CN106304689A - 压延铜箔、覆铜层叠板、以及柔性印刷基板和电子设备 - Google Patents

Abstract

提供蚀刻性和弯曲性均优异的压延铜箔、覆铜层叠板、以及柔性印刷基板和电子设备。[解决手段]压延铜箔，其以质量率计包含99.9%以上的铜，在350℃×1秒、350℃×20分钟或200℃×30分钟之中的任一条件下进行热处理后，表面与｛102｝存在10度以内的角度差的晶粒的比例为1%以上且50%以下。

Description

压延铜箔、覆铜层叠板、以及柔性印刷基板和电子设备

技术领域

本发明涉及适合用于FPC（柔性印刷基板）等的压延铜箔、覆铜层叠板、以及柔性印刷基板和电子设备。

背景技术

作为向电子设备的可动部、存在空间制约的部分进行布线的方法，可以使用FPC（柔性印刷基板）。作为FPC，可以使用将铜箔和树脂层进行层叠而成的覆铜层叠板。

FPC在设备内折弯后使用，但随着设备的小型化，FPC的折弯半径变小，要求提高FPC的折弯性。另外，考虑到今后的可穿戴终端的普及，对FPC还要求疲劳特性的提高。进而，随着FPC布线的微细化，还要求在形成电路时的铜箔的蚀刻性。

然而，FPC通常在铜箔进行了重结晶的状态下使用。对铜箔进行压延加工时，晶体旋转而形成压延集合组织。并且，将压延铜箔压延后进行退火或者加工至最终制品为止的工序、换言之至成为FPC为止的工序中施加热时，会发生重结晶。以下将成为该压延铜箔后的重结晶组织简称为“重结晶组织”，将施加热之前的压延组织简称为“压延组织”。需要说明的是，重结晶组织明显受到压延组织的影响，通过控制压延组织，也能够控制重结晶组织。

由此，提出了如下技术：作为压延铜箔的重结晶组织而使Cube取向即（200）面（{100}）发展，提高弯曲性的技术（例如，专利文献1）。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平11-286760号公报。

发明内容

发明要解决的问题

然而，铜箔的Cube取向过度发展时，存在蚀刻性降低这一问题。考虑这是因为：即使Cube集合组织发展也不会成为单晶，而处于在Cube取向的大晶粒中存在其它取向的小晶粒的混合晶粒状态，蚀刻速度因各取向的晶粒而发生变化。尤其是，电路的L/S宽度变得越短（微间距），则越会出现蚀刻性的问题。另外，Cube取向过度发展时，有时铜箔变得过于柔软、操作性差。

因而，期望的是，不使Cube取向发展地提高弯曲性的技术。需要说明的是，Cube取向是纯铜系的重结晶集合取向。

因此，本发明的目的在于，提供蚀刻性与弯曲性均优异的压延铜箔、覆铜层叠板、以及柔性印刷基板和电子设备。

用于解决问题的手段

本发明人等着眼于压延铜箔的｛102｝来作为不使Cube取向发展地提高弯曲性的方法。使｛102｝在板面上发展时，能够确保与Cube取向未发展的现有电解铜箔同等的蚀刻性，并且还能够提高弯曲性和折弯性。作为｛102｝会使弯曲性和折弯性提高的理由，可以认为虽未达到Cube取向的程度，但其是杨氏模量低的取向。需要说明的是，｛100｝是指（100）面或（100）取向。

即，本发明的压延铜箔以质量率计包含99.9%以上的铜，在350℃×1秒、350℃×20分钟或200℃×30分钟之中的任一条件下进行热处理后，表面与｛102｝存在10度以内的角度差的晶粒的比例为1%以上且50%以下。

本发明的压延铜箔优选的是，以合计10~300质量ppm含有选自Ag、Sn、Zn、Ni、Ti和Zr中的1种或2种以上，余量由Cu和不可避免的杂质组成。

本发明的覆铜层叠板是将前述压延铜箔层叠在树脂层的双面或单面而成的，在至少一者的前述压延铜箔中，表面与｛102｝存在10度以内的角度差的晶粒的比例为1%以上且50%以下。

本发明的柔性印刷基板是使用前述覆铜层叠板并在前述压延铜箔上形成电路而成的。

本发明的电子设备是使用前述柔性印刷基板而成的。

发明效果

根据本发明，能够得到蚀刻性和弯曲性均优异的压延铜箔。

附图说明

图1是180°密合弯曲的试验方法的示意图。

图2是弯曲试验方法的示意图。

具体实施方式

以下，针对本发明的实施方式所述的压延铜箔进行说明。需要说明的是，本发明中，%在没有特别限定的条件下是表示质量%。本发明的实施方式所述的压延铜箔对于将其与树脂层叠而制成覆铜层叠板后利用蚀刻去除电路部分以外来制成FPC的用途是有用的。

<组成>

压延铜箔以质量率计包含99.9%以上的铜。作为这种的组成，可列举出JIS-H3510（C1011）或JIS- H3100 (C1020)中规定的无氧铜、JIS-H3100（C1100）中规定的韧铜、或者JIS- H3100 (C1201和C1220）中规定的磷脱氧铜。需要说明的是，铜中包含的含氧量的上限没有特别限定，一般来说为500质量ppm以下、进而通常为320质量ppm以下。

进而，可以合计含有10~300质量ppm的选自Ag、Sn、Zn、Ni、Ti和Zr中的1种或2种以上元素。为了使｛102｝发展，需要在压延铜箔的中间退火（最终冷轧前的退火）中使｛112｝发展，添加这些元素时，用于通过中间退火而使｛112｝发展的条件范围变宽、能够更确实地使｛102｝发展，并且容易制造。上述元素的合计量不足10质量ppm时，利用中间退火使｛112｝发展的效果少，超过300质量ppm时，有时导电率降低且重结晶温度上升，难以在最终压延后的退火中抑制铜箔的表面氧化且使其重结晶。

<厚度>

铜箔的厚度优选为4~100μm、进一步优选为5~70μm。厚度不足4μm时，有时铜箔的操作性差，厚度超过100μm时，有时铜箔的弯曲性差。

<铜箔表面的｛102｝>

以350℃×1秒、350℃×20分钟或200℃×30分钟之中的任一条件进行热处理后，压延铜箔的表面与｛102｝存在10度以内的角度差的晶粒的比例为1%以上且50%以下。需要说明的是，压延铜箔的“表面”是指以电解研磨对最外表面进行0.5~2μm研磨后的表面。

此处，蚀刻（尤其是软蚀刻）受到铜箔表面的晶粒的面取向所影响。另外，弯曲性和折弯性也是对铜箔表面施加最大的应变而产生的。由此，规定铜箔表面（压延面）的｛102｝的发展程度。但是，铜箔表面存在氧化层、防锈层等而需要将它们去除时，将去除后的表面视作铜箔表面。通常可以认为将铜箔表面的厚度去除1μm以下时，能够测定面取向，取向在去除前后没有差异。

另外，能够将与｛102｝存在10度以内的角度差的晶粒视作｛102｝附近的面取向，因此这样地规定。与｛102｝的角度差超过10度时，与｛102｝的差变大。

另外，压延铜箔通常以“压延组织”的状态出货、制造覆铜层叠板时，在与树脂层进行贴合时发生重结晶而形成重结晶集合组织。因此，为了评价覆铜层叠板的弯曲性、折弯性、蚀刻性，需要将压延铜箔的“重结晶组织”作为对象。另一方面，重结晶组织不仅取决于压延组织，还会因重结晶时的温度条件而大幅变化。

因而，在覆铜层叠板的代表性制法中，将压延铜箔所受到的热历程在350℃×1秒、350℃×20分钟或200℃×30分钟中的任一条件下模拟性地重现，表示在覆铜层叠板中重结晶而成的铜箔的状态。

因此，热处理自身是在3个条件之中的仅任一个条件下进行的，不是进行350℃×1秒的热处理后针对相同试样第2次进行350℃×20分钟的热处理。其中，例如进行350℃×1秒的热处理时以及进行350℃×20分钟的热处理时，上述晶粒的比例均达到1%以上且50%以下。

并且，铜箔表面的面取向的与｛102｝处于10度以内的角度差的晶粒比例为1%以上时，｛102｝会发展、覆铜层叠板的弯曲性和折弯性提高。另一方面，在工业上难以使上述晶粒的比例多于50%。

铜箔表面的面取向利用EBSD（电子背向散射衍射：electron backscatter diffraction）来测定。EBSD可以以nm数量级的分辨能力来测定试样表面附近的晶体取向，能够由测定数据来算出局部晶体取向的变化（局部取向差）。并且，由这些数据算出与｛102｝存在10度以内的角度差的晶粒的比例。

需要说明的是，关于EBSD，增加测定面积时，测定间隔变宽而成为粗略的数据，因而不优选。另外，｛100｝在压延面上发展时，粒径会增大至100μm左右，但即使在该情况下，也将测定面积设为4mm²，使得测定区域内存在充分数量的晶粒。另外，测定点的间隔设为1μm以下。此时，难以通过一次测定来测定4mm²的所有面积，因此对随机抽取的部位进行多次测定而使测定面积的总计达到4mm²即可。

本发明的压延铜箔通常可以在热轧和面削后重复进行多次（通常为2次左右）冷轧和退火，接着进行最终重结晶退火后，进行最终冷轧而制造成期望的箔厚。进而，对该铜箔进行脱脂后，为了确保其与树脂层的密合性，可以对单面(与树脂层层叠的面)进行粗化处理，进而进行防锈处理而用于覆铜层叠板。

“最终重结晶退火”是指最终冷轧前的退火之中的最后的退火。

此处，为了使铜箔表面的｛102｝如上述那样地发展，调整退火条件，以使表示“最终重结晶退火”后且最终冷轧前的板面为{100｝的晶体发展程度的X射线衍射的积分衍射强度比（I（200）/I₀（200））处于2~10的范围。强度（I/I₀）是利用压延面的X射线衍射求出的积分衍射强度的强度（I（200））与利用微粉铜的X射线衍射求出的（200）面的积分衍射强度（I₀（200））之比，表示cube(立方体集合)组织的发展程度。

上述（I（200）/I₀（200））不足2时，在最终冷轧后最终得到的铜箔中｛200｝会发生集合，因此铜箔表面的｛102｝不会发展。这是因为，最终重结晶退火阶段的（I/I₀）小时，其后进行最终冷轧时的（I（200）/I₀（200））变大、｛100｝的比例增加、｛102｝不会发展。

另一方面，上述（I（200）/I₀（200））超过10时，铜箔表面随机地成为接近的取向、｛102｝不会发展。这是因为，最终冷轧前的（I（200）/I₀（200））超过10时，其后进行最终冷轧时随机地成为接近的取向、｛102｝不会发展。

作为将最终重结晶退火后且最终冷轧前的（I（200）/I₀（200））管理至2~10的方法，可以以600℃以上的温度进行最终重结晶退火且在该升温过程中将200~500℃的通过时间控制为5~60秒。通过时间不足5秒时，（I（200）/I₀（200））不足2，通过时间超过60秒时，（I（200）/I₀（200））超过10。需要说明的是，暂时升温而进行了“最终重结晶退火”后的冷却过程不会影响｛102｝的生成。

另外，为了使铜箔表面的｛102｝取向进行发展，将最终冷轧的加工度η管理至2.8~3.7。η不足2.8时，铜箔表面随机地成为接近的取向、｛102｝不会发展。η超过3.7时，｛100｝发生集合、铜箔表面的｛102｝不会发展。

需要说明的是，用η=ln（A/B）表示，A、B分别为冷轧前、最终冷轧后的截面积。

本发明的覆铜层叠板是在树脂层的双面或单面层叠具有上述特性的压延铜箔而成的。树脂层只要具有可适用于印刷电路板等的特性就没有特别限定，例如在刚性PWB用途中可以使用纸基材酚醛树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布・纸复合基材环氧树脂、玻璃布・玻璃无纺布复合基材环氧树脂、以及玻璃布基材环氧树脂等。另外，在FPC用途中可以使用聚酯膜、聚酰亚胺膜、液晶聚合物（LCP）膜、特氟隆（注册商标）膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜等。

树脂层自身可以是多层。

另外，将聚对苯二甲酸乙二醇酯等耐热性低的树脂层与铜箔进行贴合时，根据贴合时的热压接条件，“压延组织”状态的铜箔有可能不会成为上述“重结晶组织”。此时，预先对铜箔进行上述350℃×1秒、350℃×20分钟或200℃×30分钟中的任一热处理而使其重结晶，将与｛102｝存在10度以内的角度差的晶粒的比例调整至10%以上后，与树脂层贴合而制成覆铜层叠板即可。

进而，根据FPC的构成，有时仅对覆铜层叠板的单面的铜箔进行严酷的折弯、弯曲。用于这种用途时，可以在覆铜层叠板的树脂层的两面层叠铜箔，并在其中要施加严酷的折弯条件的一面铜箔侧使用本发明的铜箔，在另一面层叠其它铜箔（例如廉价的电解铜箔）。

关于压延铜箔与树脂的层叠方法，在刚性PWB用途的情况下可列举出如下方法：准备使树脂含浸于玻璃布等基材并使树脂固化至半固化状态为止的预浸料，将铜箔重叠于预浸料并使其加热加压的方法。在FPC的情况下，可以借助粘接剂在聚酰亚胺膜等树脂层上粘接铜箔，或者不使用粘接剂地在高温高压下层叠粘接铜箔来制造覆铜层叠板。在FPC的情况下或者将聚酰亚胺前体涂布于压延铜箔后进行干燥和固化等，从而可以制造覆铜层叠板。

树脂（层）的厚度没有特别限定，通常使用9~50μm左右厚度者。另外，有时也使用树脂厚度为50μm以上的较厚者。树脂的厚度上限没有特别限定，例如为150μm。

本发明的覆铜层叠板可用于各种柔性印刷基板（印刷电路板（PWB））。作为印刷电路板，没有特别限定，例如从导体图案的层数的观点出发，可适用于单面PWB、双面PWB、多层PWB（3层以上）；从绝缘基板材料的种类的观点出发，可适用于刚性PWB、柔性PWB（FPC）、刚性・柔性PWB。

实施例

<压延铜箔的制造>

以添加有表1所示组成的元素的韧铜或无氧铜作为原料，铸造厚度为100mm的铸锭，以800℃以上进行热轧直至厚度为10mm，对表面的氧化皮进行面削。其后，重复进行冷轧和退火，得到厚度为0.5mm的压延板线圈。在其后的冷轧之后，利用表1的条件进行最终重结晶退火。最后以表1的加工度通过最终冷轧精加工成规定厚度（实施例9、6、13的厚度为9μm、实施例7的厚度为18μm、其它实施例和比较例1~4的厚度为12μm）。

需要说明的是，表1组成的栏中的“OFC+30ppmAg”是指向JIS- H3100 (C1020)的无氧铜OFC中添加了30质量ppm的Ag。另外，“TPC+200ppmAg”是指向JIS-H3100（C1100）的韧铜（TPC）中添加了200质量ppm的Ag。其它添加量的情况也是同样的。

<X射线的积分衍射强度强度比（I（200）/I₀（200））>

针对最终重结晶退火后且最终冷轧前的铜箔的表面，测定{100}面的X射线衍射强度。并且，利用相同条件进行X射线衍射，使用由此得到的纯铜粉末的值（I₀（200）：X射线反射平均强度）进行标准化。

X射线衍射的测定条件如下：入射X射线源：Cu、加速电压：25kV、管电流：20mA、发散狭缝：1度、散射狭缝：1度、受光狭缝：0.3mm、发散纵向限制狭缝：10mm，单色受光狭缝设为0.8mm。纯铜粉末使用了微粉铜（325mesh）。

<晶体取向>

对最终冷轧后的铜箔进一步进行表1所示的各热处理后，对表面进行轻微电解研磨，进行表面的EBSD测定。测定面积如上那样地设为合计4mm²。使用EBSD装置中附属的分析软件（TSL SOLUTIONS LTD的OIM Analysis），算出表面的面取向与｛102｝存在10度以内的角度差的晶粒的比例。

需要说明的是，关于350℃×1秒钟的热处理，即使单纯将铜箔在350℃的炉内放入1秒钟，时间短而不视作进行了350℃×1秒钟的热处理。因而，在加热至350℃的2片不锈钢板（SUS410/厚度5mm Ra 0.1, Rz 0.6）之间将铜箔夹持1秒钟，作为350℃×1秒钟的热处理。

另外，350℃×20分钟、200℃×30分钟的各热处理分别是将铜箔在350℃、200℃的炉内放置规定时间来进行的。

<覆铜层叠板的制造>

相对于表1的各实施例和比较例的压延铜箔，利用表2所示的层叠方法将其与树脂层进行层叠，从而制造了覆铜层叠板。需要说明的是，关于表1的压延铜箔，使用了进行表1的热处理之前的铜箔。

关于树脂层的厚度，实施例3设为50μm；实施例8、12、19设为35μm；其它实施例和比较例1~4设为25μm。各树脂层之中，聚酰亚胺和环氧为热固化性、液晶聚合物为热塑。另外，“聚酰亚胺/环氧”表示将聚酰亚胺层与环氧层层叠而成的多层树脂层，如后述层叠方法“C”所示那样，环氧层侧作为粘接层而与铜箔进行粘接。

在表2中，铜箔的层叠为“双面”时，表示在树脂层的双面分别层叠有铜箔。

另外，在表2中，层叠方法“A”是指：将市售的具备热塑性的聚酰亚胺膜或液晶聚合物膜与铜箔重叠而成的层叠体放置在加热至350℃的2片不锈钢板（SUS410）之间，进行压制并保持1秒钟的热压法。需要说明的是，“具备”热塑性的聚酰亚胺膜是指：通常的聚酰亚胺膜为热固化性，即使施加热也不会粘接，因此在聚酰亚胺膜的基材表面预先附加2μm左右的具备热塑性的聚酰亚胺而成的聚酰亚胺膜。

层叠方法“B”是将市售的聚酰亚胺前体清漆涂布在铜箔上并使其干燥和固化。干燥温度为200℃×3分钟、固化为350℃×30分钟。

层叠方法“C”是向市售的聚酰亚胺膜上涂布市售的环氧粘接剂后，进行干燥而使环氧粘接剂中的溶剂蒸发，进而贴合铜箔后，使粘接剂发生固化（cure）。干燥温度为200℃×3分钟、固化为200℃×30分钟。

针对所得覆铜层叠板，进行以下的评价。

<晶体取向>

与上述压延铜箔的情况同样地，针对覆铜层叠板的铜箔面，测定表面的面取向与｛102｝存在10度以内的角度差的晶粒的比例。在覆铜层叠板的双面层叠有铜箔时，任意对任一铜箔面进行测定。

<折弯性>

关于以下的折弯性和弯曲性，利用折弯性来评价至试验片断裂为止的周期数少的试样，利用弯曲性来评价周期数多的试样。

重复进行覆铜层叠板的180°密合弯曲，测定了至铜箔断裂为止的次数。有无断裂利用CCD照相机来观察各次弯曲后的铜箔表面（弯曲外表面）。将即使弯曲3次也不会断裂的试样记作○、将断裂的试样记作×。

180°密合弯曲如图1所示那样进行。首先，以铜箔的压延方向成为长度方向的方式将试验片切成12.7mm×100mm的短条状。将该试验片S1以长度方向的两端彼此重合的方式在中央部弯曲成U字状，以长度方向达到水平的方式横向制成倒C字状，在该状态下安装于压缩试验机（岛津制作所制造的万能试验机 AGS-5kN）（图1的（a））。具体而言，将试验片S1载置在压缩试验机的台座12上，使试验片S1上方的滑块11以载重98kN（10kgf）、50mm/分钟的速度下降，施加载重后保持5秒钟，完全压垮试验片S1。其后，使滑块11上升，取出U字部被压垮的试验片S2，以长度方向成为上下的方式改变方向，作为试验片S3（图1的（b））。试验片S2、S3具有U字部被压垮的突状弯曲部C。

并且，以弯曲部C朝上的方式将试验片S3载置在上述压缩试验机的台座12上，使弯曲部C上方的滑块11以与上述同样的载重和速度进行下降，施加载重后保持5秒钟，完全压垮试验片S3（图1的（c）、（d））。其后，使滑块11上升，取出弯曲部C被压垮而基本达到平坦的试验片S4，观察以弯曲部C为中心的规定区域的弯曲外表面Sk，判断有无断裂（图1的（e））。

<弯曲性>

对覆铜层叠板的铜箔进行蚀刻而形成规定的电路后，利用图2所示的IPC（美国印刷电路工业会）弯曲试验装置进行弯曲试验。在滑动弯曲试验中测定电路部的电阻，将电阻值从初期上升15%时未断裂且弯曲次数超过10000次的试样记作○、将电阻值从初期上升15%前或上升15%的时刻断裂的试样记作×。

该IPC弯曲试验装置呈现在振动驱动体4上结合有振动传导部件3而成的结构，试验片1在箭头所示的螺丝2的部分和3的前端部的共计4点处被固定于装置。振动部3上下驱动时，试验片1的中间部以规定的曲率半径r弯曲成发夹状。

需要说明的是，试验条件如下所示：试验片宽度：12.7mm、试验片长度：200mm、试验片采取方向：以试验片的长度方向与压延方向达到平行的方式进行采取，曲率半径r：1.5mm、振动冲程：25mm、振动速度：1500次/分钟

另外，铜箔形成在覆铜层叠板的单面时，铜箔朝向图2的曲率半径r的弯曲内表面。另外，在覆铜层叠板的双面层叠有铜箔时，对测定了上述晶体取向的铜箔面进行蚀刻而形成电路，利用蚀刻来完全去除相反面的铜箔。并且，将该电路面作为图2的曲率半径r的弯曲内表面。

蚀刻性用以下的电路线性和半蚀刻性来判定。需要说明的是，在覆铜层叠板的双面层叠有铜箔的情况下，对测定了上述晶体取向的铜箔面进行蚀刻。

关于电路线性，在覆铜层叠板的铜箔表面以宽度方向为50μm宽度且长度方向掩膜形成了较长的短条状电路图案后，将60℃的氯化铁通过进行喷射的喷射蚀刻在铜箔表面形成了50μm宽度的短条状电路。在该电路的长度方向以5μm间距分别用SEM测定上述宽度方向的电路宽度。以上述间距针对100个点的测定，将电路宽度的正态分布的3σ为±2μm以内的情况记作○。

关于半蚀刻，利用过硫酸钠(40g/L)与硫酸(20g/L)的混合水溶液蚀刻至铜箔的厚度达到初期的一半为止，利用CP（截面离子抛光仪，Cross Section Polisher）切割剖面后，沿着蚀刻面方向以5μm的间距分别利用SEM测定剖面的厚度。对于以上述间距针对100个点的测定，将厚度的正态分布的3σ为±2μm以内的情况记作○。

关于蚀刻性的评价，将电路线性和半蚀刻性均为○的情况记作综合评价○，将电路线性和半蚀刻中的任一者不为○的情况记作综合评价×。

将所得结果示于表1、表2。

由表1~表2可以明确：覆铜层叠板中的铜箔表面的面取向与｛102｝存在10度以内的角度差的晶粒的比例为1%以上且50%以下的各实施例的情况下，折弯性、弯曲性和蚀刻性均优异。

需要说明的是，将层叠于各实施例的覆铜层叠板之前的铜箔进行350℃×1秒钟、350℃×20分钟或200℃×30分钟的热处理时，表面的面取向与｛102｝存在10度以内的角度差的晶粒的比例为1%以上且50%以下。

另一方面，在铜箔的最终重结晶退火时的升温过程中，200~500℃的通过时间超过60秒的比较例1、2的情况下，（I（200）/I₀（200））超过10而铜箔表面随机地成为接近的取向，｛102｝不发展，铜箔表面的面取向与｛102｝存在10度以内的角度差的晶粒的比例不足1%。因此，在比较例1、2的情况下，折弯性、弯曲性差。

铜箔的最终冷轧的加工度η超过3.7的比较例3、4的情况下，最终重结晶退火后的X射线衍射强度比（I（200）/I₀（200））不足2，因此，在最终得到的铜箔表面｛100｝集合，铜箔表面的｛102｝取向不发展，铜箔表面的面取向与｛102｝存在10度以内的角度差的晶粒的比例不足1%。因此，在比较例3、4的情况下，折弯性、弯曲性良好，但蚀刻性差。

Claims (5)

1.压延铜箔，其是以质量率计包含99.9%以上的铜的压延铜箔，

在350℃×1秒、350℃×20分钟或200℃×30分钟之中的任一条件下进行热处理后，表面与｛102｝存在10度以内的角度差的晶粒的比例为1%以上且50%以下。

2.权利要求1所述的压延铜箔，其中，合计含有10~300质量ppm的选自Ag、Sn、Zn、Ni、Ti和Zr中的1种或2种以上，余量由Cu和不可避免的杂质组成。

3.覆铜层叠板，其是将权利要求1或2所述的压延铜箔层叠在树脂层的双面或单面而成的覆铜层叠板，

在至少一者的所述压延铜箔中，表面与｛102｝存在10度以内的角度差的晶粒的比例为1%以上且50%以下。

4.柔性印刷基板，其是使用权利要求3所述的覆铜层叠板并在所述压延铜箔上形成电路而成的。

5.电子设备，其使用了权利要求4所述的柔性印刷基板。