CN106319443A - 真空镀膜基片清洗方法 - Google Patents
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Abstract
真空镀膜基片清洗方法,将基片固定在夹具上，往超声波机中加入洗涤剂溶液，加热到60℃左右，将基体放入超声波机里清洗10分钟后，用高压氮气将基体吹干，最后放到烘干器中烘10分钟，待基体完全干燥后装进真空室工架上，关闭真空室，开启真空***抽气，当真空室本底真空度低于0.001帕斯卡时，通入氩气，使真空度维持在0.1帕斯卡至0.9帕斯卡，开启离子溅射电源，对工架上的基片进行溅射清洗。通过离子溅射，可以将超声清洗不完全的附着在基片表面的污渍，残余气体等去除，并且可以活化基片表面，提高薄膜与具体的结合力。
Description
技术领域
本发明涉及真空镀膜领域，特别是涉及镀膜前基片的清洗方法。
背景技术
真空镀膜技术是近几十年发展起来的一种重要的表面强化技术，在薄膜太阳能电池芯片制造、建筑用低辐射玻璃、阳光控制膜玻璃，以及在机械加工领域的涂层工模具上被广泛使用。真空镀膜技术具有用料少，强化效果好的优点，以硬质合金表面镀制TiAlN薄膜为例，没有镀制TiAlN薄膜前，其硬度仅1500HV左右，抗氧化温度低于600℃，而镀TiAlN薄膜后的硬质合金硬度达2500HV以上，抗氧化温度高达800℃。
但是影响真空镀膜效果的一个重要因素是薄膜与基片之间的结合力，结合力不好会导致使用过程中，薄膜从基片的表面脱落，因而失去强化效果。特别是镀膜工模具在高速高温条件下使用时，如果薄膜从基片表面脱落，由于超过没有镀膜工模具的使用条件，会导致工模具的毁坏。影响薄膜与基片结合力的因素有很多，主要有真空镀膜时的工艺参数是否恰当，比如溅射电压、溅射电流等，但是基片表面的净洁度却常常被忽视。实践证明，基片表面的净洁度在真空镀膜过程中是影响薄膜与基片结合力强弱的一个重要因素。
目前清洗基片的方法是将基片放入超声波机器中进行超声清洗，效果有限。本发明在超声清洗的基础上，结合真空镀膜的特点，在不增加设备的情况下，进一步提供一种更加洁净的基片清洗方法。
发明内容
真空镀膜基片清洗方法,首先将基片固定在夹具上，往超声波机中加入洗涤剂溶液，加热到60℃左右，将基体放入超声波机里清洗10分钟后，用高压氮气将基体吹干，最后放到烘干器中烘10分钟，待基体完全干燥后装进真空室工架上，关闭真空室，开启真空***抽气，当真空室本底真空度低于0.001帕斯卡时，通入氩气，使真空度维持在0.1帕斯卡至0.9帕斯卡，开启离子溅射电源，对工架上的基片进行溅射，根据基片的种类，调整溅射时间。
优选地，所述离子溅射包括一体化的负偏压辉光放电溅射，也包括单独的离子源溅射。
优选地，溅射时间在10分钟至30分钟之间。
通过离子溅射，可以将超声清洗不完全的附着在基片表面的污渍，残余气体等去除，并且可以活化基片表面，提高薄膜与具体的结合力。
具体实施方式
将硬质合金基片固定在夹具上，往超声波机中加入洗涤剂溶液，加热到60℃左右，将基体放入超声波机里清洗10分钟后，用高压氮气将基体吹干，最后放到烘干器中烘10分钟，待基体完全干燥后装进真空室工架上，关闭真空室，开启真空***抽气，当真空室本底真空度低于0.001帕斯卡时，通入氩气，使真空度维持在0.3帕斯卡，开启偏压电源，对工架上的基片进行溅射，溅射时间30分钟。
Claims (3)
1.真空镀膜基片清洗方法,将基片固定在夹具上，往超声波机中加入洗涤剂溶液，加热到60℃左右，将基体放入超声波机里清洗10分钟后，用高压氮气将基体吹干，最后放到烘干器中烘10分钟，待基体完全干燥后装进真空室工架上，其特征在于，还包括离子溅射清洗，当真空室本底真空度低于0.001帕斯卡时，通入氩气，使真空度维持在0.1帕斯卡至0.9帕斯卡，开启离子溅射电源，对工架上的基片进行溅射清洗。
2.根据权利要求1所述的真空镀膜基片清洗方法，其特征在于，所述离子溅射包括一体化的负偏压辉光放电溅射，也包括单独的离子源溅射。
3.根据权利要求1所述的真空镀膜基片清洗方法，其特征在于，所述溅射清洗的时间在10分钟至30分钟之间。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110678056A (zh) * | 2019-09-27 | 2020-01-10 | 深圳市西陆光电技术有限公司 | 新型电子屏蔽膜及方法 |
| CN114086143A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-02-25 | 湘潭宏大真空技术股份有限公司 | 基材镀膜工艺 |
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2015
- 2015-06-25 CN CN201510355273.2A patent/CN106319443A/zh active Pending
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Application publication date: 20170111 |