CN106332444A - 电路板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

一种电路板,该电路板包括一基材层、形成在该基材层的相背两表面的一第一导电线路层和一第二导电线路层、至少一个导电盲孔及至少一个加强垫;该第二铜箔层对应于该导电盲孔的部分形成有凹陷,至少一个该导电盲孔电连接该第一导电线路层及该第二导电线路层;至少一个该加强垫形成在该第二导电线路层的远离该基材层的表面上,从而凸出于该第二导电线路层,一个该加强垫形成在一个该导电盲孔的底部。本发明还涉及一种电路板的制作方法。

Description

电路板及其制作方法
技术领域
本发明涉及电路板技术领域,尤其涉及一种电路板及其制作方法。
背景技术
随着电子产品向轻薄化发展的趋势,底铜材料的选择也会越来越趋向轻薄化,而在轻薄底铜上加工盲孔是电路板制作过程中必不可少的。然而,目前的盲孔加工工艺中的表面处理会造成铜厚的削减,而各前制程中,多次涉及到表面处理,多次铜厚削减叠加,会出现盲孔孔破等风险,进而影响线路形成及各层线路的导通。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种能够降低孔破风险的电路板及其制作方法。
一种电路板,该电路板包括一基材层、形成在该基材层的相背两表面的一第一导电线路层和一第二导电线路层、至少一个导电盲孔及至少一个加强垫;该第二铜箔层对应于该导电盲孔的部分形成有凹陷,至少一个该导电盲孔电连接该第一导电线路层及该第二导电线路层;至少一个该加强垫形成在该第二导电线路层的远离该基材层的表面上,从而凸出于该第二导电线路层,一个该加强垫形成在一个该导电盲孔的底部。
一种电路板的制作方法,其步骤包括:提供一电路基板,该电路基板包括一基材层及形成在该基材层相背两表面的一第一铜箔层和一第二铜箔层;该第二铜箔层的远离该基材层的表面上预定位置形成至少一个加强垫,该加强垫凸出于该第二铜箔层;自该第一铜箔层向该加强垫形成至少一个导电盲孔,该第二铜箔层对应于该导电盲孔的部分形成有凹陷;将第一铜箔层及该第二铜箔层制作形成第一导电线路层和第二导电线路层,该导电盲孔电连接该第一导电线路层和该第二导电线路层。
本发明提供的电路板,在对应于导电盲孔的第二铜箔层上电镀形成了至少一个加强垫,增加了导电盲孔的底铜厚度,降低了导电盲孔在盲孔加工及后续制程中出现孔破的风险。
附图说明
图1是本发明提供的一电路基板的剖视图。
图2是在图1所述的电路基板的相背两侧面上形成干膜后的剖视图。
图3是图2所述的干膜形成第一开口后的剖视图。
图4是在图3所述的第一开口内选择性电镀,形成加强垫后的剖视图。
图5是在图4所述的干膜去除后的剖视图。
图6是将图5所述的铜箔层表面形成棕/黑化膜后的剖视图。
图7是将图6所述的电路基板上形成盲孔后的剖视图。
图8是在图7所述的棕/黑化膜去除后的剖视图。
图9是在图8所述的盲孔的壁上形成导电层后的剖视图。
图10是对图9所述的盲孔进行电镀,形成导电盲孔后的剖视图。
图11是对图10所述的铜箔层制作形成导电线路层后的剖视图。
图12是在图11所述的导电线路层上形成覆盖膜层厚的剖视图。
图13是在图12所述的覆盖膜层的空隙形成防焊层,进而形成电路板后的剖视图。
主要元件符号说明
电路板 100
电路基板 10
基材层 11
第一铜箔层 12
第二铜箔层 13
凹陷 131
第一干膜层 14
第二干膜层 15
第一开口 151
加强垫 152
棕化膜 16
导电盲孔 17
盲孔 171
导电层 172
电镀层 173
第一导电线路层 18
第二导电线路层 19
第一覆盖膜层 21
第二覆盖膜层 22
防焊层 23
电路板中间体 200
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面结合图1~图13及实施例对本案所提供的电路板及其制作方法作进一步说明。
一种电路板100的制作方法,其包括如下步骤:
第一步,请参阅图1,提供一电路基板10。
该电路基板10包括一绝缘的基材层11、一第一铜箔层12及一第二铜箔层13,该第一铜箔层12及该第二铜箔层13分别形成在该基材层11的相背的两侧。
其中,该基材层11的材质可以为聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate,PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate,PEN)等可挠性材料,也可以为树脂板、陶瓷板、金属板等硬性支撑材料。
第二步,请参阅图2~图5,在该电路基板10的该第二铜箔层13的远离该基材层的表面上的预定位置形成至少一个加强垫152,进而形成电路板中间体200。
首先,请参阅图2,分别在该第一铜箔层12及该第二铜箔层13的远离该基材层11的表面上形成一第一干膜层14及一第二干膜层15。其中,该第一干膜层14及该第二干膜层15可以通过压膜装置压合在该第一铜箔层12及该第二铜箔层13的两侧。其次,请参阅图3,通过曝光制程,该第一干膜层14及该第二干膜层15有选择性地硬化,之后通过显影制程,溶解掉该非硬化区的干膜,形成至少一个第一开口151。定义该第一开口151的宽度为D1,在本实施例中,D1约为100-150um。
再次,请参阅图4,通过选择性电镀的方法在至少一个该第一开口151内形成至少一个该加强垫152。该加强垫152的形状可以为圆形也可以为方形或是其他形状。
之后,请参阅图5,通过去膜装置,去除硬化后的干膜,使至少一个该加强垫152凸出于该第二铜箔层13,形成该电路板中间体200。
该电路板中间体200包括该基材层11、该第一铜箔层12、该第二铜箔层13及至少一个形成在该第二铜箔层13上的该加强垫152。
其中,该加强垫152的宽度与该第一开口151的宽度相等,定义该加强垫152的厚度为D2,D2的厚度不大于该第二铜箔层的厚度的二分之一。该加强垫152的形成位置即对应后续形成的导电盲孔17的位置。
第三步,请参阅图6~图10,在第二步形成的该电路板中间体200上形成至少一个导电盲孔17。其中,该加强垫152设置在该导电盲孔17的底部,该加强垫的大小不小于该导电盲孔17的底部的大小。
具体地,在第二步形成的该电路板中间体200上形成至少一个盲孔171,至少一个该盲孔171可以通过机械钻孔或是激光钻孔的方式形成。在本实施例中,至少一个该盲孔171是通过激光钻孔形成的。在本实施例中,制作至少一个该导电盲孔17的步骤如下:
首先,请参阅图6,通过棕化工艺在该第一铜箔层12、该第二铜箔层13及该加强垫152的表面形成一层棕化膜16。该棕化膜16用于减少激光烧蚀能量的损失。
在其他实施例中,也可以通过黑化工艺在该第一铜箔层12、该第二铜箔层13及该加强垫152的表面形成一层黑化膜。
其中,在进行棕/黑化前,还需要对第二步形成的电路板中间体200进行表面处理。
其次,请参阅图7,自在该第一铜箔层12的表面向该第二铜箔层13通过激光烧蚀形成至少一个盲孔171,该盲孔171贯通该第一铜箔层12及该基材层11,该盲孔171与该加强垫152的位置相对。定义与该盲孔171相对应的部分该第二铜箔层13(即该盲孔171底部的第二铜箔层13)为该盲孔171的底铜,该加强垫152使得该盲孔171的底铜厚度增加。本实施例中,如图7所示,带有该盲孔171的该电路板中间体200在激光烧蚀形成盲孔171时,还部分烧蚀该第二铜箔层13,且在进行表面处理时,也会蚀刻部分该第二铜箔层13,使得该第二铜箔层13的表面形成多个凹陷131,该凹陷131会对该盲孔171的底铜的厚度有所削减,在后续流程中容易发生孔破,但是,在本发明中,由于该盲孔171的底铜厚度增加,使得该盲孔171的底铜在激光烧蚀及表面处理后,在后续流程中也不容易出现孔破。
再次,请参阅图8,微蚀去除该棕化膜16。
之后,请参阅图9,对该盲孔171进行孔金属化处理,在每个该盲孔171的孔壁形成一导通该第一铜箔层12及该第二铜箔层13的导电层172。
其中,可以通过黑影或是化铜等制程实现该盲孔171的金属化。
在对该盲孔171进行孔金属化处理前,还需要经过刷磨、高压、超声波水洗等表面前处理及等离子体(plasma)除胶、微蚀、活化等制程以对上述形成的带有该盲孔171的电路板中间体200的表面及该盲孔171的内壁进行磨平、清洁、除胶等。上述这些流程也会对该盲孔171的底铜的铜厚有所削减,但是,在本发明中,由于该盲孔171的底铜厚度增加,进而使得该盲孔171在上述流程中不容易出现孔破。
最后,请参阅图10,通过选择性电镀在该盲孔171的该导电层172上形成一电镀层173,进而形成导电盲孔17。
第四步,请参阅图11,将该第一铜箔层12和该第二铜箔层13分别制作形成第一导电线路层18及第二导电线路层19。
其中,该第一导电线路层18及该第二导电线路层19可以通过影像转移工艺及蚀刻工艺形成。
第五步,请参阅图12,在该第一导电线路层18的表面形成一第一覆盖膜层21,在该第二导电线路层19的表面形成一第二覆盖膜层22。
其中,该第一覆盖膜层21包括至少一第二开口211,部分该第一导电线路层18从该第二开口211中裸露出来。
在形成该第一覆盖膜层21及该第二覆盖膜层22之前,还需要对第四步形成的电路板进行电路板表面前处理,在此过程中,该导电盲孔17的底铜的铜厚也会有所削减,但是,在本发明中,由于在对应于该导电盲孔17的底铜的位置增加了该加强垫152,进而使该导电盲孔17的底铜变厚,在上述流程中不容易出现孔破。
第六步,请参阅图13,在该第二开口211内形成一防焊层23,进而形成该电路板100。
在本实施例中,该电路板100为双层板,在其他实施例中,该电路板100并不局限于双层板,还可以是多层板。
具体地,请参阅图13,该电路板100包括一基材层11、形成在该基材层11的相背两表面的一第一导电线路层18和一第二导电线路层19、形成在该第一导电线路层18的远离该基材层11的表面上的一第一覆盖膜层21和一防焊层23及形成在该第二导电线路层19和该加强垫152的远离该基材层11的表面上的一第二覆盖膜层22。
该电路板100上形成有至少一个导电盲孔17,该导电盲孔17电连接该第一导电线路层18及该第二导电线路层19。该第二铜箔层13对应于该导电盲孔17的部分形成有多个凹陷131,该凹陷131使得该导电盲孔17底铜有消减。至少一个该加强垫152形成在该第二导电线路层19的远离该基材层11的表面上,每个该加强垫152与每个该导电盲孔17的位置相对。定义该加强垫152的厚度为D2,D2的厚度不大于该第二铜箔层的厚度的二分之一。该第一覆盖膜层21上形成有至少一个第二开口,该防焊层23有选择性地分布在该第一覆盖膜层21的第二开口211内。
本发明提供的电路板100及其制作方法,在对应于至少一个导电盲孔17的第二铜箔层13的位置形成至少一个具有一定厚度的加强垫152,以增加与该加强垫152对应的该导电盲孔17的底铜厚度,在经各制程及各前处理制程后可避免该导电盲孔17的底部出现孔破,以满足导电盲孔和线路设计需求。
可以理解的是,以上实施例仅用来说明本发明,并非用作对本发明的限定。对于本领域的普通技术人员来说,根据本发明的技术构思做出的其它各种相应的改变与变形,都落在本发明权利要求的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种电路板的制作方法,其步骤包括:
提供一电路基板,该电路基板包括一基材层及形成在该基材层相背两表面的一第一铜箔层和一第二铜箔层;
该第二铜箔层的远离该基材层的表面上预定位置形成至少一个加强垫,该加强垫凸出于该第二铜箔层;
自该第一铜箔层向该加强垫形成至少一个导电盲孔,该第二铜箔层对应于该导电盲孔的部分形成有凹陷;
将第一铜箔层及该第二铜箔层制作形成第一导电线路层和第二导电线路层,该导电盲孔电连接该第一导电线路层和该第二导电线路层。
2.如权利要求1所述的电路板的制作方法,其特征在于,该加强垫的大小不小于该导电盲孔的孔底的大小。
3.如权利要求1所述的电路板的制作方法,其特征在于该加强垫的厚度不大于该第二铜箔层的厚度的二分之一。
4.一种电路板,该电路板包括一基材层、形成在该基材层的相背两表面的一第一导电线路层和一第二导电线路层、至少一个导电盲孔及至少一个加强垫;该第二铜箔层对应于该导电盲孔的部分形成有凹陷,至少一个该导电盲孔电连接该第一导电线路层及该第二导电线路层;至少一个该加强垫形成在该第二导电线路层的远离该基材层的表面上,从而凸出于该第二导电线路层,一个该加强垫形成在一个该导电盲孔的底部。
5.如权利要求4所述的电路板,其特征在于,该加强垫的大小不小于该导电盲孔的孔底的大小。
6.如权利要求4所述的电路板,其特征在于,该加强垫的厚度不大于该第二铜箔层的厚度的二分之一。
7.如权利要求4所述的电路板,其特征在于,该电路板还包括一第一覆盖膜层及一第二覆盖膜层,该第一覆盖膜层形成在该第一导电线路层的远离该基材层的表面上,该第二覆盖膜层形成在该第二导电线路层和该加强垫的远离该基材层的表面上。
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Applicant after: Fuku Precision Components (Shenzhen) Co., Ltd.

Applicant after: Hongqisheng Precision Electronic (Qinhuangdao) Co., Ltd.

Applicant after: Peng Ding Polytron Technologies Inc

Address before: 518105 Guangdong city of Shenzhen province Baoan District Songgang street Chuanyan Luo Lu Yan

Applicant before: Fuku Precision Components (Shenzhen) Co., Ltd.

Applicant before: Hongqisheng Precision Electronic (Qinhuangdao) Co., Ltd.

Applicant before: Zhending Technology Co., Ltd.

CB02 Change of applicant information

Address after: Guangdong city of Shenzhen province Baoan District Songgang street Chuanyan Luo Lu Yan

Applicant after: Peng Ding Holdings (Shenzhen) Limited by Share Ltd

Applicant after: Hongqisheng Precision Electronic (Qinhuangdao) Co., Ltd.

Applicant after: Peng Ding Polytron Technologies Inc

Address before: 518000 Guangdong city of Shenzhen province Baoan District Songgang streets Yan Chuanyan Luzhen Luo Ding Technology Park plant A1 building to building A3

Applicant before: Fuku Precision Components (Shenzhen) Co., Ltd.

Applicant before: Hongqisheng Precision Electronic (Qinhuangdao) Co., Ltd.

Applicant before: Peng Ding Polytron Technologies Inc

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant