16示出)长度311L(在图16示出)都与所述导波管2的宽度及长度相同。
参照图17，所述微波生成器10可结合于所述导波管2，以使所述微波以注入方向(ID箭头方向)注入于导波管2，其中所述注入方向(ID箭头方向)垂直于所述供应方向(SD箭头方向)。在这一情况下，所述注入方向(ID箭头方向)是平行于所述目标300的目标面310的方向。所述目标面310是由所述目标300向着所述导波管2的面。即，所述微波生成器10可配置在平行于所述目标面310的方向的一侧。
在这一情况下，对于从所述微波生成器10沿着所述注入方向(ID箭头方向)注入的微波，应该改变成由所述导波管2向着垂直于所述注入方向(ID箭头方向)的供应方向(SD箭头方向)的移动方向。据此，以所述注入方向(ID箭头方向)为基准，传输于所述目标面的微波的量出现较大的偏差。以所述注入方向(ID箭头方向)为基准，所述目标面310中越接近所述微波生成器10的部分则传输越少量的微波。为了减少这种偏差。可配置有上述反射部5(图13示出)。
参照图18，所述微波生成器19也可结合于所述导波管2，以使微波以平行于所述供应方向(SD箭头方向)的注入方向(ID箭头方向)注入于所述导波管2。在这一情况下，所述注入方向(ID箭头方向)是垂直于所述目标300的目标面310的方向。即，所述微波生成器10可配置在垂直于所述目标面310的方向的一侧。
在这一情况下，对于从所述微波生成器10沿着所述注入方向(ID箭头方向)注入的微波，应该由所述导波管2沿着向平行于所述注入方向(ID箭头方向)的供应方向(SD箭头方向)移动。据此，以垂直于所述注入方向(ID箭头方向)为基准，则可减少传对输于所述目标面310的微波的量的偏差。因此，在所述微波生成器10配置在垂直于所述目标面310的方向的一侧的情况下，根据本发明的沉积装置有微波传输装置1具有没有所述反射部5(图13示出)也能够提高传输于所述目标面310的微波的量的均匀性的优点。
所述微波生成器10配置在垂直于所述目标面310的方向的一侧的情况下，所述出口孔41可形成以所述供应方向(SD箭头方向)大小变大。据此，根据本发明的沉积装置用微波传输装置1为，就算没有所述反射部5(图13示出)也能够更加提高传输于所述目标面310的微波的量的均匀性。在这一情况下，由所述出口孔41向着所述目标面310的一端为，以垂直于所述供应方向(SD箭头方向)的方向可形成比所述目标面310更长的长度。
在以上说明的本发明并不被上述实施例及附图限定，在不超出本发明的技术思想的范围内，能够进行各种替换、变形及变更，并且这对本发明所属技术领域具有通常知识的技术人员是显而易见的。
Claims (16)
1.一种沉积装置用微波传输装置，其特征在于，包括：
微波生成器，生成微波；
导波管，连接于所述微波生成器；
传达部，为了使微波通过而结合于所述导波管；及
传输部，为了使微波传输于沉积装置的腔室而结合于所述腔室，
所述导波管包括以第一轴方向具有第一宽度的导波路，
所述传达部包括：用于通过微波的电介质；及阻止微波进入的屏蔽部件，
所述电介质包括接触于所述导波路的第一连接面，并且所述第一连接面以所述第一轴方向形成所述第一宽度，以使所述第一连接面与所述导波路以所述第一轴方向为基准具有相同宽度。
2.根据权利要求1所述的沉积装置用微波传输装置，其特征在于，
所述屏蔽部件包括用于***述电介质的收容槽，并且所述屏蔽部件结合于所述导波管，以使收容于所述收容槽的电介质的第一连接面全面接触于所述导波路，
所述电介质可***于所述收容槽，以使所述电介质位于所述屏蔽部件内部。
3.根据权利要求2所述的沉积装置用微波传输装置，其特征在于，
所述传达部包括位于所述屏蔽部件及所述电介质之间的接合部件，
所述接合部件使***于所述收容槽的电介质结合于所述屏蔽部件。
4.根据权利要求1所述的沉积装置用微波传输装置，其特征在于，
所述电介质包括用于***所述屏蔽部件的***槽，
所述屏蔽部件***于所述***槽，以所述第一轴方向为基准使所述第一连接面与所述导波路具有相同宽度，进而可将所述电介质区划为所述第一连接面及位于所述第一连接面外侧的结合面。
5.根据权利要求4所述的沉积装置用微波传输装置，其特征在于，
所述电介质包括多个所述***槽，以分别***多个所述屏蔽部件，
多个所述屏蔽部件分别***于多个所述***槽，以使多个所述屏蔽部件以所述第一轴方向为基准间隔所述第一宽度。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的沉积装置用微波传输装置，其特征在于，
所述传输部包括用于通过微波的出口孔，以使微波传输到所述腔室，
所述出口孔为，向着所述腔室内部的一端形成以所述第一轴方向相比于所述第一宽度形成更窄的第二宽度。
7.根据权利要求1至5中任意一项所述的沉积装置用微波传输装置，其特征在于，
所述传输部包括用于通过微波的出口孔，以使微波传输到所述腔室，
所述出口孔形成以第二轴方向为基准具有比目标面的长度更长的长度，其中所述第二轴方向垂直于所述第一轴方向，所述目标面为在设置在所述腔室内部的目标的面中向着所述传输部的面。
8.根据权利要求1至5中任意一项所述的沉积装置用微波传输装置，其特征在于，
所述传输部包括用于通过微波的出口孔，以使微波传输到所述腔室，
所述出口孔形成以所述第二轴方向为基准具有比所述目标的长度及多个所述目标面相互间隔的间隔长度相加的长度更长的长度，其中所述第二轴方向垂直于所述第一轴方向，所述目标面为在设置在所述腔室内部的多个目标分别的面中向着所述传输部的面。
9.根据权利要求1至5中任意一项所述的沉积装置用微波传输装置，其特征在于，
所述传输部包括用于通过微波的出口孔，以使微波传输到所述腔室，
向着所述腔室内部的所述出口孔一端从目标面隔离20mm以上，其中所述目标面在位于所述腔室内部的目标的面中向着所述出口孔。
10.根据权利要求1至5中任意一项所述的沉积装置用微波传输装置，其特征在于，
所述传达部结合于所述导波管，以使所述传达部位于所述微波生成器及所述导波管之间，
所述导波管包括流入所述微波的流入面，
所述电介质形成使所述第一连接面具有与所述流入面相同的面积。
11.根据权利要求1至5中任意一项所述的沉积装置用微波传输装置，其特征在于，
包括结合于所述导波管以位于所述导波路的第一反射部件。
所述第一反射部件结合于所述导波管，以使微波以注入方向注入于所述导波管，其中所述注入方向垂直于微波由传输部供应到所述腔室的供应方向，
所述第一反射部件向所述供应方向侧反射从所述微波生成器沿着所述注入方向注入的微波。
12.根据权利要求11所述的沉积装置用微波传输装置，其特征在于，
包括结合于所述导波管以位于以所述注入方向从所述第一反射部件隔离的位置的第二反射部件，
所述第一反射部件包括用于反射微波的第一反射面，
所述第二反射部件包括用于反射微波的第二反射面，
所述第二反射面形成以所述供应方向大小比所述第一反射面大。
13.根据权利要求11所述的沉积装置用微波传输装置，其特征在于，
所述第一反射部件为，越向所述注入方向则就越向所述供应方向侧凸出。
14.根据权利要求1至5中任意一项所述的沉积装置用微波传输装置，其特征在于，
所述微波生成器结合于所述导波管，以使微波以注入方向注入于所述导波管，其中所述注入方向平行于微波由所述传输部供应到所述腔室的供应方向。
15.根据权利要求14所述的沉积装置用微波传输装置，其特征在于，
所述传输部包括用于通过微波的出口孔，以使微波传输到所述腔室。
所述出口孔形成为大小向所述供应方向增大。
16.一种沉积装置用微波传输装置，其特征在于，包括：
导波管，连接于微波生成器；
传达部，结合于所述导波管，以使微波通过；
传输部，为了使微波传输于沉积装置的腔室而结于所述腔室，
所述导波管包括以第一轴方向具有第一宽度的导波路，
所述传达部包括用于通过微波的电介质，
所述电介质以第一轴方向形成所述第一宽度，以使所述电介质以所述第一轴方向为基准具有与所述导波路相同的宽度。
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Citations (6)
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|---|---|---|---|---|
| JPS644303A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-09 | Ig Tech Res Inc | Extrusion forming device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS644303A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-09 | Ig Tech Res Inc | Extrusion forming device |
| US6388632B1 (en) * | 1999-03-30 | 2002-05-14 | Rohm Co., Ltd. | Slot antenna used for plasma surface processing apparatus |
| CN1501546A (zh) * | 2002-10-21 | 2004-06-02 | ��������ͨ���о�Ժ | 波导管结构化组件及其制造方法 |
| CN101099419A (zh) * | 2005-05-12 | 2008-01-02 | 株式会社岛津制作所 | 表面波激发等离子体处理装置 |
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